JP6285292B2 - プローブカードおよび検査装置 - Google Patents

Description

本発明は、簡易な構成で、スパークおよびリークの発生を抑制するプローブカードおよび検査装置に関する。

基板の両面に電極を備えた半導体デバイスの電気特性を検査する検査装置では、基板の両面に、プローブカードが備える検査用接触子を接触させることにより、ウエハ上に形成された半導体デバイスをウエハ状態のままで検査する。

この検査装置では、基板の表面の端子と裏面の端子とを接続して、高電圧を印加させることにより、リーク特性などの電気的な特性の検査を行うので、高電圧を印加した際、端子からスパークまたはリークが発生することがあった。

そこで、このスパークおよびリークの発生を抑制するために、パッシェンの法則に基づいて高気圧下で測定したり、絶縁液などに浸透した状態で検査をおこなっていた。

例えば、高気圧下で測定する方法では、高気圧に耐えうる検査装置の装置構成が必要となり、検査装置の製造コストが高くなるという問題があった。具体的には、気圧を１気圧上昇させると、１（ｃｍ２）当たり１（ｋｇｆ）の加重が発生するので、直径が２０（ｃｍ２）の半導体ウェハのでは、３１４（ｋｇｆ）の加重に耐えうる構造が必要となり、検査装置の製造コストが高くなる。

特許文献１には、半導体ウェハを絶縁溶液中に浸漬することで、ゲートに接続されたプローブ、エミッタに接続されたプローブとコレクタに接続された電極、容器のそれぞれの間での絶縁耐性を向上させた状態で超高圧での耐圧検査を行う耐圧検査装置に関する技術が提案されている。

特開２００３−１００８１９号公報

しかしながら、特許文献１に記載の耐圧検査装置では、半導体ウェハの絶縁液中での搬送、固定、固定後のステージ移動などにおいて、非常にゆっくりと取り扱う必要があり、検査時間が長くなるという問題があった。

また、特許文献１に記載の耐圧検査装置では、絶縁液が漏洩しないように保持する装置や絶縁液中で半導体ウェハを移動させる装置などが必要となり、検査装置の製造コストが高くなるという問題もあった。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、簡易な構成で、スパークおよびリークの発生を抑制するプローブカードおよび検査装置を提供することになる。

上記目的を達成するため、本発明のプローブカードの第１の特徴は、基板の一方の面に複数の電極が設けられた半導体デバイスの電気特性を検査する検査装置に用いられ、前記基板の一方の面と対向する面に、前記複数の電極に対して先端が接触可能に１以上のプローブが設けられたプローブカードであって、前記１以上のプローブの先端が前記複数の電極のいずれかに接触する位置にあるときに、前記基板の一方の面において互いに隣り合う前記電極の間に接触するように、前記基板の一方の面と対向する面に設けられた絶縁部材と、前記基板に接触しないように前記絶縁部材上に設けられ、所定の電圧が印加される導電部材と、を備えたことにある。

また、本発明のプローブカードの第２の特徴は、前記絶縁部材は、弾性材であることにある。

また、本発明のプローブカードの第３の特徴は、前記絶縁部材は、前記１以上のプローブの先端が前記複数の電極に接触する位置にあるときに、スクライブラインに接触するように設けられたことにある。

また、本発明のプローブカードの第４の特徴は、前記１以上のプローブおよび前記絶縁部材の側面を覆うように、前記基板の一方の面に対向する面に設けられた保護部材を、さらに備え、前記保護部材は、前記基板に向かって凸曲面状に盛り上がるように形成されたことにある。

また、本発明のプローブカードの第５の特徴は、前記絶縁部材は、前記１以上のプローブが接触している電極を囲むように設けられたことにある。

また、本発明のプローブカードの第６の特徴は、前記絶縁部材は、前記基板の一方の面にＸ−Ｙ方向に配列されて設けられた前記複数の電極に対して、Ｘ方向およびＹ方向ともに１つ置きに囲むように設けられたことにある。

上記目的を達成するため、本発明の検査装置の第１の特徴は、基板の両面に電極が設けられた半導体デバイスの電気特性を検査する検査装置であって、前記基板と対向する面に、前記基板の一方の面に設けられた複数の第１の電極に対して、先端が接触可能に１以上のプローブが設けられたプローブカードと、前記基板の他方の面に設けられた第２の電極と接触しながら、前記基板を支持する支持部と、印加する電圧を制御する制御部と、を備え、前記プローブカードは、前記１以上のプローブの先端が前記複数の第１の電極のいずれかに接触する位置にあるときに、前記基板の一方の面において互いに隣り合う前記第１の電極の間に接触するように、前記基板と対向する面に設けられた絶縁部材と、前記基板に接触しないように、前記絶縁部材上に設けられた導電部材と、を有し、前記制御部は、前記１以上のプローブが接触している第１の電極と前記第２の電極との間に所定の電位差が生じるように前記支持部に電圧を印加し、前記１以上のプローブが接触している第１の電極と前記導電部材との電位差が、前記１以上のプローブが接触している第１の電極と前記導電部材との間でスパークまたはリークの発生する電位差未満となるように、前記導電部材に電圧を印加することにある。

本発明のプローブカードおよび検査装置によれば、簡易な構成で、スパークおよびリークの発生を抑制することができる。

本発明の一実施形態である検査装置の全体構造を示した図である。 本発明の一実施形態である検査装置のチャックトップ上に載置された半導体ウェハの上面の一部の第１の電極を示した平面図である。 従来技術におけるスパークおよびリークの発生現象を模式的に説明した説明図である。 本発明の一実施形態である検査装置によりスパークおよびリークの発生を防止しながら半導体ウェハの電気特性を検査する検査概要を模式的に説明した図である。 本発明の一実施形態である検査装置の回路構成を示した図である。 本発明の変形例である検査装置のチャックトップ上に載置された半導体ウェハの上面の一部の第１の電極と、この第１の電極を囲むように設けられたスクライブライン上に接触している絶縁部材とを示した平面図である。

以下、本発明の実施形態に係る検査装置を、図面を参照しながら詳細に説明する。

＜検査装置の構成＞
図１は、本発明の一実施形態である検査装置を含む全体構造を示した図である。

図１に示すように、本発明の一実施形態である検査装置１は、検査対象である半導体デバイスをウェハ状態のまま検査する装置であり、被検査体である半導体ウェハ６０に接触する円形平板状のプローブカード１１と、半導体ウェハ６０を支持するチャックトップ５１と、プローブカード１１およびチャックトップ５１に電圧を印加する電力供給部５３と、電力供給部５３を含む検査装置１全体の中枢的な制御を行う制御部５２とを備えている。

チャックトップ５１は、厚さ１０〜１５ｍｍの円板状に成形されており、例えば銅やアルミニウムなどの金属部材の表面に金メッキを施したものである。チャックトップ５１の上面は、半導体ウェハ６０を支持する導電性の平坦な支持面となっており、検査対象の半導体ウェハ６０を載置させることができる。

チャックトップ５１の上面に半導体ウェハ６０が載置されることにより、半導体ウェハ６０は、チャックトップ５１を介して、電力供給部５３に接続されることになる。

なお、チャックトップ５１は、図示しない可動ステージの上に固定されており、可動ステージは、図面の左右方向（Ｘ方向）と紙面に垂直な前後方向（Ｙ方向）と図面の上下方向（Ｚ方向）に移動可能である。この可動ステージの移動により、適切な位置で、半導体ウェハ６０とプローブカード１１と接触させて接続させることにより、電気的な検査を行うことができる。

チャックトップ５１上に載置された半導体ウェハ６０上、すなわち半導体ウェハ６０のプローブカード１１側の面には、第１の電極６１が設けられており、半導体ウェハ６０のチャックトップ５１側の面には、第２の電極６２が設けられている。

第１の電極に６１には、ゲート端子６１ａと、ソース端子６１ｂとが備えられている。

図２は、本発明の一実施形態である検査装置１のチャックトップ５１上に載置された半導体ウェハ６０の上面の一部の第１の電極６１を示した平面図である。

図２に示すように、第１の電極６１は、半導体ウェハ６０上にＸ−Ｙ方向にそれぞれ複数列となるように、規則正しく配置されている。なお、図２に示した例では、３列×３列に配置された第１の電極６１を示しているが、３列×３列にかかわらず、半導体ウェハ６０の大きさに応じて複数列に配置されている。

そして、半導体ウェハ６０上であって、互いに隣り合う第１の電極６１の間には、電極の区切りとしてそれぞれスクライブライン６３が形成されている。第１の電極６１は、Ｘ−Ｙ方向に複数列となるように配置されているので、第１の電極６１を囲むようにスクライブライン６３が形成されることになる。

そして、この第１の電極６１に備えられたゲート端子６１ａおよびソース端子６１ｂに、後述するプローブカード１１のプローブが接触することにより、電気的な検査が行われる。

図１に戻り、プローブカード１１は、プローブ基板１２を備えており、プローブ基板１２は、例えばセラミック板と、セラミック板の下面に形成された多層配線層とを備えている。多層配線層は、電気絶縁性を示す例えばポリイミド樹脂材料からなる多層板と、各多層板間に形成された配線路とを有する。

プローブカード１１の多層配線層の下面には、多層配線層の配線路にそれぞれ電気的に接続された複数のプローブランド１３が形成されており、この複数のプローブランド１３には、対応するプローブ１４の上端が接続されている。

これにより、プローブ１４は、多層配線層の下面から下方へ突出するようにプローブ基板１２に取り付けられ、多層配線層の配線路に接続されている。

プローブ１４は、鍵状に湾曲した形状を有しており、上下方向（Ｚ方向）に対して弾力性を有する。

また、プローブカード１１の下面には、絶縁性の材料を用いて成形された絶縁部材１５が設けられている。絶縁部材１５は、プローブ１４の先端が第１の電極６１に接触する位置にあるときに、スクライブライン６３上に接触する。すなわち、スクライブライン６３は、連続する第１の電極６１それぞれを囲むように配置されているので、絶縁部材１５も同様に、第１の電極６１それぞれを囲むように配置されている。

また、絶縁部材１５は、絶縁性を有するとともに弾力性を有している。これにより、可動ステージが上方向（Ｚ方向）に移動した際、第１の電極６１とプローブ１４との接触を妨げることなく、スクライブライン６３に接触することができる。

この絶縁部材１５上には、半導体ウェハ６０に接触しないように導電部材１６が設けられている。この導電部材１６に電圧を印加させることにより、隣接するプローブ１４の先端が接触していない第１の電極６１からのスパークおよびリークの発生を防止することができる。詳細は後述する。

さらに、プローブカード１１の下面には、プローブ１４および絶縁部材１５の側面を覆うように、保護部材１７が設けられている。保護部材１７は、半導体ウェハ６０に向かって凸曲面状に盛り上がるように形成されている。このように、凸曲面状に盛り上がるように形成されていることにより、仮に保護部材１７が帯電した場合でも、尖った先端部分がないので、半導体ウェハ６０に対してスパークが発生しにくいという効果がある。

制御部５２は、電力供給部５３を制御することにより、プローブ１４が接触している第１の電極６１と第２の電極６２との間に所定の電位差が生じるようにチャックトップ５１に電圧を印加する。

また、制御部５２は、電力供給部５３を制御することにより、プローブ１４が接触している第１の電極６１と導電部材１６との電位差が、プローブ１４が接触している第１の電極６１と導電部材１６との間でスパークまたはリークが発生する電位差未満となるように、導電部材１６に電圧を印加する。

＜スパークまたはリークの発生現象＞
まずは、従来技術におけるスパークおよびリークの発生現象について説明する。

図３は、従来技術におけるスパークおよびリークの発生現象を模式的に説明した説明図である。この図では、第１の電極６１（ここでは、第１の電極６１（１）と示す）と、第１の電極６１（ここでは、第１の電極６１（２）と示す）とが互いに隣接しており、これらの境界部分を拡大して示している。ここでは、第１の電極６１（１）の電気特性を検査する場合を例に挙げて説明する。

図３に示すように、第１の電極６１（１）が備えるソース端子６１ｂ（１）と、第１の電極６１（２）が備えるソース端子６１ｂ（２）との間には、スクライブライン６３が形成されている。

そして、半導体ウェハ６０の下面（チャックトップ５１側の面）には、第２の電極６２が設けられている。なお、ここでは、簡単のため、チャックトップ５１は図示していないが、電力供給部５３は、制御部５２の指示に従い、チャックトップ５１から第２の電極６２に電圧を印加させることができる。

電力供給部５３は、第２の電極６２に１０（ｋＶ）の電圧を印加させ、プローブ１４の先端が、第１の電極６１（１）が備えるソース端子６１ｂ（１）に接触させて接地することにより、第１の電極６１（１）が備えるソース端子６１ｂ（１）を０（ｋＶ）とする。

これにより、第１の電極６１（１）と第２の電極６２との間に、１０（ｋＶ）の電位差を生じさせ、第１の電極６１（１）の電気特性を検査する。

ここで、第１の電極６１（１）と第１の電極６１（２）とは、ともに、ｎ＋型半導体、ｎ−型半導体が積層された半導体ウェハ上に形成されており、第２の電極６２に、１０（ｋＶ）の電圧が印加されると、印加された電位からの電場が第１の電極６１（２）が備えるソース端子６１ｂ（２）上に隆起し、１０（ｋＶ）の電位となる。

ソース端子６１ｂ（２）が１０（ｋＶ）の電位となると、ソース端子６１ｂ（１）の電位は、０（ｋＶ）であるので、第１の電極６１（１）のソース端子６１ｂ（１）と第１の電極６１（２）のソース端子６１ｂ（２）との間の電位差が、１０（ｋＶ）と大きな値となる。

そのため、第１の電極６１（２）から第１の電極６１（１）や、プローブ１４などにスパークＥ（放電）や半導体ウェハ６０内でリーク（漏電）が発生し、装置や半導体デバイスを破壊してしまう恐れがあった。このようなスパークおよびリークが発生する現象を防止することが本願発明の課題である。

＜スパークおよびリークの発生防止の説明＞
図４は、本発明の一実施形態である検査装置１によりスパークおよびリークの発生を防止しながら半導体ウェハ６０の電気特性を検査する検査概要を模式的に説明した図であり、図５は、本発明の一実施形態である検査装置１の回路構成を示した図である。

図４に示すように、半導体ウェハ６０上であって、互いに隣り合う第１の電極６１（１）と第１の電極６１（２）との間には、電極の区切りとしてそれぞれスクライブライン６３が形成されている。

そして、図示しないが、可動ステージが上方向に移動されることにより、第１の電極６１（１）のソース端子６１ｂ（１）にプローブ１４の先端が接触したとき、絶縁部材１５は、スクライブライン６３上に接触する。

また、半導体ウェハ６０の下面（チャックトップ５１側の面）には、第２の電極６２が設けられている。

図４，５に示すように、電力供給部５３が、制御部５２の指示に従い、第２の電極６２に１０（ｋＶ）の電圧を印加させ、プローブ１４の先端が、第１の電極６１（１）が備えるソース端子６１ｂ（１）に接触させて接地することにより、第１の電極６１（１）が備えるソース端子６１ｂ（１）を０（ｋＶ）とする。

これにより、第１の電極６１（１）と第２の電極６２との間に、１０（ｋＶ）の電位差を生じさせる。

このとき、電力供給部５３は、制御部５２の指示に従い、プローブ１４が接触している第１の電極のソース端子６１ｂ（１）と導電部材１６との電位差が、プローブ１４が接触している第１の電極６１（１）と導電部材１６との間でスパークまたはリークが発生する電位差未満となるように、導電部材１６に電圧を印加する。

ここでは、導電部材１６とソース端子６１ｂ（１）との電位差が、５（ｋＶ）以上だと、導電部材１６からソース端子６１ｂ（１）へスパークまたはリークが発生するとする。この場合、ソース端子６１ｂ（１）の電位は、０（ｋＶ）であるので、電力供給部５３は、スパークまたはリークが発生する電位差未満、すなわち、５（ｋＶ）未満である０（ｋＶ）になるように、導電部材１６に電圧を印加する。

これにより、ソース端子６１ｂ（１）と導電部材１６とは同電位となるので、導電部材１６から第１の電極６１（１）や、プローブ１４などにスパークまたはリークが発生することはない。

また、第２の電極６２に、１０（ｋＶ）の電圧が印加されると、印加された電位からの電場が第１の電極６１（２）が備えるソース端子６１ｂ（２）上に隆起し、電位が１０（ｋＶ）まで上昇する。

ソース端子６１ｂ（２）が１０（ｋＶ）の電位となると、導電部材１６の電位は、０（ｋＶ）であるので、導電部材１６と第１の電極６１（２）のソース端子６１ｂ（２）との間の電位差が１０（ｋＶ）となり、スパークまたはリークが発生する可能性がある。

しかしながら、仮にスパークまたはリークが発生したとしても、導電部材１６は、電気特性の検査対象ではなく、検査装置１では、第１の電極６１（１）と第２の電極６２との間に、１０（ｋＶ）の電位差を生じさせた状態で、半導体ウェハ６０の電気特性を検査するので、ソース端子６１ｂ（２）から導電部材１６へスパークまたはリークが発生したとしても、そのスパークまたはリークの発生の影響を受けることなく、検査を継続することができる。

このように、制御部５２は、第１の電極６１（１）と第２の電極６２との間に、１０（ｋＶ）の電位差を生じさせるとともに、第１の電極６１（１）と導電部材１６との電位差がスパークまたはリークが発生する電位差未満、すなわち、５（ｋＶ）未満である０（ｋＶ）になるように、導電部材１６に電圧を印加した状態で、電流計５４により検出された電流を取得することにより、半導体ウェハ６０の電気特性を検査することができる。

なお、ここでは、電力供給部５３は、スパークまたはリークが発生する電位差未満、すなわち、５（ｋＶ）未満である０（ｋＶ）になるように、導電部材１６に電圧を印加したが、これに限らず、導電部材１６に印加する電圧は、０（ｋＶ）以上であり、５（ｋＶ）未満であればよく、例えば、３（ｋＶ）や４（ｋＶ）の電圧を印加すればよい。

以上のように、本発明の一実施形態である検査装置１によれば、プローブカード１１には、プローブ１４の先端が第１の電極６１のいずれかに接触する位置にあるときに、半導体ウェハ６０の基板の一方の面において互いに隣り合う第１の電極６１の間に接触するように、半導体ウェハ６０の基板と対向する面に設けられた絶縁部材１５と、半導体ウェハ６０の基板に接触しないように、絶縁部材１５上に設けられた導電部材１６と、が設けられているので、検査の際、高気圧に耐えうる装置構成や、半導体ウェハ６０を絶縁溶液中に浸漬させる装置構成を必要とすることなく、簡易な構成で、スパークおよびリークの発生を抑制することができる。

また、制御部５２は、電力供給部５３を制御することにより、プローブ１４が接触している第１の電極６１と第２の電極６２との間に所定の電位差が生じるようにチャックトップ５１に電圧を印加し、プローブ１４が接触している第１の電極６１と導電部材１６との電位差が、プローブ１４が接触している第１の電極６１と導電部材１６との間でスパークまたはリークの発生する電位差未満となるように、導電部材１６に電圧を印加するので、検査の際、高気圧に耐えうる装置構成や、半導体ウェハ６０を絶縁溶液中に浸漬させる装置構成を必要とすることなく、簡易な構成で、より確実にスパークおよびリークの発生を抑制することができる。

＜変形例＞
本発明の一実施形態では、絶縁部材１５が、連続する第１の電極６１それぞれを囲むように配置されたスクライブライン６３上に接触するように配置された検査装置１を例に挙げて説明した。

本発明の変形例では、絶縁部材１５が、半導体ウェハ６０の基板の一方の面にＸ−Ｙ方向に配列されて設けられた第１の電極６１に対して、Ｘ方向およびＹ方向ともに１つ置きに囲むように設けられた検査装置１を例に挙げて説明する。

図６は、本発明の変形例である検査装置１のチャックトップ５１上に載置された半導体ウェハ６０の上面の一部の第１の電極６１と、この第１の電極６１を囲むように設けられたスクライブライン６３上に接触している絶縁部材１５とを示した平面図である。

図６に示すように、第１の電極６１は、半導体ウェハ６０上にＸ−Ｙ方向にそれぞれ複数列となるように、規則正しく配置されている。なお、図６に示した例では、３列×３列に配置された第１の電極６１を示しているが、３列×３列にかかわらず、半導体ウェハ６０の大きさに応じて複数列に配置されており、説明のため、第１の電極６１を、第１の電極６１（１）〜６１（９）で表している。

そして、半導体ウェハ６０上であって、互いに隣り合う第１の電極６１の間には、電極の区切りとしてそれぞれスクライブライン６３が形成されている。第１の電極６１は、Ｘ−Ｙ方向に複数列となるように配置されているので、第１の電極６１（１）〜６１（９）を囲むようにそれぞれスクライブライン６３（１）〜（９）が形成されることになる。

本発明の変形例では、図６に示すように、この第１の電極６１に対して、Ｘ方向およびＹ方向ともに１つ置きに囲むように絶縁部材１５が設けられている。

具体的には、Ｘ方向およびＹ方向ともに１つ置き、すなわち、第１の電極６１（１）〜６１（９）のうち第１の電極６１（２），６１（４），６１（６），６１（８）をそれぞれ囲むように、絶縁部材１５（２），１５（４），１５（６），１５（８）が設けられている。

これにより、互いに隣接する第１の電極６１の間には、絶縁部材１５が設けられることになるので、隣り合う第１の電極６１に対して、スパークおよびリークが発生することを防止することができる。

さらに、全ての第１の電極６１に対応してプローブ１４を備える必要はなく、絶縁部材１５（２），１５（４），１５（６），１５（８）に囲まれた第１の電極６１（２），６１（４），６１（６），６１（８）に対応するプローブ１４のみを備えるようにしてもよい。

そして、ある位置において、可動ステージを上方向（Ｚ方向）に移動して、プローブ１４の先端を第１の電極６１に接触させて、半導体ウェハ６０の検査を行う。次に、可動ステージを下方向（Ｚ方向）に移動した上で、Ｘ方向またはＹ方向に１ピッチ（第１の電極６１が１つ分）だけ移動する。

そして、可動ステージを上方向（Ｚ方向）に移動して、プローブ１４の先端を第１の電極６１に接触させて、半導体ウェハ６０の検査を行う。

この動作を繰り返し、Ｘ方向またはＹ方向に１ピッチ（第１の電極６１が１つ分）だけ移動しながら、半導体ウェハ６０の検査を行うことにより、半導体ウェハ６０上に備えられた第１の電極６１の全てにおいて、電気的な検査を行うことができる。

これにより、プローブ１４の数を絶縁部材１５および導電部材１６を半減させることができるので、装置コストをさらに低減することができる。

１…検査装置
１１…プローブカード
１２…プローブ基板
１３…プローブランド
１４…プローブ
１５…絶縁部材
１６…導電部材
１７…保護部材
５１…チャックトップ
５２…制御部
５３…電力供給部
５４…電流計
６０…半導体ウェハ
６１…第１の電極
６１ａ…ゲート端子
６１ｂ…ソース端子
６２…第２の電極
６３…スクライブライン

Claims (7)

1. 基板の一方の面に複数の電極が設けられた半導体デバイスの電気特性を検査する検査装置に用いられ、前記基板の一方の面と対向する面に、前記複数の電極に対して先端が接触可能に１以上のプローブが設けられたプローブカードであって、
   前記１以上のプローブの先端が前記複数の電極のいずれかに接触する位置にあるときに、前記基板の一方の面において互いに隣り合う前記電極の間に接触するように、前記基板の一方の面と対向する面に設けられた絶縁部材と、
   前記基板に接触しないように前記絶縁部材上に設けられ、所定の電圧が印加される導電部材と、
   を備えたことを特徴とするプローブカード。
2. 前記絶縁部材は、弾性材であることを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
3. 前記絶縁部材は、
   前記１以上のプローブの先端が前記複数の電極に接触する位置にあるときに、スクライブラインに接触するように設けられた
   ことを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
4. 前記１以上のプローブおよび前記絶縁部材の側面を覆うように、前記基板の一方の面に対向する面に設けられた保護部材を、さらに備え、
   前記保護部材は、前記基板に向かって凸曲面状に盛り上がるように形成された
   ことを特徴する請求項１記載のプローブカード。
5. 前記絶縁部材は、
   前記１以上のプローブが接触している電極を囲むように設けられたことを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
6. 前記絶縁部材は、
   前記基板の一方の面にＸ−Ｙ方向に配列されて設けられた前記複数の電極に対して、Ｘ方向およびＹ方向ともに１つ置きに囲むように設けられた
   ことを特徴とする請求項５記載のプローブカード。
7. 基板の両面に電極が設けられた半導体デバイスの電気特性を検査する検査装置であって、
   前記基板と対向する面に、前記基板の一方の面に設けられた複数の第１の電極に対して、先端が接触可能に１以上のプローブが設けられたプローブカードと、
   前記基板の他方の面に設けられた第２の電極と接触しながら、前記基板を支持する支持部と、
   印加する電圧を制御する制御部と、を備え、
   前記プローブカードは、
   前記１以上のプローブの先端が前記複数の第１の電極のいずれかに接触する位置にあるときに、前記基板の一方の面において互いに隣り合う前記第１の電極の間に接触するように、前記基板と対向する面に設けられた絶縁部材と、
   前記基板に接触しないように、前記絶縁部材上に設けられた導電部材と、を有し、
   前記制御部は、
   前記１以上のプローブが接触している第１の電極と前記第２の電極との間に所定の電位差が生じるように前記支持部に電圧を印加し、
   前記１以上のプローブが接触している第１の電極と前記導電部材との電位差が、前記１以上のプローブが接触している第１の電極と前記導電部材との間でスパークまたはリークが発生する電位差未満となるように、前記導電部材に電圧を印加する
   ことを特徴とする検査装置。

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