JP6077403B2 - 硫化物固体電解質材料の製造方法 - Google Patents

硫化物固体電解質材料の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、Liイオン伝導性が高い硫化物固体電解質材料を得ることができる硫化物固体電解質材料の製造方法に関する。
近年におけるパソコン、ビデオカメラおよび携帯電話等の情報関連機器や通信機器等の急速な普及に伴い、その電源として利用される電池の開発が重要視されている。また、自動車産業界等においても、電気自動車用あるいはハイブリッド自動車用の高出力かつ高容量の電池の開発が進められている。現在、種々の電池の中でも、エネルギー密度が高いという観点から、リチウム電池が注目を浴びている。
現在市販されているリチウム電池は、可燃性の有機溶媒を含む電解液が使用されているため、短絡時の温度上昇を抑える安全装置の取り付けや短絡防止のための構造・材料面での改善が必要となる。これに対し、電解液を固体電解質層に変えて、電池を全固体化したリチウム電池は、電池内に可燃性の有機溶媒を用いないので、安全装置の簡素化が図れ、製造コストや生産性に優れると考えられている。さらに、このような固体電解質層に用いられる固体電解質材料として、硫化物固体電解質材料が知られている。
硫化物固体電解質材料は、Liイオン伝導性が高いため、電池の高出力化を図る上で有用であり、従来から種々の研究がなされている。例えば、特許文献1においては、LiI−LiS−P系の硫化物ガラスを熱処理し、ガラスセラミックスを得ることが記載されている。また、特許文献2においては、LiS−P系の硫化物固体電解質に、LiI、LiCl、LiBr等を添加して、Liイオン伝導度を向上させることが記載されている。また、特許文献3には、LiS−P−LiX−LiCO系の固体電解質が記載されている。なお、Xは、I、Cl、Brである。また、特許文献4には、LiPO−LiS−P系の固体電解質に、LiI、LiCl、LiBr等を複数添加することが記載されている。
特開2013−016423号公報 特開2012−048971号公報 特開昭62−008467号公報 特開平05−306117号公報
特許文献1には、2θ=20.2°、23.6°にピークを有する高Liイオン伝導相と、2θ=21.0°、28.0°にピークを有する低Liイオン伝導相とが記載されている。イオン伝導性の観点から、高Liイオン伝導相の結晶性は高いことが好ましいが、結晶性を高めるために、熱処理温度を高くすると、低Liイオン伝導相が生成し、Liイオン伝導度を高めることが難しい。また、低Liイオン伝導相が生成しないような低い温度で熱処理を行うと、高Liイオン伝導相の結晶性を高くすることができない。そのため、この場合も、Liイオン伝導度を高めることが難しい。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、Liイオン伝導性が高い硫化物固体電解質材料を得ることができる硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することを主目的とする。
上記課題を解決するために、本発明者等が鋭意研究を重ねた結果、LiI−LiS−P系の硫化物ガラスの原料組成物に、LiBrを添加すると、熱処理温度を高くしても、低Liイオン伝導相の生成を抑制できるとの知見を得た。本発明は、このような知見に基づいてなされたものである。
すなわち、本発明においては、CuKα線を用いたX線回折測定において、2θ=20.2°、23.6°にピークを有する硫化物固体電解質材料の製造方法であって、LiS、P、LiI、およびLiBrを少なくとも含有する原料組成物を非晶質化し、硫化物ガラスを得る非晶質化工程と、上記硫化物ガラスを195℃以上の温度で加熱する熱処理工程と、を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供する。
本発明によれば、LiBrを含有する原料組成物を用いることで、熱処理温度を高くしても、低Liイオン伝導相の生成を抑制できる。そのため、Liイオン伝導性が高い硫化物固体電解質材料を得ることができる。
上記発明において、上記硫化物固体電解質材料は、2θ=21.0°、28.0°にピークを有しないことが好ましい。
上記発明において、上記原料組成物における上記LiIの割合が、5mol%より多く、かつ、15mol%より少なく、上記原料組成物における上記LiBrの割合が、10mol%以上、かつ、20mol%以下であることが好ましい。
本発明においては、Liイオン伝導性が高い硫化物固体電解質材料を得ることができるという効果を奏する。
本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法の一例を示すフローチャートである。 組成A〜Cの硫化物ガラスに対するDTA分析の結果である。 参考例1−4〜1−7で得られた硫化物固体電解質材料に対するLiイオン伝導度測定の結果である。 参考例1−4〜1−7で得られた硫化物固体電解質材料に対するX線回折測定の結果である。 参考例2−1〜2−8で得られた硫化物固体電解質材料に対するLiイオン伝導度測定の結果である。 比較例1−1、1−2および実施例1−1〜1−6で得られた硫化物固体電解質材料に対するLiイオン伝導度測定の結果である。 比較例2−1および実施例2−1〜2−6で得られた硫化物固体電解質材料に対するLiイオン伝導度測定の結果である。 比較例1−1および比較例2−1で得られた硫化物固体電解質材料に対するX線回折測定の結果である。 実施例1−3、1−4および実施例2−4で得られた硫化物固体電解質材料に対するX線回折測定の結果である。 実施例3−1〜3−7で得られた硫化物固体電解質材料に対するLiイオン伝導度測定の結果である。
以下、硫化物固体電解質材料の製造方法について詳細に説明する。
図1は、本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法の一例を示すフローチャートである。図1においては、まず、LiS、P、LiI、およびLiBrを含有する原料組成物を用意する。次に、原料組成物に対して、メカニカルミリングを行うことにより、Li、PおよびSを有するイオン伝導体(例えば、LiPS)と、LiIと、LiBrとから構成される硫化物ガラスを合成する。次に、硫化物ガラスを195℃以上の温度で熱処理し、CuKα線を用いたX線回折測定において、2θ=20.2°、23.6°にピークを有する硫化物固体電解質材料を得る。
本発明によれば、LiBrを含有する原料組成物を用いることで、熱処理温度を高くしても、低Liイオン伝導相の生成を抑制できる。そのため、Liイオン伝導性が高い硫化物固体電解質材料を得ることができる。
上述したように、高Liイオン伝導相の結晶性を高めるために、熱処理温度を高くすると、低Liイオン伝導相が生成し、Liイオン伝導度を高めることが難しい。また、低Liイオン伝導相が生成しないような低い温度で熱処理を行うと、高Liイオン伝導相の結晶性を高くすることができない。そのため、この場合も、Liイオン伝導度を高めることが難しい。実際に、特許文献1においては、190℃を超える熱処理温度で、高Liイオン伝導相は生成していない。
このように、低Liイオン伝導相の生成を抑制しつつ、高Liイオン伝導相の結晶性を高めることは、困難であった。これは、両伝導相の析出温度範囲が近いからであると考えられる。これに対して、本発明では、示差熱分析において、高Liイオン伝導相の発熱ピークよりも高温側に存在する微小な発熱ピークが、低Liイオン伝導相の発熱ピークであることを見出した。さらに、その微小な発熱ピークを、LiBrを添加することにより高温側にシフトさせることができることを見出した。これにより、熱処理温度を高くしても、低Liイオン伝導相の生成を抑制できた。さらに、熱処理温度を高くすることで、高Liイオン伝導相の結晶性を高めることができた。
以下、本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法について、工程ごとに説明する。
1.非晶質化工程
本発明における非晶質化工程は、LiS、P、LiI、およびLiBrを少なくとも含有する原料組成物を非晶質化し、硫化物ガラスを得る工程である。
本発明における原料組成物は、LiS、P、LiI、およびLiBrを含有するものである。原料組成物における各原料の割合は特に限定されるものではない。中でも、LiSおよびPの合計に対するLiSの割合は、70mol%〜80mol%の範囲内であることが好ましく、72mol%〜78mol%の範囲内であることがより好ましく、74mol%〜76mol%の範囲内であることがさらに好ましい。後述するオルト組成近傍の組成を採用することで、化学的安定性の高い硫化物固体電解質材料とすることができるからである。
また、原料組成物におけるLiIおよびLiBrの合計の割合は、所望の硫化物固体電解質材料を得ることができる割合であれば特に限定されるものではないが、例えば10mol%〜35mol%の範囲内であることが好ましく、10mol%〜30mol%の範囲内であることがより好ましく、15mol%〜25mol%の範囲内であることがさらに好ましい。
また、LiIおよびLiBrの合計に対するLiBrの割合(LiBr/(LiI+LiBr))は、特に限定されるものではなく、任意の割合を採用することができる。上記LiBrの割合は特に限定されるものではないが、LiBrをLiIに置換した組成にしたこと以外は同様にして作製した硫化物固体電解質材料(比較対象としての硫化物固体電解質材料)に対して、同程度以上のLiイオン伝導度が得られる割合であることが好ましく、比較対象としての硫化物固体電解質材料よりも高いLiイオン伝導度が得られる割合であることがより好ましい。比較対象としての硫化物固体電解質材料の具体例としては、後述する実施例2−1〜2−6に対する比較例2−1を挙げることができる。上記LiBrの割合は、例えば1mol%〜99mol%の範囲内であり、5mol%〜75mol%の範囲内であることが好ましい。
また、本発明においては、原料組成物におけるLiIの割合が、5mol%より多く、かつ、15mol%より少なく、原料組成物におけるLiBrの割合が、10mol%以上、かつ、20mol%以下であることが好ましい。ロバスト性の高い硫化物ガラスを得ることができるからである。ここでいうロバスト性とは、熱処理温度が目的の温度から多少ずれても、所望のLiイオン伝導度が得られることをいう。特に、このような硫化物ガラスを用いた場合、熱処理温度を高くしても、Liイオン伝導度が高い硫化物固体電解質材料を得ることができる。また、ロバスト性向上の観点からは、原料組成物におけるLiBrの割合が、原料組成物におけるLiの割合よりも多いことが好ましい。原料組成物におけるLiIおよびLiBrの合計の割合は、例えば20mol%以上であることが好ましい。また、LiIに対するLiBrの割合は、例えば1〜2の範囲内であることが好ましい。
なお、硫化物固体電解質材料が、a((1−b)LiI・bLiBr)・(1−a)(cLiS・(1−c)P)の組成を有する場合、aがLiIおよびLiBrの合計の割合に該当し、bが上記LiBrの割合に該当し、cが上記LiSの割合に該当する。
非晶質化工程により得られる硫化物ガラスは、高Liイオン伝導相をc1とし、低Liイオン伝導相をcxとし、示差熱分析において、c1の発熱ピークの温度をTc1とし、cxの発熱ピークの温度をTcxとした場合に、Tcx−Tc1≧55℃である材料であることが好ましい。低Liイオン伝導相の生成を抑制できるからである。また、示差熱分析は、通常、以下の条件で行う。すなわち、TG−DTA装置(例えばThermo plus EVO、リガク製)を用い、アルミ製の試料皿を用い、参照試料としてα−Al粉末を用いる。測定試料を20mg〜26mg程度用い、Arガス雰囲気において室温から400℃まで10℃/min程度で昇温する。
本発明においては、LiBrを添加することでTcxおよびTc1の差が大きくなる。そのメカニズムは必ずしも明らかではないが、Iの一部を、イオン半径が小さいBrで置換することにより、低Liイオン伝導相の結晶構造に適合しにくくなったためであると推測される。
cx−Tc1の値は、60℃以上であることが好ましく、70℃以上であることがより好ましい。Tcxの値は、組成によって異なるものであるが、例えば230℃以上であることが好ましく、260℃以上であることがより好ましい。また、Tc1の値は、通常、170℃〜200℃程度である。また、本発明において、Tc1のピークと、Tcxのピークとは、通常、重複しない。具体的には、Tc1の高温側のピーク端部の温度と、Tcxの低温側のピーク端部の温度とは、十分に離れていることが好ましい。具体的には、両者の差が40℃以上であることが好ましく、50℃以上であることがより好ましい。
また、後述する参考例のように、Tcxの発熱ピークと、他の大きな発熱ピークとが重複する場合がある。他の大きな発熱ピークは、他の結晶相、具体的にはβ−LiPS結晶相の発熱ピークであると考えられる。本発明においては、β−LiPS結晶相の発熱ピークの温度をTc2と称する場合がある。本発明において、Tcxの発熱ピークと、Tc2の発熱ピークとが重複する場合、Tcxとして、近似的にTc2を用いることができる。この場合、例えばTcx−Tc1の値を、Tc2−Tc1の値として近似することができる。
また、原料組成物を非晶質化する方法としては、例えば、メカニカルミリングおよび溶融急冷法を挙げることができ、中でもメカニカルミリングが好ましい。常温での処理が可能であり、製造工程の簡略化を図ることができるからである。また、溶融急冷法は、反応雰囲気や反応容器に制限があるものの、メカニカルミリングは、目的とする組成の硫化物ガラスを簡便に合成できるという利点がある。メカニカルミリングは、乾式メカニカルミリングであっても良く、湿式メカニカルミリングであっても良いが、後者が好ましい。容器等の壁面に原料組成物が固着することを防止でき、より非晶質性の高い硫化物ガラスを得ることができるからである。
メカニカルミリングは、原料組成物を、機械的エネルギーを付与しながら混合する方法であれば特に限定されるものではないが、例えばボールミル、振動ミル、ターボミル、メカノフュージョン、ディスクミル等を挙げることができ、中でもボールミルが好ましく、特に遊星型ボールミルが好ましい。所望の硫化物ガラスを効率良く得ることができるからである。
また、メカニカルミリングの各種条件は、所望の硫化物ガラスを得ることができるように設定する。例えば、遊星型ボールミルを用いる場合、容器に原料組成物および粉砕用ボールを加え、所定の回転数および時間で処理を行う。一般的に、回転数が大きいほど、硫化物ガラスの生成速度は速くなり、処理時間が長いほど、原料組成物から硫化物ガラスへの転化率は高くなる。遊星型ボールミルを行う際の台盤回転数としては、例えば200rpm〜500rpmの範囲内、中でも250rpm〜400rpmの範囲内であることが好ましい。また、遊星型ボールミルを行う際の処理時間は、例えば1時間〜100時間の範囲内、中でも1時間〜50時間の範囲内であることが好ましい。また、ボールミルに用いられる容器および粉砕用ボールの材料としては、例えばZrOおよびAl等を挙げることができる。また、粉砕用ボールの径は、例えば1mm〜20mmの範囲内である。
湿式メカニカルミリングに用いられる液体としては、原料組成物との反応で硫化水素を発生しない性質を有するものであることが好ましい。硫化水素は、液体の分子から解離したプロトンが、原料組成物や硫化物ガラスと反応することによって発生する。そのため、上記液体は、硫化水素が発生しない程度の非プロトン性を有していることが好ましい。また、非プロトン性液体は、通常、極性の非プロトン性液体と、無極性の非プロトン性液体とに大別することができる。
極性の非プロトン性液体としては、特に限定されるものではないが、例えばアセトン等のケトン類;アセトニトリル等のニトリル類;N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)等のアミド類;ジメチルスルホキシド(DMSO)等のスルホキシド類等を挙げることができる。
無極性の非プロトン性液体の一例としては、常温(25℃)で液体のアルカンを挙げることができる。上記アルカンは、鎖状アルカンであっても良く、環状アルカンであっても良い。上記鎖状アルカンの炭素数は、例えば5以上であることが好ましい。一方、上記鎖状アルカンの炭素数の上限は、常温で液体であれば特に限定されるものではない。上記鎖状アルカンの具体例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、パラフィン等を挙げることができる。なお、上記鎖状アルカンは、分岐を有するものであっても良い。一方、上記環状アルカンの具体例としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロパラフィン等を挙げることができる。
また、無極性の非プロトン性液体の別の例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;ジエチルエーテル、ジメチルエーテル等の鎖状エーテル類;テトロヒドロフラン等の環状エーテル類;クロロホルム、塩化メチル、塩化メチレン等のハロゲン化アルキル類;酢酸エチル等のエステル類;フッ化ベンゼン、フッ化ヘプタン、2,3−ジハイドロパーフルオロペンタン、1,1,2,2,3,3,4−ヘプタフルオロシクロペンタン等のフッ素系化合物を挙げることができる。なお、上記液体の添加量は、特に限定されるものではなく、所望の硫化物固体電解質材料を得ることができる程度の量であれば良い。
2.熱処理工程
次に、本発明における熱処理工程について説明する。本発明における熱処理工程は、上記硫化物ガラスを195℃以上の温度で加熱する工程である。
熱処理工程における熱処理温度は、通常、195℃以上である。中でも、熱処理温度は、200℃以上であることが好ましく、205℃以上であることがより好ましい。一方、熱処理温度の上限は特に限定されるものではないが、例えば、(Tcx−50)℃とすることができる。
なお、熱処理時間は、所望のガラスセラミックスが得られる時間であれば特に限定されるものではないが、例えば1分間〜24時間の範囲内であり、中でも、1分間〜10時間の範囲内であることが好ましい。また、熱処理は、不活性ガス雰囲気(例えばArガス雰囲気)または減圧雰囲気(特に真空中)で行うことが好ましい。硫化物固体電解質の劣化(例えば酸化)を防止できるからである。熱処理の方法は特に限定されるものではないが、例えば、焼成炉を用いる方法を挙げることができる。
3.硫化物固体電解質材料
次に、本発明により得られる硫化物固体電解質材料について説明する。本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、Li、P、I、Br、およびSを有する。硫化物固体電解質材料を構成する元素の種類は、例えば、ICP発光分析装置により確認できる。
また、本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、CuKα線を用いたX線回折測定において、2θ=20.2°、23.6°にピークを有する。このピークは、Liイオン伝導性が高い結晶相のピークである。なお、この結晶相を、高Liイオン伝導相と称する場合がある。ここで、2θ=20.2°のピークとは、厳密な2θ=20.2°のピークのみならず、2θ=20.2°±0.5°の範囲内にあるピークをいう。結晶の状態によって、ピークの位置が多少前後する可能性があるため、上記のように定義する。同様に、2θ=23.6°のピークとは、厳密な2θ=23.6°のピークのみならず、2θ=23.6°±0.5°の範囲内にあるピークをいう。また、高Liイオン伝導相は、2θ=20.2°、23.6°の他に、通常、2θ=29.4°、37.8°、41.1°、47.0°にピークを有する。これらのピーク位置についても、±0.5°の範囲内で前後していても良い。また、特に硫化物固体電解質材料は、高Liイオン伝導相のピークのみを有すること、すなわち、高Liイオン伝導相を単相として有することが好ましい。Liイオン伝導性が高い硫化物固体電解質材料とすることができるからである。
また、本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、CuKα線を用いたX線回折測定において、2θ=21.0°、28.0°にピークを有しないことが好ましい。このピークを有する結晶相は、高Liイオン伝導相よりLiイオン伝導性が低い結晶相のピークである。なお、この結晶相を、低Liイオン伝導相と称する場合がある。ここで、2θ=21.0°のピークとは、厳密な2θ=21.0°のピークのみならず、2θ=21.0°±0.5°の範囲内にあるピークをいう。結晶の状態によって、ピークの位置が多少前後する可能性があるため、上記のように定義する。同様に、2θ=28.0°のピークとは、厳密な2θ=28.0°のピークのみならず、2θ=28.0°±0.5°の範囲内にあるピークをいう。また、低Liイオン伝導相は、2θ=21.0°、28.0°の他に、通常、2θ=32.0°、33.4°、38.7°、42.8°、44.2°にピークを有する。これらのピーク位置についても、±0.5°の範囲内で前後していても良い。
また、本発明において、「2θ=21.0°、28.0°にピークを有しない」とは、2θ=21.0°、28.0°にピークが確認されないこと、または、2θ=21.0°のピーク強度に対する2θ=20.2°のピーク強度I20.2/I21.0が2.5以上であることをいう。I20.2/I21.0は、5以上であることが好ましく、10以上であることがより好ましい。一方、I21.0/I20.2は、0.4以下であることが好ましく、0.2以下であることが好ましく、0.1以下であることがさらに好ましい。なお、I21.0/I20.2はI20.2/I21.0と逆数の関係にある。
また、本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、高Liイオン伝導相のピークである2θ=20.2°のピークの半値幅が小さいことが好ましい。半値幅は、例えば0.51°以下であり、0.50°以下であることが好ましく、0.45°以下であることがより好ましく、0.44°以下であることがさらに好ましく、0.43°以下であることが特に好ましい。ここで、上記半値幅は、2θ=20.2°のピークの半値全幅(FWHM)をいう。
本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、通常、ガラスセラミックスである。ガラスセラミックスとは、硫化物ガラスを結晶化した材料をいう。ガラスセラミックスであるか否かは、例えばX線回折法により確認することができる。また、硫化物ガラスとは、原料組成物を非晶質化して合成した材料をいい、X線回折測定等において結晶としての周期性が観測されない厳密な「ガラス」のみならず、後述するメカニカルミリング等により非晶質化して合成した材料全般を意味する。そのため、X線回折測定等において、例えば原料(LiI等)に由来するピークが観察される場合であっても、非晶質化して合成した材料であれば、硫化物ガラスに該当する。
また、本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、Li、P、およびSを有するイオン伝導体と、LiIと、LiBrと、から構成されていることが好ましい。LiIおよびLiBrの少なくとも一部は、通常、それぞれ、LiI成分およびLiBr成分としてイオン伝導体の構造中に取り込まれた状態で存在する。また、本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、X線回折測定において、LiIのピークを有していても良く、有していなくても良いが、後者が好ましい。Liイオン伝導性が高いからである。この点については、LiBrについても同様である。
本発明におけるイオン伝導体は、Li、P、およびSを有するものである。イオン伝導体は、Li、P、Sを有するものであれば特に限定されるものではないが、中でも、オルト組成を有することが好ましい。化学的安定性の高い硫化物固体電解質材料とすることができるからである。ここで、オルトとは、一般的に、同じ酸化物を水和して得られるオキソ酸の中で、最も水和度の高いものをいう。本発明においては、硫化物で最もLiSが付加している結晶組成をオルト組成という。例えば、LiS−P系ではLiPSがオルト組成に該当する。なお、LiS−P系の硫化物固体電解質材料の場合、オルト組成を得るLiSおよびPの割合は、モル基準で、LiS:P=75:25である。
また、本発明において、「オルト組成を有する」とは、厳密なオルト組成のみならず、その近傍の組成をも含むものである。具体的には、オルト組成のアニオン構造(PS 3−構造)を主体とすることをいう。オルト組成のアニオン構造の割合は、イオン伝導体における全アニオン構造に対して、60mol%以上であることが好ましく、70mol%以上であることがより好ましく、80mol%以上であることがさらに好ましく、90mol%以上であることが特に好ましい。なお、オルト組成のアニオン構造の割合は、ラマン分光法、NMR、XPS等により決定することができる。
また、本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、LiSを実質的に含有しないことが好ましい。硫化水素発生量の少ない硫化物固体電解質材料とすることができるからである。LiSは水と反応することで、硫化水素が発生する。例えば、原料組成物に含まれるLiSの割合が大きいと、LiSが残存しやすい。「LiSを実質的に含有しない」ことは、X線回折により確認することができる。具体的には、LiSのピーク(2θ=27.0°、31.2°、44.8°、53.1°)を有しない場合は、LiSを実質的に含有しないと判断することができる。
また、本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、架橋硫黄を実質的に含有しないことが好ましい。硫化水素発生量の少ない硫化物固体電解質材料とすることができるからである。「架橋硫黄」とは、LiSとPとが反応してなる化合物における架橋硫黄をいう。例えば、LiSおよびPが反応してなるSP−S−PS構造の架橋硫黄が該当する。このような架橋硫黄は、水と反応しやすく、硫化水素が発生しやすい。例えば、原料組成物に含まれるLiSの割合が少ないと、架橋硫黄が生じやすい。「架橋硫黄を実質的に含有しない」ことは、ラマン分光スペクトルの測定により、確認することができる。例えば、LiS−P系の硫化物固体電解質材料の場合、SP−S−PS構造のピークが、通常402cm−1に表れる。そのため、このピークが検出されないことが好ましい。また、PS 3−構造のピークは、通常417cm−1に表れる。本発明においては、402cm−1における強度I402が、417cm−1における強度I417よりも小さいことが好ましい。より具体的には、強度I417に対して、強度I402は、例えば70%以下であることが好ましく、50%以下であることがより好ましく、35%以下であることがさらに好ましい。
本発明により得られる硫化物固体電解質材料の形状としては、例えば粒子状を挙げることができる。粒子状の硫化物固体電解質材料の平均粒径(D50)は、例えば0.1μm〜50μmの範囲内であることが好ましい。また、上記硫化物固体電解質材料は、Liイオン伝導性が高いことが好ましく、常温におけるLiイオン伝導度は、例えば1×10−4S/cm以上であることが好ましく、1×10−3S/cm以上であることがより好ましい。
本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、Liイオン伝導性を必要とする任意の用途に用いることができる。中でも、上記硫化物固体電解質材料は、電池に用いられるものであることが好ましい。また、本発明においては、上述した硫化物固体電解質材料を用いることを特徴とするリチウム固体電池の製造方法を提供することもできる。硫化物固体電解質材料は、正極活物質層に用いても良く、負極活物質層に用いても良く、固体電解質層に用いても良い。
また、本発明においては、上述した硫化物固体電解質材料を提供することもできる。すなわち、Li、P、I、Br、およびSを有し、CuKα線を用いたX線回折測定において、2θ=20.2°、23.6°にピークを有し、かつ、2θ=21.0°、28.0°にピークを有さず、上記2θ=20.2°のピークの半値幅が上述した範囲である硫化物固体電解質材料を提供することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下に実施例を示して本発明をさらに具体的に説明する。なお、特段の断りがない限り、秤量、合成、乾燥等の各操作は、Ar雰囲気下で行った。
[参考例1−1]
LiS(日本化学工業製)、P(アルドリッチ製)およびLiI(日宝化学製)を出発原料として、LiSを0.558g、Pを0.900g、LiIを0.542g秤量し、メノウ乳鉢で5分混合した。その混合物を遊星型ボールミルの容器(45cc、ZrO製)に投入し、脱水ヘプタン(水分量30ppm以下、4g)を投入し、さらにZrOボール(φ=5mm、53g)を投入し、容器を完全に密閉した。この容器を遊星型ボールミル機(フリッチュ製P7)に取り付け、台盤回転数500rpmで、20時間メカニカルミリングを行った。その後、110℃で1時間乾燥することによりヘプタンを除去し、硫化物ガラスを得た。なお、組成はモル表記で20LiI・80(0.75LiS・0.25P)であり、この組成を組成Aとする。
[参考例1−2]
LiS(日本化学工業製)、P(アルドリッチ製)、LiI(日宝化学製)およびLiBr(高純度化学製)を出発原料として、LiSを0.572g、Pを0.922g、LiIを0.416g、LiBrを0.09g用いたこと以外は、参考例1−1と同様にして硫化物ガラスを得た。なお、組成はモル表記で15LiI・5LiBr・80(0.75LiS・0.25P)であり、この組成を組成Bとする。
[参考例1−3]
LiS(日本化学工業製)、P(アルドリッチ製)、LiI(日宝化学製)およびLiBr(高純度化学製)を出発原料として、LiSを0.580g、Pを0.936g、LiIを0.338g、LiBrを0.146g用いたこと以外は、参考例1−1と同様にして硫化物ガラスを得た。なお、組成はモル表記で12LiI・8LiBr・80(0.75LiS・0.25P)であり、この組成を組成Cとする。
[参考例1−4]
まず、参考例1−1と同様にして硫化物ガラスを得た。次に、得られた硫化物ガラス0.5gを石英管中に真空封入し、170℃で熱処理を行った。具体的には、予め170℃に保った炉内にサンプルを投入し、3時間熱処理を行い、ガラスセラミックスである硫化物固体電解質材料を得た。
[参考例1−5]
熱処理温度を180℃としたこと以外は、参考例1−4と同様に硫化物固体電解質材料を得た。
[参考例1−6]
熱処理温度を190℃としたこと以外は、参考例1−4と同様に硫化物固体電解質材料を得た。
[参考例1−7]
熱処理温度を200℃としたこと以外は、参考例1−4と同様に硫化物固体電解質材料を得た。
[評価1]
(DTA測定)
組成A〜Cの硫化物ガラスについてDTA分析を行った。測定にはTG−DTA装置(Thermo plus EVO、リガク製)を用いた。アルミ製の試料皿を用い、参照試料としてα−Al粉末を用いた。測定試料を20mg〜26mg用い、Arガス雰囲気において室温から400℃まで10℃/minで昇温し、DTA分析を行った。なお、ここでは発熱ピークのピーク値を読み取った。その結果を図2および表1に示す。
図2および表1に示すように、組成A〜Cの硫化物ガラスのTc1は、190℃付近であった。一方、組成Aおよび組成Bを比較すると、組成Bでは、Tcxが高温側にシフトすることが確認できた。また、組成Cでは、Tcxの発熱ピークとTc2の発熱ピークとが重複していると考えられる。
(Liイオン伝導度測定)
参考例1−4〜1−7で得られた硫化物固体電解質材料について、Liイオン伝導度の測定を行った。まず、試料を4ton/cmの圧力でコールドプレスすることで、φ11.29mm、厚さ約500μmのペレットを作製した。次に、ペレットを、Arガスで充填した不活性雰囲気の容器内に設置して測定を行った。測定には、東陽テクニカ社製のソーラトロン(SI1260)を用いた。また、恒温槽で測定温度を25℃に調整した。その結果を図3に示す。図3に示すように、参考例1−4〜1−7では、熱処理温度が180℃を超えると、Liイオン伝導度が低下した。
(X線回折測定)
参考例1−4〜1−7で得られた硫化物固体電解質材料について、X線回折測定を行った。リガク製のXRD装置(RINT-UltimaIII)を用いて、粉末XRD測定を行った。ドーム状の冶具中に試料を設置し、Arガスの不活性雰囲気で2θ=10°〜60°の範囲で測定した。スキャンスピードは5°/min、サンプリング幅は0.02°とした。その結果を図4に示す。図4に示すように、熱処理温度の上昇とともに、低Liイオン伝導相のピークが大きくなった。
[参考例2−1]
まず、参考例1−1と同様にして硫化物ガラスを得た。次に、得られた硫化物ガラス0.5gを石英管中に真空封入し、185℃で熱処理を行った。具体的には、予め185℃に保った炉内にサンプルを投入し、3時間熱処理を行い、ガラスセラミックスである硫化物固体電解質材料を得た。
[参考例2−2〜2−8]
(20−x)LiI・xLiBr・80(0.75LiS・0.25P)におけるxを、1、3、5、8、10、15、20としたこと以外は、参考例2−1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。なお、各組成におけるLiBr/(LiI+LiBr)は、それぞれ、5mol%、15mol%、25mol%、40mol%、50mol%、75mol%、100mol%である。
[比較例1−1]
熱処理温度を195℃としたこと以外は、参考例2−1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。
[実施例1−1〜1−6、比較例1−2]
(20−x)LiI・xLiBr・80(0.75LiS・0.25P)におけるxを、1、3、5、8、10、15、20としたこと以外は、比較例1−1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。なお、各組成におけるLiBr/(LiI+LiBr)は、それぞれ、5mol%、15mol%、25mol%、40mol%、50mol%、75mol%、100mol%である。
[比較例2−1]
熱処理温度を205℃としたこと以外は、参考例2−1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。
[実施例2−1〜−6]
(20−x)LiI・xLiBr・80(0.75LiS・0.25P)におけるxを、1、3、5、8、10、15としたこと以外は、比較例2−1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。なお、各組成におけるLiBr/(LiI+LiBr)は、それぞれ、5mol%、15mol%、25mol%、40mol%、50mol%、75mol%である。
[評価2]
(Liイオン伝導度測定)
参考例2−1〜2−8、比較例1−1、1−2、実施例1−1〜1−6、比較例2−1、および実施例2−1〜2−6で得られた硫化物固体電解質材料について、Liイオン伝導度の測定を行った。測定条件は、上記と同様である。その結果を図5〜図7および表2〜表4に示す。
まず、図5および表2に示すように、参考例2−1〜2−8では、参考例2−3〜2−7が、参考例2−1(LiBr0mol%)と参考例2−(LiBr100mol%)とを結ぶ直線上のLiイオン伝導度よりも高いLiイオン伝導度を示した。そのため、LiIの一部をLiBrで置換することにより、Liイオン伝導度が向上することが確認された。一方、参考例2−2〜2−7において、参考例2−4が最も高いLiイオン伝導度を示したが、参考例2−4におけるLiイオン伝導度と、参考例2−1におけるLiイオン伝導度とは同程度であった。
次に、図6および表3に示すように、実施例1−1〜1−6では、比較例1−1と同等またはそれ以上のLiイオン伝導度を示した。なお、比較例1−1(熱処理温度195℃)では、上述した参考例2−1(熱処理温度185℃)に比べてLiイオン伝導度が低下した。これは、熱処理温度を高くなり、低Liイオン伝導相が多く生成されたためであると考えられる。
次に、図7および表4に示すように、実施例2−1〜2−6では、比較例2−1よりも高いLiイオン伝導度を示した。なお、比較例2−1(熱処理温度205℃)では、上述した参考例2−1(熱処理温度185℃)に比べてLiイオン伝導度が大きく低下した。これも、熱処理温度を高くなり、低Liイオン伝導相が多く生成されたためであると考えられる。
(X線回折測定)
参考例2−1〜2−8、比較例1−1、1−2、実施例1−1〜1−6、比較例2−1、および実施例2−1〜2−6で得られた硫化物固体電解質材料について、X線回折測定を行った。測定条件は、上記と同様である。
図8、図9および表2〜表4に示すように、実施例は、低Liイオン伝導相の割合が小さく、高Liイオン伝導相の結晶性が高かった。なお、特開2013−016423号公報の実施例1では、低Liイオン伝導相のピークは現れていないが、Lイオン伝導度は2.9×10−3S/cmと低かった。また、その半値幅を測定したところ、0.56°であった。
[実施例3−1]
LiS(日本化学工業製)、P(アルドリッチ製)、LiI(日宝化学製)およびLiBr(高純度化学製)を出発原料として、LiSを0.622g、Pを1.002g、LiIを0.284g、LiBrを0.092g用いたこと以外は、参考例1−1と同様にして硫化物ガラスを得た。次に、得られた硫化物ガラス0.5gを石英管中に真空封入し、それぞれ、195℃、205℃、215℃、225℃で熱処理を行った。具体的には、予め所定の温度に保った炉内にサンプルを投入し、3時間熱処理を行い、ガラスセラミックスである硫化物固体電解質材料を得た。なお、組成はモル表記で10LiI・5LiBr・85(0.75LiS・0.25P)である。
[実施例3−2]
LiSを0.637g、Pを1.028g、LiIを0.146g、LiBrを0.189g用いたこと以外は、実施例3−1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。なお、組成はモル表記で5LiI・10LiBr・85(0.75LiS・0.25P)である。
[実施例3−3]
LiSを0.537g、Pを0.866g、LiIを0.417g、LiBrを0.180g用いたこと以外は、実施例3−1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。なお、組成はモル表記で15LiI・10LiBr・75(0.75LiS・0.25P)である。
[実施例3−4]
LiSを0.490g、Pを0.790g、LiIを0.544g、LiBrを0.176g用いたこと以外は、実施例3−1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。なお、組成はモル表記で20LiI・10LiBr・70(0.75LiS・0.25P)である。
[実施例3−5]
LiSを0.586g、Pを0.9452g、LiIを0.284g、LiBrを0.185g用いたこと以外は、実施例3−1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。なお、組成はモル表記で10LiI・10LiBr・80(0.75LiS・0.25P)である。
[実施例3−6]
LiSを0.550g、Pを0.887g、LiIを0.285g、LiBrを0.277g用いたこと以外は、実施例3−1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。なお、組成はモル表記で10LiI・15LiBr・75(0.75LiS・0.25P)である。
[実施例3−7]
LiSを0.514g、Pを0.830g、LiIを0.285g、LiBrを0.370g用いたこと以外は、実施例3−1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。なお、組成はモル表記で10LiI・20LiBr・70(0.75LiS・0.25P)である。
(Liイオン伝導度測定)
実施例3−1〜3−7で得られた硫化物固体電解質材料について、Liイオン伝導度測定を行った。測定条件は、上記と同様である。その結果を図10に示す。図10に示すように、実施例3−5〜3−7は、熱処理温度が高くても、高いLiイオン伝導度を示した。

Claims (3)

  1. CuKα線を用いたX線回折測定において、2θ=20.2°、23.6°にピークを有する硫化物固体電解質材料の製造方法であって、
    LiS、P、LiI、およびLiBrを少なくとも含有する原料組成物を非晶質化し、硫化物ガラスを得る非晶質化工程と、
    前記硫化物ガラスを195℃以上の温度で加熱する熱処理工程と、
    を有し、
    前記原料組成物における前記LiBrの割合が、10mol%以上、かつ、20mol%以下であることを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。
  2. 前記硫化物固体電解質材料は、2θ=21.0°、28.0°にピークを有しないことを特徴とする請求項1に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。
  3. 前記原料組成物における前記LiIの割合が、5mol%より多く、かつ、15mol%より少なことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。
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