JP2011528863A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. フィン型半導体デバイスのためのトレンチ分離方法であって、
   ギャップ（３２２）によって隔てられている第１の伝導性フィンセット（３１４）及び第２の伝導性フィンセット（３１６）をバルク半導体基板（３０２）から形成することと、
   前記第１の伝導性フィンセット（３１４）、前記第２の伝導性フィンセット（３１６）、及び前記バルク半導体基板（３０２）を覆う酸化物材質（３２４）であって、前記酸化物材質（３２４）の対向する側壁（３２８）によって画定される凹部（３２６）を前記ギャップ（３２２）に対応して形成する酸化物材質（３２４）を堆積させることと、
   前記対向する側壁（３２８）に対して自己位置合わせされるトレンチ（３３６）を形成するために前記凹部（３２６）を前記バルク半導体基板（３０２）内にまで深くすることと、
   前記トレンチ（３３６）を誘電体材質（３４０）で埋めることとを備えた方法。
2. 請求項１の方法であって、前記第１の伝導性フィンセット（３１４）及び前記第２の伝導性フィンセット（３１６）を形成するステップは、前記第１の伝導性フィンセット（３１４）における複数の伝導性フィン（３０４，３０６）及び前記第２の伝導性フィンセット（３１６）における複数の伝導性フィン（３０８，３１０）を形成する方法。
3. 請求項２の方法であって、前記第１の伝導性フィンセット（３１４）及び前記第２の伝導性フィンセット（３１６）を形成するステップは、指定されたフィンピッチ（３２０）に従って且つ前記ギャップ（３２２）が前記指定されたフィンピッチ（３２０）よりも大きな距離により前記第１の伝導性フィンセット（３１４）を前記第２の伝導性フィンセット（３１６）から隔てるように、前記第１の伝導性フィンセット（３１４）における前記複数の伝導性フィン（３０４，３０６）及び前記第２の伝導性フィンセット（３１６）における前記複数の伝導性フィン（３０８，３１０）を形成する方法。
4. 請求項１の方法であって、前記トレンチ（３３６）を埋めることは、前記バルク半導体基板（３０２）を覆い、前記第１の伝導性フィンセット（３１４）を覆い、且つ前記第２の伝導性フィンセット（３１６）を覆うように前記トレンチ（３３６）内に酸化物（３４０）を堆積させることを備えている方法。
5. 請求項４の方法であって、前記酸化物（３４０）を前記第１の伝導性フィンセット（３１４）及び前記第２の伝導性フィンセット（３１６）の高さまで研磨することを更に備えた方法。
6. 請求項５の方法であって、前記第１の伝導性フィンセット（３１４）の一部のみを露出させ且つ前記第２の伝導性フィンセット（３１６）の一部のみを露出させるために前記酸化物（３４０）をエッチングすることを更に備えた方法。
7. 半導体デバイス構造（３００）を製造する方法であって、
   バルク半導体材質（３０２）、前記バルク半導体材質（３０２）から形成される第１の伝導性フィン構造（３０６）、及び前記第１の伝導性フィン構造（３０６）からギャップ（３２２）によって隔てられ前記バルク半導体材質（３０２）から形成される第２の伝導性フィン構造（３０８）を備えている基板を提供することと、
   前記ギャップ（３２２）内であって且つ前記第１の伝導性フィン構造（３０６）及び前記第２の伝導性フィン構造（３０８）に隣接してスペーサ（３３２，３３４）を形成することと、
   前記スペーサ（３３２，３３４）をエッチングマスクとして用いて前記バルク半導体材質（３０２）をエッチングして前記バルク半導体材質（３０２）内に分離トレンチ（３３６）を形成することと、
   前記スペーサ（３３２，３３４）を覆い、前記第１の伝導性フィン構造（３０６）を覆い、且つ前記第２の伝導性フィン構造（３０８）を覆うように前記分離トレンチ（３３６）内に誘電体材質（３４０）を形成することと、
   前記分離トレンチ（３３６）内の前記誘電体材質（３４０）を保ちながら前記誘電体材質（３４０）の少なくとも一部分及び前記スペーサ（３３２，３３４）の少なくとも一部分をエッチングして前記第１の伝導性フィン構造の上部（３４２）及び前記第２の伝導性フィン構造（３０８）の上部（３４２）を露出させることとを備えた方法。
8. 請求項７の方法であって、前記スペーサ（３３２，３３４）を形成することは、
   記第１の伝導性フィン構造（３０６）、前記第２の伝導性フィン構造（３０８）、及び前記バルク半導体材質（３０２）を覆う酸化物材質（３２４）であって、前記ギャップ（３２２）に対応する凹部（３２６）を形成する酸化物材質（３２４）を堆積させることと、
   前記凹部（３２６）が前記バルク半導体材質（３０２）まで拡張するように前記酸化物材質（３２４）を異方性エッチングすることとを備えている方法。
9. 請求項７の方法であって、前記誘電体材質（３４０）の少なくとも一部分及び前記スペーサ（３３２，３３４）の少なくとも一部分をエッチングする前に、前記誘電体材質（３４０）を前記第１の伝導性フィン構造（３０６）及び前記第２の伝導性フィン構造（３０８）の高さまで研磨することを更に備えた方法。
10. 請求項７の方法であって、
    前記第１の伝導性フィン構造（３０６）を含む第１のデバイス構造の製造を完了することと、
    前記第２の伝導性フィン構造（３０８）を含む第２のデバイス構造の製造を完了することとを更に備え、
    前記分離トレンチ（３３６）内の前記誘電体材質（３４０）は前記第１のデバイス構造を前記第２のデバイス構造から電気的に分離する方法。