JP2003280603A

JP2003280603A - 電気光学装置、それを用いた電子機器および電気光学装置の駆動方法

Info

Publication number: JP2003280603A
Application number: JP2002081062A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Ozawa; 裕小澤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-03-22
Filing date: 2002-03-22
Publication date: 2003-10-02

Abstract

(57)【要約】【課題】サブフィールド駆動において、１水平ライン当
たりの選択期間を有効に確保しながら、表示パネルの一
層の高解像度化・多階調化を図る。【解決手段】液晶パネル１を構成するそれぞれの画素２
には、２つのスイッチング素子を並列に設け、駆動回路
対３ａ，４ａ（または３ｂ，４ｂ）毎に独立して導通制
御する。第１のサブフィールドにおけるデータ書込期間
では、第１の走査線駆動部３ａと第１のデータ線駆動部
４ａとが協働してデータ書込みを行う。次の第２のサブ
フィールドにおけるデータ書込期間では、第２の走査線
駆動部３ｂと第２のデータ線駆動部４ｂとが協働してデ
ータ書込みを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置、そ
れを用いた電子機器、および電気光学装置の駆動方法に
係り、特に、サブフィールド駆動を用いた階調表示制御
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、中間調表示方式の１つとし
て、サブフィールド駆動が知られている。時間軸変調方
式の一種であるサブフィールド駆動では、１画像の表示
単位である１フレームを複数のサブフィールドに分割
し、表示すべき階調に応じたサブフィールドの組み合わ
せで電気光学素子を駆動する。表示される階調は、１フ
レームにおける累積的な表示期間（この表示期間はサブ
フィールドの組み合わせで決定される）によって決ま
る。この方式では、電圧階調法のように、電気光学素子
への印加電圧を表示階調数分だけ用意する必要がないの
で、データ線駆動用のドライバの回路規模を小さくでき
る。

【０００３】例えば、特開２００１−２１５９１７号公
報には、１フレームを表示期間が互いに異なる複数のサ
ブフィールドに分割したサブフィールド駆動について記
載されている。また、特開２００１−２０９３４６号公
報には、１フレームを表示期間が同一である複数のサブ
フィールドに分割した等間隔サブフィールド駆動につい
て記載されている。これらはいずれも、ゲート線にゲー
トが接続され、データ線にソースが接続されたスイッチ
ング素子を画素毎に１つ設け、単一の駆動回路対（１つ
の走査線駆動回路および１つのデータ線駆動回路）の協
働によって、画素へのデータ書込みを行っている。すな
わち、従来のサブフィールド駆動では、一般的な液晶駆
動回路と同様、１つの走査線群、１つのデータ線群、画
素毎に１つのスイッチング素子、および１つの駆動回路
対からなる１系統の駆動系によって、データ書込みが行
われていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術のように、１系統の駆動系でサブフィールド駆動を行
う場合、データ書込みに関する時間的な制約から、表示
パネルの高解像度化や多階調化に限界がある。一般に、
データを書込む際に全走査線を選択するのに要する時
間、すなわち「データ書込期間」は、１本の走査線を選
択するのに要する期間（選択期間Ｔsel）と走査線の本
数ｍとの積によって決まる。そのため、フレーム周波数
を変えないで走査線の本数を増やそうとすると、選択期
間Ｔselが短くなる。例えば、フレーム周波数60Hzの線
順次駆動の場合、SXGAパネル（ｍ＝1024）の選択期間Ｔ
selは16.3[μsec]になり、UXGAパネル（ｍ＝1200）では
13.9[μsec]になる。また、点順次駆動における選択期
間Ｔselは、線順次駆動のそれと比較して、相展開数分
だけ更に短くなる。選択期間Ｔselが短くなると、その
期間内で画素中のキャパシタに対する電荷供給を行わな
ければならず、より電荷供給能力の高いトランジスタが
要求される。しかしながら、表示パネルの高解像度化に
伴い、トランジスタのサイズ自体も小さくなる傾向があ
るため（それに伴いトランジスタの能力も低下する）、
要求される供給能力を確保することは容易ではない。こ
のようなトランジスタの特性上の理由から、表示パネル
の高解像度化が進むにつれて、データ書込みに必要な選
択期間Ｔselを十分に確保することが困難になる。

【０００５】特に、サブフィールド駆動では、電圧階調
法と比較して、同等の解像度であっても選択期間Ｔsel
が更に短くなる。例えば、SXGAパネルにおいて、１フレ
ームを４つのサブフィールドに分割し、バイナリ重み付
けで８階調表示する場合（３ビット）、選択期間Ｔsel
は、2.33[μsec]（＝１／60[Hz]／1024[ライン]／（２3−１））になる。そのため、１系統の駆動系で
サブフィールド駆動を行う場合、表示パネルの高解像度
化が進むにつれて、有効なデータ書込みを行い得る選択
期間Ｔselを確保することが難しくなり、所望の階調表
示の実現がより困難になる。

【０００６】このようなデータ書込みの時間的制約は、
サブフィールド駆動で多階調化を図る際にも同様に該当
する。フレーム周波数を変えないで階調数を増やす場
合、表示期間が最も短い最短サブフィールドを更に短く
する必要があり、それに伴い、選択期間Ｔselも短くな
るからである。

【０００７】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、サブフィールド駆動において、
データ書込みに関する時間的な制約を緩和し、有効なデ
ータ書込みを行い得る選択期間を確保しながら、サブフ
ィールドの表示期間を短縮することである。

【０００８】また、本発明の別の目的は、サブフィール
ド駆動によって制御される表示パネルの一層の高解像度
化・多階調化を図ることである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、第１の発明は、１フレームを複数のサブフィール
ドに分割し、表示すべき階調に応じたサブフィールドの
組み合わせによって、電気光学素子を駆動する電気光学
装置を提供する。この電気光学装置は、複数の第１のデ
ータ線および複数の第２のデータ線と、複数の第１の走
査線および複数の第２の走査線と、表示パネルと、第１
の走査線駆動部と、第２の走査線駆動部と、第１のデー
タ線駆動部と、第２のデータ線駆動部とを有する。これ
により、この電気光学装置は、少なくとも２系統の駆動
系を備えることになる。表示パネルには、複数の画素が
マトリクス状に並んでおり、画素のそれぞれは、第１の
スイッチング素子と第２のスイッチング素子と電気光学
素子とを有する。第１のスイッチング素子は、いずれか
の第１の走査線といずれかの第１のデータ線とに接続さ
れており、第１の走査線の走査信号に応じて導通する。
第２のスイッチング素子は、いずれかの第２の走査線と
いずれかの第２のデータ線とに接続されており、第２の
走査線の走査信号に応じて導通する。第１の走査線駆動
部は、第１のサブフィールドにおけるデータ書込期間に
おいて、第１の走査線に走査信号を出力することによ
り、第１の走査線を順次選択する。第１のデータ線駆動
部は、第１の走査線駆動部と協働するとともに、第１の
サブフィールドにおけるデータ書込期間において、第１
のデータ線を介して、電気光学素子に書込データを供給
する。また、第２の走査線駆動部は、第１のサブフィー
ルドに続く第２のサブフィールドにおけるデータ書込期
間において、第２の走査線に走査信号を出力することに
より、第２の走査線を順次選択する。第２のデータ線駆
動部は、第２の走査線駆動部と協働するとともに、第２
のサブフィールドにおけるデータ書込期間において、第
２のデータ線を介して、電気光学素子に書込データを供
給する。

【００１０】ここで、第１の発明において、第２の走査
線駆動部は、第１のサブフィールドにおけるデータ書込
みの終了タイミングよりも前に、より好ましくは、第１
のサブフィールドにおけるデータ書込期間の略1/3のタ
イミングで、第２の走査線の選択を開始することが好ま
しい。この場合、第１のサブフィールドと第２のサブフ
ィールドとの間で、データ書込みがオーバーラップして
行われる期間が存在する。しかしながら、２系統の駆動
系を用いて別個にデータ書込を行うため、それぞれのサ
ブフィールドにおけるデータ書込みは、互いに干渉する
ことはなく行われる。

【００１１】また、第１の発明を、１フレームを表示間
隔が互いに異なる複数のサブフィールドに分割したサブ
フィールド駆動に適用する場合、第１のサブフィールド
は、表示期間が最も短いサブフィールドであり、第２の
サブフィールドは、第１のサブフィールドよりも表示期
間が長いサブフィールドであることが好ましい。一方、
第１の発明を、等間隔サブフィールド駆動に適用する場
合、第１のサブフィールドの表示期間と第２のサブフィ
ールドの表示期間とは同一になる。

【００１２】また、第２の発明は、上記第１の発明に係
る電気光学装置を有する電子機器を提供する。

【００１３】さらに、第３の発明は、１フレームを複数
のサブフィールドに分割し、表示すべき階調に応じたサ
ブフィールドの組み合わせによって、電気光学素子を駆
動する電気光学装置の駆動方法を提供する。ここで、こ
の駆動方法が適用される表示パネルは、複数の画素がマ
トリクス状に並んでおり、画素のそれぞれは、第１のス
イッチング素子と第２のスイッチング素子と電気光学素
子とを有する。第１のスイッチング素子は、複数の第１
のデータ線のいずれかと複数の第１の走査線のいずれか
とに接続されている。第２のスイッチング素子は、複数
の第２の走査線のいずれかと複数の第２のデータ線のい
ずれかとに接続されている。まず、第１のサブフィール
ドにおけるデータ書込期間において、第１の走査線を順
次選択し、選択した第１の走査線に接続されている第１
のスイッチング素子を導通する。それとともに、電気光
学素子（この素子は第１の走査線の選択により導通させ
た第１のスイッチング素子に対応する）に対して、第１
のデータ線を介して、書込データを供給する。つぎに、
第１のサブフィールドに続く第２のサブフィールドにお
けるデータ書込期間において、第２の走査線を順次選択
し、選択した第２の走査線に接続されている第２のスイ
ッチング素子を導通する。それとともに、電気光学素子
（この素子は第２の走査線の選択により導通させた第２
のスイッチング素子に対応する）に対して、第２のデー
タ線を介して、書込データを供給する。

【００１４】ここで、上記第２のステップにおいて、第
２のサブフィールドにおけるデータ書込みの開始タイミ
ングは、第１のサブフィールドにおけるデータ書込みの
終了タイミングよりも前、より好ましくは、第１のサブ
フィールドにおけるデータ書込期間の略1/3のタイミン
グであることが好ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１は、本実施形態に係る電気光
学装置のブロック構成図である。表示パネル１は、例え
ばＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）等のスイッチング
素子によって液晶を駆動するアクティブマトリクス型の
液晶パネルであり、ｎドット×ｍライン分の画素２がマ
トリクス状（すなわち、二次元平面的）に並んでいる。
また、この表示パネル１には、水平方向に延在している
２組の走査線群ＧＡ1〜ＧＡm，ＧＢ1〜ＧＢmと、垂直方
向に延在している２組のデータ線群ＳＡ1〜ＳＡn，ＳＢ
1〜ＳＢnとが設けられている。第１の走査線群ＧＡ1〜
ＧＡmと第１のデータ線群ＳＡ1〜ＳＡnとは互いに交差
し、第２の走査線群ＧＢ1〜ＧＢmと第２のデータ線群Ｓ
Ｂ1〜ＳＢnとは互いに交差している。画素２は、第１の
走査線群ＧＡ1〜ＧＡmと第１のデータ線群ＳＡ1〜ＳＡn
との各交点で、かつ、第２の走査線群ＧＢ1〜ＧＢmと第
２のデータ線群ＳＢ1〜ＳＢnとの各交点に対応して配置
されている。すなわち、表示パネル１中の１水平ライン
には、２本の走査線ＧＡ，ＧＢが対応付けられており、
１垂直ラインには、２本のデータ線ＳＡ，ＳＢが対応付
けられている（ここで、”ＧＡ”とは、ＧＡ1〜ＧＡmの
任意の１本を指す意味で用いており、他の符号について
も同様である）。

【００１６】図２は、電気光学素子として液晶を用いた
画素２の等価回路図である。画像表示の最小単位である
画素２には、２つのスイッチング素子２ａ，２ｂが並列
に設けられている。第１のスイッチング素子であるＦＥ
Ｔ２ａのソースは、第１のデータ線ＳＡに接続されてい
るとともに、そのゲートは、第１の走査線ＧＡに接続さ
れている。同一の垂直ライン上に存在する複数の画素２
に関して、それぞれのＦＥＴ２ａのソースは、第１のデ
ータ線ＳＡに共通に接続されている。また、同一の水平
ライン上に存在する複数の画素２に関して、それぞれの
ＦＥＴ２ａのゲートは、第１の走査線ＧＡに共通に接続
されている。一方、第２のスイッチング素子であるＦＥ
Ｔ２ｂのソースは、第２のデータ線ＳＢに接続されてい
るとともに、そのゲートは、第２の走査線ＧＢに接続さ
れている。同一の垂直ライン上に存在する複数の画素２
に関して、それぞれのＦＥＴ２ｂのソースは、第２のデ
ータ線ＳＢに共通に接続されている。また、同一の水平
ライン上に存在する複数の画素２に関して、それぞれの
ＦＥＴ２ｂのゲートは、第２の走査線ＧＢに共通に接続
されている。また、１つの画素２に含まれる２つのＦＥ
Ｔ２ａ，２ｂのドレインは、共通接続されており、この
共通接続されたノードには、画素キャパシタ２ｃと蓄積
キャパシタ２ｄとが並列に接続されている。あるサブフ
ィールドのデータ書込期間において、ある画素２に書込
データが供給されると、その画素２内のキャパシタ２
ｃ，２ｄが充放電され、書込データに応じた電位差が画
素電極と対向電極との間に生じる。これにより、そのサ
ブフィールドの表示期間内において、電気光学素子、す
なわち画素電極と対向電極との間に封じ込まれた液晶が
駆動される。

【００１７】ここで、１つの画素２に関して、キャパシ
タ２ｃ，２ｄに対する書込データの供給経路は２つ存在
する。１つは、第１のデータ線ＳＡ、ＦＥＴ２ａのソー
ス−ドレインを介した経路であり、この経路は、第１の
走査線ＧＡの走査信号に応じて、一方のＦＥＴ２ａが導
通（オン）した場合に形成される。もう１つは、第２の
データ線ＳＢ、ＦＥＴ２ｂのソース−ドレインを介した
経路であり、この経路は、第２の走査線ＧＢの走査信号
に応じて、他方のＦＥＴ２ｂが導通（オン）した場合に
形成される。これらの経路は、いずれかのＦＥＴ２ａ，
２ｂをオンすることにより択一的に形成され、同一画素
２中の２つのＦＥＴ２ａ，２ｂが同時にオンすることは
ない。そのため、１つの画素２に対して、両方の経路よ
り書込データが同時に供給されることはない。

【００１８】走査線駆動回路３は、シフトレジスタ、出
力回路等を主体に構成されており、第１の走査線群ＧＡ
1〜ＧＡmと第２の走査線群ＧＢ1〜ＧＢmとが接続されて
いる。走査線駆動回路３は、これを機能的に捉えた場
合、第１の走査線群ＧＡ1〜ＧＡmに走査信号を出力する
第１の走査線駆動部３ａと、第２の走査線群ＧＢ1〜Ｇ
Ｂmに走査信号を出力する第２の走査線駆動部３ｂとを
有する。ここで、走査線ＧＡ，ＧＢの添字1〜mの順序
は、本実施形態における走査線駆動回路３の走査方向、
すなわち、走査線ＧＡ，ＧＢの選択順序に対応してい
る。一方、データ線駆動回路４は、シフトレジスタ、ラ
インラッチ回路、マルチプレクサ等を主体に構成されて
おり、第１のデータ線群ＳＡ1〜ＳＡnと第２のデータ線
群ＳＢ1〜ＳＢnとに接続されている。データ線駆動回路
４は、これを機能的に捉えた場合、第１のデータ線群Ｓ
Ａ1〜ＳＡnに書込データを出力する第１のデータ線駆動
部４ａと、第２のデータ線群ＳＢ1〜ＳＢnに書込データ
を出力する第２のデータ線駆動部４ｂとを有する。

【００１９】信号制御部５は、データ信号（多階調の画
像データ）、同期信号、クロック信号等の入力信号に基
づき、走査線駆動回路３とデータ線駆動回路４とを制御
する。この信号制御部５は、走査線駆動回路３に対し
て、クロック信号φ1、データ信号（サブフィールド駆
動における書込データ）、および制御信号を出力する。
制御信号としては、１フレーム毎のレベル反転を指示す
る交流化駆動信号、１フレーム中の各サブフィールド番
号を指示するサブフィールド信号等が挙げられる。ま
た、信号制御部５は、データ線駆動回路４に対して、ク
ロック信号φ2、制御信号を出力する。クロック信号φ
1，φ2による同期制御の下、走査線駆動回路３とデータ
線駆動回路４とは互いに協働し、表示パネル１を構成す
る各画素２へのデータ書込みを行う。

【００２０】つぎに、一例として、１画像の表示単位で
ある１フレームを４つのサブフィールドＳＦ1〜ＳＦ4に
分割し、16階調表示を行うケースについて、図３から図
５を参照しながら説明する。ここで、個々のサブフィー
ルドＳＦ1〜ＳＦ４が１フレームに占める表示期間の割
合は互いに相違している。これらの表示期間の比（ＳＦ
1：ＳＦ2：ＳＦ3：ＳＦ4）は１：２：４：８に設定され
ており、サブフィールドＳＦ1は1/15フレーム、サブフ
ィールドＳＦ2は2/15フレーム、サブフィールドＳＦ3は
4/15フレーム、サブフィールドＳＦ4は8/15フレームで
ある。

【００２１】図３は、走査線駆動回路３より出力される
走査信号のタイミングチャートである。本実施形態にお
いて、１番目および３番目のサブフィールドＳＦ1，Ｓ
Ｆ3におけるデータ書込みは、第１の走査線駆動部３ａ
と第１のデータ線駆動部４ａとが協働して行う。一方、
２番目および４番目のサブフィールドＳＦ2，ＳＦ4にお
けるデータ書込みは、第２の走査線駆動部３ｂと第２の
データ線駆動部４ｂとが協働して行う。

【００２２】１番目のサブフィールドＳＦ1におけるデ
ータ書込みは、データ書込期間Ｔｗ（ｔ1s〜ｔ1e）にお
いて行われ、駆動系として、第１の走査線群ＧＡ1〜Ｇ
Ａmと第１のデータ線群ＳＡ1〜ＳＡnとが用いられる。
ここで、データ書込期間Ｔｗは、あるサブフィールドＳ
Ｆにおいて、選択対象となるすべての走査線を選択する
のに要する時間、ここでは、最初の走査線ＧＡ1の選択
開始タイミングｔ1sから最後の走査線ＧＡmの選択終了
タイミングｔ1eまでの期間である。上述したように、こ
のデータ書込期間Ｔｗは、１走査線当たりの選択期間Ｔ
selと、選択対象となる走査線の本数ｍとの積で表すこ
とができる。個々のサブフィールドＳＦ1〜ＳＦ4は、互
いに表示期間が異なるものの、データ書込期間Ｔｗは同
一である（Ｔｗ＝|ｔ1e−ｔ1s|＝|ｔ2e−ｔ2s|＝|ｔ3e
−ｔ3s|＝|ｔ4e−ｔ4s|）。

【００２３】サブフィールドＳＦ1のデータ書込開始タ
イミングｔ1sにおいて、第１の走査線駆動部３ａは、第
１の走査線群ＧＡ1〜ＧＡmのうち、まず、最上の走査線
ＧＡ1を選択する。このタイミングｔ1sで、走査線ＧＡ1
の電位ＶGA1がＨレベル（ＦＥＴ２ａが導通状態になる
オン電位）に立ち上がり、所定の選択期間Ｔselだけこ
のレベルに維持される。走査線ＧＡ1の選択時におい
て、非選択の走査線ＧＡ2〜ＧＡmの電位ＶGA2〜ＶGAm
は、Ｌレベル（ＦＥＴ２ａが非導通状態になるオフ電
位）のままである。走査線ＧＡ1の選択によって、最上
の水平ライン上の複数の画素２が同時に選択され、これ
にゲート接続されているＦＥＴ２ａが同時に導通する。
一方、第１のデータ線駆動部４ａは、走査線ＧＡ1の選
択と同期して、この水平ライン上の複数の画素２に対す
る書込データを、第１のデータ線群ＳＡ1〜ＳＡnに出力
する。

【００２４】ここで、書込データは、後述するように、
サブフィールド駆動における階調パターンに対応した電
位であり、本実施形態では、書込データとして２値の電
位（液晶を駆動する高電位および液晶を駆動しない低電
位）を用いている。しかしながら、それ以上の多値（例
えば４つの電位）を書込データとして用いることも可能
である。

【００２５】書込データは、最上のゲート線ＧＡ1にゲ
ート接続された導通状態のＦＥＴ２ａを介して、後段の
画素キャパシタ２ｃと蓄積キャパシタ２ｄとに供給され
る。これにより、最上の水平ラインに関して、データ線
ＳＡの電位（画素電極側の電位）と対向電極側の電位と
の間に、書込データに応じた電位差が生じ、キャパシタ
２ｃ，２ｄが充放電される（データ書込み）。その後、
走査線ＧＡ1の選択期間Ｔselが経過すると、走査線ＧＡ
1の電位ＶGA1はＨレベルからＬレベルに立ち下がる。こ
れにより、走査線ＧＡ1にゲート接続されたＦＥＴ２ａ
が非導通になり、後段のキャパシタ２ｃ，２ｄに対する
充放電が停止する。キャパシタ２ｃ，２ｄに充電された
電荷は、データ書込開始タイミングｔ1sを始点として、
|ｔ2s−ｔ1s|相当の表示期間中保持され、その間液晶が
駆動される。なお、タイミングｔ1sからタイミングｔ2s
までの間、第２の走査線ＧＢ1の電位ＶGB1はＬレベルで
あり、これにゲート接続されている第２のＦＥＴ２ｂは
非導通状態になっている。したがって、第２のデータ線
ＳＢとキャパシタ２ｃ，２ｄとは電気的に分離されてい
る。

【００２６】つぎに、第１の走査線駆動部３ａは、サブ
フィールドＳＦ1における次の選択対象である走査線Ｇ
Ａ2を選択する。これにより、走査線ＧＡ2の電位ＶGA2
は、電位ＶGA1の立ち下がりと同期したタイミング（ｔ1
s＋ｔsel）で、Ｈレベルに立ち上がる（それ以外の電位
ＶGA1，ＶGA3〜ＶGAmはＬレベル）。そして、走査線Ｇ
Ａ2の電位ＶGA2は、選択期間ＴselだけＨレベルに維持
された後に、再びＬレベルに立ち下がる。走査線ＧＡ2
の選択期間Ｔselにおいて、走査線ＧＡ2に対応する水平
ラインのデータ書込みが行われる。この水平ラインに関
して、個々のキャパシタ２ｃ，２ｄに充電された電荷
は、タイミング（ｔ1s＋ｔsel）を始点として、|ｔ2s−
ｔ1s|相当の表示期間中保持され、その間液晶が駆動さ
れる。なお、走査線ＧＡ2の選択期間Ｔselにおいて、こ
の水平ラインに対応する第２のＦＥＴ２ｂは非導通状態
であるため、第２のデータ線ＳＢとキャパシタ２ｃ，２
ｄとは電気的に分離されている。

【００２７】これ以降の走査線ＧＡ3〜ＧＡmについても
同様であり、第１の走査線駆動部３ａと第１のデータ線
駆動部４ａとが互いに協働して、第１の走査線ＧＡの選
択・書込データの供給を行う。つまり、第１のデータ線
ＳＡより書込データが供給されるＦＥＴ２ａと第１の走
査線ＧＡとに着目すれば、データ書込プロセスは従来と
同様の線順次走査となる。そして、最後の選択対象であ
る走査線ＧＡmの電位ＶGAmが立ち下がるタイミングｔ1e
を以て、サブフィールドＳＦ1における一連のデータ書
込みが終了する。

【００２８】サブフィールドＳＦ1に続く次のサブフィ
ールドＳＦ2におけるデータ書込みは、データ書込期間
Ｔｗ（ｔ2s〜ｔ2e）において行われる。このサブフィー
ルドＳＦ2におけるゲート線群ＧＢ1〜ＧＢmの順次選択
は、第１の走査線駆動部３ａではなく、第２の走査線駆
動部３ｂによって行われる。また、選択された水平ライ
ン上の各画素２に対しては、第１のデータ線駆動部４ａ
ではなく、第２のデータ線駆動部４ｂによって、書込デ
ータが供給される。まず、サブフィールドＳＦ2におけ
るデータ書込の開始タイミングｔ2sにおいて、第２の走
査線駆動部３ｂは、第２の走査線群ＧＢ1〜ＧＢmのう
ち、最上の走査線ＧＢ1を選択する（ＶGB1＝Ｈレベ
ル）。

【００２９】ここで、この開始タイミングｔ2sは、直前
のサブフィールドＳＦ1におけるデータ書込みの終了タ
イミングｔ1eよりも前、本実施形態では、サブフィール
ドＳＦ1におけるデータ書込期間Ｔｗの略1/3に位置する
タイミングに設定されている。略1/3に設定する理由
は、１フレーム期間を従来と同等に設定しながら、階調
表示数を従来の倍にするためである。これにより、サブ
フィールドＳＦ1における走査線ＧＡの選択（それに伴
うデータ書込み）中に、サブフィールドＳＦ2における
走査線ＧＢの選択（それに伴うデータ書込み）が開始さ
れる。つまり、オーバーラップ期間Δｔ（＝2/3Ｔｗ）
において、両サブフィールドＳＦ1，ＳＦ2のデータ書込
みがオーバーラップする。

【００３０】なお、このオーバーラップ期間Δｔは、0
＜Δｔ≦2/3Ｔｗの範囲で任意に設定することが可能で
あるが、Δｔ＞2/3Ｔｗに設定することはできない。換
言すると、サブフィールドＳＦ2の開始タイミングｔ2s
を、サブフィールドＳＦ1におけるデータ書込期間Ｔｗ
の略1/3よりも前に設定することはできない。このよう
に設定してしまうと、サブフィールドＳＦ1と次々のサ
ブフィールドＳＦ3とのデータ書込みが同一の駆動回路
系により行われる関係上、サブフィールドＳＦ1，ＳＦ3
間におけるデータ書込みの独立性を確保できない。

【００３１】サブフィールドＳＦ1，ＳＦ2における双方
のデータ書込みは、ある期間Δｔ中、オーバーラップし
て行われるが、それぞれのサブフィールドＳＦ1，ＳＦ2
で使用される駆動系が異なり、かつ、選択対象となる水
平ラインも異なる。したがって、サブフィールドＳＦ
1，ＳＦ2におけるデータ書込みは、互いに干渉すること
なく独立して行われる。

【００３２】第２の走査線駆動部３ｂが第２の走査線Ｇ
Ｂ1を選択することによって、この走査線ＧＢ1にゲート
接続された複数のＦＥＴ２ｂが同時に導通する。一方、
第２のデータ線駆動部４ｂは、走査線ＧＢ1の選択と同
期して、最上ライン上の各画素２に対する書込データを
第２のデータ線群ＳＢ1〜ＳＢnに出力する。出力された
書込データは、ＦＥＴ２ｂが導通状態にある最上ライン
上の各画素２に供給される。この時点では、先のサブフ
ィールドＳＦ1によるデータ書込みが未だ継続されてい
る。しかしながら、サブフィールドＳＦ2の選択対象で
ある最上ラインの画素２に関しては、第１の走査線ＧＡ
1の電位ＶGA1がＬレベルになっているので、第１のデー
タ線群ＳＡ1〜ＳＡnと電気的に分離されている。したが
って、最上ラインのキャパシタ２ｃ，２ｄは、第２のデ
ータ線ＳＢの電位と対向電極側の電位との間の電位差の
みによって充放電される（第１のデータ線ＳＡ側の影響
は受けない）。その後、走査線ＧＢ1の選択期間Ｔselが
経過すると、走査線ＧＢ1にゲート接続されたＦＥＴ２
ｂが非導通になり、後段のキャパシタ２ｃ，２ｄに対す
る充放電が停止する。最上ラインに関して、キャパシタ
２ｃ，２ｄに充電された電荷は、タイミングｔ2sを始点
として、|ｔ3s−ｔ2s|相当の表示期間中保持され、この
間液晶が駆動される。

【００３３】つぎに、第２の走査線駆動部３ｂは、サブ
フィールドＳＦ2のデータ書込プロセスにおける次の選
択対象である走査線ＧＢ2を選択する。走査線ＧＢ2の電
位ＶGB2は、走査線ＧＢ1の電位ＶGB1の立ち下がりと同
期したタイミング（ｔ2s＋ｔsel）でＨレベルに立ち上
がる。そして、このレベルは、選択期間Ｔselだけ維持
された後に、再びＬレベルに立ち下がる。走査線ＧＢ2
の選択期間Ｔselにおいて、この走査線ＧＢ2に対応する
ラインに対するデータ書込みは、第１のデータ線群ＳＡ
1〜ＳＡn側の書込データの影響を受けることなく、第２
のデータ線群ＳＢ1〜ＳＢnを介して行われる。このデー
タ書込みによってキャパシタ２ｃ，２ｄに充電された電
荷は、タイミング（ｔ2s＋ｔsel）を始点として、|ｔ3s
−ｔ2s|相当の表示期間中保持され、その間液晶が駆動
される。

【００３４】これ以降の走査線ＧＢ3〜ＧＢmについても
同様であり、第２の走査線駆動部３ｂと第２のデータ線
駆動部４ｂとは互いに協働して、第２の走査線ＧＢの選
択・書込データの供給を行う。つまり、第２のデータ線
ＳＢより書込データが供給されるＦＥＴ２ｂと第２の走
査線ＧＢとに着目すれば、データ書込プロセスは従来と
同様の線順次走査となる。そして、最後の選択対象であ
る走査線ＧＢmの電位ＶGBmが立ち下がるタイミングｔ2e
を以て、２番目のサブフィールドＳＦ2における一連の
データ書込みが終了する。

【００３５】サブフィールドＳＦ2に続くサブフィール
ドＳＦ3のデータ書込みは、データ書込期間Ｔｗ（ｔ3s
〜ｔ3e）において行われる。このサブフィールドＳＦ3
におけるデータ書込みは、サブフィールドＳＦ1と同様
に、第１の走査線駆動部３ａと第１のデータ線駆動部４
ａとが協働して行う。サブフィールドＳＦ3において書
込まれたデータは、個々の水平ラインの選択タイミング
を始点として、|ｔ4s−ｔ3s|相当の表示期間中保持さ
れ、その間液晶が駆動される。なお、本実施形態におい
て、サブフィールドＳＦ3におけるデータ書込みの開始
タイミングｔ3sは、直前のサブフィールドＳＦ2におけ
るデータ書込みの終了タイミングｔ2eよりも後になって
いる。このようなケースでは、サブフィールドＳＦ3の
駆動系として駆動部対３ａ，３ｂを用いる必要は必ずし
もなく、直前のサブフィールドＳＦ2を担当した駆動部
対３ｂ，４ｂを用いてもよい（サブフィールドＳＦ4に
ついても同様）。

【００３６】最後のサブフィールドＳＦ4におけるデー
タ書込みは、データ書込期間Ｔｗ（ｔ4s〜ｔ4e）におい
て行われる。このサブフィールドＳＦ4におけるデータ
書込みは、サブフィールドＳＦ2と同様に、第２の走査
線駆動部３ｂと第２のデータ線駆動部４ｂとが協働して
行う。サブフィールドＳＦ4において書込まれたデータ
は、個々のラインの選択タイミングを始点として、|
（次のフレームのｔ1s）−ｔ4s|相当の表示期間中保持
され、その間液晶が駆動される。

【００３７】このように、１フレームを構成するサブフ
ィールドＳＦ1〜ＳＦ4でデータ書込みを繰り返すことに
より、１フレームに占める累積的な表示期間が決定さ
れ、多階調の画像データ相当の階調表示が実現される。

【００３８】図４および図５は、各表示階調における書
込データの出力タイミングチャートであり、図４は表示
階調０〜７、図５は表示階調８〜１５に関する。第１の
データ線ＳＡの電位ＶSAおよび第２のデータ線ＳＢの電
位ＶSBは、液晶を駆動する駆動電位（Ｈレベル）または
液晶を駆動させない非駆動電位（Ｌレベル）のいずれか
に設定される。画素２に対する書込データＶSA，ＶSBの
供給は、走査線ＧＡ，ＧＢの選択（ＶGA，ＶGB＝Ｈレベ
ル）と同期して行われる。この書込データに応じて、画
素２内のキャパシタ２ｃ，２ｄが充放電され、液晶の印
加電圧ＶLCDが設定される。上述したように、あるサブ
フィールドＳＦのデータ書込期間Ｔｗにおいて設定され
た印加電圧ＶLCDは、そのサブフィールドＳＦの表示期
間中維持されるので、この期間において液晶が駆動し続
ける。

【００３９】どのサブフィールドＳＦで印加電圧ＶLCD
をＨレベルにするかは、表示すべき階調Ｋ（Ｋ＝０〜１
５）に応じて決定される。ここで、４ビットで表現され
る階調Ｋを（[SF1]×２0＋[SF2]×２1
＋[SF3]×２2＋[SF4]×２3</SU
P>）で表す（[SF1]，[SF2]，[SF3]，[SF4]は０または
１）。印加電圧ＶLCDがＨレベルに設定される期間は、
係数[SF1]〜[SF4]が１となるサブフィールドＳＦの組合
せで決定される。この期間は、１フレーム全体に占める
累積的な表示期間に相当し、基本的に、階調が大きくな
るほど表示期間も長くなる（本実施形態では線形的な関
係になっている）。例えば、階調５を表示する場合、上
記係数[SF1]，[SF3]が１になるので、この係数に対応す
るサブフィールドＳＦ1，ＳＦ3で印加電圧ＶLCDをＨレ
ベルにする。これにより、階調５の表示期間は5/15フレ
ーム（＝1/15＋4/15）になる。また、階調１０を表示す
る場合、係数[SF2]，[SF4]が１になるので、サブフィー
ルドＳＦ2，ＳＦ4で印加電圧ＶLCDをＨレベルにする。
これにより、階調１０の表示期間は、階調５のそれの２
倍にあたる10/15フレーム（＝2/15＋8/15）になる。

【００４０】また、液晶に対する印加電圧ＶLCDの設定
は、第１のデータ線駆動部４ａと第２のデータ線駆動部
４ｂとが協働して行う。例えば、階調２のケースでは、
次のような制御が行われる。まず、最初のサブフィール
ドＳＦ1において、第１のデータ線駆動部４ａは、第１
のデータ線ＳＡの電位ＶSAをＬレベルにセットする。ま
た、第２のデータ線駆動部４ｂは、第２のデータ線ＳＢ
の電位ＶSBをＬレベルにセットする。サブフィールドＳ
Ｆ1では、第１の走査線駆動部３ａにより第１の走査線
ＧＡが選択される（第２の走査線ＧＢは非選択）。その
ため、第１の走査線ＧＡにゲート接続されたＦＥＴ２ａ
を介して、第１のデータ線ＳＡの電位ＶSA（Ｌレベル）
のみがキャパシタ２ｃ，２ｄに供給され、印加電圧ＶLC
DがＬレベルになる。設定された印加電圧ＶLCD（Ｌレベ
ル）は、サブフィールドＳＦ1の表示期間|ｔ2e−ｔ1s|
維持される。

【００４１】次のサブフィールドＳＦ2において、第１
のデータ線ＳＡの電位ＶSAはＬレベルのままであるが、
第２のデータ線ＳＢの電位ＶSBはＬレベルからＨレベル
に切り替る。サブフィールドＳＦ2における走査対象は
第２の走査線ＧＢである（第１の走査線ＧＡは非選
択）。したがって、第２の走査線ＧＢにゲート接続され
たＦＥＴ２ｂを介して、第２のデータ線ＳＢの電位ＶSB
（Ｈレベル）がキャパシタ２ｃ，２ｄに供給される。こ
れにより、印加電圧ＶLCDはＬレベルからＨレベルに切
り替り、サブフィールドＳＦ2の表示期間|ｔ3s−ｔ2s
|、Ｈレベルに維持される。

【００４２】次のサブフィールドＳＦ3では、先のサブ
フィールドＳＦ2と同様のレベル状態、すなわち、第１
のデータ線ＳＡの電位ＶSAがＬレベル、第２のデータ線
ＳＢの電位ＶSBがＨレベルにそれぞれ維持される。しか
しながら、サブフィールドＳＦ3における走査対象は第
２の走査線ＧＢから第１の走査線ＧＡに切り替るので、
第１のデータ線ＳＡの電位ＶSA（Ｌレベル）がキャパシ
タ２ｃ，２ｄに供給される。これにより、印加電圧ＶLC
DはＨレベルからＬレベルに再び切り替り、サブフィー
ルドＳＦ3の表示期間|4s−ｔ3s|、Ｌレベルに維持され
る。

【００４３】最後のサブフィールドＳＦ4では、第１の
データ線ＳＡの電位ＶSAはＬレベルに維持され、第２の
データ線ＳＢの電位ＶSBはＨレベルからＬレベルに切り
替る。サブフィールドＳＦ4における走査対象は第２の
走査線ＧＢなので、第２のデータ線ＳＢの電位ＶSB（Ｌ
レベル）がキャパシタ２ｃ，２ｄに供給され、サブフィ
ールドＳＦ4の表示期間|（次のフレームのｔ1s）−ｔ4s
|、印加電圧ＶLCDはＬレベルに維持される。

【００４４】以上のようなサブフィールド駆動を行うこ
とによって、階調２のケースでは、サブフィールドＳＦ
2の表示期間（2/15フレーム）で印加電圧ＶLCDがＨレベ
ルになるため、2/15フレーム相当の階調表示が行われ
る。

【００４５】本実施形態によれば、データ書込みに関す
る時間的制約が緩和されるので、従来のサブフィールド
駆動と比較して、表示パネル１の一層の高解像度化・多
階調化が可能になる。この点を図６および図７を参照し
ながら説明する。

【００４６】図６は、従来のサブフィールド駆動の説明
図である。上述したように、トランジスタの特性に起因
して、１水平ライン当たりの選択時間Ｔselの短縮化に
は限界がある。この限界を水平ライン−時間平面上の直
線として、直線Ｌmin（傾きαmin）で示し、これよりも
傾き（絶対値）が大きくなると有効なデータ書込みが困
難になる。水平ライン本数がｍ本の場合、データ書込期
間Ｔｗの最短値は、直線Ｌminとライン本数ｍとの積よ
りＴｗminになる。ライン本数がｍ本からのｍ’本に増
えると、データ書込期間の最短値もＴｗminからＴｗmi
n'に長くなる。サブフィールド駆動を１系統の駆動系で
行う場合、その回路構成上、複数のデータ書込みを同時
に独立して行うことはできない。換言すれば、サブフィ
ールドＳＦ1（またはＳＦ1'）におけるデータ書込みの
終了タイミングｔ1e（またはｔ1e'）と同期して、また
はそれ以降でなければ、次のサブフィールドＳＦ2（ま
たはＳＦ2'）におけるデータ書込みの開始タイミングｔ
2s（またはｔ2s'）を設定できないという制約がある。
したがって、データ書込期間の最短値がＴｗminからＴ
ｗmin'に長くなると、それに起因して、サブフィールド
ＳＦ1'の表示期間もＴsf1からＴsf1'に長くなってしま
う。その結果、ライン本数がｍ’本になった場合、フレ
ーム周波数を変えることなく、同一階調（換言すれば、
同一のサブフィールドの個数）を確保することが困難に
なる。

【００４７】図７は、本実施形態に係るサブフィールド
駆動の説明図である。本実施形態では、フレーム周波数
を変えることなく、従来のサブフィールドＳＦ1と同等
の表示期間Tsf1で、ライン本数がｍ’本のサブフィール
ド駆動を実現できる。なぜなら、各サブフィールドＳＦ
1，ＳＦ2におけるデータ書込みを、複数の駆動系を用い
ることにより、オーバーラップして行えるからである。
そのため、サブフィールドＳＦ1におけるデータ書込み
の終了タイミングｔ1eよりも前に、次のサブフィールド
ＳＦ2におけるデータ書込みの開始タイミングｔ2sを設
定することが可能になる。つまり、データ書込期間はＴ
ｗmin'（選択期間Ｔsel×ライン本数ｍ'）としながら、
最短サブフィールドＳＦ1の表示期間をＴsf1（ライン本
数ｍ相当）に収めることができる。このように、本実施
形態に係るサブフィールド駆動では、データ書込期間に
拘わらず、最短サブフィールドＳＦ1の表示期間を図６
のＴsf1'よりも短く設定できるので、表示パネル１の一
層の高解像度化に対応可能となる。

【００４８】また、本実施形態によれば、従来のサブフ
ィールド駆動と比較して、表示パネル１の一層の多階調
化が可能になる。すなわち、図３に示したように、最短
サブフィールドＳＦ1におけるデータ書込期間Ｔｗの略1
/3で、別系統の駆動系を用いて、次のサブフィールドＳ
Ｆ2におけるデータ書込みを開始している。このこと
は、最短サブフィールドＳＦ1の表示期間Ｔsfを従来の
表示期間Ｔsf'の約1/3としながら、その略２倍のデータ
書込期間Ｔｗminを確保することを意味する。その結
果、画素２に対する有効なデータ書込みを行いながら、
従来の２倍の階調表現を実現することが可能になる。

【００４９】また、本実施形態により高解像度かつ多階
調な表示パネル１を有する電気光学装置を、例えば、携
帯電話、携帯端末、パーソナルコンピュータ等の電子機
器に適用すれば、電子機器の付加価値を高めることがで
きる。その結果、市場における電子機器の商品訴求力の
向上を図ることができる。

【００５０】また、上述した実施形態では、表示パネル
１の二辺に駆動回路系を配置し、走査線駆動回路３の一
部として２つの走査線駆動部３ａ，３ｂを実現し、デー
タ線駆動回路４の一部としてデータ線駆動部４ａ，４ｂ
を実現している。しかしながら、本発明は、このような
配置例に限定されるものではなく、例えば、図８に示す
ように、表示パネル１の四辺に駆動回路系を配置しても
よい。同図の構成例では、第１の走査線駆動部３ａと同
等に機能する第１の走査線駆動回路３１と、第２の走査
線駆動部３ｂと同等に機能する第２の走査線駆動回路３
２とが表示パネル１の左右に設けられている。また、第
１のデータ線駆動部４ａと同等に機能する第１のデータ
線駆動回路４１と、第２のデータ線駆動部４ｂと同等に
機能する第２のデータ線駆動回路４２とが表示パネル１
の上下に設けられている。なお、また、図１および図８
において、低温ポリシリコンＴＦＴ等よりなる駆動回路
系を表示パネル１と一体形成すれば、電気光学装置の製
造コストの上昇を抑制することができる。

【００５１】また、上述した実施形態では、１フレーム
を互いに表示期間の異なる複数のサブフィールドに分割
したサブフィールド駆動への適用例について説明した。
しかしながら、本発明は、これに限定されるものではな
く、等間隔サブフィールド駆動に対しても同様に適用で
きるのは当然である。等間隔サブフィールド駆動では、
１フレームを表示期間が同一である複数のサブフィール
ドに分割し、基本的に、表示階調数に応じた個数のサブ
フィールドを駆動する。この場合も、複数の駆動系を用
いることで、データ書込みの時間的制約が緩和され、個
々のサブフィールドの表示期間を短縮できるので、表示
パネル１の高解像度化・多階調化を図ることが可能にな
る。

【００５２】なお、間隔相違型サブフィールド駆動また
は等間隔サブフィールド駆動のどちらであっても、駆動
系が２系統の場合には、最短サブフィールドＳＦ1の表
示期間Ｔsf1を、理論的には、データ書込期間Ｔｗの略1
/3まで短縮することが可能である。これを1/3に設定す
ることによって、従来と同等の１フレーム期間で、従来
の倍の表示階調数を確保できる。なお、駆動系を３系統
以上用いれば、最短サブフィールドＳＦ1の表示期間を
データ書込期間Ｔｗの略1/3よりも更に短縮することが
可能になる。

【００５３】さらに、上述した実施形態では、電気光学
素子として液晶（ＬＣ）素子を例に説明した。しかしな
がら、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を含めた様
々な電気光学素子に広く適用可能である。図９は、有機
ＥＬ素子を用いた画素２の等価回路図である。この構成
は、キャパシタ２０ｃ、駆動用ＦＥＴ２０ｄ、有機ＥＬ
素子２０ｅにデータ書込用ＦＥＴ２０ａを加えた一般的
な構成をベースに、ＦＥＴ２０ａと並列にＦＥＴ２０ｂ
を追加した点に特徴がある。図２の構成と同様に、デー
タ書込用のＦＥＴ２０ａ，２０ｂを択一的に導通し、サ
ブフィールドＳＦ毎に書込データを供給して、有機ＥＬ
素子２０ｅのサブフィールド駆動を行う。

【００５４】

【発明の効果】このように、本発明では、走査線群、デ
ータ線群、画素毎に１つのスイッチング素子、および駆
動回路対からなる駆動系を複数設け、これらの駆動系を
用いて、各サブフィールドにおけるデータ書込みを行
う。これにより、データ書込みに関する時間的制約が緩
和され、画素に対して有効なデータ書込みを行い得る選
択期間を確保することができる。そして、あるサブフィ
ールドにおけるデータ書込みが終了するより前に、次の
サブフィールドにおけるデータ書込みを開始すれば、最
短サブフィールドの表示期間を短縮でき、表示パネルの
一層の高解像度化・多階調化を図ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】電気光学装置のブロック構成図。

【図２】液晶を用いた画素の等価回路図。

【図３】走査線駆動回路より出力される走査信号のタイ
ミングチャート。

【図４】階調０〜７における書込データの出力タイミン
グチャート。

【図５】階調０〜１５における書込データの出力タイミ
ングチャート。

【図６】従来のサブフィールド駆動の説明図。

【図７】本実施形態に係るサブフィールド駆動の説明
図。

【図８】駆動回路系の配置説明図。

【図９】有機ＥＬを用いた画素の等価回路図。

【符号の説明】

１表示パネル２画素２ａ，２ｂＦＥＴ２ｃ画素キャパシタ２ｄ蓄積キャパシタ３走査線駆動回路３ａ第１の走査線駆動部３ｂ第２の走査線駆動部４データ線駆動回路４ａ第１のデータ線駆動部４ｂ第２のデータ線駆動部５信号制御部３１，３２走査線駆動回路４１，４２データ線駆動回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２４Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２４Ｂ６４１６４１ＥＦターム(参考） 2H093 NA16 NA43 NA47 NA55 NA58 NB21 NC09 NC34 NC40 NC67 ND06 ND20 ND46 ND48 ND52 ND55 ND60 5C006 AA01 AA14 AA15 AA22 AC11 AF44 AF83 BB16 BC03 BC06 BC12 BC20 FA12 FA16 FA43 FA45 FA56 5C080 AA06 AA10 BB05 DD07 DD08 DD23 DD27 EE17 EE29 FF11 GG08 HH09 JJ02 JJ03 JJ04 KK02 KK07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１フレームを複数のサブフィールドに分割
し、表示すべき階調に応じた前記サブフィールドの組み
合わせによって、電気光学素子を駆動する電気光学装置
において、複数の第１のデータ線および複数の第２のデータ線と、複数の第１の走査線および複数の第２の走査線と、複数の画素がマトリクス状に並んでおり、前記画素のそ
れぞれは、第１のスイッチング素子と第２のスイッチン
グ素子と電気光学素子とを有し、前記第１のスイッチン
グ素子は、いずれかの前記第１の走査線といずれかの前
記第１のデータ線とに接続されており、前記第１の走査
線の走査信号に応じて導通し、前記第２のスイッチング
素子は、いずれかの前記第２の走査線といずれかの前記
第２のデータ線とに接続されており、前記第２の走査線
の走査信号に応じて導通する表示パネルと、第１のサブフィールドにおけるデータ書込期間におい
て、前記第１の走査線に走査信号を出力することによ
り、前記第１の走査線を順次選択する第１の走査線駆動
部と、前記第１の走査線駆動部と協働するとともに、前記第１
のサブフィールドにおける前記データ書込期間におい
て、前記第１のデータ線を介して、前記電気光学素子に
書込データを供給する第１のデータ線駆動部と、前記第１のサブフィールドに続く第２のサブフィールド
におけるデータ書込期間において、前記第２の走査線に
走査信号を出力することにより、前記第２の走査線を順
次選択する第２の走査線駆動部と、前記第２の走査線駆動部と協働するとともに、前記第２
のサブフィールドにおける前記データ書込期間におい
て、前記第２のデータ線を介して、前記電気光学素子に
書込データを供給する第２のデータ線駆動部とを有する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】前記第２の走査線駆動部は、前記第１のサ
ブフィールドにおける前記データ書込の終了タイミング
よりも前に、前記第２の走査線の選択を開始することを
特徴とする請求項１に記載された電気光学装置。
【請求項３】前記１フレームは、表示期間が互いに異な
る複数のサブフィールドに分割されており、前記第１のサブフィールドは、表示期間が最も短いサブ
フィールドであり、前記第２のサブフィールドは、前記第１のサブフィール
ドよりも表示期間が長いサブフィールドであることを特
徴とする請求項１または２に記載された電気光学装置。
【請求項４】前記１フレームは、等間隔のサブフィール
ドに分割されており、前記第１のサブフィールドの表示期間と前記第２のサブ
フィールドの表示期間とは同一であることを特徴とする
請求項１または２に記載された電気光学装置。
【請求項５】前記第２の走査線駆動部は、前記第１のサ
ブフィールドにおける前記データ書込期間の略1/3のタ
イミングで、前記第２の走査線の選択を開始することを
特徴とする請求項１から４のいずれかに記載された電気
光学装置。
【請求項６】請求項１から５のいずれかに記載された前
記電気光学装置を有する電子機器。
【請求項７】１フレームを複数のサブフィールドに分割
し、表示すべき階調に応じた前記サブフィールドの組み
合わせによって、電気光学素子を駆動する電気光学装置
の駆動方法において、複数の画素がマトリクス状に並んでおり、前記画素のそ
れぞれは、第１のスイッチング素子と第２のスイッチン
グ素子と電気光学素子とを有し、前記第１のスイッチン
グ素子は、複数の第１のデータ線のいずれかと複数の第
１の走査線のいずれかとに接続されており、前記第２の
スイッチング素子は、複数の第２の走査線のいずれかと
複数の第２のデータ線のいずれかとに接続されている表
示パネルに関して、第１のサブフィールドにおけるデー
タ書込期間において、前記第１の走査線を順次選択し、
当該選択した第１の走査線に接続されている前記第１の
スイッチング素子を導通するとともに、当該導通させた
第１のスイッチング素子に対応する前記電気光学素子に
対して、前記第１のデータ線を介して、書込データを供
給する第１のステップと、前記第１のサブフィールドに続く第２のサブフィールド
におけるデータ書込期間において、前記第２の走査線を
順次選択し、当該選択した第２の走査線に接続されてい
る前記第２のスイッチング素子を導通するとともに、当
該導通させた第２のスイッチング素子に対応する前記電
気光学素子に対して、前記第２のデータ線を介して、書
込データを供給する第２のステップとを有し、、前記第
２のサブフィールドにおける前記データ書込みの開始タ
イミングは、前記第１のサブフィールドにおける前記デ
ータ書込みの終了タイミングよりも前であることを特徴
とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項８】前記第２のステップにおいて、前記第２の
サブフィールドにおける前記データ書込みの開始タイミ
ングは、前記第１のサブフィールドにおけるデータ書込
期間の略1/3のタイミングであることを特徴とする請求
項７に記載された電気光学装置の駆動方法。