JP2012256034A5 - Ｅｌ表示装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 絶縁基板上に、複数の画素と、複数の信号線と、複数の走査線と、複数の電源線とを有し、
   前記絶縁基板上に、前記電源線と電気的に接続する電源線駆動回路を有し、
   前記電源線駆動回路は、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
   前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、Ｚｎとを有するＥＬ表示装置。
2. 絶縁基板上に、複数の画素と、複数の信号線と、複数の走査線と、複数の電源線とを有し、
   前記絶縁基板上に、前記電源線と電気的に接続する電源線駆動回路を有し、
   前記電源線駆動回路は、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ ^２ ／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
   前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、Ｚｎとを有し、
   前記酸化物半導体層は、加熱処理により酸素を放出する絶縁膜と接し、
   前記絶縁膜は、前記トランジスタのゲート絶縁膜として機能するＥＬ表示装置。
3. 絶縁基板上に、複数の画素と、複数の信号線と、複数の走査線と、複数の電源線とを有し、
   前記絶縁基板上に、前記電源線と電気的に接続する電源線駆動回路を有し、
   前記電源線駆動回路は、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ ^２ ／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
   前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、Ｚｎとを有し、
   前記酸化物半導体層は、加熱処理により酸素を放出する絶縁膜と接し、
   前記絶縁膜は、層間絶縁膜として機能するＥＬ表示装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層中の水素濃度は、５×１０ ^１９ ｃｍ ^−３ 未満であるＥＬ表示装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層中のナトリウム濃度は、５×１０ ^１６ ｃｍ ^−３ 以下であり、
   前記酸化物半導体層中のリチウム濃度は、５×１０ ^１５ ｃｍ ^−３ 以下であり、
   前記酸化物半導体層中のカリウム濃度は、５×１０ ^１５ ｃｍ ^−３ 以下であるＥＬ表示装置。