JP2013012655A - 電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下部電極、PZTからなる電気機械変換膜、上部電極とを有する電気機械変換素子であって、電気機械変換膜は、PZT前駆体の膜を作成する前駆体膜作成工程と結晶化のための焼成工程とを繰り返して複数のPZT薄膜を積層して所定の厚さに形成する。電気機械変換膜中に含まれる平均的なPbの原子量比であるPb/(Zr+Ti)をPb(ave)とし、複数の薄膜の積層界面でのPbの原子量比であるPb/(Zr+Ti)をPb(界面)とすると、Pb(ave)が100at%以上、110at%以下であり、積層界面のPbの変動比率ΔPb=Pb(ave)−Pb(界面)が20%以下とする。
【選択図】図3
Description
また、請求項2の発明は、請求項1の電気機械変換素子において、上記所定の厚さに形成された電気機械変換膜中に含まれる平均的なZrの原子量比であるZr/(Zr+Ti)をZr(ave)とし、該電気機械変換膜を構成する上記複数の薄膜の積層界面でのZrの原子量比であるZr/(Zr+Ti)をZr(界面)とすると、該積層界面のZrの変動比率であるΔZr=Zr(界面)−Zr(ave)が20%以下であることを特徴とするものである。
また、請求項3の発明は、請求項2の電気機械変換素子において、上記Zr(ave)が40at%以上、70at%以下であることを特徴とするものである。
また、請求項4の発明は、請求項1、2または3の電気機械変換素子において、上記電気機械変換膜の結晶配向について、ロットゲーリング法を用いた(111)配向度が0.85以上、かつ、(110)配向度が0.10以下であることを特徴とするものである。
ここで、ロットゲーリング法を用いた配向度とは、X線回折で得られた各配向のピークの総和を1とした時のそれぞれの配向比率を表し、分母を各ピーク強度の総和とし、分子を任意の配向のピーク強度とした下式の計算方法で求めた平均配向度である。
ρ=ΣI(00l)/ΣI(hkl)
また、請求項5の発明は、請求項1、2、3または4の電気機械変換素子において、上記1回の焼成工程で形成されるPZT薄膜の膜厚が200nm以上、300nm以下であることを特徴とするものである。
また、請求項6の発明は、請求項1、2、3、4または5の電気機械変換素子において、上記該電気機械変換膜はゾルゲル法を用いて形成されたものであることを特徴とするものである。
また、請求項7の発明は、液滴を吐出するノズルと、該ノズルが連通する加圧室と、該加圧室内の液体を昇圧させる吐出駆動手段とを備えた液滴吐出ヘッドにおいて、上記吐出駆動手段として、上記加圧室の壁の一部を振動板で構成し、該振動板に上記請求項1乃至6の何れかの電気機械変換素子を配置したことを特徴とするものである。
また、請求項8の発明は、請求項7の液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置。
図1は、本実施形態の液滴吐出ヘッドの一例を示す断面図である。
図1の液滴吐出ヘッド1は、ノズル2が形成されたノズル板3と、流路形成基板4と、振動板からなる下地5とを積層して、ノズル2に対して供給される液体を貯留する加圧室9を形成する。加圧室9の一部を構成する下地5には、吐出駆動手段としての電気機械変換素子10が配設される。
<基板>
基板11としては、シリコン単結晶基板を用いることが好ましく、通常100〜600μmの厚みを持つことが好ましい。面方位としては、(100)、(110)、(111)と3種あるが、半導体産業では一般的に(100)、(111)が広く使用されており、本実施形態においては、主に(100)の面方位を持つ単結晶基板を使用した。また、この基板11で、図1の液滴吐出ヘッドの加圧室9を形成する流路形成基板4を作製する場合、エッチングを利用してシリコン単結晶基板を加工していくが、この場合のエッチング方法としては、異方性エッチングを用いることが一般的である。
振動板12は、電気機械変換膜15を形成する下地であり、電気機械変換膜15によって発生した力を受けて振動板12が変形変位して、図1に示す液滴吐出ヘッド1では加圧室9のインク滴を吐出させる。このため、振動板12は所定の強度を有することが好ましい。振動板12の材料としては、Si、SiO2、Si3N4をCVD法により作製したものが挙げられる。さらに、振動板12としては、下部電極である第1電極13および第2電極14や、電気機械変換膜15の線膨張係数に近い材料を選択することが好ましい。
第1電極13に用いる金属材料としては、例えば、高い耐熱性と低い反応性を有する白金を用いることができる。しかし、白金は鉛に対しては十分なバリア性を持つとはいえない場合もあり、イリジウムや白金−ロジウムなどの白金族元素や、これら合金膜を用いることが好ましい。また、白金は下地である振動板12(特にSiO2)との密着性が悪い。そこで、第1電極13の材料として白金を使用する場合には、後述の図10に示すように、第1電極13の下層として密着層を先に積層することが好ましい。密着層の材料としては、例えば、Ti、TiO2、Ta、Ta2O5、Ta3N5等を用いることができる。第1電極13の作製方法としては、スパッタ法や真空蒸着等を用いることができる。第1電極13の膜厚としては、0.05〜1μmが好ましく、0.1〜0.5μmがさらに好ましい。
電気機械変換膜15として、鉛を含む複合酸化物を使用する場合、電気機械変換膜15に含まれる鉛の第2電極14との反応、もしくは拡散が生じ電気機械変換特性を劣化させる場合がある。従って、第2電極14の材料としては、鉛との反応/拡散に対しバリア性のある電極材料が要求される。
本実施形態では、電気機械変換膜15の材料として、PZTを使用した。PZTとはジルコン酸鉛(PbTiO3)とチタン酸(PbTiO3)の固溶体で、その比率により特性が異なる。優れた圧電特性を示す組成はPbZrO3とPbTiO3の比率が53:47の割合で、化学式で示すとPb(Zr0.53、Ti0.47)O3、一般にはPZT(53/47)と示される。
ρ=ΣI(00l)/ΣI(hkl)
第3電極16の材料としては、第2電極14と同様、導電性酸化物を電極として用いることが有効である。第3電極16の具体的な材料としては、化学式ABO3で記述され、A=Sr、Ba、Ca、La、 B=Ru、CO、Ni、を主成分とする複合酸化物であるSrRuO3やCaRuO3、これらの固溶体である(Sr1−xCax)O3の他、LaNiO3やSrCOO3、これらの固溶体である(La,Sr)(Ni1−yCOy)O3(y=1でも良い)が挙げられる。それ以外の酸化物材料として、IrO2、RuO2も挙げられる。それ以外の酸化物材料として、IrO2、RuO2も挙げられる。又、配線抵抗を補うために導電性酸化物上に白金やイリジウムや白金−ロジウムなどの白金族元素や、これらの合金膜、またはAg合金、Cu、Al、Auを用いることも有効である。
図5の電気機械変換素子30は、基板11、振動板12、第1電極13、第2電極14、電気機械変換膜15、第3電極16、絶縁保護膜17と、第4電極18と、第5電極19とを有する。基板11、振動板12、第1電極13、第2電極14、電気機械変換膜15、第3電極16は、上述の図2の電気機械変換素子10と同じであるので、説明を省略する。図5の電気機械変換素子20では、絶縁保護膜17を、第2電極14、電気機械変換膜15、第3電極16を被覆するように形成している。第4電極18は、絶縁保護膜17上に設けられ、絶縁保護膜17を貫通するコンタクトホール21を介して第1電極13と電気的に接続されている。第5電極19は、絶縁保護膜17上に設けられ、絶縁保護膜17を貫通するコンタクトホール22を介して第3電極16と電気的に接続されている。第2電極14、第3電極16、及び第5電極19は、各電気機械変換膜15に対して個別に設けられた個別電極であり、第1電極13及び第4電極18は、各電気機械変換膜15に対して共通に設けられた共通電極である。
絶縁保護膜17は、電気ショート等による不具合や水分やガス等による電気機械変換膜15の破壊防止を目的に設ける。絶縁保護膜17の材料としては、シリコン酸化膜や窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の無機膜、又は、ポリイミドやパリレン膜等の有機膜が好ましい。絶縁保護膜17の膜厚としては、0.5〜20μmが好ましく、1〜10μmがより好ましい。絶縁保護膜17の膜厚がこの範囲より小さいと絶縁保護膜としての機能が十分果たせなくなり、この範囲より大きいとプロセス時間が長くなる。
第4電極18及び第5電極19の材料は、Ag合金、Cu、Al、Au、PTirの何れかからなる金属電極材料であることが好ましい。第4電極18及び第5電極19は、例えば、スパッタ法やスピンコート法等を用いて作製し、その後フォトリソエッチング等により所望のパターンとすることができる。又、下地である絶縁保護膜17の表面を部分的に表面改質させる工程を用いて、インクジェット法によりパターニングされた膜を作製できる。
シリコンウェハに熱酸化膜(膜厚1μm)を形成し、チタン膜(膜厚50nm)、引続き第1電極13として白金膜(膜厚200nm)をスパッタ成膜した。チタン膜は、熱酸化膜と白金膜との間の密着性を向上させる密着層としての役割を有する。次に、第2電極14としてSrRuO膜(膜厚60nm)をスパッタ成膜した。
PZT溶液1(Pb:Zr:Ti=110:53:47)
PZT溶液2(Pb:Zr:Ti=120:53:47)
具体的な前駆体塗布液の合成については、出発材料に酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムを用いた。酢酸鉛の結晶水はメトキシエタノールに溶解後、脱水した。化学両論組成に対し鉛量を過剰にしてある。これは熱処理中のいわゆる鉛抜けによる結晶性低下を防ぐためである。イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進め、上記、酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と混合することでPZT前駆体溶液を合成した。このPZT濃度は0.5モル/リットルにした。この液を用いて、スピンコートにより成膜し、成膜後、120℃乾燥→500℃熱分解を行った。ここで、図6に示すように、1,2層目にPZT溶液1を用いて、3層目にPZT溶液2を用いた。3層目の熱分解処理後に、結晶化熱処理(温度750℃)をRTA(急速熱処理)にて行った。このときPZTの膜厚は240nmであった。この工程を計8回(24層)実施し、約2μmの膜厚のPZTからなる電気機械変換膜15を得た。
最後に第4、第5電極18,19としてAl膜(膜厚5μm)をスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト(TSMR8800)をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、RIE(サムコ製)を用いて図5のようなパターンを作製し、図5の電気機械変換素子30を作製した。
電気機械変換膜15として以下の2種の溶液を用いて図7に示すような積層膜を作成した。
PZT溶液1(Pb:Zr:Ti=110:53:47)
PZT溶液2(Pb:Zr:Ti=115:53:47)
それ以外は、実施例1と同様にして電気機械変換素子30を作製した。
電気機械変換膜15として以下の1種の溶液を用いて図8に示すような積層膜を作成した。
PZT溶液1(Pb:Zr:Ti=113:53:47)
成膜後の熱分解条件を350℃、結晶化熱処理温度を750℃とした以外は、実施例1と同様にして電気機械変換素子30を作製した。
電気機械変換膜15として以下の2種の溶液を用いて図6に示すような積層膜を作成した。
PZT溶液1(Pb:Zr:Ti=113:53:47)
PZT溶液2(Pb:Zr:Ti=113:47:53)
成膜後の熱分解条件を350℃、結晶化熱処理温度を750℃とした以外は、実施例1と同様にして電気機械変換素子30を作製した。
電気機械変換膜15として以下の2種の溶液を用いて図6に示すような積層膜を作成した。
PZT溶液1(Pb:Zr:Ti=113:68:32)
PZT溶液2(Pb:Zr:Ti=120:68:32)
それ以外は、実施例1と同様にして電気機械変換素子30を作製した。
電気機械変換膜15として以下の2種の溶液を用いて図6に示すような積層膜を作成した。
PZT溶液1(Pb:Zr:Ti=105:42:58)
PZT溶液2(Pb:Zr:Ti=112:42:58)
それ以外は、実施例1と同様にして電気機械変換素子30を作製した。
電気機械変換膜15として以下の1種の溶液を用いて図8に示すような積層膜を作成した。
PZT溶液1(Pb:Zr:Ti=110:53:47)
それ以外は、実施例1と同様にして電気機械変換素子30を作製した。
電気機械変換膜15として以下の1種の溶液を用いて図8に示すような積層膜を作成した。
PZT溶液1(Pb:Zr:Ti=125:53:47)
それ以外は、実施例1と同様にして電気機械変換素子30を作製した。
電気機械変換膜15として以下の1種の溶液を用いて図8に示すような積層膜を作成した。
PZT溶液1(Pb:Zr:Ti=113:53:47)
それ以外は、実施例1と同様にして電気機械変換素子30を作製した。
電気機械変換膜15として以下の2種の溶液を用いて図6に示すような積層膜を作成した。
PZT溶液1(Pb:Zr:Ti=113:36:64)
PZT溶液2(Pb:Zr:Ti=120:36:64)
それ以外は、実施例1と同様にして電気機械変換素子30を作製した。
電気機械変換膜15として以下の2種の溶液を用いて図6に示すような積層膜を作成した。
PZT溶液1(Pb:Zr:Ti=113:75:25)
PZT溶液2(Pb:Zr:Ti=120:75:25)
それ以外は、実施例1と同様にして電気機械変換素子30を作製した。
実施例1〜6、および、比較例1〜5で作製した電気機械変換素子30について、ICP(Inductively coupled plasma)発光分析での膜組成を求めた。また、SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)を用いて、図3に示すようにPZTの膜厚方向に対する組成比率分析を実施した。
一方、比較例1〜3については、Pb含有量に関して上記条件を満たしていない。このため、初期特性としては一般的なセラミックス焼結体に比べて同等または若干劣る程度であるが、耐久特性においては、実施例1〜6に比べて、残留分極Pr及び圧電定数d13の両方とも劣化していることが確認された。このように、実施例1〜6は、比較例1〜3に比べて耐久性が優れている。これは、実施例1〜6は、上記Pb含有量の条件を規定することにより、積層界面のPb抜けを抑制して、電気機械変換膜15中でPbの含有量を厚さ方向に略均一化したためである。
と考えられる。
ル)を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出し
、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復
される。又、吸引されたインクは、本体下部に設置された廃インク溜(不図示)に排出さ
れ、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。
また、本実施形態によれば、所定の厚さに形成された電気機械変換膜15中に含まれる平均的なZrの原子量比であるZr/(Zr+Ti)をZr(ave)とし、電気機械変換膜15を構成する複数の薄膜の積層界面でのZrの原子量比であるZr/(Zr+Ti)をZr(界面)とすると、積層界面のZrの変動比率であるΔZr=Zr(界面)−Zr(ave)が20%以下とする。上述の実験のように、この範囲では、初期、耐久とも良好な電気機械変換特性が得られる。
また、本実施形態によれば、さらに、Zr(ave)が40at%以上、70at%以下とする。上述の実験のように、この範囲では、初期、耐久とも良好な電気機械変換特性が得られる。一方、この範囲を外れると、初期に良好な電気機械変換特性が得にくく、変位量が小さいという問題を発生させる。
また、本実施形態によれば、電気機械変換膜15の結晶配向について、ロットゲーリング法を用いた(111)配向度が0.85以上、かつ、(110)配向度が0.10以下とする。この範囲を外れると、連続動作後の変位劣化が大きくなる。
また、本実施形態によれば、上記1回の焼成工程で形成されるのPZT薄膜の膜厚が200nm以上、300nm以下とする。薄膜の膜厚がこれより小さくなると、電気機械変換膜15が所定の膜厚を形成するための焼成工程の数が多くなる。このため、積層境界部での各元素の組成変動による影響も多くなり、十分な電気機械変換特性が得られ難い。一方、膜厚がこれより大きくなると、焼成工程による結晶化の体積変化でクラックが入りやすい。
また、本実施形態によれば、電気機械変換膜15をゾルゲル法で形成することにより、良好な特性を有する膜が容易に得られる。
また、本実施形態によれば、液滴を吐出するノズル2と、ノズルが連通する加圧室9と、加圧室内の液体を昇圧させる吐出駆動手段とを備えた液滴吐出ヘッド1において、吐出駆動手段として加圧室9の壁の一部である下地5を振動板で構成し、この振動板に上記電気機械変換素子を配置する。これにより、連続使用時においても液滴吐出性能の変動が小さく抑えられ、安定したインク吐出特性を得ることができる。
また、本実施形態によれば、上記液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置を用いることで、連続使用時においても安定した画像品質を得ることができる。
2 ノズル
3 ノズル板
4 流路形成基板
5 下地
6 下部電極
7 電気機械変換膜
8 上部電極
9 加圧室
10、30 電気機械変換素子
11 基板
12 振動板
13 第1電極
14 第2電極
15 電気機械変換膜
16 第3電極
17 絶縁保護膜
18 第4電極
19 第5電極
21、22 コンタクトホール
25 密着層
100 インクジェット記録装置
101 キャリッジ
102 インクカートリッジ
103 印字機構部
104 記録ヘッド
107 主ガイドロッド
108 従ガイドロッド
Claims (8)
- 鉛(Pb)とチタン(Ti)とジルコニウム(Zr)とを含む複合酸化物(PZT)からなる電気機械変換膜を用いた電気機械変換素子であって、該電気機械変換膜は化学溶液法を用いて形成されたものであり、所定の厚さになるまでPZT前駆体膜を作成する前駆体膜作成工程と結晶化をおこなう焼成工程とを繰り返しおこなって複数のPZT薄膜を積層した電気機械変換素子において、
上記所定の厚さに形成された電気機械変換膜中に含まれる平均的なPbの原子量比であるPb/(Zr+Ti)をPb(ave)とし、該電気機械変換膜を構成する上記複数の薄膜の積層界面でのPbの原子量比であるPb/(Zr+Ti)をPb(界面)とすると、該Pb(ave)が100at%以上、110at%以下であり、該積層界面のPbの変動比率ΔPb=Pb(ave)−Pb(界面)が20%以下であることを特徴とする電気機械変換素子。 - 請求項1の電気機械変換素子において、上記所定の厚さに形成された電気機械変換膜中に含まれる平均的なZrの原子量比であるZr/(Zr+Ti)をZr(ave)とし、該電気機械変換膜を構成する上記複数の薄膜の積層界面でのZrの原子量比であるZr/(Zr+Ti)をZr(界面)とすると、該積層界面のZrの変動比率であるΔZr=Zr(界面)−Zr(ave)が20%以下であることを特徴とする電気機械変換素子。
- 請求項2の電気機械変換素子において、上記Zr(ave)が40at%以上、70at%以下であることを特徴とする電気機械変換素子。
- 請求項1、2または3の電気機械変換素子において、上記電気機械変換膜の結晶配向について、ロットゲーリング法を用いた(111)配向度が0.85以上、かつ、(110)配向度が0.10以下であることを特徴とする電気機械変換素子。
ここで、ロットゲーリング法を用いた配向度とは、X線回折で得られた各配向のピークの総和を1とした時のそれぞれの配向比率を表し、分母を各ピーク強度の総和とし、分子を任意の配向のピーク強度とした下式の計算方法で求めた平均配向度である。
ρ=ΣI(00l)/ΣI(hkl) - 請求項1、2、3または4の電気機械変換素子において、上記1回の焼成工程で形成されるPZT薄膜の膜厚が200nm以上、300nm以下であることを特徴とする電気機械変換素子。
- 請求項1、2、3、4または5の電気機械変換素子において、上記該電気機械変換膜はゾルゲル法を用いて形成されたものであることを特徴とする電気機械反感素子。
- 液滴を吐出するノズルと、該ノズルが連通する加圧室と、該加圧室内の液体を昇圧させる吐出駆動手段とを備えた液滴吐出ヘッドにおいて、上記吐出駆動手段として、上記加圧室の壁の一部を振動板で構成し、該振動板に上記請求項1乃至6の何れかの電気機械変換素子を配置したことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
- 請求項7の液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置。
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