JP2012247196A - 半導体テスト治具 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による半導体テスト治具は、プローブピン3と、プローブピン3を平面視で囲むように設けられた絶縁物2とが配設された土台1と、土台1のプローブピン3および絶縁物2が配設された側の面に対向して配置され、土台1側の面上に被検体4を載置することが可能なステージ6とを備え、ステージ6に被検体4を載置して土台1とステージ6とが接近する方向に移動する際、プローブピン3が被検体4に形成された電極と接触すると共に、絶縁物2が被検体4に接触することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図7は、前提技術による半導体テスト治具の構成の一例を示す図である。図7(b),(c)は、図7(a)のF−F断面図を示している。また、図7(a)は、図7(b)のステージ6側から土台1を見たときの平面図を示している。図7に示すように、前提技術による半導体テスト治具は、土台1、プローブピン3、およびステージ6を備えている。
図1は、本発明の実施形態による半導体テスト治具の構成の一例を示す図である。図1(b),(c)は、図1(a)のA−A断面図を示している。また、図1(a)は、図1(b)のステージ6側から土台1を見たときの平面図を示している。
Claims (9)
- プローブピンと、
前記プローブピンを平面視で囲むように設けられた絶縁物と、
が配設された治具土台と、
前記治具土台の前記プローブピンおよび前記絶縁物が配設された側の面に対向して配置され、前記治具土台側の面上に被検体を載置することが可能なステージと、
を備え、
前記ステージに前記被検体を載置して前記治具土台と前記ステージとが接近する方向に移動する際、前記プローブピンが前記被検体に形成された電極と接触すると共に、前記絶縁物が前記被検体に接触することを特徴とする、半導体テスト治具。 - 前記絶縁物は、シリコーン系素材あるいは有機系素材を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体テスト治具。
- 前記治具土台は、前記絶縁物の配設位置を規定する溝を有することを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体テスト治具。
- 前記治具土台は、当該治具土台と前記絶縁物との間に介在する弾性部材をさらに備えることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体テスト治具。
- 前記半導体テスト治具は、ウエハテストあるいはチップテスト用の治具であることを特徴とする、請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体テスト治具。
- 前記半導体テスト治具は、DCテストあるいはACテスト用の治具であることを特徴とする、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体テスト治具。
- 前記絶縁物は、前記被検体と対向する面の一部のみが当該被検体と接触するように形成されることを特徴とする、請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体テスト治具。
- 前記絶縁物は、前記被検体と対向する面にテフロン(登録商標)コーティングが施されていることを特徴とする、請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体テスト治具。
- 前記被検体は、ワイドギャップ半導体であることを特徴とする、請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体テスト治具。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013096837A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体テスト治具およびそれを用いた耐圧測定方法 |
JP2015094693A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験治具、測定装置、試験方法 |
JP2016008826A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブカードおよび検査装置 |
JP2016061751A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験装置 |
JP2018054401A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 三菱電機株式会社 | 評価装置、半導体装置の評価方法 |
JP2018105725A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 三菱電機株式会社 | 評価装置及び評価方法 |
JP2018190862A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の評価装置、半導体装置の評価方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104422863B (zh) * | 2013-08-20 | 2017-05-24 | 致茂电子股份有限公司 | 半导体测试装置 |
CN105116178A (zh) * | 2015-09-18 | 2015-12-02 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 大电流igbt芯片的测试夹具 |
JP6562896B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2019-08-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の評価装置およびそれを用いた半導体装置の評価方法 |
CN109298305B (zh) * | 2017-07-24 | 2020-12-11 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 一种针对压接式igbt模块子模组的测试装置及方法 |
CN110389240B (zh) * | 2018-04-20 | 2020-11-20 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 一种电耐久试验用芯片工装 |
CN111487515B (zh) * | 2020-04-21 | 2021-03-16 | 华北电力大学 | 一种压接式功率器件静态特性测量系统 |
JP7422642B2 (ja) | 2020-10-27 | 2024-01-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体テスト装置および半導体テスト方法 |
CN114184902B (zh) * | 2021-11-04 | 2022-11-18 | 荣耀终端有限公司 | 绝缘胶测试装置、绝缘胶测试系统及绝缘胶测试方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01170857A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Tokyo Electron Ltd | プローブカード |
JPH1021070A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Sony Corp | システムプログラム自動更新機能を備えたデータストリーマ装置およびシステムプログラム自動更新方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04165653A (ja) | 1990-10-30 | 1992-06-11 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
TW368603B (en) | 1996-08-09 | 1999-09-01 | Advantest Corp | Testing apparatus for semiconductor device |
GB9800569D0 (en) | 1998-01-12 | 1998-03-11 | Glaxo Group Ltd | Heterocyclic compounds |
JP3612226B2 (ja) | 1998-12-21 | 2005-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体モジュール |
KR20010010503A (ko) | 1999-07-21 | 2001-02-15 | 이석행 | 웨이퍼 테스트용 박판탐침유니트 |
JP2001051011A (ja) | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Toshiba Corp | 高耐圧半導体チップの評価方法、高耐圧電子機器基板およびその製造方法、および高耐圧半導体装置 |
WO2006017078A2 (en) | 2004-07-07 | 2006-02-16 | Cascade Microtech, Inc. | Probe head having a membrane suspended probe |
JP5134864B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2013-01-30 | 株式会社日本マイクロニクス | 半導体検査装置 |
JP5420274B2 (ja) | 2009-03-02 | 2014-02-19 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR101079384B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2011-11-02 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 검사 장치 |
-
2011
- 2011-05-25 JP JP2011116583A patent/JP5414739B2/ja active Active
-
2012
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01170857A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Tokyo Electron Ltd | プローブカード |
JPH1021070A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Sony Corp | システムプログラム自動更新機能を備えたデータストリーマ装置およびシステムプログラム自動更新方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013096837A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体テスト治具およびそれを用いた耐圧測定方法 |
US9007081B2 (en) | 2011-11-01 | 2015-04-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Jig for use in semiconductor test and method of measuring breakdown voltage by using the jig |
JP2015094693A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験治具、測定装置、試験方法 |
JP2016008826A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブカードおよび検査装置 |
JP2016061751A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験装置 |
JP2018054401A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 三菱電機株式会社 | 評価装置、半導体装置の評価方法 |
US10539607B2 (en) | 2016-09-28 | 2020-01-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Evaluation apparatus including a plurality of insulating portions surrounding a probe and semiconductor device evaluation method based thereon |
JP2018105725A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 三菱電機株式会社 | 評価装置及び評価方法 |
US10436833B2 (en) | 2016-12-27 | 2019-10-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Evaluation apparatus and evaluation method |
JP2018190862A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の評価装置、半導体装置の評価方法 |
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---|---|
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