JP2013020894A - 硫化物固体電解質材料の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明においては、硫化物固体電解質材料の粗粒材料にエーテル化合物を添加し、上記粗粒材料を粉砕処理により微粒化する微粒化工程を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。
【選択図】図1
Description
E=1/2nmv2/s・t 式(1)
(nはメディアの数(個)、mはメディア1個当たりの重量(kg)、vはメディアの速度(m/s)、sは粗粒材料の量(g)、tは処理時間(秒)である)
以下、本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法について、工程ごとに説明する。
本発明における微粒化工程は、硫化物固体電解質材料の粗粒材料にエーテル化合物を添加し、上記粗粒材料を粉砕処理により微粒化する工程である。
本発明におけるエーテル化合物は、エーテル基(C−O−C)を有するものであれば特に限定されるものではない。中でも、エーテル化合物は、酸素元素に結合した2つの炭化水素基を有することが好ましい。粗粒材料との反応性が低いからである。また、上記炭化水素基の炭素数は、それぞれ10以下であることが好ましい。炭素数が大きすぎると、乾燥によるエーテル化合物の除去が困難になる可能性があるからである。
次に、本発明における粗粒材料について説明する。本発明における粗粒材料は、硫化物固体電解質材料から構成され、微粒化される前の材料である。
本発明においては、エーテル化合物に加えて、溶媒を添加しても良い。溶媒を用いて湿式粉砕することで、粉砕時における硫化物固体電解質材料の造粒、および、メディアへの硫化物固体電解質材料の付着を防止できるからである。上記溶媒としては、例えば、ヘプタン、ヘキサン、オクタン等のアルカン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等を挙げることができる。なお、上記液体の添加量は、特に限定されるものではなく、所望の硫化物固体電解質材料を得ることができる程度の量であれば良い。また、上記溶媒は、水分量が少ないものであることが好ましい。硫化水素の発生(硫化物固体電解質材料の劣化)を抑制できるからである。
本発明における粉砕処理としては、所望の大きさに微粒化できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、ビーズミル、遊星型ボールミル等のメディア型粉砕、ジェット粉砕、キャビテーション粉砕等を挙げることができる。粉砕条件は、粗粒材料を所望の粒子径に粉砕することができるように設定する。例えば、遊星型ボールミルを用いる場合、粗粒材料、エーテル化合物、溶媒および粉砕用ボールを加え、所定の回転数および時間で処理を行う。粉砕用ボールのボール径(φ)としては、例えば、0.05mm〜2mmの範囲内であることが好ましく、0.3mm〜1mmの範囲内であることがより好ましい。上記ボール径が小さすぎると、粉砕用ボールのハンドリングが難しく、コンタミの原因となる可能性があるからであり、上記ボール径が大きすぎると、粗粒材料を所望の粒子径に粉砕することが困難になる可能性があるからである。また、遊星型ボールミルを行う際の台盤回転数としては、例えば、100rpm〜400rpmの範囲内であることが好ましく、150rpm〜300rpmの範囲内であることがより好ましい。また、遊星型ボールミルを行う際の処理時間は、例えば、0.5時間〜5時間の範囲内であることが好ましく、1時間〜4時間の範囲内であることがより好ましい。
E=1/2nmv2/s・t 式(1)
式(1)において、nはメディアの数(個)、mはメディア1個当たりの重量(kg)、vはメディアの速度(m/s)、sは粗粒材料の量(g)、tは処理時間(秒)である。式(1)は、メディア(例えばビーズ、ボール)の運動エネルギーが、全て粗粒材料の粉砕に用いられたと仮定した場合の総粉砕エネルギーを示すものである。
なお、メディアの速度vは、メディア型粉砕処理の種類に応じて、適宜求めることができる。例えば遊星型ボールミルである場合、メディアの速度vは式(2)で求めることができる。
v=dπRα/1000/60 式(2)
式(2)において、dはポット(容器)の直径(mm)、Rは台盤回転数(rpm)、αは自公転比である。
本発明においては、微粒化工程の後に、エーテル化合物を除去する乾燥工程を有することが好ましい。エーテル化合物が残留していると、硫化物固体電解質材料のイオン伝導度を低下させる要因になるからである。なお、溶媒を添加して微粒化工程を行う場合は、乾燥工程により溶媒も除去することが好ましい。乾燥温度は、特に限定されるものではないが、例えば、硫化物ガラスを合成する場合には、結晶化温度未満の温度で乾燥を行う必要がある。特に、硫化物ガラスが結晶化することによってイオン伝導度が低下する場合には、乾燥温度に留意する必要がある。
微粒化工程により得られる硫化硫物固体電解質材料の平均粒径(D50)は、粗粒材料よりも小さければ特に限定されるものではないが、例えば、0.1μm〜5μmの範囲内であることが好ましく、0.5μm〜4μmの範囲内であることがより好ましい。なお、上記平均粒径は、例えば、粒度分布計により決定することができる。
出発原料として、硫化リチウム(Li2S、日本化学工業製、純度99.9%)、五硫化二リン(P2S5、Aldrich製、純度99.9%)およびヨウ化リチウム(LiI、アルドリッチ製)を用いた。次に、Li2SおよびP2S5を、75Li2S・25P2S5のモル比(Li3PS4、オルト組成)となるように秤量した。次に、LiIの割合が30mol%となるようにLiIを秤量した。その混合物2gを遊星型ボールミルの容器(45cc、ZrO2製)に投入し、脱水ヘプタン(水分量30ppm以下、4g)を投入し、さらにZrO2ボール(φ=5mm、53g)を投入し、容器を完全に密閉した。この容器を遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数500rpmで、40時間メカニカルミリングを行った。その後、100℃で乾燥することによりヘプタンを除去し、硫化物ガラス(粗粒材料)を得た。得られた硫化物ガラスの組成は、一般式xLiI・(100−x)(yLi2S・(1−y)P2S5)における、x=30、y=0.75である。
製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボール(φ1mm)40g、脱水ヘプタン8.9g、ジブチルエーテル0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数150rpmにて5時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
ジブチルエーテルの代わりに、ジプロピルエーテルを用いたこと以外は、実施例1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボール(φ0.3mm)40g、脱水ヘプタン8g、ジブチルエーテル1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数150rpmにて15時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料3.5g、脱水ヘプタン500ml、ジブチルエーテル3.5gを混合し、混合物を得た。この混合物を用いて、キャビテーション粉砕機(エムテクニック製SS5)にて粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。なお、キャビテーション粉砕機の条件は、回転数1000rpm、流量1.7g/min.、背圧0.14MPaG、プロセス圧0.35MPaGとした。
製造例で得られた粗粒材料40g、ZrO2ボール(φ1mm)800g、脱水ヘプタン156g、ジブチルエーテル4gを500mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P5)に取り付け、台盤回転数90rpmにて8時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボール(φ1mm)40g、脱水ヘプタン10gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数300rpmにて1時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボール(φ1mm)40g、脱水ヘプタン9g、ブチレンゴム0.014gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数300rpmにて1時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボール(φ1mm)40g、脱水ヘプタン8.9g、2−エチルヘキサノール0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数800rpmにて5時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
(SEM観察)
実施例1〜5および比較例1〜3で得られた硫化物固体電解質材料を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した。その結果を図3、図4に示す。図3、図4に示されるように、いずれも、微粒化された硫化物固体電解質材料が得られた。
実施例1〜5および比較例1〜3で得られた硫化物固体電解質材料、ならびに製造例で得られた粗粒材料を少量サンプリングし、レーザー散乱・回折式粒度分布測定機(日機装製マイクロトラックMT 3300EXII)で粒度分布測定を行い、平均粒径(D50)を決定した。その結果を表1に示す。
実施例1〜5および比較例1〜3で得られた硫化物固体電解質材料の回収率を求めた。微粒化工程後に、ZrO2ボールを分離し、ZrO2ボールの付着物を数回ヘプタンで洗浄してから、回収したスラリーを乾燥させることにより、硫化物固体電解質材料(硫化物ガラス)の回収量を測定した。得られた硫化物固体電解質材料の回収量を微粒化工程で投入した硫化物ガラスの投入量で除することにより、回収率を算出した。その結果を表1に示す。
実施例1〜5および比較例1〜3で得られた硫化物固体電解質材料、ならびに製造例で得られた粗粒材料のLiイオン伝導度を測定した。硫化物固体電解質材料については、上記の回収したスラリーを100℃で30分間乾燥させ、粉体を回収後、1cm2、厚さ0.5mmのペレットを作製し、4.3tonで成型した。また、粗粒材料についても、粉体を回収後、1cm2、厚さ0.5mmのペレットを作製し、4.3tonで成型した。成型後のペレットに対して、交流インピーダンス法によりLiイオン伝導度(常温)を測定した。なお、測定にはソーラトロン1260を用い、測定条件は、印加電圧5mV、測定周波数域0.01MHz〜1MHzとし、100kHzの抵抗値を読み、厚さで補正し、Liイオン伝導度へ換算した。その結果を表1に示す。
製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボール(φ1mm)40g、脱水ヘプタン8.9g、ジブチルエーテル0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数150rpmにて7時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボール(φ1mm)40g、脱水ヘプタン8.9g、ジプロピルエーテル0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数150rpmにて5時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料40g、ZrO2ボール(φ1mm)800g、脱水ヘプタン156g、ジブチルエーテル4gを500mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P5)に取り付け、台盤回転数90rpmにて8時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボール(φ1mm)40g、脱水ヘプタン8.9g、ジブチルエーテル0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数800rpmにて4時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボール(φ1mm)40g、脱水ヘプタン8.9g、ジブチルエーテル0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数100rpmにて1時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボール(φ1mm)40g、脱水ヘプタン8g、ブチレンゴム0.014gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数300rpmにて1時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料40g、ZrO2ボール(φ1mm)400g、脱水ヘプタン160g、ブチレンゴム0.56gを500mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P5)に取り付け、台盤回転数100rpmにて5時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボール(φ1mm)40g、脱水ヘプタン9g、ブチレンゴム0.014gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数400rpmにて5時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。
実施例6〜10および参考例1〜3で得られた硫化物固体電解質材料を少量サンプリングし、レーザー散乱・回折式粒度分布測定機(日機装製マイクロトラックMT 3300EXII)で粒度分布測定を行い、平均粒径(D50)を決定した。その結果を表2に示す。また、総粉砕エネルギーと、平均粒径との関係を図5に示す。
2 … 軟らかい固体電解質材料
Claims (5)
- 硫化物固体電解質材料の粗粒材料にエーテル化合物を添加し、前記粗粒材料を粉砕処理により微粒化する微粒化工程を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。
- 前記エーテル化合物が、酸素元素に結合した2つの炭化水素基を有し、
前記炭化水素基の炭素数が、それぞれ10以下であることを特徴とする請求項1に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。 - 前記粗粒材料が、Li、A(Aは、P、Si、Ge、AlおよびBの少なくとも一種である)、Sを有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。
- 前記粗粒材料が、さらにX(Xは、ハロゲン元素である)を有することを特徴とする請求項3に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。
- 前記粉砕処理がメディア型粉砕処理であり、
下記式(1)で定義される、前記粗粒材料の単位重量当たりの総粉砕エネルギーEが、50J・sec/g〜450J・sec/gの範囲内であることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。
E=1/2nmv2/s・t 式(1)
(nはメディアの数(個)、mはメディア1個当たりの重量(kg)、vはメディアの速度(m/s)、sは粗粒材料の量(g)、tは処理時間(秒)である)
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