JP2015141749A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、気密性が高く、発光素子の劣化を抑制することができる表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表示装置は、複数の画素のそれぞれに発光素子が設けられ、画素が配列された表示領域を有する第1基板と、第1基板に対向して配置された第2基板と、第1基板と第2基板との間に配置されたスペーサと、ガラスを含み、第1基板および第2基板を貼り合わせ、表示領域の外側に設けられ、第1基板または第2基板の端部より外側に突出するシール材と、を有する。
【選択図】図3
【解決手段】本発明の表示装置は、複数の画素のそれぞれに発光素子が設けられ、画素が配列された表示領域を有する第1基板と、第1基板に対向して配置された第2基板と、第1基板と第2基板との間に配置されたスペーサと、ガラスを含み、第1基板および第2基板を貼り合わせ、表示領域の外側に設けられ、第1基板または第2基板の端部より外側に突出するシール材と、を有する。
【選択図】図3
Description
本発明は、表示装置およびその製造方法に関する。特に、発光素子が形成された基板と対向基板とをガラスフリットで密封させる表示装置およびその製造方法に関する。
近年、モバイル用途の発光表示装置において、高精細化や低消費電力化に対する要求が強くなってきている。モバイル用途の表示装置としては、液晶表示装置(Liquid Crystal Display Device:LCD)や、有機EL表示装置等の自発光素子(OLED:Organic Light−Emitting Diode)を利用した表示装置や、電子ペーパー等が採用されている。
その中でも、有機EL表示装置は液晶表示装置で必要であったバックライトや偏光板が不要であり、薄膜だけで表示装置を形成することができる。したがって、折り曲げ可能(フレキシブル)な表示装置を実現することができ、また、ガラス基板を使用しないため、軽く、壊れにくい表示装置を実現することが可能であるため、非常に注目を集めている。また、中小型の有機EL表示装置において、表示サイズを維持したまま表示装置を縮小化するために、狭額縁の表示装置が要求されている。
狭額縁のためには、表示装置の周辺領域の面積を小さくする必要がある。そのためには、周辺領域に配置されるシール材の幅を狭くし、シール材の専有する面積をできる限り小さくする必要がある。
ここで、有機EL表示装置の各画素に配置された有機EL素子などの発光素子は、酸素や水分に曝されると劣化して発光効率が低下することが知られている。この問題を解消するために、例えば特許文献1では、発光素子が設けられた基板とそれに対向する対向基板とをガラスフリットを用いて貼り合せることで、気密性の高い封止構造に関する表示装置が開示されている。
しかし、特許文献1では、トランジスタ層や発光層が配置された基板または対向基板の表面にガラスフリットを塗布し、両基板を貼り合せる方法が記載されている。この方法では、ガラスフリットを塗布する幅やアライメント精度のマージンを考慮する必要があるため、ガラスフリット配置のために必要な面積が大きくなる。さらに、ガラスフリットをレーザ照射等で局所加熱して融着するときに、レーザ照射等によって発生した熱が表示領域に配置された画素の発光素子に伝達し、発光素子を劣化させてしまう場合があるため、ガラスフリットと表示領域との間に一定の距離を確保する必要がある。これらの理由により、周辺領域の縮小化が制限されてしまう。
本発明は、周辺領域の額縁が狭い表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。または、気密性が高く、発光素子の劣化を抑制することができる表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態による表示装置は、複数の画素のそれぞれに発光素子が設けられ、画素が配列された表示領域を有する第1基板と、第1基板に対向して配置された第2基板と、第1基板と第2基板との間に配置されたスペーサと、ガラスを含み、第1基板および第2基板を貼り合わせ、表示領域の外側に設けられ、第1基板または第2基板の端部より外側に突出するシール材と、を有する。
また、別の好ましい態様において、シール材は、第1基板または第2基板の側面の一部に配置されてもよい。
また、別の好ましい態様において、シール材の一部は、第1基板と第2基板との間に挟まれていてもよい。
また、別の好ましい態様において、スペーサは無機材料であってもよい。
また、別の好ましい態様において、第2基板は、画素を開口する遮光層と、着色層を有し、少なくとも遮光層の開口部に設けられたカラーフィルタと、を有し、シール材は、表示領域およびカラーフィルタが対向するように第1基板と第2基板とを貼り合わせ、カラーフィルタはシール材の内側に設けられ、少なくともカラーフィルタの上面および端部を覆う無機絶縁層を有し、第1基板、第2基板およびシール材で囲まれた空隙部に、発光素子が露出されていてもよい。
また、別の好ましい態様において、シール材を覆い、第1基板または第2基板の側面の一部に接して配置される樹脂層を有してもよい。
また、別の好ましい態様において、空隙部は、露点温度が−70℃以下であってもよい。
また、別の好ましい態様において、空隙部は、酸素濃度が1ppm以下であってもよい。
本発明の一実施形態による表示装置の製造方法は、第1基板の複数の画素が配列される表示領域に、発光素子を形成し、スペーサを介して第1基板と、第1基板に対向して配置された第2基板と、を貼り合せ、表示領域の外側に設けられ、第1基板または第2基板の端部より外側に突出するように、ガラスを含むシール材を形成し、第1基板または第2基板の側面側からレーザを入射し、シール材を融着させる。
また、別の好ましい態様において、シール材は、第1基板または第2基板の側面の一部に形成されてもよい。
また、別の好ましい態様において、シール材は、第1基板と第2基板の間に一部が挟まれるように形成されてもよい。
また、別の好ましい態様において、レーザは、第1基板および第2基板の表面に対して略平行に入射されてもよい。
また、別の好ましい態様において、レーザは、第1基板および第2基板の平面視において、第1基板および第2基板の一辺に対して鋭角をなすように入射されてもよい。
また、別の好ましい態様において、複数の第1基板および複数の第2基板が貼り合せられた複数の一対の基板に対して、同一工程で複数のレーザを入射してもよい。
また、別の好ましい態様において、複数の一対の基板に対して、同一工程で複数のシール材を形成してもよい。
また、別の好ましい態様において、シール材は、露点温度が−70℃以下の雰囲気下で形成されてもよい。
また、別の好ましい態様において、シール材は、酸素濃度が1ppm以下の雰囲気下で形成されてもよい。
これらの本発明によれば、周辺領域の額縁が狭い表示装置およびその製造方法を提供することができる。または、気密性が高く、発光素子の劣化を抑制することができる表示装置およびその製造方法を提供することができる。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
<実施形態1>
図1乃至4を用いて、本発明の実施形態1に係る表示装置の構成を説明する。図1は、本発明の実施形態1における表示装置の斜視図を示す図である。また、図2は、本発明の実施形態1における表示装置の平面図を示す図である。図3は、本発明の実施形態1における表示装置のA−B断面図を示す図である。図4は、本発明の実施形態1における表示装置のC−D断面図を示す図である。以降、実施形態1の変形例や他の実施形態において、図2の表示装置の向きにおいて、左右方向の断面図を示したものをA−B断面図といい、上下方向の断面図を示したものをC−D断面図という。
図1乃至4を用いて、本発明の実施形態1に係る表示装置の構成を説明する。図1は、本発明の実施形態1における表示装置の斜視図を示す図である。また、図2は、本発明の実施形態1における表示装置の平面図を示す図である。図3は、本発明の実施形態1における表示装置のA−B断面図を示す図である。図4は、本発明の実施形態1における表示装置のC−D断面図を示す図である。以降、実施形態1の変形例や他の実施形態において、図2の表示装置の向きにおいて、左右方向の断面図を示したものをA−B断面図といい、上下方向の断面図を示したものをC−D断面図という。
実施形態1における表示装置は、図1および2に示すように、複数の画素のそれぞれに発光素子が設けられ、画素180が配列された表示領域110を有する基板100、基板100に対向し、画素180を開口する遮光層121を有する対向基板200、基板100と対向基板200との側面の一部に配置され、基板100と対向基板200とで囲まれた空隙部を密閉するガラスを含むシール材(ガラスフリット130)、基板100が露出された領域に設けられたドライバIC300およびFPC400(Flexible Printed Circuits)を有する。基板100は、表示領域110と表示領域110の周辺に位置する周辺領域120とに分けられる。基板100には、表示領域110に画素180がマトリクス状に配列され、複数の画素180のそれぞれに発光素子が配置されている。対向基板200には、複数の画素180をそれぞれ開口する遮光層121が配置されている。ここで、遮光層121の開口部に着色層を有するカラーフィルタが設けられていてもよい。また、基板100が露出され、ドライバIC300およびFPC400が接続された領域を周辺領域120に含んでもよい。FPC400には、駆動回路を制御するコントローラ回路に接続される端子部500が備えられている。
図2に示すように、周辺領域120に対応した領域には、基板100と対向基板200との間隔を一定に保持するスペーサ132と、基板100と対向基板200とで囲まれた空隙部を密閉するシール材として機能するガラスフリット130が設けられている。ガラスフリットとは、粉末状、ペースト状などの様々な形態の融点300〜700℃と比較的低温のガラス材料である。ガラスフリット130は、表示領域110を囲むように、基板100と対向基板200との重なる領域の外周部に連続して設けられている。表示装置の平面視において、表示領域110とガラスフリット130との間にはオフセットが設けられている。
ここで、ガラスフリット130は、基板100および対向基板200の間に挟まれた領域と、そこから対向基板200の端部より外側に突出して配置されている。図2では、対向基板200が基板100よりも小さいため、ガラスフリット130は対向基板200の外周に沿って形成されているが、基板100が対向基板200よりも小さい場合は、ガラスフリット130は基板100の外周に沿って形成されてもよい。つまり、ガラスフリット130は、基板100または対向基板200のいずれかの端部より外側に突出していればよい。
図2において、周辺領域120の四隅に配置されたスペーサ132は、基板100と対向基板200との間隔を一定に保持する。図2では、表示領域110とスペーサ132との間、また、スペーサ132とガラスフリット130との間にはオフセットが設けられているが、必ずオフセットが設けられている必要はなく、これらが互いに重なっていてもよい。もちろん、スペーサ132が表示領域110内に設けられていてもよい。また、スペーサ132が基板100と対向基板200とを接着する機能を有していてもよい。スペーサの配置については、後で詳しく説明する。
図3を用いて、実施形態1の表示装置のA−B断面構造について説明する。ここで、図3において、基板100は表面が対向基板200の方向を向いており、対向基板200は表面が基板100の方向を向いている。以降の説明において、基板100および対向基板200のそれぞれに対して配置されている構造物について説明する場合、それぞれの基板の表面方向を上方と表現する。
図3では、基板100上にトランジスタ層(図示しない)が配置され、トランジスタ層上に層間絶縁層112が配置され、層間絶縁層112上に発光素子113が配置されている。発光素子113は、表示領域110に配置されており、下部電極と発光層と上部電極とを含む。下部電極は層間絶縁層112に設けられたコンタクトを介してトランジスタ層に接続され、上部電極は複数の発光素子113に共通の共通電極である。また、対向基板200上には遮光層121が配置されている。ここで、実施形態1における表示装置は、白色の発光素子とカラーフィルタ(CF)を組み合わせた「白色+CF構造」であってもよく、また、各画素にRGB色に発光する発光素子を作り分けた「RGB塗り分け」であってもよい。「白色+CF構造」の場合は、対向基板200上にカラーフィルタが配置されていてもよい。また、発光素子を水分や不純物から保護するためのパッシベーション層が発光素子上に設けられていてもよい。
スペーサ132は、基板100と対向基板200との間に配置されており、基板100と対向基板200との距離を一定に保持する。スペーサ132は、脱ガスや脱水分が少ない材質であることが好ましく、例えば、シリカやセラミックのような無機系接着剤を用いると良い。
スペーサ132よりも外側に、基板100と対向基板200とで囲まれた空隙部131を密閉するガラスフリット130が配置されている。ガラスフリット130は、一部が基板100と対向基板200との間に挟まれるように配置されている。また、ガラスフリット130は、基板100および対向基板200の端部より外側に突出しており、基板100および対向基板200の側面に接するように配置されている。ガラスフリット130は、基板100または対向基板200の側面を全て覆う必要はなく、少なくともこれらの側面の一部に接するように配置されていればよい。
次に、図4を用いて、実施形態1の表示装置のC−D断面構造について説明する。基板100が対向基板200よりも延長している側の対向基板200の端部では、ガラスフリット130dは、一部が基板100と対向基板200との間に挟まれるように配置されている。また、ガラスフリット130dは、対向基板200の端部より外側に突出しており、対向基板200の側面に接するように配置されている。ガラスフリット130dは、対向基板200の側面を全て覆う必要はなく、少なくともこれらの側面の一部に接するように配置されていればよい。
また、対向基板200が基板100よりも延長している構造の場合は、基板100の端部において、ガラスフリットは基板100より外側に突出し、基板100の側面に接するように配置されればよい。この場合においても、ガラスフリットは、基板100の側面を全て覆う必要はなく、少なくともこれらの側面の一部に接するように配置されていればよい。
つまり、ガラスフリット130は、基板100または対向基板200の端部より外側に突出していればよく、また、上記の端部の外側の側面の一部に接するように配置されていればよい。ここで、ガラスフリット130は、層間絶縁層112の表面および側面、基板100の側面、対向基板200の表面および側面に接して配置されているが、端部において、基板100の表面が露出して、基板100の表面および側面とガラスフリット130が接してもよい。また、逆に層間絶縁層112および基板100とガラスフリット130との間に他の層が挟まれていてもよい。また、対向基板200とガラスフリット130との間に他の層が挟まれていてもよい。
上記のように、空隙部131を密閉するガラスフリット130が基板100または対向基板200の端部より外側に突出して配置され、基板100または対向基板200の側面の一部に接するように配置される構造とすることで、ガラスフリット130配置のために必要な面積を小さくすることができる。その結果、周辺領域120を狭くして表示領域110を広げることができるので、狭額縁の表示装置を得ることができる。また、ガラスフリット130が基板100または対向基板200の端部より外側に突出していることで、ガラスフリット130を融着するためのレーザ照射時に、レーザ光がガラスフリット130を透過して表示領域の発光素子に照射されることを抑制することができる。また、レーザ光の吸収によってガラスフリット130で発生した余剰熱が内部の発光素子に伝達しにくくする。
また、実施形態1では、発光素子113は基板100と対向基板200とガラスフリット130とに囲まれた空隙部131に露出されている。つまり、発光素子113の上には、発光層を水分や不純物から保護するための保護層は形成されておらず、発光素子113の表面が空隙部131に露出されている。例えば、発光素子が下部電極、発光層、上部電極(共通電極)で構成されている場合、共通電極の上には保護層は形成されておらず、共通電極が空隙部131に露出される。
発光素子上にパッシベーション層を形成する場合、ドライバIC300やFPC400を実装する端子部の配線上にもパッシベーション層が形成される。そのため、端子部のパッシベーション層を除去する必要がある。しかし、上記のように発光素子上にパッシベーション層を設けない構造にすることで、パッシベーション層を形成する工程だけでなく、端子部のパッシベーション層を除去する工程も削減することができる。
ガラスフリット130は、基板100と対向基板200とに挟まれた空隙部131を密閉する。ここで、実施形態1では、密閉された空隙部131には、窒素(N2)ガスが充填されている。
空隙部131には、N2などの不活性ガスが充填されていてもよいが、それに限定されず、発光素子113を劣化させる水分や酸素の含有量が少ない雰囲気で満たされていればよい。例えば、空隙部131の雰囲気は、好ましくは露点温度が−70℃以下であるとよい。より好ましくは、露点温度が−90℃以下であるとよい。また、空隙部131の雰囲気は、好ましくは酸素濃度が1ppm以下であるとよい。より好ましくは酸素濃度が0.5ppm以下であるとよい。また、空隙部131は減圧されていてもよく、逆に加圧されていてもよい。減圧、加圧のいずれの状態においても、水分や酸素の含有量が少ないことが望ましい。
また、ガラスフリット130と接する層間絶縁層112と同じ材質の膜を対向基板200上に配置し、ガラスフリット130が上下で接する膜が同じ材質になるような構造にしてもよい。このような構造にすることで、ガラスフリットの上下において同等の密着性が得られ、空隙部131は良好かつ信頼性の高い密閉性を得ることができる。さらに、ガラスフリット130と接する層間絶縁層112と対向基板200上に配置された無機層とは、ガラスフリットを基準に上下対称の構造(ミラー構造)になっていることが好ましい。このミラー構造とは、例えば図3の断面図において、基板100から対向基板200に向かって、基板100、窒化シリコン、酸化シリコン、ガラスフリット、酸化シリコン、窒化シリコン、対向基板200の順で配置されるような構造をいう。上記のようなミラー構造とすることで、良好かつ信頼性の高い密閉性が得られると同時に、ガラスフリットのレーザ照射による融着工程などの熱によって発生する、基板100側の伸縮と対向基板200側の伸縮が略等しくなるため、内部応力を緩和することができる。
ここで、実施形態1の変形例1について説明する。図5は、本発明の実施形態1の変形例1における表示装置のA−B断面図を示す図である。図5は図3と類似しているので、異なる点についてのみ説明する。図5では、基板100、層間絶縁層112および対向基板200の側面にのみガラスフリット133が接するように配置されており、基板100と対向基板200とが対向する面(基板100または対向基板200上に構造物が形成されている場合は、その形成物上の面を指す)にはガラスフリット133は接していない。図5では、ガラスフリット133が基板100および対向基板200の端部より内側に入り込んだ構造を例示したが、これに限定されず、基板100および対向基板200の間にはガラスフリット133が存在しない構造であってもよい。
図5のような構造とすることで、さらにガラスフリット133配置のために必要な面積を小さくすることができる。その結果、周辺領域120を狭くして表示領域110を広げることができるので、狭額縁の表示装置を得ることができる。
また、実施形態1の変形例2について説明する。図6は、本発明の実施形態1の変形例2における表示装置のA−B断面図を示す図である。図6は図3と類似しているので、異なる点についてのみ説明する。図6では、ガラスフリット134は、基板100および対向基板200の間に挟まれた位置から対向基板200の端部より外側に突出して配置されているが、基板100、層間絶縁層112および対向基板200の側面には接していない。
図6のような構造とすることで、さらにガラスフリット134のために必要な面積を小さくすることができる。その結果、周辺領域120を狭くして表示領域110を広げることができるので、狭額縁の表示装置を得ることができる。また、詳細は後で説明するが、ガラスフリット134が基板100および対向基板200の外側に突出する構造を有することで、ガラスフリット134を融着するためのレーザ照射時に、レーザ光がガラスフリット134を透過して表示領域の発光素子に照射されることを抑制することができる。また、レーザ光の吸収によってガラスフリット134で発生した余剰熱が内部の発光素子に伝達しにくくする。
<実施形態2>
図7および8を用いて、本発明の実施形態2に係る表示装置の構成を説明する。図7は、本発明の実施形態2における表示装置のA−B断面図を示す図である。また、図8は、本発明の実施形態2における表示装置のC−D断面図を示す図である。
図7および8を用いて、本発明の実施形態2に係る表示装置の構成を説明する。図7は、本発明の実施形態2における表示装置のA−B断面図を示す図である。また、図8は、本発明の実施形態2における表示装置のC−D断面図を示す図である。
図7は図3と類似しているので、異なる点についてのみ説明する。図7では、図3の構造に加え、補強材として樹脂層140がガラスフリット130を覆い、基板100および対向基板200の側面の一部に接して配置されている。樹脂層140は、基板100または対向基板200の側面を全て覆う必要はなく、少なくともガラスフリット130を覆い、基板100または対向基板200の側面の一部に接するように配置されていればよい。
次に、図8を用いて、実施形態2の表示装置のC−D断面構造について説明する。基板100が対向基板200よりも延長している側面では、樹脂層140dは、ガラスフリット130dを覆い、層間絶縁層112の表面と対向基板200の側面とに接して配置される。樹脂層140dは、対向基板200の側面を全て覆う必要はなく、少なくともこれらの側面の一部に接するように配置されていればよい。
また、対向基板200が基板100よりも延長している構造の場合は、ガラスフリットを覆い、対向基板200の表面と基板100または層間絶縁層112の側面とに接して配置される。この場合においても、樹脂層は、基板100または層間絶縁層112の側面を全て覆う必要はなく、少なくともこれらの側面の一部に接するように配置されていればよい。
つまり、樹脂層140dは、ガラスフリットを覆い、基板100または対向基板200の側面に接して配置されていればよく、また、上記の端部の外側の側面の一部に接するように配置されていればよい。ここで、樹脂層140dは、基板100の側面、対向基板200の側面に接して配置されているが、基板100または対向基板200と樹脂層140dとの間に他の層が挟まれていてもよい。
上記のように、ガラスフリットを覆うように補強材として樹脂層を配置することで、ガラスフリットを保護し、ガラスフリットへの物理的衝撃を緩和することができ、また、ガラスフリットの剥離を抑制することができる。
<実施形態3>
図9乃至12を用いて、本発明の実施形態3に係る表示装置の構成を説明する。図9は、本発明の実施形態3における表示装置の平面図を示す図である。また、図10は、本発明の実施形態3の変形例1における表示装置の平面図を示す図である。また、図11は、本発明の実施形態3の変形例2における表示装置の平面図を示す図である。また、図12は、本発明の実施形態3の変形例3における表示装置の平面図を示す図である。
図9乃至12を用いて、本発明の実施形態3に係る表示装置の構成を説明する。図9は、本発明の実施形態3における表示装置の平面図を示す図である。また、図10は、本発明の実施形態3の変形例1における表示装置の平面図を示す図である。また、図11は、本発明の実施形態3の変形例2における表示装置の平面図を示す図である。また、図12は、本発明の実施形態3の変形例3における表示装置の平面図を示す図である。
図9は図2と類似しているので、異なる点についてのみ説明する。図2では、周辺領域120の四隅にスペーサ132が配置されているのに対して、図9では、周辺領域120の上と下の辺に沿って、複数のスペーサ132が配置されている。また、図10では、周辺領域120の上と下の辺に沿って伸長された形状のスペーサ135が配置されている。このように、基板100と対向基板200と接触するスペーサの数を増やす、または、スペーサとの接触面積を増やすことで、貼り合せ時に安定して固定させることができ、また、表示装置の完成後に外圧に対する強度を向上させることができる。
図11では、表示領域110内に複数のスペーサ136が配置されている。スペーサ136は各画素に配置されていてもよく、複数の画素毎に配置されていてもよい。スペーサ136は画素間に配置された遮光層121上に配置することが好ましい。
また、図12では、表示領域110および周辺領域120に複数の粒子状またはファイバー状スペーサ137が配置されている。スペーサ137は、表示装置の通常の使用方法では視認されない程度の大きさであることが望ましく、好ましくは直径が0.5μm以上10μm以下であるとよく、さらに好ましくは1μm以上5μm以下であるとよく、さらに好ましくは1μm以上3μm以下であることが好ましい。また、スペーサ137は表示領域110および周辺領域120にランダムに配置されていてもよい。スペーサ137は散布法で形成してもよい。
図11および12で示したように、表示領域110内にスペーサを配置することで、表示装置の完成後に外圧による凹みを抑制することができ、外圧が印加されたときの素子の破壊を抑制することができる。また、図12に示す散布法による形成は、アライメントをとる必要がないため、タクトが短く、不良発生率の低い工程でスペーサを形成することができる。
<実施形態4>
図13乃至17を用いて、本発明の実施形態4に係る表示装置の構成を説明する。実施形態4は、白色の発光素子とカラーフィルタを組み合わせた「白色+CF構造」において、対向基板上にカラーフィルタが配置された構造について説明する。
図13乃至17を用いて、本発明の実施形態4に係る表示装置の構成を説明する。実施形態4は、白色の発光素子とカラーフィルタを組み合わせた「白色+CF構造」において、対向基板上にカラーフィルタが配置された構造について説明する。
図13は、本発明の実施形態4における表示装置のA−B断面図を示す図である。図13は図3と類似しているので、異なる点についてのみ説明する。図3では、対向基板200上には何も配置されていないのに対して、図13では、遮光層121、カラーフィルタ122、無機パッシベーション層123が配置されている。特に、カラーフィルタ122は露出部がないように無機パッシベーション層123に覆われている。ここで、遮光層121が有機材料の場合は、遮光層121も露出部がないように無機パッシベーション層123で覆われることが好ましい。具体的には、遮光層121は基板100に対向する上面121aと端部121bを有し、カラーフィルタ122は基板100に対向する上面122aと端部122bを有する。そして、121a,122a,121b,122bを覆うように無機パッシベーション層123が配置されている。
ここで、遮光層121は各画素を画定する領域に、配線等と重なるように配置されており、カラーフィルタ122は表示領域110の各発光素子に対応した領域に配置されている。ガラスフリット130は周辺領域120に配置され、基板100と対向基板200とに挟まれた空隙部131を密閉する。ここで、実施形態1では、密閉された空隙部131には、N2ガスが充填されている。
ここで、ガラスフリット130は層間絶縁層112および無機パッシベーション層123と接して配置されているが、これに限定されず、ガラスフリット130と層間絶縁層112との間、またはガラスフリット130と無機パッシベーション層123との間に他の層が配置されていてもよく、逆に、層間絶縁層112、無機パッシベーション層123のいずれかまたは両方が存在せず、ガラスフリット130と基板100または対向基板200とが接していてもよい。また、対向基板200上には遮光層121、カラーフィルタ122、無機パッシベーション層123の順で積層されているが、これに限定されず、カラーフィルタ122、遮光層121、無機パッシベーション層123の順で積層されていてもよい。また、遮光層121とカラーフィルタ122とが異なるパターンを有し、積層されていなくてもよい。
また、図13では、基板100と層間絶縁層112、層間絶縁層112と発光素子113、対向基板200と遮光層121、遮光層121とカラーフィルタ122、カラーフィルタ122と無機パッシベーション層123、は接しているが、この構造に限定されず、それぞれの層間に他の層が挟まれていてもよい。
また、実施形態4では、発光素子113は、基板100と対向基板200とガラスフリット130とに囲まれた空隙部131に露出されている。つまり、発光素子113の上には、発光層を水分や不純物から保護するための保護層は形成されておらず、発光素子113の表面が空隙部131に露出されている。例えば、発光素子が下部電極、発光層、上部電極(共通電極)で構成されている場合、共通電極の上には保護層は形成されておらず、共通電極が空隙部131に露出される。
上記のように、図13のような構造とすることで、ガラスフリット130が配置される領域の面積を小さくすることができ、狭額縁の表示装置を得ることができる。また、「白色+CF構造」とすることで非常に高精細な表示装置を実現することができ、さらに、カラーフィルタを基板間に配置することで、隣接する画素の発光素子からの光が入り込むことによる混色のほとんどない高品質の表示装置を実現することができる。また、発光素子上にパッシベーション層を設けない構造にすることで、パッシベーション層を形成する工程だけでなく、端子部のパッシベーション層を除去する工程も削減することができる。
図14は、本発明の実施形態4の変形例における表示装置のA−B断面図を示す図である。図14は、図13の構造に加え、補強材として樹脂層140がガラスフリット130を覆い、基板100および対向基板200の側面の一部に接して配置されている。樹脂層140は、基板100または対向基板200の側面を全て覆う必要はなく、少なくともガラスフリット130を覆い、基板100または対向基板200の側面の一部に接するように配置されていればよい。
上記のように、実施形態2と同様に、ガラスフリットを覆うように補強材として樹脂層を配置することで、ガラスフリットを保護し、ガラスフリットへの物理的衝撃を緩和することができ、また、ガラスフリットの剥離を抑制することができる。
図15は、本発明の実施形態4における表示装置の製造方法のプロセスフローを示す図である。図15を用いて、実施形態4における表示装置の製造方法を説明する。
まず、ガラス基板などの基板を準備し(S1501)、基板上にトランジスタ層を形成する(S1502)。トランジスタ層としては、一般的なものを使用することができ、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン、酸化物半導体等を用いた、ボトムゲート型トランジスタやトップゲート型トランジスタを使用することができる。トランジスタ層を形成する前に、ガラス基板からの不純物をブロックし、密着性を向上させる単層または積層の下地層が形成されてもよい。次に、トランジスタ層を形成した後に、単層または積層の層間絶縁層を介して、複数の画素が配列される表示領域に発光素子を形成する(S1503)。発光素子は、層間絶縁層に形成されたコンタクトを介してトランジスタ層に接続される下部電極を形成し、下部電極の上に発光層を形成し、発光層の上に複数の発光素子に共通する共通電極を形成することで得られる。
次に、ガラス基板などの対向基板を準備し(S1511)、対向基板上に画素を開口する遮光層を形成する(S1512)。遮光層としては、Crなどの金属材料を用いてもよく、また、黒色に着色された樹脂材料を用いてもよい。遮光層は表示領域および周辺領域に形成される。表示領域においては、各画素を画定する領域に、配線等と重なるように形成され、周辺領域においては、表示領域とガラスフリットとの間の領域に形成される。
次に、対向基板の遮光層に設けられた開口部に着色層を有するカラーフィルタを形成する(S1513)。カラーフィルタは表示領域に形成され、各発光素子に対応した領域に形成される。カラーフィルタは、フルカラーを実現するために少なくともR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルタを形成する。また、輝度向上のために配置される白色画素において、色再現性を向上させるためのW(白)のカラーフィルタを形成してもよい。
図15では、遮光層の上にカラーフィルタを形成する製造方法について説明したが、これに限定されず、先にカラーフィルタを形成し、その上に遮光層を形成してもよい。また、対向基板と遮光層またはカラーフィルタとの間に他の層を形成してもよく、遮光層とカラーフィルタとの間に他の層を形成してもよい。また、カラーフィルタは少なくともR、G、Bの3種類を形成するが、3種類のカラーフィルタのいずれかの間に遮光層を形成してもよい。例えば、まず対向基板上にカラーフィルタR、Gを形成し、R、Gの上に遮光層を形成し、その上にカラーフィルタBを形成してもよい。
遮光層およびカラーフィルタを形成した後に、対向基板、遮光層、カラーフィルタ上にこれらの上面と端部を覆うように無機パッシベーション層を形成する(S1514)。この無機パッシベーション層は、発光素子の劣化の原因となるガスや水分を放出する有機層をカバーするもので、少なくともカラーフィルタを露出させないように形成される。もし、遮光層が樹脂で形成される場合は、カラーフィルタと遮光層の両方を露出させないように形成される。つまり、図13で示したように、遮光層121は基板100に対向する上面121aと端部121bを有し、カラーフィルタ122は基板100に対向する上面122aと端部122bを有する。そして、121a,122a,121b,122bを覆うように無機パッシベーション層123が配置された構造となる。
次に、発光素子まで形成された基板、または、無機パッシベーション層まで形成された対向基板のいずれかまたは両方の基板の上にスペーサを形成する(S1521)。スペーサは実施形態3で説明したように、例えば、所定の位置に柱状のスペーサを形成する方法や、一定のサイズの粒子状またはファイバー状スペーサを散布して形成する方法など、多様な方法で形成することができる。いずれの方法にせよ、スペーサとして使用する材料は脱ガスや脱水分が少ない材質であることが好ましく、例えば、シリカやセラミックのような無機系接着剤を用いることが好ましい。対向基板にスペーサを形成する場合は、無機パッシベーション層の一部に凸部を設けてスペーサとしてもよい。スペーサを形成した後に、表示領域とカラーフィルタとが対向するように両基板を貼り合せる(S1522)。図示していないが必要に応じて、ここで大型の基板から個々のパネルに分割するための切断を行う。
両基板を貼り合せ切断した後に、両基板の側面から、例えばディップ方式やインクジェット方式などで塗布することで、発光素子が形成された基板または対向基板の端部より外側に突出するように、基板と対向基板とで囲まれた空隙部を密閉するようにガラスフリットを形成する(S1523)。本発明では、ガラスフリットを基板の貼り合せ後に、一対の基板の側面から形成することができる。したがって、複数の一対の基板を準備し、それらの側面に同一工程で同時にガラスフリットを形成することができる。ここで、図3に示すように、ガラスフリットは基板または対向基板の側面に接するように形成するが、ガラスフリットは基板または側面の全てを覆う必要はなく、少なくともこれらの側面の一部に接するように形成すればよい。
ここで、ガラスフリットを形成するときの雰囲気が、基板、対向基板、ガラスフリットで密閉された空隙部に充填されるので非常に重要である。実施形態4では、N2雰囲気下でガラスフリットの形成を行った。ただし、これに限定されず、ガラスフリットを形成する工程の雰囲気は、発光素子の劣化の原因となる水分や酸素の含有量が少なければよい。例えば、ガラスフリットを形成する雰囲気は、好ましくは露点温度が−70℃以下のであるとよい。より好ましくは、露点温度が−90℃以下であるとよい。また、ガラスフリットを形成する雰囲気は、好ましくは酸素濃度が1ppm以下であるとよい。より好ましくは酸素濃度が0.5ppm以下であるとよい。また、ガラスフリットを形成する雰囲気は、減圧されていてもよく、逆に加圧されていてもよい。減圧、加圧のいずれの状態においても、水分や酸素の含有量が少ないことが望ましい。
最後に、貼り合せた基板に形成したガラスフリットをレーザ照射によって局所加熱する(S1524)。ガラスフリットを局所的に加熱することで、ガラスフリットを一対の基板または一対の基板上に形成された無機層に融着させ、発光素子を封止する。ここで、レーザ光を効率よく吸収して加熱するために、ガラスフリットがレーザ光波長帯のエネルギーを吸収する顔料を含んでいてもよい。
次に、図16および17を用いてレーザ照射工程のより具体的な方法について説明する。図16は、本発明の実施形態4における表示装置のガラスフリットへのレーザ照射方法を示す図である。また、図17は、本発明の実施形態4において、表示装置の平面視におけるガラスフリットへのレーザ照射方法を示す図である。本発明におけるレーザ照射は、150から出射されたレーザ光151を基板100および対向基板200の側面に入射させることで、ガラスフリット130を融着させる。ここで、レーザ光151は基板100および対向基板200の表面に対して略平行に入射される。また、基板100および対向基板200の平面視において、レーザ光151は基板100および対向基板200の一辺に対して直角ないし鋭角152をなすように入射される。この角度152は30°から90°、好ましくは45°から90°とするとよい。
上記のように、基板100および対向基板200の表面に対して略平行にレーザ光151を入射することで、ガラスフリットに照射されなかった漏れ光が表示領域内の発光素子に照射され、発光素子が劣化することを抑制することができる。また、レーザ光151を基板100および対向基板200の一辺に対して鋭角152で入射することによって、レーザ光151のガラスフリット内の光路長が長くなる。その結果、一度のレーザ照射で広範囲のガラスフリットを加熱することができ、また、レーザ光151の一部がガラスフリットを透過して、表示領域の発光素子に到達することを抑制することができる。
<実施形態5>
図18乃至20を用いて、本発明の実施形態5に係る表示装置の製造方法を説明する。実施形態5は、基板100と対向基板200とが貼り合わされた一対の基板600を複数並べて、複数の一対の基板600に対して、ガラスフリット130を形成する方法について説明する。
図18乃至20を用いて、本発明の実施形態5に係る表示装置の製造方法を説明する。実施形態5は、基板100と対向基板200とが貼り合わされた一対の基板600を複数並べて、複数の一対の基板600に対して、ガラスフリット130を形成する方法について説明する。
図18は、本発明の実施形態5における表示装置の製造方法において、複数の基板に同一工程でガラスフリットを塗布する方法を示す図である。まず、複数の一対の基板600が、互いの面が重なるように並べられる。図18では、各々の一対の基板600の間にスペースが設けられているが、各々の一対の基板600が互いに接するように並べられてもよい。
複数の一対の基板600の配置間隔に対応して、液体のガラスフリットを吐出するノズル161が固定治具160に配置されている。固定治具160は、図18の矢印で示した方向にノズル161を走査する。図18に示すように、ガラスフリット材料の液柱162がノズル161に設けられた微細孔から吐出されながら、ノズル161を矢印の方向へ操作することで、ガラスフリット130が基板100と対向基板200との境界部に連続して塗布される。一対の基板600の一辺にガラスフリット130が塗布されると、一対の基板600が90度回転し、ガラスフリット130を塗布した一辺に隣接する一辺がノズル161の方向を向くように配置される。そして、上記と同様にしてガラスフリット130が一対の基板600の側面に塗布される。
ガラスフリット130の塗布は、複数の一対の基板600を回転させながら行ってもよい。この場合、ノズル先端とガラスフリット130が塗布される一対の基板600の側面との距離を一定に保つように固定治具160を鉛直方向に上下させてもよい。
図19は、本発明の実施形態5の変形例における表示装置の製造方法において、複数の基板に同一工程でガラスフリットを塗布する方法を示す図である。図19では、複数の一対の基板600を、ガラスフリット材料171が入った容器170に浸漬させる、いわゆるディップ方式によってガラスフリットを形成する。この場合、ガラスフリットを形成したい領域を、ガラスフリット材料171に対して親液性を有するようにしてもよい。さらに、その他の領域を、ガラスフリット材料171に対して撥液性を有するようにしてもよい。このようにすることで、ディップ方式でガラスフリットを形成する場合でも、所望の領域のみにガラスフリットを形成することができる。
図20は、本発明の実施形態5における表示装置の製造方法において、複数の基板に同一工程でガラスフリットを融着する方法を示す図である。図18と同様に、複数の一対の基板600を互いの面が重なるように並べて配置する。そして、複数の一対の基板600の配置間隔に対応して、複数のレーザ光153を出射する光源群154が配置されている。光源群154は、図20の矢印で示した方向に走査され、一対の基板600の側面に塗布されたガラスフリット130にレーザ光153を照射する。このレーザ光153の照射によって、ガラスフリットは局所加熱され、基板100および対向基板200の側面に融着される。ここで、レーザ光153を入射する角度は図16および17に示した角度にすることが好ましい。
図20に示すように、複数のレーザ光153を複数の一対の基板600の側面に形成されたガラスフリットに照射しながら、光源群154を矢印方向へ操作し、複数の一対の基板600の一辺のガラスフリット130を融着する。次に、一対の基板600が90度回転し、ガラスフリット130を融着した一辺に隣接する一辺が光源群154の方向を向くように配置される。そして、上記と同様にしてレーザ光153をガラスフリット130に照射する。
上記の方法によると、複数の一対の基板に対して、同一工程でガラスフリットを形成することができ、また、同一工程でガラスフリットを融着することができる。これによって、タクトが向上し、製造コストを安くすることができる。
なお、本発明は上記の実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
100:基板
110:表示領域
112:層間絶縁層
113:発光素子
120:周辺領域
121:遮光層
121a:遮光層121の基板100に対向する上面
121b:遮光層121の端部
122:カラーフィルタ
122a:カラーフィルタ122の基板100に対向する上面
122b:カラーフィルタ122の端部
123:無機パッシベーション層
130、130d、133、134:ガラスフリット
131:空隙部
132、135、136:スペーサ
137:粒子状またはファイバー状スペーサ
140、140d:樹脂層
150:光源
151、153:レーザ光
152:鋭角
154:光源群
160:固定治具
161:ノズル
162:液柱
170:容器
171:ガラスフリット材料
200:対向基板
300:ドライバIC
400:FPC
500:端子部
600:一対の基板
110:表示領域
112:層間絶縁層
113:発光素子
120:周辺領域
121:遮光層
121a:遮光層121の基板100に対向する上面
121b:遮光層121の端部
122:カラーフィルタ
122a:カラーフィルタ122の基板100に対向する上面
122b:カラーフィルタ122の端部
123:無機パッシベーション層
130、130d、133、134:ガラスフリット
131:空隙部
132、135、136:スペーサ
137:粒子状またはファイバー状スペーサ
140、140d:樹脂層
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151、153:レーザ光
152:鋭角
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160:固定治具
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162:液柱
170:容器
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200:対向基板
300:ドライバIC
400:FPC
500:端子部
600:一対の基板
Claims (17)
- 複数の画素のそれぞれに発光素子が設けられ、前記画素が配列された表示領域を有する第1基板と、
前記第1基板に対向して配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置されたスペーサと、
ガラスを含み、前記第1基板および前記第2基板を貼り合わせ、前記表示領域の外側に設けられ、前記第1基板または前記第2基板の端部より外側に突出するシール材と、を有することを特徴とする表示装置。 - 前記シール材は、前記第1基板または前記第2基板の側面の一部に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記シール材の一部は、前記第1基板と前記第2基板との間に挟まれていることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記スペーサは無機材料であることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
- 前記第2基板は、前記画素を開口する遮光層と、着色層を有し、少なくとも前記遮光層の開口部に設けられたカラーフィルタと、を有し、
前記シール材は、前記表示領域および前記カラーフィルタが対向するように前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせ、
前記カラーフィルタは前記シール材の内側に設けられ、
少なくとも前記カラーフィルタの上面および端部を覆う無機絶縁層を有し、
前記第1基板、前記第2基板および前記シール材で囲まれた空隙部に、前記発光素子が露出されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載の表示装置。 - 前記シール材を覆い、前記第1基板または前記第2基板の側面の一部に接して配置される樹脂層を有することを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記空隙部は、露点温度が−70℃以下であることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記空隙部は、酸素濃度が1ppm以下であることを特徴とする請求項7に記載の表示装置。
- 第1基板の複数の画素が配列される表示領域に、発光素子を形成し、
スペーサを介して前記第1基板と、前記第1基板に対向して配置された第2基板と、を貼り合せ、
前記表示領域の外側に設けられ、前記第1基板または前記第2基板の端部より外側に突出するように、ガラスを含むシール材を形成し、
前記第1基板または前記第2基板の側面側からレーザを入射し、
前記シール材を融着させることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記シール材は、前記第1基板または前記第2基板の側面の一部に形成されることを特徴とする請求項9に記載の表示装置の製造方法。
- 前記シール材は、前記第1基板と前記第2基板の間に一部が挟まれるように形成されることを特徴とする請求項10に記載の表示装置の製造方法。
- 前記レーザは、前記第1基板および前記第2基板の表面に対して略平行に入射されることを特徴とする請求項11に記載の表示装置の製造方法。
- 前記レーザは、前記第1基板および前記第2基板の平面視において、前記第1基板および前記第2基板の一辺に対して鋭角をなすように入射されることを特徴とする請求項12に記載の表示装置の製造方法。
- 複数の前記第1基板および複数の前記第2基板が貼り合せられた複数の一対の基板に対して、同一工程で複数の前記レーザを入射することを特徴とする請求項9乃至13のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 複数の前記一対の基板に対して、同一工程で複数の前記シール材を形成することを特徴とする請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- 前記シール材は、露点温度が−70℃以下の雰囲気下で形成されることを特徴とする請求項15に記載の表示装置の製造方法。
- 前記シール材は、酸素濃度が1ppm以下の雰囲気下で形成されることを特徴とする請求項16に記載の表示装置の製造方法。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US9698376B2 (en) * | 2014-10-24 | 2017-07-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Packaging method and packaging structure of substrate |
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CN108630829B (zh) * | 2017-03-17 | 2019-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置 |
CN107731876B (zh) * | 2017-10-19 | 2020-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
KR102504133B1 (ko) * | 2018-02-20 | 2023-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
KR20200053133A (ko) * | 2018-11-08 | 2020-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR20220000440A (ko) * | 2020-06-25 | 2022-01-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6617644B1 (en) * | 1998-11-09 | 2003-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
KR100673765B1 (ko) * | 2006-01-20 | 2007-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP5339270B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-11-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置および電子機器 |
KR102038844B1 (ko) * | 2011-06-16 | 2019-10-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 밀봉체의 제작 방법 및 밀봉체, 그리고 발광 장치의 제작 방법 및 발광 장치 |
WO2013031509A1 (en) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, lighting device, and method for manufacturing the light-emitting device |
KR102082780B1 (ko) * | 2013-01-10 | 2020-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
-
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-
2015
- 2015-01-20 US US14/600,891 patent/US20150214502A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016052151A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | ソニー株式会社 | 有機el表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
US10064252B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-08-28 | Sony Corporation | Organic EL display unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
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