JPH04165653A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04165653A JPH04165653A JP29311890A JP29311890A JPH04165653A JP H04165653 A JPH04165653 A JP H04165653A JP 29311890 A JP29311890 A JP 29311890A JP 29311890 A JP29311890 A JP 29311890A JP H04165653 A JPH04165653 A JP H04165653A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パワートランジスタ、ダイオード。
サイリスタなどのモジュールを対象としたＳ Ｉ Ｌ。
ＤｒＬ型のパワーフラットパッケージ形半導体装置の構
成に関する。
成に関する。
まず、本発明の実施対象となるケース状のパワーフラッ
トパッケージ形半導体装置の従来構造を第３図に示す０
図において、ｌは放熱板を兼ねた絶縁金属基板、２は絶
縁金属基板ｌに実装した半導体素子、３は絶縁金属基板
１の上面側に被せた樹脂製の外囲器、４は外部導出端子
、５は外囲器３の内方に充填した半導体素子２の封止樹
脂、６は外部導出端子４の引出し部に充填した封止樹脂
である。
トパッケージ形半導体装置の従来構造を第３図に示す０
図において、ｌは放熱板を兼ねた絶縁金属基板、２は絶
縁金属基板ｌに実装した半導体素子、３は絶縁金属基板
１の上面側に被せた樹脂製の外囲器、４は外部導出端子
、５は外囲器３の内方に充填した半導体素子２の封止樹
脂、６は外部導出端子４の引出し部に充填した封止樹脂
である。
ここで、前記外囲器３は一側面が開放したキャップ状の
ケースであり、絶縁金属基板１上の導体パターンに半田
付けした外部導出端子４はその導体の途中を直角に折り
曲げた上で、前記した外囲器３の開放面を遍して側方に
引出しである。なお、３ａは半導体素子２と外部導出端
子４との間を仕切る外囲器３の仕切隔壁である。
ケースであり、絶縁金属基板１上の導体パターンに半田
付けした外部導出端子４はその導体の途中を直角に折り
曲げた上で、前記した外囲器３の開放面を遍して側方に
引出しである。なお、３ａは半導体素子２と外部導出端
子４との間を仕切る外囲器３の仕切隔壁である。
かかる半導体装置は、半導体素子２の発熱を熱放散させ
るために、絶縁金属基板１を冷却フィン等のヒートシン
クに取付けて使用される。
るために、絶縁金属基板１を冷却フィン等のヒートシン
クに取付けて使用される。
〔発明が解決しようとする課題］
ところで、定格電圧の高い半導体装置では、特にヒート
シンク（アース電位）に取付ける絶縁金属基板１と外囲
器３から引出した外部導出端子４との間に十分な絶縁耐
力を確保する必要がある。
シンク（アース電位）に取付ける絶縁金属基板１と外囲
器３から引出した外部導出端子４との間に十分な絶縁耐
力を確保する必要がある。
そこで、従来の半導体装置では、絶縁金属基板ｌと外部
導出端子４の導体との間の間隔をできるだけ大にし、両
者間に十分な沿面距ｊｌＬ１を確保することで必要な絶
縁耐力を得るようにしている。
導出端子４の導体との間の間隔をできるだけ大にし、両
者間に十分な沿面距ｊｌＬ１を確保することで必要な絶
縁耐力を得るようにしている。
しかしながら、絶縁金属基板１はプレス機械などで所定
の外形寸法に打ち抜き加工したものが通常使用れており
、プレス加工により剪断された側縁部はエツジ状を呈し
、かつこの部分にはパリが生じる。そのために、絶縁金
属基板１の側縁を露呈させたままの状態で、例えば絶縁
試験で規定された試験電圧を外部導出端子４に印加する
と、外部導出端子４の導体と向かい合う絶縁金属基板１
の側縁に電界が集中するようになり、規定寸法の沿面距
［ＬＩだけごは必要な絶縁耐力が保てずにフラ、シ□オ
ーバーを引き起こすことが多々発件する。なお、前記の
沿面距離を規定」法以上に大きくとればこのような沿面
絶縁破壊を防ぐことも可能である反面、パッケージの高
さ寸法が増して半導体装１の薄形化が困難となる６ 本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、絶縁
金属基板に対して簡単な絶縁手段を付加することにより
、薄形のケース状パワーフラットパッケージでも絶縁金
属基板と外部導出端子との間に十分な絶縁耐力が確保で
きるようにし、た半導体装置を提供することを目的とす
る。
の外形寸法に打ち抜き加工したものが通常使用れており
、プレス加工により剪断された側縁部はエツジ状を呈し
、かつこの部分にはパリが生じる。そのために、絶縁金
属基板１の側縁を露呈させたままの状態で、例えば絶縁
試験で規定された試験電圧を外部導出端子４に印加する
と、外部導出端子４の導体と向かい合う絶縁金属基板１
の側縁に電界が集中するようになり、規定寸法の沿面距
［ＬＩだけごは必要な絶縁耐力が保てずにフラ、シ□オ
ーバーを引き起こすことが多々発件する。なお、前記の
沿面距離を規定」法以上に大きくとればこのような沿面
絶縁破壊を防ぐことも可能である反面、パッケージの高
さ寸法が増して半導体装１の薄形化が困難となる６ 本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、絶縁
金属基板に対して簡単な絶縁手段を付加することにより
、薄形のケース状パワーフラットパッケージでも絶縁金
属基板と外部導出端子との間に十分な絶縁耐力が確保で
きるようにし、た半導体装置を提供することを目的とす
る。
上記課題を解決するために、本発明は先述した構成の半
導体装置を対象に、外部導出端子の導体と向かい合う絶
縁金属基板の側縁を覆ってここに絶縁カバーを設けもの
とする。
導体装置を対象に、外部導出端子の導体と向かい合う絶
縁金属基板の側縁を覆ってここに絶縁カバーを設けもの
とする。
ここで、前記絶縁カバーは、外囲器の一部に形成するか
、あるいは外囲器内に組み込んだ絶縁物製の端子ブロッ
クの一部に形成することができる。
、あるいは外囲器内に組み込んだ絶縁物製の端子ブロッ
クの一部に形成することができる。
上記の構成によれば、外部導出端子と向かい合う絶縁金
属基板の側縁、つまり電圧印加時に電界の集中し易い部
分が外囲器、ないし端子ブロックの一部に形成した絶縁
カバーで覆われ、さらに絶縁金属基板と外部導出端子と
の間の沿面距離も絶縁カバーを迂回して実質的に増大す
るので沿面放電のおそれは殆どなくなる。これにより、
パッケージの外形寸法を大形化することなしに高い絶縁
耐力が確保される。
属基板の側縁、つまり電圧印加時に電界の集中し易い部
分が外囲器、ないし端子ブロックの一部に形成した絶縁
カバーで覆われ、さらに絶縁金属基板と外部導出端子と
の間の沿面距離も絶縁カバーを迂回して実質的に増大す
るので沿面放電のおそれは殆どなくなる。これにより、
パッケージの外形寸法を大形化することなしに高い絶縁
耐力が確保される。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
なお、各実施例で第３図と同一部材には同じ符号が付し
である。
である。
実施例１；
第１図は本発明の請求項１．２に対応する実施例を示す
ものである。この実施例では、外部導出端子４を引出し
た外囲器３の開放端側に桟枠を形彫する絶縁カバー７が
外囲器と一体にモールド成形されている。この絶縁カバ
ー７は断面が■−字形を形成しており、外囲器３を絶縁
金！に基板１に被着した組立状態で、外部導出端子４の
導体と向かい合う絶縁金属基Ｆｉ、１の辺に沿ってその
上縁の角部を覆う。なお、外部導出端子４を引出した外
囲器３の開放端面の空所には、第３図と同様に樹脂６が
充填されている。
ものである。この実施例では、外部導出端子４を引出し
た外囲器３の開放端側に桟枠を形彫する絶縁カバー７が
外囲器と一体にモールド成形されている。この絶縁カバ
ー７は断面が■−字形を形成しており、外囲器３を絶縁
金！に基板１に被着した組立状態で、外部導出端子４の
導体と向かい合う絶縁金属基Ｆｉ、１の辺に沿ってその
上縁の角部を覆う。なお、外部導出端子４を引出した外
囲器３の開放端面の空所には、第３図と同様に樹脂６が
充填されている。
かかる構成によれば、電界の集中し易い絶縁金［基板Ｉ
の上縁部が絶縁カバー７で覆われ、しがち外部導出端子
４との間の沿面距１１１Ｌ２は、第３図の構成における
沿面距１１Ｎ、１と比べて絶縁カバー７を迂回する分だ
け実質的に増大する。これにより沿面放電の発生を抑え
て絶縁金Ｉｌ！基板１と外部導出端子４との間に高い絶
縁耐力が確保される。
の上縁部が絶縁カバー７で覆われ、しがち外部導出端子
４との間の沿面距１１１Ｌ２は、第３図の構成における
沿面距１１Ｎ、１と比べて絶縁カバー７を迂回する分だ
け実質的に増大する。これにより沿面放電の発生を抑え
て絶縁金Ｉｌ！基板１と外部導出端子４との間に高い絶
縁耐力が確保される。
実施例２：
第２図は本発明の請求項１．３に対応した実施例を示す
ものである。この実施例では、外部導出端子４を引出し
た外囲器３の開放面の内側に外部導出端子４を支持する
絶縁物製の端子ブロック８が組み込まれており、かつ端
子ブロンク８の一部に絶縁金属基板１の側縁を覆う絶縁
カバー７が形成されている。すなわち、端子ブロック８
は絶縁金属基［４の上面に固着され、その基部から上方
に起立する隔壁部に外部導出端子４が貫通支持され、さ
らに端子ブロック８の基部を外囲器３の開放端面倒に延
長してここに絶縁金属基板１の上縁を覆う断面り字形の
絶縁カバー７が一体に形成されている。なお、外部導出
端子４の引出し端部には封止樹脂６が充填されている。
ものである。この実施例では、外部導出端子４を引出し
た外囲器３の開放面の内側に外部導出端子４を支持する
絶縁物製の端子ブロック８が組み込まれており、かつ端
子ブロンク８の一部に絶縁金属基板１の側縁を覆う絶縁
カバー７が形成されている。すなわち、端子ブロック８
は絶縁金属基［４の上面に固着され、その基部から上方
に起立する隔壁部に外部導出端子４が貫通支持され、さ
らに端子ブロック８の基部を外囲器３の開放端面倒に延
長してここに絶縁金属基板１の上縁を覆う断面り字形の
絶縁カバー７が一体に形成されている。なお、外部導出
端子４の引出し端部には封止樹脂６が充填されている。
かかる構成によれば、端子ブロック８に形成した絶縁カ
バー７が電界の集中し易い絶縁金属基板１の上縁部を覆
うので、実施例１と同様に外部導出端子４との間で高い
絶縁耐力を確保できる。
バー７が電界の集中し易い絶縁金属基板１の上縁部を覆
うので、実施例１と同様に外部導出端子４との間で高い
絶縁耐力を確保できる。
本発明の半導体装置は、以上説明したように構成されて
いるので、次記の効果を奏する。
いるので、次記の効果を奏する。
外部導出端子の導体と向かい合う絶縁金属基板の側縁、
つまり電圧印加時に電界が集中し易い部分が絶縁カバー
で覆われているのでこの部分から沿面放電が発生しにく
く、かつ外部導出端子との間の沿面距離も絶縁カバーを
迂回する分だけ増大するので実質的に高い絶縁耐力が確
保できる。
つまり電圧印加時に電界が集中し易い部分が絶縁カバー
で覆われているのでこの部分から沿面放電が発生しにく
く、かつ外部導出端子との間の沿面距離も絶縁カバーを
迂回する分だけ増大するので実質的に高い絶縁耐力が確
保できる。
これにより、半導体装置のパッケージ薄形化と併せて絶
縁耐力の安定化に大きく寄与できる。
縁耐力の安定化に大きく寄与できる。
第１図、第２図はそれぞれ本発明の異なる実施例の構成
断面図、第３図は従来における半導体装置の構成断面図
である。
断面図、第３図は従来における半導体装置の構成断面図
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体素子、外部導出端子などを実装した放熱板兼
用の絶縁金属基板上に一側面が開放したキャップ状の外
囲器を組合わせてその内部を樹脂封止し、かつ外囲器の
前記開放面を通して外部導出端子を側方に引出した半導
体装置において、外部導出端子の導体と向かい合う絶縁
金属基板の側縁を覆ってここに絶縁カバーを設けたこと
を特徴とする半導体装置。 ２）請求項１に記載の半導体装置において、絶縁カバー
が絶縁物で作られた外囲器の一部に形成されていること
を特徴とする半導体装置。 ３）請求項１に記載の半導体装置において、絶縁カバー
が外囲器内に組み込んだ絶縁物製の端子ブロックの一部
に形成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29311890A JPH04165653A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29311890A JPH04165653A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04165653A true JPH04165653A (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=17790665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29311890A Pending JPH04165653A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04165653A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8860451B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-10-14 | Mitshubishi Electronic Corporation | Jig for semiconductor test |
-
1990
- 1990-10-30 JP JP29311890A patent/JPH04165653A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8860451B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-10-14 | Mitshubishi Electronic Corporation | Jig for semiconductor test |
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