JP2010135693A - 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光半導体装置1Aにおいて、第1主面M1と、その反対面である第2主面M2と、第2主面M2上に形成された第1電極7a及び第2電極7bとを有する発光層2と、第1主面M1上に設けられた蛍光層4と、蛍光層4上に設けられ透光性を有する無機物からなる透光層5と、第1電極7aに設けられた第1金属ポスト8aと、第2電極7bに設けられた第2金属ポスト8bと、第2主面M2上に設けられ第1金属ポスト8a及び第2金属ポスト8bを各々の端部を露出させて封止する封止層10と、露出した第1金属ポスト8aの端部に設けられた第1金属層11aと、露出した第2金属ポスト8bの端部に設けられた第2金属層11bとを備える。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施の形態について図1及び図2を参照して説明する。
本発明の第2の実施の形態について図3を参照して説明する。本発明の第2の実施の形態では、第1の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第2の実施の形態においては、第1の実施の形態で説明した部分と同一部分を同一符号で付し、その説明を省略する。
本発明の第3の実施の形態について図4及び図5を参照して説明する。本発明の第3の実施の形態では、第1の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第3の実施の形態においては、第1の実施の形態で説明した部分と同一部分を同一符号で付し、その説明を省略する。
本発明の第4の実施の形態について図6を参照して説明する。本発明の第4の実施の形態では、第1の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第4の実施の形態においては、第1の実施の形態で説明した部分と同一部分を同一符号で付し、その説明を省略する。
本発明の第5の実施の形態について図7を参照して説明する。本発明の第5の実施の形態では、第1の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第5の実施の形態においては、第1の実施の形態で説明した部分と同一部分を同一符号で付し、その説明を省略する。
本発明の第6の実施の形態について図8ないし図19を参照して説明する。本発明の第6の実施の形態では、第1の実施の形態に係る光半導体装置1Aの製造方法について説明する。なお、この製造方法は、第3の実施の形態に係る光半導体装置1Cの製造方法にも適用される。第6の実施の形態においては、第1の実施の形態で説明した部分と同一部分を同一符号で付し、その説明を省略する。
本発明の第7の実施の形態について図20ないし図23を参照して説明する。本発明の第7の実施の形態では、第2の実施の形態に係る光半導体装置1Bの製造方法について説明する。なお、第7の実施の形態においては、第2の実施の形態で説明した部分と同一部分を同一符号で付し、その説明を省略する。
本発明の第8の実施の形態について図24ないし図27を参照して説明する。本発明の第8の実施の形態では、第4の実施の形態に係る光半導体装置1Dの製造方法について説明する。なお、この製造方法は、第5の実施の形態に係る光半導体装置1Eの製造方法にも適用される。第8の実施の形態においては、第4の実施の形態で説明した部分と同一部分を同一符号で付し、その説明を省略する。
なお、本発明は、前述の実施の形態に限るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。例えば、前述の実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。また、前述の実施の形態においては、各種の数値を挙げているが、それらの数値は例示であり、限定されるものではない。
Claims (7)
- 第1主面と、前記第1主面の反対面である第2主面と、前記第2主面上に形成された第1電極及び第2電極とを有する発光層と、
前記第1主面上に設けられ、蛍光体粒子を含有する蛍光層と、
前記蛍光層上に設けられ、透光性を有する無機物の透光層と、
前記第1電極に設けられた第1金属ポストと、
前記第2電極に設けられた第2金属ポストと、
前記第2主面上に設けられ、前記第1金属ポストの端部及び前記第2金属ポストの端部を露出させて前記第1金属ポスト及び前記第2金属ポストを封止する封止層と、
露出した前記第1金属ポストの端部に設けられた第1金属層と、
露出した前記第2金属ポストの端部に設けられた第2金属層と、
を備えることを特徴とする光半導体装置。 - 前記蛍光層は、少なくとも組成の異なる2種類の蛍光体粒子を含有していることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記蛍光層は、少なくとも組成の異なる2種類の蛍光層が積層されて形成されていることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記第1金属層及び前記第2金属層ははんだバンプであることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 発光層の第1の主面側にこの発光層を励起する電流を印加するための複数の正極及び負極の組を形成し、発光基材を製造する工程と、
透光性を有する無機膜表面に、蛍光体粒子が分散した樹脂によって蛍光層を形成し、蛍光基材を製造する工程と、
前記発光層の前記第1の主面とは反対側の第2の主面側に、前記蛍光基材を前記蛍光層を対向させて接着する工程と、
前記正極及び負極の組ごとに個片化を行う工程と、
を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 第1主面と、前記第1主面の反対面である第2主面と、前記第2主面上に形成された第1電極及び第2電極とを有する複数の発光層を基板上に形成する工程と、
前記複数の発光層を形成した前記基板上に、前記複数の発光層を覆う導電性膜を形成する工程と、
前記導電性膜上に、前記発光層毎の前記第1電極及び前記第2電極上を開口する犠牲層を形成する工程と、
前記導電性膜を陰極として電気メッキ法により前記発光層毎の前記第1電極及び前記第2電極上にメッキ層を形成する工程と、
前記メッキ層を形成した前記基板から前記犠牲層及び前記導電性膜を除去する工程と、
前記犠牲層及び前記導電性膜を除去した前記基板上に、前記発光層毎の前記メッキ層を封止する封止層を形成する工程と、
前記封止層から前記発光層毎の前記メッキ層の端部を露出させる工程と、
透光性を有する無機物の透光基材上に、蛍光体粒子を含有する蛍光層を形成する工程と、
前記蛍光層を形成した前記透光基材を前記複数の発光層に前記蛍光層を対向させて接合する工程と、
露出した前記発光層毎の前記メッキ層の端部に金属層を形成する工程と、
前記発光層毎に個片化を行う工程と、
を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 第1主面と、前記第1主面の反対面である第2主面と、前記第2主面上に形成された第1電極及び第2電極とを有する複数の発光層を基板上に形成する工程と、
前記複数の発光層を形成した前記基板上に、前記複数の発光層を覆う導電性膜を形成する工程と、
前記導電性膜上に、前記発光層毎の前記第1電極及び前記第2電極上を開口する犠牲層を形成する工程と、
前記導電性膜を陰極として電気メッキ法により前記発光層毎の前記第1電極及び前記第2電極上にメッキ層を形成する工程と、
前記メッキ層を形成した前記基板から前記犠牲層及び前記導電性膜を除去する工程と、
前記犠牲層及び前記導電性膜を除去した前記基板上に、前記発光層毎の前記メッキ層を封止する封止層を形成する工程と、
前記封止層から前記発光層毎の前記メッキ層の端部を露出させる工程と、
前記複数の発光層上に、蛍光体粒子を含有する蛍光層を形成する工程と、
前記蛍光層上に、透光性を有する無機物の透光層を形成する工程と、
露出した前記発光層毎の前記メッキ層の端部に金属層を形成する工程と、
前記発光層毎に個片化を行う工程と、
を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
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