JP2011205882A5 - 半導体装置及び無線通信装置 - Google Patents

Claims (8)

1. 整流回路を有し、
   前記整流回路は、
   トランジスタと、入力端子と、キャパシタと、出力端子と、を有し、
   前記入力端子に、前記トランジスタのゲートと前記トランジスタのソース又はドレインの一方とが電気的に接続され、
   前記出力端子に、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの電極の一方とが電気的に接続され、
   前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、
   前記酸化物半導体中のキャリア密度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満であることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記トランジスタは、
   室温において、ソース−ドレイン電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下であることを特徴とする半導体装置。
3. 整流回路を有し、
   前記整流回路は、
   第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、入力端子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、出力端子と、を有し、
   前記入力端子に、前記第１のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、
   前記第１のキャパシタの第２の電極に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方とが電気的に接続され、
   前記出力端子に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２のキャパシタの第１の電極とが電気的に接続され、
   前記第２のキャパシタの第２の電極に、前記第２のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方とが電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、酸化物半導体を有し、
   前記酸化物半導体中のキャリア密度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、
   室温において、ソース−ドレイン電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下であることを特徴とする半導体装置。
5. アンテナと、
   整流回路と、を有し、
   前記整流回路は、
   トランジスタと、入力端子と、キャパシタと、出力端子と、を有し、
   前記入力端子に、前記トランジスタのゲートと前記トランジスタのソース又はドレインの一方とが電気的に接続され、
   前記出力端子に、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの電極の一方とが電気的に接続され、
   前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、
   前記酸化物半導体中のキャリア密度が１×１０ ^１４ ／ｃｍ ^３ 未満であり、
   前記アンテナが受信した交流信号が前記入力端子に入力されることを特徴とする無線通信装置。
6. 請求項５において、
   前記トランジスタは、
   室温において、ソース−ドレイン電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下であることを特徴とする無線通信装置。
7. アンテナと、
   整流回路と、を有し、
   前記整流回路は、
   第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、入力端子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、出力端子と、を有し、
   前記入力端子に、前記第１のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、
   前記第１のキャパシタの第２の電極に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方とが電気的に接続され、
   前記出力端子に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２のキャパシタの第１の電極とが電気的に接続され、
   前記第２のキャパシタの第２の電極に、前記第２のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方とが電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、酸化物半導体を有し、
   前記酸化物半導体中のキャリア密度が１×１０ ^１４ ／ｃｍ ^３ 未満であり、
   前記アンテナが受信した交流信号が前記入力端子に入力されることを特徴とする無線通信装置。
8. 請求項７において、
   前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、
   室温において、ソース−ドレイン電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下であることを特徴とする無線通信装置。