JP2013065546A5 - 発光装置の作製方法 - Google Patents

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  1. 第１の基板上に、第１の電極、発光性の有機化合物を含む層、及び第２の電極をこの順で設けることで発光素子を作製し、発光部を形成する第１のステップと、
    第２の基板上に、フリットペーストを塗布し加熱することでガラス層を形成する第２のステップと、
    不活性雰囲気下で、前記第２の基板上に前記ガラス層の外周を囲むように光硬化性樹脂を塗布し、樹脂層を形成する第３のステップと、
    減圧下で、前記第１の基板及び前記第２の基板を対向するように配置し、前記樹脂層に光を照射し、前記樹脂層を硬化させる第４のステップと、
    大気中で前記ガラス層にレーザ光を照射し前記ガラス層を溶融させた後、硬化させる第５のステップと、をこの順で行うことを特徴とする、発光装置の作製方法。
  2. 第１の基板上に、トランジスタと、第１の電極、発光性の有機化合物を含む層、及び第２の電極をこの順で設けることで発光素子と、を作製し、発光部を形成する第１のステップと、
    第２の基板上に、フリットペーストを塗布し加熱することでガラス層を形成する第２のステップと、
    不活性雰囲気下で、前記第２の基板上に前記ガラス層の外周を囲むように光硬化性樹脂を塗布し、樹脂層を形成する第３のステップと、
    減圧下で、前記第１の基板及び前記第２の基板を対向するように配置し、前記樹脂層に光を照射し、前記樹脂層を硬化させる第４のステップと、
    大気中で前記ガラス層にレーザ光を照射し前記ガラス層を溶融させた後、硬化させる第５のステップと、をこの順で行うことを特徴とする、発光装置の作製方法。
  3. 請求項２において、
    前記トランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
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