JP2012191180A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ドレイン電極と、
   ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも電気抵抗が低く、
   前記第２の領域は、前記ドレイン電極よりも電気抵抗が高く、
   前記第１の領域は、前記ゲート電極と重なり、
   前記第２の領域は、前記ゲート電極と重ならず、
   前記ゲート電極は、前記ドレイン電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ドレイン電極と、
   ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも結晶性が低く、
   前記第１の領域は、前記ゲート電極と重なり、
   前記第２の領域は、前記ゲート電極と重ならず、
   前記ゲート電極は、前記ドレイン電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
3. 酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ドレイン電極と、
   ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも、窒素、リン、硼素、又は希ガスの濃度が高く、
   前記第１の領域は、前記ゲート電極と重なり、
   前記第２の領域は、前記ゲート電極と重ならず、
   前記ゲート電極は、前記ドレイン電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記ゲート電極上に、層間絶縁膜を有し、
   前記層間絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、又は窒化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。