JP5685814B2 - 硫化物固体電解質材料の製造方法 - Google Patents

硫化物固体電解質材料の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、安価な単体原料を用いて、Liイオン伝導性に優れた硫化物固体電解質材料を得ることができる硫化物固体電解質材料の製造方法に関する。
さまざまな電池の中でも、軽量で高出力・高エネルギー密度という利点を持つリチウム電池は、小型携帯電子機器や携帯情報端末等の電源として多用され、現在の情報化社会を支えている。また、電気自動車やハイブリッド車の電源としても、リチウム電池が注目されており、更なる高エネルギー密度化、安全性の向上および大型化が求められている。
現在市販されているリチウム電池は、可燃性の有機溶媒を含有する電解液が使用されているため、短絡時の温度上昇を抑える安全装置の取り付けや短絡防止のための構造・材料面での改善が必要となる。
これに対し、電解液を固体電解質層に変えて、電池を全固体化したリチウム電池は、電池内に可燃性の有機溶媒を用いないので、安全装置の簡素化が図れ、製造コストや生産性に優れると考えられている。また、このような固体電解質層に用いられる固体電解質材料として、硫化物固体電解質材料が知られている。
硫化物固体電解質材料の製造方法としては、常温での処理が可能なメカニカルミリング法が知られているが、より汎用性の高い製造方法を目指し、このメカニカルミリング法に安価で入手しやすい単体原料を用いることが検討されている。例えば、特許文献1においては、金属リチウムもしくは硫化リチウム(LiS)と、単体硫黄および単体リンとを原料として、メカニカルミリングによりガラス化させることを特徴とするLiイオン伝導性硫化物ガラスの製造方法が開示されている。また、特許文献2においても、構成元素の単体を原料とし、メカニカルミリングを用いたイオン伝導性硫化物ガラスの製造方法が開示されている。
特開2003−208919号公報 特開平11−134937号公報
LiS、単体硫黄および単体リンを用いて、メカニカルミリングを行うことで、原料コストを抑えつつ、簡便にLiイオン伝導性硫化物固体電解質材料(硫化物ガラス)を製造することができる。しかしながら、LiSと、単体硫黄および単体リンとの反応性が低いため、原料としてLiSおよびPを用いた場合と比較して、メカニカルミリングにより合成される硫化物固体電解質材料中に未反応のLiSが多く残存し、硫化物固体電解質材料のLiイオン伝導性が十分に高くないという問題がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、安価な単体原料を用いて、組成を制御することにより、未反応のLiSが残存しにくく、Liイオン伝導性に優れた硫化物固体電解質材料を得ることができる硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することを主目的とする。
上記課題を解決するために、本発明においては、硫化リチウム(LiS)、単体硫黄(S)および単体リン(P)を含有し、S元素とP元素との総モル比:S/Pが、4以下であり、Li元素とP元素との総モル比:Li/Pが、3以下となるように原料組成物を調製する原料組成物調製工程と、上記原料組成物に対して、メカニカルミリングを行い、硫化物ガラスを合成するガラス化工程とを有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供する。
本発明によれば、原料組成物に含有されるS元素とP元素との総モル比:S/P、および、原料組成物に含有されるLi元素とP元素との総モル比:Li/Pをそれぞれ上記範囲内に制御して、メカニカルミリングを行うことで、LiSとの反応性が低い単体硫黄および単体リンを原料として用いても、未反応のLiSが残存しにくく、Liイオン伝導性に優れた硫化物固体電解質材料を得ることができる。
上記発明においては、上記S/Pが、3.7〜4.0の範囲内であることが好ましい。よりLiイオン伝導性の高い硫化物固体電解質材料を得ることができるからである。
本発明においては、安価な単体原料を用いて、組成を制御することにより、未反応のLiSが残存しにくく、Liイオン伝導性に優れた硫化物固体電解質材料を得ることができるという効果を奏する。
本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法の一例を示すフローチャートである。 実施例1および比較例1〜3で得られた硫化物固体電解質材料のLiイオン伝導度を示すグラフである。 実施例1および比較例1〜3で得られた硫化物固体電解質材料のX線回折の測定結果を示すグラフである。
以下、本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法について、詳細に説明する。
本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法は、硫化リチウム(LiS)、単体硫黄(S)および単体リン(P)を含有し、S元素とP元素との総モル比:S/Pが、4以下であり、Li元素とP元素との総モル比:Li/Pが、3以下となるように原料組成物を調製する原料組成物調製工程と、上記原料組成物に対して、メカニカルミリングを行い、硫化物ガラスを合成するガラス化工程とを有することを特徴とするものである。
本発明によれば、原料組成物に含有されるS元素とP元素との総モル比:S/P、および、原料組成物に含有されるLi元素とP元素との総モル比:Li/Pをそれぞれ上記範囲内に制御して、メカニカルミリングを行うことで、LiSとの反応性が低い単体硫黄および単体リンを原料として用いても、未反応のLiSが残存しにくく、Liイオン伝導性に優れた硫化物固体電解質材料を得ることができる。上述したように、単体硫黄および単体リンは、LiSとの反応性が低いため、これらの原料にメカニカルミリングを行うことにより合成される硫化物固体電解質材料中には、イオン伝導性に欠ける未反応のLiSが大量に残存し、硫化物固体電解質材料のLiイオン伝導性が低下するという問題がある。これに対して、本発明においては、上記S/PおよびLi/Pをそれぞれ所定の範囲内に制御することで、未反応のLiSが残存しにくい組成を有する硫化物固体電解質材料を合成することができるため、Liイオン伝導性の高い硫化物固体電解質材料を得ることができる。
図1は、本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法の一例を示すフローチャートである。図1に例示される硫化物固体電解質材料の製造方法においては、まず、出発原料として、硫化リチウム(LiS)、単体硫黄(S)および単体リン(P)を用意する。次に、これらの出発原料を、含有されるS元素とP元素との総モル比:S/Pが4以下、かつ、含有されるLi元素とP元素との総モル比:Li/Pが3以下となるように混合し、原料組成物を調製する(原料組成物調製工程)。その後、原料組成物および粉砕用ボールをメカニカルミリング用のポットに投入し、さらに、脱水ヘプタン(無極性溶媒)をポットに投入し、ポットを密閉する。続いて、このポットを、遊星型ボールミル機に取り付けて、メカニカルミリングを行うことにより原料組成物を非晶質化し、硫化物ガラスを合成する(ガラス化工程)。図1においては、硫化物ガラスが、目的とする硫化物固体電解質材料となる。
ここで、本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、上記のガラス化工程で得られる硫化物ガラス、および、後述する焼成工程で得られる硫化物ガラスセラミックスを含む概念である。すなわち、本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、ガラス化工程で得られる硫化物ガラスであっても良く、硫化物ガラスを焼成して得られる硫化物ガラスセラミックスであっても良い。
本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法は、少なくとも、原料組成物調製工程およびガラス化工程を有するものである。以下、本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法について、工程ごとに説明する。なお、本発明においては、後述する各工程を不活性ガス雰囲気下(例えば、アルゴンガス雰囲気下、窒素ガス雰囲気下等)で行うことが好ましい。
1.原料組成物調製工程
まず、本発明における原料組成物調製工程について説明する。本発明における原料組成物調製工程は、硫化リチウム(LiS)、単体硫黄(S)および単体リン(P)を含有し、S元素とP元素との総モル比:S/Pが、4以下であり、Li元素とP元素との総モル比:Li/Pが、3以下となるように原料組成物を調製する工程である。
本発明における原料組成物は、少なくとも、硫化リチウム(LiS)、単体硫黄(S)および単体リン(P)を含有する。原料組成物に含まれるLiSは、不純物が少ないことが好ましい。副反応を抑制することができるからである。LiSの合成方法としては、例えば、特開平7−330312号公報に記載された方法等を挙げることができる。さらに、LiSは、WO2005/040039に記載された方法等を用いて精製されていることが好ましい。原料組成物に用いられる単体硫黄としては、例えば、斜方硫黄、ゴム状硫黄、単斜硫黄等を挙げることができ、中でも斜方硫黄が好ましい。原料組成物に用いられる単体リンとしては、例えば、赤リン、黄リン、黒リン等を挙げることができ、中でも赤リンが好ましい。
本発明においては、原料組成物に含有されるS元素とP元素との総モル比:S/Pは、4以下であり、中でも、3.7〜4.0の範囲内であることが好ましく、特に、4.0であることが好ましい。
また、本発明においては、原料組成物に含有されるLi元素とP元素との総モル比:Li/Pは、3以下であり、中でも、2.3〜3.0の範囲内であることが好ましく、特に、3.0であることが好ましい。
S/Pが4より大きく、かつ、Li/Pが3より大きいと、硫化物固体電解質材料における未反応のLiSの残存量が増加し、硫化物固体電解質材料のLiイオン伝導性が大きく低下する可能性があるからである。なお、S/PおよびLi/Pが小さすぎると、硫化物固体電解質材料におけるLi元素の含有量が相対的に少なくなるため、Liイオン伝導性が低下する可能性がある。
原料組成物が、S/P=4.0、かつ、Li/P=3.0となるように、LiS、単体硫黄および単体リンを含有する場合、その原料組成物にメカニカルミリングを行うことにより合成される硫化物固体電解質材料は、xLiS・(100−x)Pのモル組成において、x=75の組成となる。本発明のように、LiS−P系の硫化物固体電解質材料では、75LiS・25Pの組成は、オルト組成(LiPS)に該当するものである。ここで、オルトとは、一般的に、同じ酸化物を水和して得られるオキソ酸の中で、最も水和度の高いものをいう。本発明においては、硫化物で最もLiSが付加している結晶組成をオルト組成といい、理論的には未反応のLiSを有しないものである。硫化物固体電解質材料がオルト組成を有することにより、硫化物固体電解質材料中に未反応のLiSが残存しにくくなるため、Liイオン伝導性に優れた硫化物固体電解質材料を得ることができる。本発明の原料組成物において、S/P≦4、かつ、Li/P≦3である場合は、S/PおよびLi/Pが大きいほど好ましい。硫化物固体電解質材料が、オルト組成により近傍の組成を有することができ、Liイオン伝導性の向上を図ることができるからである。
一方、原料組成物が、S/P>4、かつ、Li/P>3となるように、LiS、単体硫黄および単体リンを含有する場合、その原料組成物にメカニカルミリングを行うことにより合成される硫化物固体電解質材料は、xLiS・(100−x)Pのモル組成において、x>75の組成となる。LiS−P系の組成において、LiSが75モル%を少しでも超えると、ガラス化領域(非晶質化領域)から外れてしまい、未反応のLiSが残留する。その結果、硫化物固体電解質材料のLiイオン伝導性は大きく低下する。
また、本発明における原料組成物は、LiS、単体硫黄および単体リンのみを含有するものであっても良く、その他の添加物をさらに含有するものであっても良い。添加物としては、例えば、LiPO、LiSiO、LiGeO、LiBOおよびLiAlOからなる群から選択される少なくとも一種のオルトオキソ酸リチウムを挙げることができる。このようなオルトオキソ酸リチウムを加えることで、より安定な硫化物固体電解質材料を得ることができる。
2.ガラス化工程
次に、本発明におけるガラス化工程について説明する。本発明におけるガラス化工程は、上記原料組成物に対して、メカニカルミリングを行い、硫化物ガラスを合成する工程である。上述したように、本発明においては、ガラス化工程で得られた硫化物ガラスを硫化物固体電解質材料としても良い。
本発明に用いられるメカニカルミリングは、機械的エネルギーを付与しながら原料組成物を混合する方法であれば、特に限定されるものではないが、例えば、ボールミル、ターボミル、メカノフュージョン、ディスクミル等を挙げることができ、中でも、ボールミルが好ましく、特に、遊星型ボールミルが好ましい。所望の硫化物ガラスを効率良く得ることができるからである。
また、メカニカルミリングの各種条件は、所望の硫化物ガラスを得ることができるように設定する。例えば、遊星型ボールミルにより硫化物ガラスを合成する場合、ポット内に、原料組成物および粉砕用ボールを加え、所定の回転数および時間で処理を行う。一般的に、回転数が大きいほど、硫化物ガラスの生成速度は速くなり、処理時間が長いほど、原料組成物から硫化物ガラスへの転化率は高くなる。遊星型ボールミルを行う際の回転数としては、例えば、200rpm〜600rpmの範囲内、中でも、250rpm〜550rpmの範囲内であることが好ましい。また、遊星型ボールミルを行う際の処理時間は、例えば、0.1時間〜200時間の範囲内、中でも、0.5時間〜100時間の範囲内であることが好ましい。
本工程においては、原料組成物に溶媒を添加して、メカニカルミリングを行うことが好ましい。溶媒を用いることで、メカニカルミリングの際にポットの内側表面に未反応の上記原料組成物を含む固着物が発生することを抑制できる。また、原料組成物に対して均一にメカニカルミリングが行われるため、硫化物ガラスの合成時間を大幅に短縮することができ、かつ、均一な組成を有する硫化物ガラスを合成することができる。
本発明に用いられる溶媒としては、合成される硫化物固体電解質材料(硫化物ガラス)との反応性が低い無極性溶媒が好ましい。硫化物固体電解質材料の劣化を抑制し、Liイオン伝導性の向上を図ることができるからである。このような無極性溶媒の具体例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン等の鎖状アルカン;シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロペンタン、シクロオクタン等の環状アルカン;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等を挙げることができる。中でも、本発明においては、鎖状アルカンが好ましい。
上記溶媒は、水分量が少ないことが好ましい。硫化水素の発生を抑制することができるからである。上記溶媒に含まれる水分量は、例えば、100ppm以下であることが好ましく、50ppm以下であることがより好ましい。水分量を低減する方法としては、例えば、蒸留処理を挙げることができる。すなわち、上記溶媒は、蒸留処理を行ったものであることが好ましい。
本発明において、原料組成物に対する上記溶媒の添加量は、固着物の発生を抑制することができれば、特に限定されるものではない。原料組成物を100重量部とした場合に、上記溶媒は、例えば、50重量部以上であることが好ましく、100重量部以上であることがより好ましく、200重量部以上であることがさらに好ましい。上記溶媒の添加量が少なすぎると、固着物の発生を十分に抑制できない可能性があるからである。一方、原料組成物を100重量部とした場合に、上記溶媒は、例えば、1000重量部以下であることが好ましく、500重量部以下であることがより好ましい。上記溶媒の添加量が多すぎると、硫化物ガラスの合成に時間がかかり過ぎる可能性があるからである。
3.焼成工程
本発明においては、必須の工程である上記原料組成物調製工程および上記ガラス化工程の後に、焼成工程を行っても良い。本発明における焼成工程は、硫化物ガラスの結晶性を向上させる焼成処理を行い、硫化物ガラスセラミックスを得る工程である。上述したように、本発明においては、焼成工程で得られた硫化物ガラスセラミックスを硫化物固体電解質としても良い。
焼成処理の温度としては、所望の硫化物ガラスセラミックスを得ることができる温度であれば、特に限定されるものではないが、例えば、150℃〜360℃の範囲内、中でも、200℃〜350℃の範囲内であることが好ましい。焼成処理の温度が低すぎると、硫化物ガラスのガラス転移点に届かず、結晶化が進行しない可能性があり、焼成処理の温度が高すぎると、所望の結晶構造が形成されない可能性があるからである。また、焼成処理の時間としては、例えば、1分間〜10時間の範囲内、中でも、30分間〜3時間の範囲内であることが好ましい。
4.硫化物固体電解質材料
本発明によれば、得られる硫化物固体電解質材料のLiイオン伝導度の値を高いものとすることができる。常温(25℃)でのLiイオン伝導度が、例えば、10−4S/cm以上であるものが得られる。また、硫化物固体電解質材料は、通常粉末状であり、その平均径は、例えば、0.1μm〜50μmの範囲内である。また、硫化物固体電解質材料の用途としては、例えば、リチウム電池用途等を挙げることができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下に実施例を示して本発明をさらに具体的に説明する。
[実施例1]
出発原料として、硫化リチウム(LiS)、単体硫黄(S)および単体リン(P)を用いた。まず、LiS(0.7656g)、S(0.8904g)およびP(0.3440g)をアルゴンガス雰囲気下のグローブボックス内で秤量して混合し、原料組成物2gを得た。このとき、原料組成物に含有されるS元素とP元素との総モル比:S/Pは、4.0であり、原料組成物に含有されるLi元素とP元素との総モル比:Li/Pは、3.0であった。次に、得られた原料組成物2gを45mlのジルコニアポットに投入した。続いて、脱水ヘプタン(水分量30ppm以下)4gを秤量し、上記ポットに投入し、さらに、ジルコニアボール(Φ10mm、10個)を上記ポットに投入し、ポットを完全に密閉した。このポットを遊星型ボールミル機に取り付け、回転数500rpmで100時間メカニカルミリングを行い、その後、150℃で真空乾燥させ、硫化物固体電解質材料(硫化物ガラス、75LiS・25P)を得た。
[比較例1]
出発原料として、硫化リチウム(LiS)および五硫化リン(P)を用いた。まず、LiS(0.7656g)およびP(1.2344g)をアルゴンガス雰囲気下のグローブボックス内で秤量して混合し、原料組成物2gを得た。次に、得られた原料組成物2gを45mlのジルコニアポットに投入した。続いて、脱水ヘプタン(水分量30ppm以下)4gを秤量し、上記ポットに投入し、さらに、ジルコニアボール(Φ10mm、10個)を上記ポットに投入し、ポットを完全に密閉した。このポットを遊星型ボールミル機に取り付け、回転数500rpmで100時間メカニカルミリングを行い、その後、150℃で真空乾燥させ、硫化物固体電解質材料(硫化物ガラス、75LiS・25P)を得た。
[比較例2]
出発原料として、硫化リチウム(LiS)および五硫化リン(P)を用いた。まず、LiS(0.9052g)およびP(1.0948g)をアルゴンガス雰囲気下のグローブボックス内で秤量して混合し、原料組成物2gを得た。次に、得られた原料組成物2gを45mlのジルコニアポットに投入した。続いて、脱水ヘプタン(水分量30ppm以下)4gを秤量し、上記ポットに投入し、さらに、ジルコニアボール(Φ10mm、10個)を上記ポットに投入し、ポットを完全に密閉した。このポットを遊星型ボールミル機に取り付け、回転数500rpmで100時間メカニカルミリングを行い、その後、150℃で真空乾燥させ、硫化物固体電解質材料(硫化物ガラス、80LiS・20P)を得た。
[比較例3]
出発原料として、硫化リチウム(LiS)、単体硫黄(S)および単体リン(P)を用いた。まず、LiS(0.9052g)、S(0.7897g)およびP(0.3051g)をアルゴンガス雰囲気下のグローブボックス内で秤量して混合し、原料組成物2gを得た。このとき、原料組成物に含有されるS元素とP元素との総モル比:S/Pは、4.5であり、原料組成物に含有されるLi元素とP元素との総モル比:Li/Pは、4.0であった。次に、得られた原料組成物2gを45mlのジルコニアポットに投入した。続いて、脱水ヘプタン(水分量30ppm以下)4gを秤量し、上記ポットに投入し、さらに、ジルコニアボール(Φ10mm、10個)を上記ポットに投入し、ポットを完全に密閉した。このポットを遊星型ボールミル機に取り付け、回転数500rpmで100時間メカニカルミリングを行い、その後、150℃で真空乾燥させ、硫化物固体電解質材料(硫化物ガラス、80LiS・20P)を得た。
[評価]
(Liイオン伝導度測定)
実施例1および比較例1〜3で得られた硫化物固体電解質材料を用いて、Liイオン伝導度測定を行った。Liイオン伝導度は、以下のように測定した。すなわち、硫化物固体電解質材料の粉末をペレット化し、交流インピーダンス法によって常温(25℃)でのLiイオン伝導度を測定した。その結果を図2に示す。
図2に示されるように、比較例1(LiSおよびPを原料として合成した75LiS・25Pガラス)と比べて、実施例1(LiS、SおよびPを原料として合成した75LiS・25Pガラス)では、Liイオン伝導度の低下はほとんど見られず、両者は1.0×10−4S/cm以上の同程度のLiイオン伝導度を有していることが確認された。これに対して、比較例2(LiSおよびPを原料として合成した80LiS・20Pガラス)と比べて、比較例3(LiS、SおよびPを原料として合成した80LiS・20Pガラス)では、Liイオン伝導度が一桁低下することが確認された。これは、五硫化リン(P)の代わりに単体硫黄(S)および単体リン(P)を原料として用いても、S/Pが4.0、かつ、Li/Pが3.0となるように組成を制御することで、75LiS・25Pのモル組成を有し、未反応のLiSが残存しにくい硫化物固体電解質材料を合成できたためであると考えられる。
(X線回折測定)
実施例1および比較例1〜3で得られた硫化物固体電解質材料を用いて、X線回折測定を行った。その結果を図3に示す。
図3に示されるように、実施例1においては、LiSのピークが観察されず、硫化物固体電解質材料中に未反応のLiSが残存していないことが確認された。一方、比較例2および比較例3においては、LiSのピークが観察された。特に、比較例3においては、LiSのピークの強度が高かった。これは、五硫化リン(P)に比べて、単体硫黄(S)および単体リン(P)は硫化リチウム(LiS)との反応性が低く、比較例3で得られた硫化物固体電解質材料中に未反応のLiSがより多く残存しているためであると考えられる。

Claims (1)

  1. 硫化リチウム(LiS)、単体リン(P)および単体硫黄(S)を75LiS・25P(LiS:P:S=75:50:125)の割合で含有し、P、S以外の周期律表13、14、15、16族のいずれかに属する元素を含有しない原料組成物を調製する原料組成物調製工程と、
    前記原料組成物に対して、溶媒を添加し、メカニカルミリングを行うことにより、X線回折測定においてLiSのピークが観察されない硫化物ガラスを合成するガラス化工程とを有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。
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