JPS60198861A
(ja)
|
1984-03-23 |
1985-10-08 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JPH0244256B2
(ja)
|
1987-01-28 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPS63210023A
(ja)
|
1987-02-24 |
1988-08-31 |
Natl Inst For Res In Inorg Mater |
InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
|
JPH0244260B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244258B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244262B2
(ja)
|
1987-02-27 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244263B2
(ja)
|
1987-04-22 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH05251705A
(ja)
|
1992-03-04 |
1993-09-28 |
Fuji Xerox Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JP2919278B2
(ja)
|
1994-09-14 |
1999-07-12 |
日本電気株式会社 |
マルチシンク対応液晶ディスプレイ装置の表示制御装置及び表示制御方法
|
JP3479375B2
(ja)
|
1995-03-27 |
2003-12-15 |
科学技術振興事業団 |
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
|
JPH11505377A
(ja)
|
1995-08-03 |
1999-05-18 |
フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ |
半導体装置
|
JP3625598B2
(ja)
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
EP0797182A1
(en)
*
|
1996-03-19 |
1997-09-24 |
Hitachi, Ltd. |
Active matrix LCD with data holding circuit in each pixel
|
JP3371200B2
(ja)
*
|
1997-10-14 |
2003-01-27 |
富士通株式会社 |
液晶表示装置の表示制御方法及び液晶表示装置
|
JP3280307B2
(ja)
*
|
1998-05-11 |
2002-05-13 |
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション |
液晶表示装置
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Hoya株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
US7317438B2
(en)
|
1998-10-30 |
2008-01-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Field sequential liquid crystal display device and driving method thereof, and head mounted display
|
JP2000150861A
(ja)
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
JP3276930B2
(ja)
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
JP3559922B2
(ja)
*
|
1998-12-15 |
2004-09-02 |
富士通株式会社 |
液晶表示装置
|
US6597348B1
(en)
|
1998-12-28 |
2003-07-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Information-processing device
|
US7145536B1
(en)
|
1999-03-26 |
2006-12-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device
|
US7339568B2
(en)
*
|
1999-04-16 |
2008-03-04 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Signal transmission film and a liquid crystal display panel having the same
|
JP3556150B2
(ja)
*
|
1999-06-15 |
2004-08-18 |
シャープ株式会社 |
液晶表示方法および液晶表示装置
|
TW460731B
(en)
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
US6882012B2
(en)
|
2000-02-28 |
2005-04-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and a method of manufacturing the same
|
JP4869491B2
(ja)
*
|
2000-04-18 |
2012-02-08 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
発光装置
|
TW521237B
(en)
|
2000-04-18 |
2003-02-21 |
Semiconductor Energy Lab |
Light emitting device
|
US6992652B2
(en)
*
|
2000-08-08 |
2006-01-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and driving method thereof
|
TW522374B
(en)
*
|
2000-08-08 |
2003-03-01 |
Semiconductor Energy Lab |
Electro-optical device and driving method of the same
|
TW518552B
(en)
|
2000-08-18 |
2003-01-21 |
Semiconductor Energy Lab |
Liquid crystal display device, method of driving the same, and method of driving a portable information device having the liquid crystal display device
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
US7385579B2
(en)
|
2000-09-29 |
2008-06-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and method of driving the same
|
KR20020038482A
(ko)
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
US6747623B2
(en)
*
|
2001-02-09 |
2004-06-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and method of driving the same
|
JP3997731B2
(ja)
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JP4090716B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
US7061014B2
(en)
|
2001-11-05 |
2006-06-13 |
Japan Science And Technology Agency |
Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
JP4083486B2
(ja)
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
|
JP2003255912A
(ja)
*
|
2002-03-05 |
2003-09-10 |
Seiko Epson Corp |
電気光学装置、それを用いた電子機器および電気光学装置の駆動方法
|
CN1445821A
(zh)
|
2002-03-15 |
2003-10-01 |
三洋电机株式会社 |
ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
|
JP2003280603A
(ja)
*
|
2002-03-22 |
2003-10-02 |
Seiko Epson Corp |
電気光学装置、それを用いた電子機器および電気光学装置の駆動方法
|
JP3933591B2
(ja)
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
US7339187B2
(en)
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
JP2004022625A
(ja)
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
US7105868B2
(en)
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
JP2004077567A
(ja)
|
2002-08-09 |
2004-03-11 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
表示装置及びその駆動方法
|
EP1388842B1
(en)
*
|
2002-08-09 |
2013-10-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Multi-window display device and method of driving the same
|
US7193593B2
(en)
|
2002-09-02 |
2007-03-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and method of driving a liquid crystal display device
|
JP2004094058A
(ja)
|
2002-09-02 |
2004-03-25 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法
|
US7067843B2
(en)
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
CN100580753C
(zh)
|
2002-11-29 |
2010-01-13 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置和电子装置
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
JP4108633B2
(ja)
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
TWI399580B
(zh)
|
2003-07-14 |
2013-06-21 |
Semiconductor Energy Lab |
半導體裝置及顯示裝置
|
US7262463B2
(en)
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
KR100945137B1
(ko)
|
2004-02-04 |
2010-03-02 |
주식회사 케이티 |
광통신 시스템 및 그 방법
|
US7282782B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
US7145174B2
(en)
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
US7297977B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
KR101019337B1
(ko)
|
2004-03-12 |
2011-03-07 |
도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 |
아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터
|
KR101089199B1
(ko)
|
2004-04-22 |
2011-12-05 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
발광장치 및 그 구동방법
|
JP2005316092A
(ja)
*
|
2004-04-28 |
2005-11-10 |
Casio Comput Co Ltd |
フィールドシーケンシャル液晶表示装置
|
US7211825B2
(en)
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
JP2006100760A
(ja)
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
US7285501B2
(en)
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
US7298084B2
(en)
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
US7601984B2
(en)
|
2004-11-10 |
2009-10-13 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor with amorphous oxide active layer containing microcrystals and gate electrode opposed to active layer through gate insulator
|
EP1815530B1
(en)
|
2004-11-10 |
2021-02-17 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor employing an amorphous oxide
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
US7791072B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
US7829444B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
US7453065B2
(en)
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
CN101057333B
(zh)
|
2004-11-10 |
2011-11-16 |
佳能株式会社 |
发光器件
|
US8426866B2
(en)
*
|
2004-11-30 |
2013-04-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and driving method thereof, semiconductor device, and electronic apparatus
|
US7579224B2
(en)
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
TWI569441B
(zh)
|
2005-01-28 |
2017-02-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
|
TWI412138B
(zh)
|
2005-01-28 |
2013-10-11 |
Semiconductor Energy Lab |
半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
|
US7858451B2
(en)
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
JP2006220685A
(ja)
|
2005-02-08 |
2006-08-24 |
21 Aomori Sangyo Sogo Shien Center |
スキャンバックライトを用いた分割駆動フィールドシーケンシャルカラー液晶ディスプレイの駆動方法および装置
|
US7948171B2
(en)
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
US20060197092A1
(en)
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
US8681077B2
(en)
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
US7544967B2
(en)
|
2005-03-28 |
2009-06-09 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
|
US7645478B2
(en)
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
US8300031B2
(en)
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
JP2006344849A
(ja)
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
US7691666B2
(en)
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
US7402506B2
(en)
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
KR100711890B1
(ko)
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
JP2007059128A
(ja)
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機el表示装置およびその製造方法
|
JP2007073705A
(ja)
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
JP4280736B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
JP4850457B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
JP5116225B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
US7932891B2
(en)
*
|
2005-09-13 |
2011-04-26 |
Chunghwa Picture Tubes, Ltd. |
Driving method and system thereof for LCD multiple scan
|
EP1770788A3
(en)
|
2005-09-29 |
2011-09-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
|
JP5037808B2
(ja)
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
CN101577293B
(zh)
|
2005-11-15 |
2012-09-19 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体器件及其制造方法
|
US7728810B2
(en)
*
|
2005-11-28 |
2010-06-01 |
Lg Display Co., Ltd. |
Display device and method for driving the same
|
TWI292281B
(en)
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
US7867636B2
(en)
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
JP4977478B2
(ja)
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
|
EP1832915B1
(en)
|
2006-01-31 |
2012-04-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device with improved contrast
|
US7576394B2
(en)
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
US7977169B2
(en)
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
JP2007264211A
(ja)
|
2006-03-28 |
2007-10-11 |
21 Aomori Sangyo Sogo Shien Center |
色順次表示方式液晶表示装置用の色表示方法
|
KR20070101595A
(ko)
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ZnO TFT
|
US20070252928A1
(en)
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
US8106865B2
(en)
*
|
2006-06-02 |
2012-01-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and driving method thereof
|
US8154493B2
(en)
|
2006-06-02 |
2012-04-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic device using the same
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
TW200805225A
(en)
|
2006-07-12 |
2008-01-16 |
Chi Mei Optoelectronics Corp |
LCD monitor and method for inserting black frame
|
KR101261607B1
(ko)
*
|
2006-07-25 |
2013-05-08 |
삼성디스플레이 주식회사 |
액정 표시 장치
|
JP4609797B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Nec液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
JP4999400B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
JP4332545B2
(ja)
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
JP4274219B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
JP5164357B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
US20080084521A1
(en)
|
2006-10-06 |
2008-04-10 |
Stanley Electric Co., Ltd. |
Field sequentially driven liquid crystal display device
|
JP2008096481A
(ja)
|
2006-10-06 |
2008-04-24 |
Stanley Electric Co Ltd |
フィールドシーケンシャル液晶表示装置
|
US7622371B2
(en)
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
US7772021B2
(en)
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
JP2008140684A
(ja)
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーelディスプレイおよびその製造方法
|
JP5177999B2
(ja)
|
2006-12-05 |
2013-04-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置
|
US8514165B2
(en)
*
|
2006-12-28 |
2013-08-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
KR101303578B1
(ko)
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
US8207063B2
(en)
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
KR100851215B1
(ko)
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
US7795613B2
(en)
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
KR101325053B1
(ko)
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
KR20080094300A
(ko)
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
KR101334181B1
(ko)
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
CN101663762B
(zh)
|
2007-04-25 |
2011-09-21 |
佳能株式会社 |
氧氮化物半导体
|
TWI360094B
(en)
|
2007-04-25 |
2012-03-11 |
Wintek Corp |
Shift register and liquid crystal display
|
KR101345376B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
JP5200209B2
(ja)
|
2007-08-08 |
2013-06-05 |
エプソンイメージングデバイス株式会社 |
液晶表示装置
|
JP5075533B2
(ja)
*
|
2007-08-29 |
2012-11-21 |
エプソンイメージングデバイス株式会社 |
液晶表示装置
|
US8202365B2
(en)
|
2007-12-17 |
2012-06-19 |
Fujifilm Corporation |
Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
|
KR101303533B1
(ko)
*
|
2008-04-29 |
2013-09-03 |
엘지디스플레이 주식회사 |
액정표시장치와 그 구동방법
|
KR101303494B1
(ko)
*
|
2008-04-30 |
2013-09-03 |
엘지디스플레이 주식회사 |
액정표시장치와 그 구동방법
|
KR101301422B1
(ko)
*
|
2008-04-30 |
2013-08-28 |
엘지디스플레이 주식회사 |
액정표시장치와 그 구동방법
|
CN102077331B
(zh)
|
2008-06-27 |
2014-05-07 |
株式会社半导体能源研究所 |
薄膜晶体管
|
JP2010033690A
(ja)
|
2008-06-30 |
2010-02-12 |
Mitsubishi Electric Corp |
シフトレジスタ回路
|
JP4623179B2
(ja)
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
JP5274968B2
(ja)
|
2008-10-06 |
2013-08-28 |
カヤバ工業株式会社 |
バルブ
|
JP2010114435A
(ja)
|
2008-10-08 |
2010-05-20 |
Ind Technol Res Inst |
放熱表面を有する発光装置
|
JP5451280B2
(ja)
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
TWI567829B
(zh)
*
|
2008-10-31 |
2017-01-21 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及其製造方法
|
CN101388197B
(zh)
*
|
2008-11-03 |
2010-07-28 |
友达光电股份有限公司 |
具低漏电流控制机制的栅极驱动电路
|
JP5384088B2
(ja)
*
|
2008-11-28 |
2014-01-08 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
表示装置
|
KR101310379B1
(ko)
*
|
2008-12-03 |
2013-09-23 |
엘지디스플레이 주식회사 |
액정표시장치와 그 구동방법
|
JP5590868B2
(ja)
|
2008-12-11 |
2014-09-17 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
JP5100670B2
(ja)
|
2009-01-21 |
2012-12-19 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
タッチパネル、電子機器
|
JP5202395B2
(ja)
*
|
2009-03-09 |
2013-06-05 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
タッチパネル、電子機器
|
TWI547845B
(zh)
|
2009-07-02 |
2016-09-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
觸控面板及其驅動方法
|
CN102576518A
(zh)
*
|
2009-10-16 |
2012-07-11 |
株式会社半导体能源研究所 |
液晶显示设备以及具有其的电子装置
|
WO2011046010A1
(en)
*
|
2009-10-16 |
2011-04-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device
|
KR102067919B1
(ko)
*
|
2009-12-18 |
2020-01-17 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
|
KR101814367B1
(ko)
|
2010-03-31 |
2018-01-04 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 표시 장치 및 그 구동 방법
|
US8830278B2
(en)
|
2010-04-09 |
2014-09-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and method for driving the same
|
CN102834861B
(zh)
*
|
2010-04-09 |
2016-02-10 |
株式会社半导体能源研究所 |
液晶显示设备和驱动该液晶显示设备的方法
|
US8907881B2
(en)
|
2010-04-09 |
2014-12-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and method for driving the same
|
US8988337B2
(en)
|
2010-07-02 |
2015-03-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Driving method of liquid crystal display device
|
JP2012048220A
(ja)
|
2010-07-26 |
2012-03-08 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
液晶表示装置及びその駆動方法
|