JP2012257447A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 電圧変換回路と、
   分圧回路及び保護回路を有する制御回路と、
   を有し、
   前記保護回路は、温度が上昇するとオフ電流が増大する第１のトランジスタと、前記オフ電流を電荷として蓄積する容量素子と、第２のトランジスタと、非反転入力端子に参照電圧が入力されるオペアンプとを有し、
   前記第１のトランジスタはチャネルに第１の酸化物半導体膜を有し、
   前記第２のトランジスタはチャネルに第２の酸化物半導体膜を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は入力電圧が入力され、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子の一方の端子、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方、前記オペアンプの反転入力端子に電気的に接続されており、
   前記第１のトランジスタは、前記電圧変換回路又は前記制御回路の発熱する素子の近傍に配置されることを特徴とする半導体集積回路。
2. 請求項１において、
   前記制御回路は、バイアス発生回路、参照電圧発生回路、バンドギャップリファレンス、及び電圧レギュレータ回路を有することを特徴とする半導体集積回路。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記電圧変換回路は、ＤＣ−ＤＣコンバータであることを特徴とする半導体集積回路。
4. 請求項１又は請求項２において、
   前記電圧変換回路は、ＡＣ−ＤＣコンバータであることを特徴とする半導体集積回路。