JP6747374B2 - 半導体装置の評価装置、半導体装置の評価方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1に係る半導体装置の評価装置1の正面図である。評価装置1はステージ3を備えている。ステージ3は、評価対象となる半導体装置5を1つまたは複数載置し支持する。ステージ3は半導体装置5を真空吸着することで半導体装置5をステージ3に固定する。半導体装置5をステージ3に固定する方法は真空吸着に限らず、静電吸着等であってもよい。
図9は、実施の形態2に係る半導体装置の評価装置の一部断面図である。図9には、接触工程後の様子が示されている。ステージ対向面14hは、先端部分14bのステージ3と対向する面である。このステージ対向面14hには、下面溝部50が複数設けられている。下面溝部50は溝が形成された部分である。下面溝部50は、上面溝部34の直下にある下面溝部50aと、上面溝部34の直下にない下面溝部50bを備えている。上面溝部34と下面溝部50aは平面視で重なることになる。これにより、半導体装置5の大きさにあわせて接触部14fを切断する際に接触部14fを容易に切断できる。下面溝部50aを形成したことで、先端部分14bをステージ対向面14h側からカットすることもできる。切断を容易にするためには、上面溝部34と下面溝部50aをV字溝とし、上面溝部34の底の直下に下面溝部50aの底を配置することが好ましい。
図11は、実施の形態3に係る半導体装置の評価装置の一部断面図である。図11には、接触工程後の様子が示されている。絶縁物14には、接続部分14aの外側側面と、先端部分14bの下面をつなぐ第2傾斜部60が形成されている。第2傾斜部60は絶縁物14の外周面側の下部に形成されている。なお、図11においては、簡単のために保護部材は省略した。
Claims (13)
- 半導体装置を載置し支持するステージと、
取り付け板と、
前記取り付け板の下面に固定された複数のプローブと、
前記取り付け板の下面に着脱可能に接続された接続部分と、接続部分につながる先端部分とを有し、前記接続部分と前記先端部分は平面視で前記複数のプローブを囲み、前記先端部分は前記接続部分よりも前記複数のプローブに向けて伸張した絶縁物と、
前記複数のプローブを介して前記半導体装置に電流を流して前記半導体装置の電気特性を評価する評価部と、を備え、
前記先端部分の前記取り付け板と対向する面に溝が形成された上面溝部を複数設けたことを特徴とする半導体装置の評価装置。 - 前記上面溝部は前記プローブを取り囲むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記上面溝部は平面視で正方形であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記上面溝部は平面視で長方形であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の評価装置。
- 半導体装置を載置し支持するステージと、
取り付け板と、
前記取り付け板の下面に固定された複数のプローブと、
前記取り付け板の下面に着脱可能に接続された接続部分と、接続部分につながる先端部分とを有し、前記接続部分と前記先端部分は平面視で前記複数のプローブを囲み、前記先端部分は前記接続部分よりも前記複数のプローブに向けて伸張した絶縁物と、
前記複数のプローブを介して前記半導体装置に電流を流して前記半導体装置の電気特性を評価する評価部と、を備え、
前記先端部分の前記ステージと対向する面に溝が形成された下面溝部を複数設けたこと
を特徴とする半導体装置の評価装置。 - 前記先端部分の前記ステージと対向する面に溝が形成された下面溝部を複数設け、
前記上面溝部と前記下面溝部が平面視で重なることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の評価装置。 - 半導体装置を載置し支持するステージと、
取り付け板と、
前記取り付け板の下面に固定された複数のプローブと、
前記取り付け板の下面に着脱可能に接続された接続部分と、接続部分につながる先端部分とを有し、前記接続部分と前記先端部分は平面視で前記複数のプローブを囲み、前記先端部分は前記接続部分よりも前記複数のプローブに向けて伸張した絶縁物と、
前記複数のプローブを介して前記半導体装置に電流を流して前記半導体装置の電気特性を評価する評価部と、を備え、
前記絶縁物には、前記接続部分の内側側面と、前記先端部分の上面をつなぐ第1傾斜部が形成されたことを特徴とする半導体装置の評価装置。 - 半導体装置を載置し支持するステージと、
取り付け板と、
前記取り付け板の下面に固定された複数のプローブと、
前記取り付け板の下面に着脱可能に接続された接続部分と、接続部分につながる先端部分とを有し、前記接続部分と前記先端部分は平面視で前記複数のプローブを囲み、前記先端部分は前記接続部分よりも前記複数のプローブに向けて伸張した絶縁物と、
前記複数のプローブを介して前記半導体装置に電流を流して前記半導体装置の電気特性を評価する評価部と、を備え、
前記絶縁物には、前記接続部分の外側側面と、前記先端部分の下面をつなぐ第2傾斜部が形成されたことを特徴とする半導体装置の評価装置。 - 半導体装置を載置し支持するステージと、
取り付け板と、
前記取り付け板の下面に固定された複数のプローブと、
前記取り付け板の下面に着脱可能に接続された接続部分と、接続部分につながる先端部分とを有し、前記接続部分と前記先端部分は平面視で前記複数のプローブを囲み、前記先端部分は前記接続部分よりも前記複数のプローブに向けて伸張した絶縁物と、
前記複数のプローブを介して前記半導体装置に電流を流して前記半導体装置の電気特性を評価する評価部と、を備え、
前記先端部分は、前記プローブの方向に先太りの形状を有することを特徴とする半導体装置の評価装置。 - 半導体装置を載置し支持するステージと、
取り付け板と、
前記取り付け板の下面に固定された複数のプローブと、
前記取り付け板の下面に着脱可能に接続された接続部分と、接続部分につながる先端部分とを有し、前記接続部分と前記先端部分は平面視で前記複数のプローブを囲み、前記先端部分は前記接続部分よりも前記複数のプローブに向けて伸張した絶縁物と、
前記複数のプローブを介して前記半導体装置に電流を流して前記半導体装置の電気特性を評価する評価部と、を備え、
前記絶縁物の前記ステージに対向する面のうち外周側の部分には複数の凹部が形成されたことを特徴とする半導体装置の評価装置。 - 前記絶縁物の前記ステージに対向する面のうち、前記下面溝部よりも外側の部分に複数の凹部が形成されたことを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記先端部分の前記ステージと対向する面に設けられた保護部材を備えたことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 半導体装置をステージにのせる搭載工程と、
取り付け板の下面に固定された複数のプローブを前記半導体装置に接触させつつ、前記取り付け板の下面に接続された接続部分と、前記接続部分につながり前記接続部分よりも前記複数のプローブに向けて伸張した先端部分とを備え平面視で前記複数のプローブを囲む絶縁物の前記先端部分の一部を前記半導体装置に接触させる接触工程と、
前記接触工程の後に、前記複数のプローブを介して前記半導体装置に電流を流して前記半導体装置の電気特性を評価する評価工程と、を備え、
前記接触工程では、前記先端部分は前記半導体装置および前記ステージの両方に接触することを特徴とする半導体装置の評価方法。
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JP2017093204A JP6747374B2 (ja) | 2017-05-09 | 2017-05-09 | 半導体装置の評価装置、半導体装置の評価方法 |
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JP2017093204A JP6747374B2 (ja) | 2017-05-09 | 2017-05-09 | 半導体装置の評価装置、半導体装置の評価方法 |
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JP2018190862A JP2018190862A (ja) | 2018-11-29 |
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