JP2007019511A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
複数の発光構造物の間にエッチング用膜を形成し、このエッチング用膜の除去で発光構造物それぞれの側面を分離し、基板を除去して素子の下部面を分離することにより、素子の分離をさらに容易にすることができる長所がある。
また、本発明はスクライビング工程を行わず素子を分離することにより、素子のクラック(Crack)やベンディング(Bending)のような欠陥発生を減らすことができ、スクライビング工程のための素子間の間隔を維持しなくても良いため、素子の集積度を増加させられる長所がある。
【選択図】図2d
Description
前記複数の発光構造物100の間に存在するエッチング用膜450は除去されボイドとして存在し、エッチング用膜450の上部は金属膜310が分離されているため、若干の物理的な力だけでも前記絶縁膜130とシード層140は切れて発光構造物100が含まれた個別的な金属膜310に分離しやすい。
110a、110c、171、173 : 半導体層
110b、172 : 活性層
120、350、351 : 電極
130 : 絶縁膜
140 : シード層
200、210 : 異種基板
300、310 : 金属膜
400、410、450 : エッチング用膜
410、411、451 : ボイド
Claims (21)
- 異種基板の上部に複数の発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、
前記相互離隔された複数の発光構造物の間に選択的にエッチング可能な物質でエッチング用膜を形成する段階と、
前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜を覆う金属膜を形成する段階と、
前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜から前記異種基板を分離する段階と、
前記エッチング用膜を除去する段階と、
前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物をそれぞれ分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法。 - 前記金属膜は、
前記エッチング用膜の上部一部に形成されなくて前記エッチング用膜の上部にボイドが形成されていて、前記複数の発光構造物それぞれを含む構造物に分離されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 異種基板の上部に複数の発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、
相互離隔された前記複数の発光構造物の間に、前記複数の発光構造物の高さより高い高さを有し、選択的にエッチング可能な物質よりなるエッチング用膜を形成する段階と、
前記エッチング用膜の上部を露出させ、複数の発光構造物を覆い、前記エッチング用膜の側面を覆う金属膜を形成する段階と、
前記エッチング用膜を除去する段階と、
前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜から前記異種基板を分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法。 - 異種基板の上部に複数の発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、;
相互離隔された前記複数の発光構造物の間に、前記複数の発光構造物の高さより高い高さを有し、選択的にエッチング可能な物質よりなるエッチング用膜を形成する段階と、
前記エッチング用膜及び複数の発光構造物を覆う金属膜を形成する段階と、
前記エッチング用膜が露出されるように前記金属膜の上部を除去する段階と、
前記エッチング用膜を除去する段階と、
前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜から前記異種基板を分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法。 - 前記複数の発光構造物それぞれは、
n形半導体層、活性層とp形半導体層が順次に積層された構造物であり、
前記n形半導体層、活性層とp形半導体層の側面には絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。 - 前記異種基板は、
サファイア基板であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。 - 前記異種基板を分離する段階は、
レーザリフトオフ工程であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。 - 前記選択的にエッチング可能な物質は、
フォトレジストまたはポリイミドであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。 - 前記エッチング用膜の幅は5μm〜50μmであり、
高さは5μm〜100μmであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。 - 前記エッチング用膜を除去する段階は、
有機溶剤でエッチングして除去することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。 - 異種基板の上部に複数の窒化ガリウム発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、
前記複数の窒化ガリウム発光構造物の上部に電極を形成する段階と、
前記複数の窒化ガリウム発光構造物の側面及び前記電極の側面を覆い、前記複数の窒化ガリウム発光構造物を隔離させる絶縁膜を形成する段階と、
前記電極の上部と前記絶縁膜の外側前面を覆うシード層を形成する段階と、
前記相互離隔された複数の窒化ガリウム発光構造物の間のシード層の上部に選択的にエッチング可能な物質でエッチング用膜を形成する段階と、
前記シード層の上部と前記エッチング用膜を覆う金属膜を形成する段階と、
前記異種基板を前記複数の窒化ガリウム発光構造物から離脱させる段階と、
前記エッチング用膜を除去する段階と、
前記金属膜が覆われた前記複数の窒化ガリウム発光構造物それぞれを分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法。 - 前記複数の窒化ガリウム発光構造物それぞれは、
第1極性半導体層、活性層、前記第1極性と逆極性である第2極性半導体層よりなることを特徴とする請求項11に記載の発光素子の製造方法。 - 前記絶縁膜は、
絶縁性の高反射(HR)膜であることを特徴とする請求項11に記載の発光素子の製造方法。 - 前記シード層は、
UBM(Under Bump Metallization)層であることを特徴とする請求項11に記載の発光素子の製造方法。 - 前記金属膜はメッキ工程を行なって形成することを特徴とする請求項11ないし14のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記メッキ工程で、
前記エッチング用膜の上部から金属膜表面まで接合しない境界面領域が生成されることを特徴とする請求項15に記載の発光素子の製造方法。 - 前記選択的にエッチング可能な物質は、
フォトレジストまたはポリイミドであることを特徴とする請求項11ないし14のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。 - 前記エッチング用膜を除去する段階は、
有機溶剤でエッチングして除去することを特徴とする請求項17に記載の発光素子の製造方法。 - 第1極性半導体層、活性層と第2極性半導体層が順次に積層されている発光構造物と、 前記発光構造物の側面に形成された絶縁性の高反射膜と、
前記第2極性半導体層の上部に形成された第1電極と、
前記第1極性半導体層の下部に形成された第2電極とを含んで構成される発光素子。 - 前記発光構造物は、
側面が傾斜したことを特徴とする請求項19に記載の発光素子。 - 前記第1極性はN型であり、
前記第2極性はP型であることを特徴とする請求項19または20に記載の発光素子。
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