JP5514447B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78642—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Description
本実施の形態では、半導体装置の構成について、図1を用いて説明する。
本実施の形態では、半導体装置の作製方法の一例について、図2および図3を用いて説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態とは異なる構成の半導体装置の一例について、図4乃至図7を用いて説明する。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、多くの部分で先の実施の形態に係る半導体装置と共通している。したがって、以下においては、重複する構成などの説明は省略する。
本実施の形態では、先の実施の形態とは異なる構成の半導体装置の例について、図8乃至図11を用いて説明する。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、多くの部分で先の実施の形態に係る半導体装置と共通している。したがって、以下においては、重複する構成などの説明は省略する。
本実施の形態では、薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを、画素部や周辺回路部(駆動回路など)に用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置)を作製する場合について説明する。周辺回路部の一部または全部を、画素部と同じ基板上に一体形成することにより、システムオンパネルを形成することができる。
本実施の形態では、図16を参照して半導体装置の一例であるアクティブマトリクス型の電子ペーパーについて説明する。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ650は、先の実施の形態で示すトランジスタと同様に作製することができる。
本実施の形態では、半導体装置として発光表示装置の例を示す。表示装置の有する表示素子としては、ここではエレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を用いて示す。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
半導体装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペーパーは、情報を表示する、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを、電子書籍(電子ブック)、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示部分などに適用することができる。電子機器の一例を図19、図20に示す。
半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
102 導電層
104 電極層
106 低抵抗半導体層
108 酸化物半導体層
110 低抵抗半導体層
112 低抵抗半導体層
114 酸化物半導体層
116 低抵抗半導体層
118 ゲート絶縁層
120 コンタクトホール
122 導電層
124 電極層
126 電極層
140 領域
142 領域
150 トランジスタ
160 トランジスタ
170 トランジスタ
180 トランジスタ
182 導電層
200 基板
202 導電層
204 電極層
206 低抵抗半導体層
208 絶縁層
210 低抵抗半導体層
212 低抵抗半導体層
214 絶縁層
216 低抵抗半導体層
218 酸化物半導体層
220 酸化物半導体層
222 ゲート絶縁層
224 コンタクトホール
226 導電層
228 電極層
230 電極層
240 領域
242 領域
250 トランジスタ
260 トランジスタ
270 トランジスタ
280 トランジスタ
282 導電層
600 基板
602 基板
650 薄膜トランジスタ
660 電極層
670 電極層
680 球形粒子
680a 黒色領域
680b 白色領域
682 充填材
701 TFT
702 発光素子
703 陰極
704 発光層
705 陽極
707 導電層
711 TFT
712 発光素子
713 陰極
714 発光層
715 陽極
716 遮光膜
717 導電層
721 TFT
722 発光素子
723 陰極
724 発光層
725 陽極
727 導電層
1000 携帯電話機
1001 筐体
1002 表示部
1003 操作ボタン
1004 外部接続ポート
1005 スピーカ
1006 マイク
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 素子層
2604 液晶層
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
2631 ポスター
2632 車内広告
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカ
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 薄膜トランジスタ
4011 薄膜トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 絶縁層
4021 絶縁層
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4033 絶縁層
4035 スペーサ
4501 基板
4502 画素部
4503a 信号線駆動回路
4503b 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4504b 走査線駆動回路
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 薄膜トランジスタ
4510 薄膜トランジスタ
4511 発光素子
4512 電極
4513 電界発光層
4514 電極層
4515 接続端子電極
4516 端子電極
4517 電極層
4518a FPC
4518b FPC
4519 異方性導電膜
4520 隔壁
9400 通信装置
9401 筐体
9402 走査ボタン
9403 外部入力端子
9404 マイク
9405 スピーカ
9406 発光部
9410 表示装置
9411 筐体
9412 表示部
9413 操作ボタン
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
9881 筐体
9882 表示部
9883 表示部
9884 スピーカ部
9885 操作キー
9886 記録媒体挿入部
9887 接続端子
9888 センサ
9889 マイクロフォン
9890 LEDランプ
9891 筐体
9893 連結部
9900 スロットマシン
9901 筐体
9903 表示部
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上の第1の電極層と、
前記第1の電極層上と前記基板上とにまたがって設けられ、前記第1の電極層と接する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上面に開口部を有し、前記酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の前記開口部において、前記酸化物半導体層と接する第2の電極層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層の側面に電圧を印加する第3の電極層と、
を有し、
前記第1の電極層及び前記第2の電極層は、酸素親和性の高い金属を含有する材料でなることを特徴とする半導体装置。 - 基板と、
前記基板上の、第1の端部を有する第1の電極層と、
前記第1の電極層上の、前記第1の端部と一致する第2の端部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上の第2の電極層と、
前記第1の電極層及び前記第2の電極層と接し、前記第1の端部及び前記第2の端部を覆う酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層に電圧を印加する第3の電極層と、
を有し、
前記第1の電極層及び前記第2の電極層は、酸素親和性の高い金属を含有する材料でなることを特徴とする半導体装置。 - 基板と、
前記基板上の第1の電極層と、
前記第1の電極層上と前記基板上とにまたがって設けられ、酸化物半導体層の下面及び上面を第1及び第2の低抵抗半導体層で挟んだパターンと、
前記パターンの上面に開口部を有し、前記パターンの側面を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の前記開口部において、前記第2の低抵抗半導体層と電気的に接続する第2の電極層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層の側面に電圧を印加する第3の電極層と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板と、
前記基板上の、第1の端部を有する第1の電極層と、
前記第1の電極層上に設けられ、前記第1の端部と一致する第2の端部を有し、且つ絶縁層の下面及び上面を第1及び第2の低抵抗半導体層で挟んだパターンと、
前記パターン上の第2の電極層と、
前記第1の端部及び前記第2の端部を覆い、且つ前記第1の電極層と前記第2の電極層とを前記第1及び前記第2の低抵抗半導体層を介して電気的に接続する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層に電圧を印加する第3の電極層と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記酸素親和性の高い金属は、チタン、アルミニウム、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、トリウム、銅のいずれか一または複数から選択された材料であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1、請求項2または請求項5において、
前記酸化物半導体層の前記第1の電極層及び前記第2の電極層と接する領域は、前記酸化物半導体層の他の領域と比較して酸素の組成比が小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3または請求項4において、
前記酸化物半導体層の上面にある前記第2の低抵抗半導体層と、前記第2の電極層との間に、前記第2の低抵抗半導体層の上面を覆う導電層を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記酸化物半導体層はInとGaとZnとを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項8において、
前記酸化物半導体層は、Fe、Ni、またはその他の遷移金属を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、シリコン、ゲルマニウム、窒素、またはアルミニウムを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一において、
前記第3の電極層の上面形状は、略U字型の形状であることを特徴とする半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009018446A JP5514447B2 (ja) | 2009-01-29 | 2009-01-29 | 半導体装置 |
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