JP2003100819A - 耐圧検査方法及びその装置 - Google Patents
耐圧検査方法及びその装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高耐圧デバイスの耐圧検査における各電極間
や高電圧発生装置等の装置筐体間の絶縁能力を向上さ
せ、半導体基板の状態での耐圧検査を可能とすることで
検査効率を向上させる。 【解決手段】 半導体ウェーハ１を絶縁溶液２２中に浸
漬することで、ゲートに接続されたプローブ１１Ｐ、エ
ミッタに接続された１２Ｐとコレクタに接続された電極
１３Ｃ、容器２１のそれぞれの間での絶縁耐性を向上さ
せた状態で超高圧での耐圧検査を可能とする。半導体ウ
ェーハ１の状態での検査を可能とすることで、検査効
率、生産効率が向上する。
や高電圧発生装置等の装置筐体間の絶縁能力を向上さ
せ、半導体基板の状態での耐圧検査を可能とすることで
検査効率を向上させる。 【解決手段】 半導体ウェーハ１を絶縁溶液２２中に浸
漬することで、ゲートに接続されたプローブ１１Ｐ、エ
ミッタに接続された１２Ｐとコレクタに接続された電極
１３Ｃ、容器２１のそれぞれの間での絶縁耐性を向上さ
せた状態で超高圧での耐圧検査を可能とする。半導体ウ
ェーハ１の状態での検査を可能とすることで、検査効
率、生産効率が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は耐圧検査方法及びそ
の装置に係わり、特に２０００Ｖを超える超高耐圧が要
求されるＩＧＢＴ等のＭＯＳデバイス等の耐圧検査に好
適なものに関する。
の装置に係わり、特に２０００Ｖを超える超高耐圧が要
求されるＩＧＢＴ等のＭＯＳデバイス等の耐圧検査に好
適なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のなかには、産業用、電鉄用
電力変換装置等において使用されるＩＧＢＴ等のＭＯＳ
デバイスやＦＲＤ（Fast Recovery Diode）のような超
高電圧で駆動されるものがある。これらの装置では、２
０００Ｖを超えるような超高耐圧が要求させるので、リ
ーク特性を検査するための耐圧検査を行う必要がある。
電力変換装置等において使用されるＩＧＢＴ等のＭＯＳ
デバイスやＦＲＤ（Fast Recovery Diode）のような超
高電圧で駆動されるものがある。これらの装置では、２
０００Ｖを超えるような超高耐圧が要求させるので、リ
ーク特性を検査するための耐圧検査を行う必要がある。
【０００３】図４に、ここで検査対象とするＩＧＢＴの
回路パターンが形成された半導体ウェーハ１の表面を示
す。ＩＧＢＴの表面側にはゲートＧ及びエミッタＥが配
置され、裏面側には図示されていないコレクタＣが配置
されている。
回路パターンが形成された半導体ウェーハ１の表面を示
す。ＩＧＢＴの表面側にはゲートＧ及びエミッタＥが配
置され、裏面側には図示されていないコレクタＣが配置
されている。
【０００４】図５に、このような半導体ウェーハ１の耐
圧を検査する従来の装置及び方法を示す。ステージ２の
表面上に半導体ウェーハ１が搭載され、半導体ウェーハ
１の裏面におけるコレクタＣがコレクタ電極１３Ｃに電
気的に接続されている。半導体ウェーハ１の表面におい
て、ゲートＧにプローブ１１Ｐが接触した状態でゲート
電極１１Ｇが電気的に接続され、エミッタＥにプローブ
１２Ｐが接触した状態でエミッタ電極１２Ｅが電気的に
接続されている。
圧を検査する従来の装置及び方法を示す。ステージ２の
表面上に半導体ウェーハ１が搭載され、半導体ウェーハ
１の裏面におけるコレクタＣがコレクタ電極１３Ｃに電
気的に接続されている。半導体ウェーハ１の表面におい
て、ゲートＧにプローブ１１Ｐが接触した状態でゲート
電極１１Ｇが電気的に接続され、エミッタＥにプローブ
１２Ｐが接触した状態でエミッタ電極１２Ｅが電気的に
接続されている。
【０００５】そして、ゲート電極１１Ｇとエミッタ電極
１２Ｅとは同電位とし、これとコレクタ電極１３Ｃとの
間で高電圧を印加し、リーク特性を検査していた。
１２Ｅとは同電位とし、これとコレクタ電極１３Ｃとの
間で高電圧を印加し、リーク特性を検査していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の耐圧検
査の手法には次のような問題があった。
査の手法には次のような問題があった。
【０００７】半導体ウェーハ１の表面が大気による絶縁
耐性に依存するため、高耐圧リーク特性を検査する際
に、沿面距離や空間距離、湿度等に左右され、測定耐圧
に限界があった。また、高電圧を印加した際に、プロー
ブ間や筐体間においてスパークが発生し、電圧を印加す
る装置が故障する場合があった。このため、従来は２０
００Ｖ程度の電圧までしか印加することができなかっ
た。
耐性に依存するため、高耐圧リーク特性を検査する際
に、沿面距離や空間距離、湿度等に左右され、測定耐圧
に限界があった。また、高電圧を印加した際に、プロー
ブ間や筐体間においてスパークが発生し、電圧を印加す
る装置が故障する場合があった。このため、従来は２０
００Ｖ程度の電圧までしか印加することができなかっ
た。
【０００８】ところで、近年ではＭＯＳデバイスの高耐
圧化が進み、６５００Ｖまで製品化されつつある。しか
し、上述した理由により、このような高耐圧デバイスを
ウェーハ状態で検査することができず、素子に分離して
アセンブリした後でなければ耐圧特性を検査することが
できなかった。一般的に、高耐圧化が進むほど耐圧歩留
は低下するので、アセンブリした後でなければ検査でき
ないことが、検査効率を大幅に低下させる原因となって
いた。このため、ウェーハ状態で高耐圧検査を行うこと
が望まれている。
圧化が進み、６５００Ｖまで製品化されつつある。しか
し、上述した理由により、このような高耐圧デバイスを
ウェーハ状態で検査することができず、素子に分離して
アセンブリした後でなければ耐圧特性を検査することが
できなかった。一般的に、高耐圧化が進むほど耐圧歩留
は低下するので、アセンブリした後でなければ検査でき
ないことが、検査効率を大幅に低下させる原因となって
いた。このため、ウェーハ状態で高耐圧検査を行うこと
が望まれている。
【０００９】また、摂氏１００度以上の高温における耐
圧検査を行う場合には、半導体ウェーハを搭載するステ
ージにヒータ等の温度制御装置を設ける必要が生じる。
しかし、近年の高耐圧デバイスのような６５００Ｖほど
の超高耐圧になると、温度制御装置における絶縁が困難
であった。
圧検査を行う場合には、半導体ウェーハを搭載するステ
ージにヒータ等の温度制御装置を設ける必要が生じる。
しかし、近年の高耐圧デバイスのような６５００Ｖほど
の超高耐圧になると、温度制御装置における絶縁が困難
であった。
【００１０】本発明は上記事情に鑑み、高耐圧デバイス
の耐圧検査を行う際に絶縁性を向上させ、各電極間や装
置筐体間の絶縁能力を向上させて、半導体基板での耐圧
検査を可能とすることで検査効率及び生産効率を向上さ
せることが可能な耐圧検査方法及びその装置を提供する
ことを目的とする。
の耐圧検査を行う際に絶縁性を向上させ、各電極間や装
置筐体間の絶縁能力を向上させて、半導体基板での耐圧
検査を可能とすることで検査効率及び生産効率を向上さ
せることが可能な耐圧検査方法及びその装置を提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の耐圧検査方法
は、ステージ上に搭載された半導体基板の耐圧を検査す
る方法であって、前記半導体基板の少なくとも表面を絶
縁溶液で覆うステップと、前記半導体基板における少な
くとも２カ所の間に電圧を印加することで、前記半導体
基板の耐圧を検査するステップとを備えることを特徴と
する。
は、ステージ上に搭載された半導体基板の耐圧を検査す
る方法であって、前記半導体基板の少なくとも表面を絶
縁溶液で覆うステップと、前記半導体基板における少な
くとも２カ所の間に電圧を印加することで、前記半導体
基板の耐圧を検査するステップとを備えることを特徴と
する。
【００１２】また本発明の耐圧検査方法は、前記ステー
ジ上に搭載された前記半導体基板を絶縁溶液中に浸漬す
るステップと、前記半導体基板における少なくとも２カ
所の間に電圧を印加することで、前記半導体基板の耐圧
を検査するステップとを備えることを特徴とする。
ジ上に搭載された前記半導体基板を絶縁溶液中に浸漬す
るステップと、前記半導体基板における少なくとも２カ
所の間に電圧を印加することで、前記半導体基板の耐圧
を検査するステップとを備えることを特徴とする。
【００１３】本発明の耐圧検査装置は、半導体基板を搭
載するステージと、前記半導体基板の少なくとも表面を
覆う絶縁溶液と、前記半導体基板における少なくとも２
カ所の間に電圧を印加する電圧印加手段とを備えること
を特徴とする。
載するステージと、前記半導体基板の少なくとも表面を
覆う絶縁溶液と、前記半導体基板における少なくとも２
カ所の間に電圧を印加する電圧印加手段とを備えること
を特徴とする。
【００１４】さらに本発明の耐圧検査装置は、半導体基
板を搭載するステージと、絶縁溶液を収納する容器と、
前記ステージ上に搭載された状態で、前記容器内の前記
絶縁溶液中に浸漬した前記半導体基板における少なくと
も２カ所の間に電圧を印加する電圧印加手段とを備える
ことを特徴とする。
板を搭載するステージと、絶縁溶液を収納する容器と、
前記ステージ上に搭載された状態で、前記容器内の前記
絶縁溶液中に浸漬した前記半導体基板における少なくと
も２カ所の間に電圧を印加する電圧印加手段とを備える
ことを特徴とする。
【００１５】ここで、前記容器との間で前記絶縁溶液が
移動できるように連通した溶液槽と、前記容器内と前記
溶液槽との間で前記絶縁溶液を循環させるポンプと、前
記溶液槽内の前記絶縁溶液を所望の温度に制御する温度
制御手段とをさらに備えてもよい。
移動できるように連通した溶液槽と、前記容器内と前記
溶液槽との間で前記絶縁溶液を循環させるポンプと、前
記溶液槽内の前記絶縁溶液を所望の温度に制御する温度
制御手段とをさらに備えてもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１７】（１）第１の実施の形態
本発明の第１の実施の形態による耐圧検査方法及びその
装置の構成を図１に示す。
装置の構成を図１に示す。
【００１８】ここで、検査対象とするのは高耐圧リーク
特性を要求されるものであり、例えば図４を用いて説明
したＩＧＢＴの回路パターンが形成された半導体ウェー
ハ１が対応する。半導体ウェーハ１に形成されたＩＧＢ
Ｔは、表面側にゲートＧ及びエミッタＥが配置され、裏
面側にコレクタＣが配置されている。
特性を要求されるものであり、例えば図４を用いて説明
したＩＧＢＴの回路パターンが形成された半導体ウェー
ハ１が対応する。半導体ウェーハ１に形成されたＩＧＢ
Ｔは、表面側にゲートＧ及びエミッタＥが配置され、裏
面側にコレクタＣが配置されている。
【００１９】ステージ２の表面上に半導体ウェーハ１が
搭載された状態で、容器２１に収納された絶縁溶液２２
中に浸漬される。絶縁溶液２２は高絶縁能力を有する液
体であって、例えばフッ素系不活性液体（住友スリーエ
ム製：フロリナート）や、シリコンオイル等を使用して
もよい。これらの絶縁溶液は、約４０ｋＶ（２．５４ｍ
ｍギャップ）の絶縁能力を有し、約１０ｋＶといった高
電圧を印加させる耐圧検査を行うことが可能である。
搭載された状態で、容器２１に収納された絶縁溶液２２
中に浸漬される。絶縁溶液２２は高絶縁能力を有する液
体であって、例えばフッ素系不活性液体（住友スリーエ
ム製：フロリナート）や、シリコンオイル等を使用して
もよい。これらの絶縁溶液は、約４０ｋＶ（２．５４ｍ
ｍギャップ）の絶縁能力を有し、約１０ｋＶといった高
電圧を印加させる耐圧検査を行うことが可能である。
【００２０】半導体ウェーハ１の裏面におけるコレクタ
Ｃがコレクタ電極１３Ｃに電気的に接続されている。半
導体ウェーハ１の表面において、ゲートＧにプローブ１
１Ｐが接触した状態でゲート電極１１Ｇが電気的に接続
され、エミッタＥにプローブ１２Ｐが接触した状態でエ
ミッタ電極１２Ｅが電気的に接続されている。ここで、
ゲート電極１１Ｇとエミッタ電極１２Ｅとは同電位と
し、これとコレクタ電極１３Ｃとの間で高圧を印加し、
耐圧特性を検査する。
Ｃがコレクタ電極１３Ｃに電気的に接続されている。半
導体ウェーハ１の表面において、ゲートＧにプローブ１
１Ｐが接触した状態でゲート電極１１Ｇが電気的に接続
され、エミッタＥにプローブ１２Ｐが接触した状態でエ
ミッタ電極１２Ｅが電気的に接続されている。ここで、
ゲート電極１１Ｇとエミッタ電極１２Ｅとは同電位と
し、これとコレクタ電極１３Ｃとの間で高圧を印加し、
耐圧特性を検査する。
【００２１】このように、本実施の形態によれば、ステ
ージ２上に搭載された半導体ウェーハ１が絶縁溶液２２
中に浸漬した状態で耐圧検査が行われる。このため、従
来と異なり沿面距離、空間距離、湿度等が影響する大気
の絶縁耐圧に左右されることがなく、測定耐圧を従来の
２０００Ｖから例えば１０ｋＶというように大幅に向上
させることができる。このような高電圧を印加した場合
にも、プローブ間や筐体間においてスパークが発生する
ことがなく、高電圧を印加する装置の故障を防止するこ
とが可能である。
ージ２上に搭載された半導体ウェーハ１が絶縁溶液２２
中に浸漬した状態で耐圧検査が行われる。このため、従
来と異なり沿面距離、空間距離、湿度等が影響する大気
の絶縁耐圧に左右されることがなく、測定耐圧を従来の
２０００Ｖから例えば１０ｋＶというように大幅に向上
させることができる。このような高電圧を印加した場合
にも、プローブ間や筐体間においてスパークが発生する
ことがなく、高電圧を印加する装置の故障を防止するこ
とが可能である。
【００２２】従って、高耐圧デバイスをウェーハ状態で
検査することができるので、検査効率、生産効率を向上
させることができる。
検査することができるので、検査効率、生産効率を向上
させることができる。
【００２３】（２）第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態による耐圧検査方法及びその
装置の構成を図２に示す。本実施の形態は、上記第１の
実施の形態の構成に加えて、半導体ウェーハ１が浸漬さ
れた絶縁溶液２２を熱媒体とし、この熱媒体の温度を制
御することで、半導体ウェーハ１やステージ２の温度を
所望の温度で一定となるように制御する構成をさらに備
えている。ここで、上記第１の実施の形態と同一の要素
には、同一の番号を付して説明を省略する。
装置の構成を図２に示す。本実施の形態は、上記第１の
実施の形態の構成に加えて、半導体ウェーハ１が浸漬さ
れた絶縁溶液２２を熱媒体とし、この熱媒体の温度を制
御することで、半導体ウェーハ１やステージ２の温度を
所望の温度で一定となるように制御する構成をさらに備
えている。ここで、上記第１の実施の形態と同一の要素
には、同一の番号を付して説明を省略する。
【００２４】上記第１の実施の形態と同様に、半導体ウ
ェーハ１がステージ２上に搭載された状態で、容器３１
内に収納された絶縁溶液２２中に浸漬されている。半導
体ウェーハ１の表面におけるゲート、エミッタに、プロ
ーブ１１Ｐ、１２Ｐをそれぞれ介してゲート電極１１
Ｇ、エミッタ電極１２Ｅが接続されており、また半導体
ウェーハ１の裏面においてステージ２を介してコレクタ
電極１３Ｃが接続されている。
ェーハ１がステージ２上に搭載された状態で、容器３１
内に収納された絶縁溶液２２中に浸漬されている。半導
体ウェーハ１の表面におけるゲート、エミッタに、プロ
ーブ１１Ｐ、１２Ｐをそれぞれ介してゲート電極１１
Ｇ、エミッタ電極１２Ｅが接続されており、また半導体
ウェーハ１の裏面においてステージ２を介してコレクタ
電極１３Ｃが接続されている。
【００２５】さらに、容器３１より体積が大きい容器３
２が、容器３１を収納するように配置されている。容器
３２の底面には貫通穴Ｈ１が形成されており、この貫通
穴Ｈ１と管３４とによって容器３２と攪拌槽４１とが連
結されている。これにより、容器３１から矢印Ａで示さ
れたように溢れ出た絶縁溶液２２が容器３２内に収納さ
れ、この絶縁溶液２２が貫通穴Ｈ１、管３４を介して矢
印Ｂのように攪拌槽４１内に流出する。
２が、容器３１を収納するように配置されている。容器
３２の底面には貫通穴Ｈ１が形成されており、この貫通
穴Ｈ１と管３４とによって容器３２と攪拌槽４１とが連
結されている。これにより、容器３１から矢印Ａで示さ
れたように溢れ出た絶縁溶液２２が容器３２内に収納さ
れ、この絶縁溶液２２が貫通穴Ｈ１、管３４を介して矢
印Ｂのように攪拌槽４１内に流出する。
【００２６】攪拌槽４１には、冷凍機４２と加熱器４３
とが設けられており、攪拌槽４１内の絶縁溶液２２が所
望の温度で一定になるように制御される。
とが設けられており、攪拌槽４１内の絶縁溶液２２が所
望の温度で一定になるように制御される。
【００２７】容器３１の底面には貫通穴Ｈ２が形成され
ており、この貫通穴Ｈ２、管３３と循環ポンプ４５とを
介して容器３１が攪拌槽４１に連結されている。これに
より、攪拌槽４１内の絶縁溶液２２が循環ポンプ４５に
よって管３３、貫通穴Ｈ２を経て矢印Ｄのように容器３
１へ循環する。管３３の途中にはフィルタ４６が設けら
れており、絶縁溶液２２中に含まれる不純物等が除去さ
れる。絶縁溶液２２が容器２２内に戻ると、矢印Ａのよ
うに容器２２から溢れて容器３２に収納され、攪拌槽４
１へ移動して温度制御される。
ており、この貫通穴Ｈ２、管３３と循環ポンプ４５とを
介して容器３１が攪拌槽４１に連結されている。これに
より、攪拌槽４１内の絶縁溶液２２が循環ポンプ４５に
よって管３３、貫通穴Ｈ２を経て矢印Ｄのように容器３
１へ循環する。管３３の途中にはフィルタ４６が設けら
れており、絶縁溶液２２中に含まれる不純物等が除去さ
れる。絶縁溶液２２が容器２２内に戻ると、矢印Ａのよ
うに容器２２から溢れて容器３２に収納され、攪拌槽４
１へ移動して温度制御される。
【００２８】このように本実施の形態によれば、絶縁溶
液２２を熱媒体としてその温度を制御することにより、
半導体ウェーハ１、ステージ２の温度を所望の温度で一
定となるように制御することができる。従って、例えば
絶縁溶液２２を摂氏１５０度で一定となるように制御す
ることにより、高温における耐圧検査を容易に行うこと
が可能となる。
液２２を熱媒体としてその温度を制御することにより、
半導体ウェーハ１、ステージ２の温度を所望の温度で一
定となるように制御することができる。従って、例えば
絶縁溶液２２を摂氏１５０度で一定となるように制御す
ることにより、高温における耐圧検査を容易に行うこと
が可能となる。
【００２９】（３）第３の実施の形態
上述した第１、第２の実施の形態では、いずれも半導体
ウェーハ１を搭載したステージ２ごと浸漬させる構成を
備えている。これに対し、本実施の形態では、図３に示
されたように、ステージ２上の半導体ウェーハ１の表面
にスプレーあるいはポッティング等によって絶縁溶液５
１が塗布された状態で耐圧検査を行う。ここで、上記第
１の実施の形態と同一の要素には同一の番号を付して説
明を省略する。
ウェーハ１を搭載したステージ２ごと浸漬させる構成を
備えている。これに対し、本実施の形態では、図３に示
されたように、ステージ２上の半導体ウェーハ１の表面
にスプレーあるいはポッティング等によって絶縁溶液５
１が塗布された状態で耐圧検査を行う。ここで、上記第
１の実施の形態と同一の要素には同一の番号を付して説
明を省略する。
【００３０】本実施の形態によれば、半導体ウェーハ１
の表面が絶縁溶液５１で覆われた状態でエミッタ及びゲ
ートと、コレクタとの間に高電圧を印加して耐圧検査を
行うことにより、高耐圧での検査が可能となる。
の表面が絶縁溶液５１で覆われた状態でエミッタ及びゲ
ートと、コレクタとの間に高電圧を印加して耐圧検査を
行うことにより、高耐圧での検査が可能となる。
【００３１】さらに、本実施の形態によれば、耐圧検査
が終了した後、半導体ウェーハ１の表面上の絶縁溶液５
１を高圧ガス等で吹き飛ばすことで、容易に絶縁溶液５
１を除去することができるので、検査効率が向上する。
ここで、高温での耐圧検査を行う場合には、例えばステ
ージ２を加熱手段等で温度制御するか、あるいは恒温槽
に半導体ウェーハ１を搭載したステージ２を収納する等
を行ってもよい。
が終了した後、半導体ウェーハ１の表面上の絶縁溶液５
１を高圧ガス等で吹き飛ばすことで、容易に絶縁溶液５
１を除去することができるので、検査効率が向上する。
ここで、高温での耐圧検査を行う場合には、例えばステ
ージ２を加熱手段等で温度制御するか、あるいは恒温槽
に半導体ウェーハ１を搭載したステージ２を収納する等
を行ってもよい。
【００３２】上述した実施の形態はいずれも一例であ
り、本発明を限定するものではない。例えば、検査対象
とするものはＩＧＢＴに限らず、耐圧検査を必要とする
全ての素子を検査対象とすることができ、また検査対象
に応じて電圧を印加する箇所及び数も相違する。また、
絶縁溶液の温度を制御する具体的な構造は、図２に示さ
れたものと異なっていてもよく、必要に応じて様々に変
形が可能である。
り、本発明を限定するものではない。例えば、検査対象
とするものはＩＧＢＴに限らず、耐圧検査を必要とする
全ての素子を検査対象とすることができ、また検査対象
に応じて電圧を印加する箇所及び数も相違する。また、
絶縁溶液の温度を制御する具体的な構造は、図２に示さ
れたものと異なっていてもよく、必要に応じて様々に変
形が可能である。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の耐圧検査
方法及びその装置によれば、半導体基板の少なくとも表
面を絶縁溶液で覆った状態で耐圧検査を行うことによ
り、大気の絶縁耐性に左右されることなく、かつデバイ
スの状態までアセンブリする前段階の半導体基板の状態
で検査を容易に行うことが可能であり、検査効率及び生
産効率が向上する。
方法及びその装置によれば、半導体基板の少なくとも表
面を絶縁溶液で覆った状態で耐圧検査を行うことによ
り、大気の絶縁耐性に左右されることなく、かつデバイ
スの状態までアセンブリする前段階の半導体基板の状態
で検査を容易に行うことが可能であり、検査効率及び生
産効率が向上する。
【図１】本発明の第１の実施の形態による耐圧検査装置
の構成及び検査方法を示した説明図。
の構成及び検査方法を示した説明図。
【図２】本発明の第２の実施の形態による耐圧検査装置
の構成及び検査方法を示した説明図。
の構成及び検査方法を示した説明図。
【図３】本発明の第３の実施の形態による耐圧検査装置
の構成及び検査方法を示した説明図。
の構成及び検査方法を示した説明図。
【図４】本発明により検査することが可能なＩＧＢＴの
平面構成を示した平面図。
平面構成を示した平面図。
【図５】従来の耐圧検査装置の構成及び検査方法を示し
た説明図。
た説明図。
１ 半導体ウェーハ
２ ステージ
１１Ｇ ゲート
１２Ｅ エミッタ
１３Ｃ コレクタ
１１Ｐ、１２Ｐ プローブ
２１、３１、３２ 容器
２２、５１ 絶縁溶液
３３、３４、４４ 管
４１ 循環槽
４２ 温度制御用冷凍機
４３ 温度制御用加熱機
４５ 循環ポンプ
４６ フィルタ
Claims (5)
- 【請求項１】ステージ上に搭載された半導体基板の耐圧
を検査する方法であって、 前記半導体基板の少なくとも表面を絶縁溶液で覆うステ
ップと、 前記半導体基板における少なくとも２カ所の間に電圧を
印加することで、前記半導体基板の耐圧を検査するステ
ップと、 を備えることを特徴とする耐圧検査方法。 - 【請求項２】ステージ上に搭載された半導体基板の耐圧
を検査する方法であって、 前記ステージ上に搭載された前記半導体基板を絶縁溶液
中に浸漬するステップと、 前記半導体基板における少なくとも２カ所の間に電圧を
印加することで、前記半導体基板の耐圧を検査するステ
ップと、 を備えることを特徴とする耐圧検査方法。 - 【請求項３】半導体基板を搭載するステージと、 前記半導体基板の少なくとも表面を覆う絶縁溶液と、 前記半導体基板における少なくとも２カ所の間に電圧を
印加する電圧印加手段と、 を備えることを特徴とする耐圧検査装置。 - 【請求項４】半導体基板を搭載するステージと、 絶縁溶液を収納する容器と、 前記ステージ上に搭載された状態で、前記容器内の前記
絶縁溶液中に浸漬した前記半導体基板における少なくと
も２カ所の間に電圧を印加する電圧印加手段と、 を備えることを特徴とする耐圧検査装置。 - 【請求項５】前記容器との間で前記絶縁溶液が移動でき
るように連通した溶液槽と、 前記容器内と前記溶液槽との間で前記絶縁溶液を循環さ
せるポンプと、 前記溶液槽内の前記絶縁溶液を所望の温度に制御する温
度制御手段と、 をさらに備えることを特徴とする請求項４記載の耐圧検
査装置。
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