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  1. 第１の電極と、
    酸化物半導体層と、
    第２の電極と、
    前記第１の電極、前記酸化物半導体層、及び前記第２の電極を覆うゲート絶縁層と、
    ゲート絶縁層に接して設けられ、前記第１の電極、前記酸化物半導体層、及び前記第２の電極を介して対向する複数の第３の電極と、を有し、
    前記第３の電極は、前記第１の電極または前記第２の電極の一方と接続され、
    前記第１の電極または前記第２の電極のうち、前記第３の電極と接続された電極の仕事関数φｍｄと、前記第１の電極または前記第２の電極のうち、前記第３の電極と接続されていない電極の仕事関数φｍｓと、前記酸化物半導体層の電子親和力χが、χはφｍｓ以上かつφｍｄ未満となるように構成され、
    前記第１の電極と前記酸化物半導体層の接触面積と、前記第２の電極と前記酸化物半導体層の接触面積が異なることを特徴とする非線形素子。
  2. 請求項１において、
    前記仕事関数φｍｄを有する電極の材料は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ベリリウム（Ｂｅ）、または酸化インジウム錫（ＩＴＯ）から選ばれた元素を含むことを特徴とする非線形素子。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記仕事関数φｍｓを有する電極の材料は、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、またはタンタル（Ｔａ）から選ばれた元素を含むことを特徴とする非線形素子。
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