JP2011176296A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の電圧が入力され、前記第１の電圧を整流することにより第２の電圧を生成し、生成した前記第２の電圧を出力する整流回路と、
   保護回路と、を具備し、
   前記保護回路は、制御信号生成回路と、電圧制御回路と、を備え、
   前記制御信号生成回路は、第１のトランジスタと、抵抗素子と、
   前記第２の電圧を分圧し、分圧した電圧を用いて前記第３の電圧を生成し、生成した前記第３の電圧を前記第１のトランジスタのゲートに出力する分圧回路を備え、
   前記電圧制御回路は、
   ゲートに制御信号として前記第３の電圧が入力され、前記第３の電圧に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、前記第１の電圧の値をソース及びドレインの間に流れる電流量に応じて変化させるか否かを制御する第２のトランジスタを含み、
   前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記抵抗素子及び前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有するシリコンを有し、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層のバンドギャップは、２ｅＶ以上である半導体装置。
2. 搬送波を受信することにより第１の電圧を生成し、生成した前記第１の電圧を出力するアンテナ回路と、
   前記第１の電圧が入力され、前記第１の電圧を整流することにより第２の電圧を生成し、生成した前記第２の電圧を出力する整流回路と、
   保護回路と、
   前記第２の電圧に応じて電源電圧を生成する電源電圧生成回路と、を具備し、
   前記保護回路は、制御信号生成回路と、電圧制御回路と、を備え、
   前記制御信号生成回路は、第１のトランジスタと、抵抗素子と、
   前記第２の電圧を分圧し、分圧した電圧を用いて前記第３の電圧を生成し、生成した前記第３の電圧を前記第１のトランジスタのゲートに出力する分圧回路を備え、
   前記電圧制御回路は、
   ゲートに制御信号として前記第３の電圧が入力され、前記第３の電圧に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、前記第１の電圧の値をソース及びドレインの間に流れる電流量に応じて変化させるか否かを制御する第２のトランジスタを含み、
   前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記抵抗素子及び前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有するシリコンを有し、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層のバンドギャップは、２ｅＶ以上である半導体装置。
3. 搬送波を受信することにより第１の電圧を生成し、生成した前記第１の電圧を出力するアンテナ回路と、
   前記第１の電圧が入力され、前記第１の電圧を整流することにより第２の電圧を生成し、生成した前記第２の電圧を出力する整流回路と、
   保護回路と、
   前記第２の電圧に応じて電源電圧を生成する電源電圧生成回路と、
   受信した前記搬送波を復調し、データ信号を抽出する復調回路と、
   前記データ信号及び前記電源電圧が入力されることにより前記データ信号に基づく処理を実行する機能回路と、
   前記機能回路から応答信号が入力されたとき、前記応答信号に応じて送信する搬送波を変調する変調回路と、を具備し、
   前記保護回路は、
   制御信号生成回路と、
   電圧制御回路と、を備え、
   前記制御信号生成回路は、第１のトランジスタと、抵抗素子と、
   前記第２の電圧を分圧し、分圧した電圧を用いて前記第３の電圧を生成し、生成した前記第３の電圧を前記第１のトランジスタのゲートに出力する分圧回路を備え、
   前記電圧制御回路は、ゲートに制御信号として前記第３の電圧が入力され、前記第３の電圧に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、前記第１の電圧の値をソース及びドレインの間に流れる電流量に応じて変化させるか否かを制御する第２のトランジスタを含み、
   前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記抵抗素子及び前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有するシリコンを有し、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層のバンドギャップは、２ｅＶ以上である半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記酸化物半導体層のキャリア濃度は、１×１０^１４／ｃｍ^３未満である半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、Ｃ軸が表面に対して垂直方向に沿うように配向された結晶領域を有する半導体装置。