JP2010118645A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010118645A5
JP2010118645A5 JP2009194245A JP2009194245A JP2010118645A5 JP 2010118645 A5 JP2010118645 A5 JP 2010118645A5 JP 2009194245 A JP2009194245 A JP 2009194245A JP 2009194245 A JP2009194245 A JP 2009194245A JP 2010118645 A5 JP2010118645 A5 JP 2010118645A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
seed film
hole
metal material
electrolytic plating
supplying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009194245A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010118645A (ja
JP5246103B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2009194245A external-priority patent/JP5246103B2/ja
Priority to JP2009194245A priority Critical patent/JP5246103B2/ja
Priority to CN201510085056.6A priority patent/CN104617037B/zh
Priority to CN200980130037.3A priority patent/CN102150246B/zh
Priority to PCT/JP2009/064886 priority patent/WO2010044315A1/ja
Priority to CN201510085057.0A priority patent/CN104681503B/zh
Publication of JP2010118645A publication Critical patent/JP2010118645A/ja
Priority to US12/855,266 priority patent/US8288772B2/en
Publication of JP2010118645A5 publication Critical patent/JP2010118645A5/ja
Priority to US13/607,011 priority patent/US8637397B2/en
Publication of JP5246103B2 publication Critical patent/JP5246103B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (10)

  1. 基板に表裏を貫通する貫通孔を形成し、
    前記基板及び前記貫通孔の表面に絶縁膜を形成し、
    前記基板の少なくとも一方及び／又は前記貫通孔に金属からなるシード膜を形成し、
    前記シード膜にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記貫通孔内に金属材料を充填することを特徴とする貫通電極基板の製造方法。
  2. 前記電解めっき法は、前記シード膜にプラス電圧とマイナス電圧を周期的に印加することによって行うことを特徴とする請求項１に記載の貫通電極基板の製造方法。
  3. 前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記貫通孔に金属材料を形成した後、前記シード膜に第２の時間パルス電流を供給する電解めっき法により、
    前記貫通孔内に金属材料を充填することを特徴とする請求項２に記載の貫通電極基板の製造方法。
  4. 前記シード膜にパルス電流を供給する前記電解めっき法は、前記パルス電流の電流密度を大きくしながら前記貫通孔内に前記金属材料を充填する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の貫通電極基板の製造方法。
  5. 前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記貫通孔に金属材料を形成した後、前記シード膜に第３の時間、第１の電流密度でパルス電流を供給し、前記シード膜に第４の時間、前記第１の電流密度よりも大きな第２の電流密度でパルス電流を供給する電解めっき法により、前記貫通孔内に金属材料を充填することを特徴とする請求項２に記載の貫通電極基板の製造方法。
  6. 基板に前記基板を貫通しない有底孔を形成し、
    前記基板及び前記有底孔の表面に絶縁膜を形成し、
    前記有底孔が開口する側の前記基板及び前記有底孔の絶縁膜上に金属からなるシード膜を形成し、
    前記シード膜にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填して導通部を形成し、
    前記有底孔が形成されている側と反対側の前記基板の表面を、前記導通部の表面が露出するまで研磨することを特徴とする貫通電極基板の製造方法。
  7. 前記電解めっき法は、前記シード膜にプラス電圧とマイナス電圧を周期的に印加することによって行うことを特徴とする請求項６に記載の貫通電極基板の製造方法。
  8. 前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔に金属材料を形成した後、前記シード膜に第２の時間パルス電流を供給する電解めっき法により、
    前記有底孔内に金属材料を充填することを特徴とする請求項７に記載の貫通電極基板の製造方法。
  9. 前記シード膜にパルス電流を供給する前記電解めっき法は、前記パルス電流の電流密度を大きくしながら前記有底孔内に前記金属材料を充填する工程を含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の貫通電極基板の製造方法。
  10. 前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔に金属材料を形成した後、前記シード膜に第３の時間、第１の電流密度でパルス電流を供給し、前記シード膜に第４の時間、前記第１の電流密度よりも大きな第２の電流密度でパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填することを特徴とする請求項７に記載の貫通電極基板の製造方法。
JP2009194245A 2008-10-16 2009-08-25 貫通電極基板の製造方法 Active JP5246103B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009194245A JP5246103B2 (ja) 2008-10-16 2009-08-25 貫通電極基板の製造方法
CN201510085057.0A CN104681503B (zh) 2008-10-16 2009-08-26 贯通电极基板和使用贯通电极基板的半导体装置
CN200980130037.3A CN102150246B (zh) 2008-10-16 2009-08-26 贯通电极基板及其制造方法和使用贯通电极基板的半导体装置
PCT/JP2009/064886 WO2010044315A1 (ja) 2008-10-16 2009-08-26 貫通電極基板及びその製造方法、並びに貫通電極基板を用いた半導体装置
CN201510085056.6A CN104617037B (zh) 2008-10-16 2009-08-26 贯通电极基板的制造方法
US12/855,266 US8288772B2 (en) 2008-10-16 2010-08-12 Through hole electrode substrate with different area weighted average crystal grain diameter of metal in the conductive part and semiconductor device using the through hole electrode substrate
US13/607,011 US8637397B2 (en) 2008-10-16 2012-09-07 Method for manufacturing a through hole electrode substrate

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008267870 2008-10-16
JP2008267870 2008-10-16
JP2009194245A JP5246103B2 (ja) 2008-10-16 2009-08-25 貫通電極基板の製造方法

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010202689A Division JP4735767B2 (ja) 2008-10-16 2010-09-10 貫通電極基板及び半導体装置
JP2011005448A Division JP4835793B2 (ja) 2008-10-16 2011-01-14 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置
JP2012281706A Division JP5664641B2 (ja) 2008-10-16 2012-12-25 貫通電極基板の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010118645A JP2010118645A (ja) 2010-05-27
JP2010118645A5 true JP2010118645A5 (ja) 2012-06-28
JP5246103B2 JP5246103B2 (ja) 2013-07-24

Family

ID=42106482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009194245A Active JP5246103B2 (ja) 2008-10-16 2009-08-25 貫通電極基板の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8288772B2 (ja)
JP (1) JP5246103B2 (ja)
CN (3) CN102150246B (ja)
WO (1) WO2010044315A1 (ja)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5246103B2 (ja) 2008-10-16 2013-07-24 大日本印刷株式会社 貫通電極基板の製造方法
JP4735767B2 (ja) * 2008-10-16 2011-07-27 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及び半導体装置
JP5044685B2 (ja) * 2010-09-10 2012-10-10 株式会社東芝 マイクロプローブ、記録装置、及びマイクロプローブの製造方法
US9018094B2 (en) * 2011-03-07 2015-04-28 Invensas Corporation Substrates with through vias with conductive features for connection to integrated circuit elements, and methods for forming through vias in substrates
US8587127B2 (en) * 2011-06-15 2013-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structures and methods of forming the same
US8487425B2 (en) * 2011-06-23 2013-07-16 International Business Machines Corporation Optimized annular copper TSV
JP2013077808A (ja) * 2011-09-16 2013-04-25 Hoya Corp 基板製造方法および配線基板の製造方法
JP2013077809A (ja) * 2011-09-16 2013-04-25 Hoya Corp 基板製造方法および配線基板の製造方法
KR20140011137A (ko) * 2012-07-17 2014-01-28 삼성전자주식회사 Ｔｓｖ 구조를 구비한 집적회로 소자 및 그 제조 방법
US9263569B2 (en) * 2013-08-05 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MISFET device and method of forming the same
JP5846185B2 (ja) * 2013-11-21 2016-01-20 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置
JP2015153978A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 キヤノン株式会社 貫通配線の作製方法
US10154598B2 (en) * 2014-10-13 2018-12-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Filling through-holes
WO2017061336A1 (ja) * 2015-10-08 2017-04-13 大日本印刷株式会社 検出素子
US9812155B1 (en) 2015-11-23 2017-11-07 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for fabricating high junction angle read sensors
US10508357B2 (en) * 2016-02-15 2019-12-17 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of filling through-holes to reduce voids and other defects
JP2017199854A (ja) 2016-04-28 2017-11-02 Tdk株式会社 貫通配線基板
JP6372546B2 (ja) * 2016-11-15 2018-08-15 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置
WO2019065095A1 (ja) * 2017-09-26 2019-04-04 富士フイルム株式会社 金属充填微細構造体の製造方法および絶縁性基材
US20210083160A1 (en) * 2017-12-14 2021-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor Device and Method for Producing a Carrier Element Suitable for a Semiconductor Device
CN110769616B (zh) * 2018-07-26 2022-08-02 健鼎（无锡）电子有限公司 电路板结构的制造方法
CN112368850B (zh) * 2018-12-14 2021-06-22 新唐科技日本株式会社 半导体装置
US11342256B2 (en) 2019-01-24 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Method of fine redistribution interconnect formation for advanced packaging applications
IT201900006736A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di fabbricazione di package
IT201900006740A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di strutturazione di substrati
US11931855B2 (en) 2019-06-17 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Planarization methods for packaging substrates
US11862546B2 (en) 2019-11-27 2024-01-02 Applied Materials, Inc. Package core assembly and fabrication methods
US11257790B2 (en) 2020-03-10 2022-02-22 Applied Materials, Inc. High connectivity device stacking
US11454884B2 (en) 2020-04-15 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Fluoropolymer stamp fabrication method
US11400545B2 (en) 2020-05-11 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Laser ablation for package fabrication
US11232951B1 (en) 2020-07-14 2022-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for laser drilling blind vias
US11676832B2 (en) 2020-07-24 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Laser ablation system for package fabrication
CN112739068A (zh) * 2020-11-12 2021-04-30 福莱盈电子股份有限公司 一种线路板通孔的填孔方法
US11521937B2 (en) 2020-11-16 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Package structures with built-in EMI shielding
US11404318B2 (en) 2020-11-20 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Methods of forming through-silicon vias in substrates for advanced packaging
US11705365B2 (en) 2021-05-18 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Methods of micro-via formation for advanced packaging
CN115835530A (zh) * 2021-09-17 2023-03-21 无锡深南电路有限公司 一种电路板的加工方法及电路板

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0782041A (ja) * 1993-06-30 1995-03-28 Tdk Corp 多層セラミック部品の製造方法および多層セラミック部品
JP3033574B1 (ja) 1999-02-15 2000-04-17 日本電気株式会社 研磨方法
JP2000349198A (ja) 1999-04-02 2000-12-15 Nitto Denko Corp チップサイズパッケージ用インターポーザ及びその製造方法と中間部材
JP4780857B2 (ja) 2001-05-31 2011-09-28 京セラ株式会社 配線基板の製造方法
JP4000796B2 (ja) * 2001-08-08 2007-10-31 株式会社豊田自動織機 ビアホールの銅メッキ方法
JP2003110241A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Kyocera Corp 配線基板およびこれを用いた電子装置
WO2003033775A1 (fr) 2001-10-16 2003-04-24 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Procede de cuivrage de trous a petit diametre
US6818464B2 (en) * 2001-10-17 2004-11-16 Hymite A/S Double-sided etching technique for providing a semiconductor structure with through-holes, and a feed-through metalization process for sealing the through-holes
JP2003213489A (ja) 2002-01-15 2003-07-30 Learonal Japan Inc ビアフィリング方法
JP4063619B2 (ja) 2002-03-13 2008-03-19 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
SG111972A1 (en) * 2002-10-17 2005-06-29 Agency Science Tech & Res Wafer-level package for micro-electro-mechanical systems
JP2005019577A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用テープキャリアの製造方法
JP2005045046A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 多層プリント配線板の製造方法
EP1667509A4 (en) 2003-09-09 2009-05-20 Hoya Corp METHOD FOR MANUFACTURING A GLASS PLATE PRINTED ON BOTH SIDES
JP4634735B2 (ja) * 2004-04-20 2011-02-16 大日本印刷株式会社 多層配線基板の製造方法
JP4660119B2 (ja) * 2004-05-26 2011-03-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2006024653A (ja) 2004-07-06 2006-01-26 Tokyo Electron Ltd 貫通基板および貫通基板の製造方法
KR100594716B1 (ko) * 2004-07-27 2006-06-30 삼성전자주식회사 공동부를 구비한 캡 웨이퍼, 이를 이용한 반도체 칩, 및그 제조방법
JP2006054307A (ja) * 2004-08-11 2006-02-23 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板の製造方法
JP3987521B2 (ja) 2004-11-08 2007-10-10 新光電気工業株式会社 基板の製造方法
JP4564342B2 (ja) 2004-11-24 2010-10-20 大日本印刷株式会社 多層配線基板およびその製造方法
JP4564343B2 (ja) 2004-11-24 2010-10-20 大日本印刷株式会社 導電材充填スルーホール基板の製造方法
WO2006070652A1 (ja) 2004-12-27 2006-07-06 Nec Corporation 半導体装置およびその製造方法と、配線基板およびその製造方法と、半導体パッケージ並びに電子機器
KR100632552B1 (ko) * 2004-12-30 2006-10-11 삼성전기주식회사 내부 비아홀의 필 도금 구조 및 그 제조 방법
JP4456027B2 (ja) 2005-03-25 2010-04-28 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 貫通導電体の製造方法
JP2006339483A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Toppan Printing Co Ltd 配線基板の製造方法及び配線基板
JP2007095743A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Matsushita Electric Works Ltd 貫通孔配線及びその製造方法
TW200733143A (en) * 2006-01-23 2007-09-01 Hitachi Metals Ltd Conductor paste, multilayer ceramic substrate and fabrication method of multilayer ceramic substrate
KR100783467B1 (ko) 2006-02-24 2007-12-07 삼성전기주식회사 내부 관통홀을 가지는 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
JP2007246194A (ja) 2006-03-14 2007-09-27 Toshiba Elevator Co Ltd マシンルームレスエレベータ
JPWO2008120755A1 (ja) 2007-03-30 2010-07-15 日本電気株式会社 機能素子内蔵回路基板及びその製造方法、並びに電子機器
US7910837B2 (en) * 2007-08-10 2011-03-22 Napra Co., Ltd. Circuit board, electronic device and method for manufacturing the same
JP5428280B2 (ja) 2008-10-16 2014-02-26 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置
JP5246103B2 (ja) 2008-10-16 2013-07-24 大日本印刷株式会社 貫通電極基板の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010118645A5 (ja)
TW200735740A (en) Method for filling through hole
TW200508425A (en) Method of manufacturing electronic device
JP2010045353A5 (ja)
JP2011516728A5 (ja)
TWI698556B (zh) 用來在基材上電鍍金屬之方法及設備
TW200710287A (en) Composite metal layer formed using metal nanocrystalline particles in an electroplating bath
JP2010519780A5 (ja)
WO2012121067A8 (ja) ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法並びにそれにより得られるナノギャップ長を有する電極構造及びナノデバイス
CL2009001955A1 (es) Un electrodo del tipo anodo para un proceso de electro obtencion, comprende una barra colgante con al menos un agujero empotrado en la superficie inferior, y al menos una varilla conductora ajustada dentro de dicho agujero empotrado, con un sustrato de tipo malla acoplado a varillas conductoras; y metodo de fabricacion
TW200736415A (en) Electroform, methods of making electroforms, and products made from electroforms
JP2016521007A5 (ja)
EP2626449A3 (en) Plating bath and method
JP2015070007A5 (ja)
JP2012028735A5 (ja)
MY153822A (en) Method f'or manufacturing printed wiring board
JP2013084852A5 (ja)
JP2015211077A5 (ja)
MX349018B (es) Mejora en la conductividad de celdas solares.
Jin et al. Through-silicon-via (TSV) filling by electrodeposition with pulse-reverse current
CN103014799B (zh) 一种防烧板的线路板电镀工艺
JP2019533088A5 (ja)
JP2009228124A (ja) スルーホールの充填方法
CN104499011A (zh) 一种电镀液
WO2008048925A3 (en) Wafer via formation