JP2009540431A - 1つのインターフェースを有するハイブリッド・メモリ・デバイス - Google Patents

1つのインターフェースを有するハイブリッド・メモリ・デバイス Download PDF

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Abstract

【課題】メモリ・コントローラを、異なるタイプのメモリ(例えば、SDRAMおよびフラッシュ・メモリ)を内部に有するハイブリッド・メモリ・デバイスの一構成要素とする技術について記載する。
【解決手段】コントローラは、一方のタイプのメモリに合わせて定められた電圧およびアクセス・プロトコルに関して、メモリ・デバイスが1つのメモリ・インターフェースのみを有すればよいように動作する。例えば、コントローラは、標準的なSDRAMインターフェースを有するメモリ・デバイスがSDRAMおよび不揮発性メモリ双方へのアクセスを与えることを可能にし、揮発性メモリ・アドレス空間の1つ以上の指定ブロックにおいて、不揮発性メモリを無効にする(またはその逆)。コマンド・プロトコルは、メモリ・ページを揮発性メモリ・インターフェース・アドレス空間にマッピングし、例えば、不揮発性ストレージを設けることを望むいずれの計算機においても、1つのピン互換マルチチップ・パッケージと、既存の揮発性メモリ・デバイスとを交換することが可能となるが、フラッシュにアクセスするためには、デバイスにソフトウェアの変更を行うだけで済む。
【選択図】図3B

Description

種々の既存の計算機および新しい計算機は、高速揮発性メモリ(例えば、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、即ち、DRAM)を利用して、動作命令やデータを保持する。このようなデバイスは、移動体電話機、テレビジョン・セット・トップ・ボックス、パーソナル・コンピュータのメモリ等を含む。また、計算機は、アプリケーションやデータを格納するために、大量の比較的安価な不揮発性NANDフラッシュ・メモリも増々含みつつある。
しかしながら、多くの既存のDRAM主体計算機は、NANDフラッシュ・メモリをサポートするためのしかるべきバス・インターフェースがない設計となっており、NANDフラッシュ・メモリをサポートするには、デバイス・チップセットの設計しなおしが必要となるが、これにはコストも時間もかかる。同様に、殆どのNANDフラッシュ主体デバイスも単純にDRAMを追加することができない。例えば、DRAM主体デバイスであったものを最新式モデルにして、フラッシュ・メモリを組み込むには、デバイスの物理的アーキテクチャに多大な変更が必要となり、その逆も言える。
揮発性および不揮発性メモリを組み合わせると、多くの状況において便益が得られるが、多くの場合、デバイス・チップセットを設計し直す費用がベンダにとってはかかり過ぎであり、危険が大きいために、ベンダは、本来ならば揮発性および不揮発性メモリをデバイスの中に有することによって可能になるはずの新たな特徴やビジネス・モデルを放棄しているのである。更に、既存のアーキテクチャ・モデルを用い、例えば、既存のDRAM主体デバイスをNANDフラッシュ・メモリによって最新にする単純な方法などなく、例えば、回路ボード全体を設計しなおして交換する必要があり、単純に既存のデバイスにメモリを追加したり、その中にあるメモリを変更する(そして適宜ソフトウェアを更新する)という訳にはいかない。更に、不揮発性およびDRAM主体メモリの間には、バス速度に大きな差がある。
この摘要は、以下に詳細な説明において更に説明する代表的概念から選択して、簡略化した形態で紹介するために設けられている。この摘要は、特許請求する主題の鍵となる特徴または必須の特徴を特定することを意図するのではなく、特許請求する主題の範囲を限定するようないずれの方法でも用いられることも意図していない。
端的に言うと、ここに記載する主題の種々の形態は、第1タイプのメモリ(例えば、揮発性DRAMタイプ・メモリ)と、第1タイプのメモリに対応するインターフェースと、第2タイプのメモリ(例えば、不揮発性フラッシュ・タイプ・メモリ)とを含む、ハイブリッド・メモリ・デバイスを対象とする。メモリ・デバイスは、インターフェース、第1タイプのメモリ、および第2タイプのメモリに結合されているコントローラを含む。インターフェースにおいて受信したコマンドおよび/またはメモリ・アドレスのような情報に基づいて、コントローラは、I/O要求(例えば、リードまたはライト)のようなコマンドが、第1タイプのメモリまたは第2タイプのメモリのどちらに向けられているのか判定を行う。
つまり、ハイブリッド・メモリ・デバイスのコントローラにおいてコマンド、アドレス、およびデータを受信することにより、1つのタイプのメモリに合わせて定めた1つのインターフェースを通じて、ソフトウェア(例えば、デバイスのファームウェアまたはプログラム)は異なるタイプのメモリにアクセスすることができる。コントローラは、第1タイプのメモリのインターフェース上で受信したコマンド/アドレスが、メモリ・デバイスと関連した第2タイプのメモリに向けられているのか否か判定を行い、そうであれば、少なくとも1つのコマンドを第2タイプのメモリに伝達するため、および/または第2タイプのメモリ上で少なくとも1つのデータ入力/出力(I/O)動作を実行するために、第2タイプのメモリに信号を出力する。
その他の利点は、図面と合わせて、以下の詳細な説明を検討することから明白となろう。
添付図面において、限定ではなく一例として、本発明を例示する。図面においては、同様の参照番号は同様の要素を示すこととする。
図1は、本発明の種々の形態を組み込むことができる計算機の代表例を示す。 図2は、コントローラと、メモリ・タイプの一方に合わせて定めた1つのインターフェースによって各々アクセスすることができる2タイプのメモリとを含む、ハイブリッド・メモリ・デバイスの一例の図である。 図3Aは、SDRAM、およびSDRAMアクセス可能空間における指定メモリ・ブロックを通じてアクセスするフラッシュ・メモリとのSDRAMインターフェースを有するハイブリッド・メモリ・デバイスの一例の図である。 図3Bは、SDRAM、およびSDRAMアクセス可能空間における複数の指定メモリ・ブロックを通じてアクセスするおよびフラッシュ・メモリとのSDRAMインターフェースを有するハイブリッド・メモリ・デバイスの一例の図である。 図4は、第2タイプのメモリとデータおよびコマンドを通信筒真するために用いられるセクションを有する、第1タイプのメモリに対応するアクセス可能メモリ空間の図である。 図5は、ハイブリッド・メモリ・デバイスに組み込むことができる1つの適したタイプのSDRAMデバイスの一例の図である。 図6は、図5のデバイスのようなSDRAMおよびフラッシュ・デバイスを内蔵したSDRAMインターフェースを有するハイブリッド・メモリ・デバイスの一例の図である。 図7は、SDRAMデバイスおよびフラッシュ・デバイスを制御するためのタイミング図の一例を示す。 図8は、バースト・データ出力に合わせて構成されたSDRAMに、コントローラがどのようにフラッシュ・データを出力することができるかに対応するステップ例の図である。 図9は、フラッシュのDRAM主体(SDRAMを含む)パーソナル・コンピュータのメモリに追加するために、どのようにフラッシュをデュアル・インライン・メモリ・モジュール(DIMMM)に追加すればよいかの図である。
動作環境の一例
図1は、計算機188の適した機能コンポーネントの一部の例を示し、ハンドヘルド/ポケット・サイズ/タブレット型パーソナル・ディジタル・アシスタント、機器、移動体電話機等において見ることができ、プロセッサ189、メモリ190、ディスプレイ192、およびキーボード193(実体または仮想キーボードでもよい)を含む。メモリ190は、一般に、揮発性メモリ(例えば、RAM)および不揮発性メモリ(例えば、ROM、PCMCIAカード等)の双方を含む。更に、以下で説明するが、例示のメモリ190は、ハイブリッド・メモリ・デバイス(1つ以上のチップに対応する)を含む。ハイブリッド・メモリ・デバイスは、フラッシュおよびDRAMまたはフラッシュおよびSDRAM(同期DRAM)というように、1つよりも多いタイプのメモリを内蔵し、一方のタイプが他方のタイプのインターフェースを共有する。Microsoft(登録商標)Windows(登録商標)系オペレーティング・システムまたはその他のオペレーティング・システムのような、オペレーティング・システム193が、メモリ190内に常駐することができ、プロセッサ189上で実行する。
1つ以上のアプリケーション・プログラム194およびデータ195がメモリ190の中にあってもよく、プログラム194はオペレーティング・システム193上で走る。アプリケーションの例には、電子メール・プログラム、スケジューリング・プログラム、PIM(個人情報管理)プログラム、ワープロ・プログラム、表計算プログラム、インターネット・ブラウザ・プログラム等が含まれる。また、計算機188は、メモリ190にロードしプロセッサ189上で実行する通知管理部のような、他のコンポーネント196も含むことができる。例えば、通知管理部は、例えば、アプリケーション・プログラム195からの通知要求を処理することができる。
計算機188は、例えば、1つ以上のバッテリまたは光給電システム(light-powered system)として実施される、電源197を有する。電源197は、更に、ACアダプタまたは給電ドッキング・クレードルのような、内蔵バッテリを無効にするまたは再充電する外部電源も含むことができる。
図1に表す一例の計算機188は、3つのタイプの外部デバイス例と共に示されており、これらはディスプレイ192、その他の出力メカニズム198(例えば、1つ以上の発光ダイオード、即ち、LED)、ならびに例えば、一体化スピーカおよび/またはオーディオ・ジャックに結合されるオーディオ発生器199を含む。これらの出力デバイスの1つ以上は直接電源197に結合することができるので、活性化すると、バッテリ電力を保存するためにプロセッサ189およびその他のコンポーネントを停止しても、通知機構が指令する期間はオンのまま留まる。例えば、LEDは、ユーザが行動を起こすまでは、オンのまま留まることができる(何らかの電力が得られる限り)。その他は、システムの残りがオフになったとき、または活性化後のある有限期間でオフになるように構成するとよい。
1つのインターフェースを有するハイブリッド・メモリ・デバイス
ここに記載する技術の種々の形態は、総合的に、計算機の既存の物理的アーキテクチャに変更を加える必要なく、当該計算機において比較的大量の揮発性および不揮発性メモリを有することに対して、計算機(例えば、デバイス188)のメモリを拡張することを対象とする。一般に、この中の説明では、SDRAMおよびNANDフラッシュを内蔵するハイブリッド・メモリ(例えば、1つ以上のチップを備えている)を追加または交換することによって、NANDフラッシュ・メモリをSDRAM主体デバイスに組み込む例をあげる。ハイブリッド・メモリ・デバイスは、従来のSDRAMコンポーネントと同じインターフェース(ピンアウト、電圧プロトコル、およびアクセス・プロトコルを含む)を有する。しかしながら、言うまでもないことであるが、これらの形態および概念は、任意の1つ以上のタイプの揮発性および/または不揮発性メモリに適用され、例えば、種々のタイプのDRAM(例えば、EDO)を、SDRAM、DRAMの代わりに用いることができ、あるいはSDRAMを逆にフラッシュ主体デバイスに組み込むこともでき、NOR主体フラッシュ・メモリをSDRAMおよび/またはNAND主体フラッシュ、スタティックRAM(SRAM)と混合することもでき、あるいは他のタイプのRAMが前述のタイプのメモリの1つであってもよく、更に多くの揮発性メモリを、既存の揮発性メモリ・デバイスの代わりに追加することができ、更に多くの不揮発性メモリを、既存の不揮発性メモリ・デバイスの代わりに追加することができる等である。尚、異なるメモリ・タイプを(所与の設計に合わせて元のメモリ・タイプに通常対応するインターフェースを有する)ハイブリッド・メモリ・デバイスに組み込む際、通例、メモリ全体をデバイスに追加するが、必ずしも元のメモリ・タイプの量および/またはメモリ量全体が増大しなくてもよい(そして、設計者が望むのであれば、減少する可能性がある)ことを記しておく。
更に、言うまでもないであろうが、ここに記載する概念は、従来の計算機(例えば、デスクトップ、ノートブック、ラップトップ、またはタブレット型コンピュータ・システム、パーソナル・ディジタル・アシスタント、ポケット・サイズ・パーソナル・コンピュータ等)と見なされるものに限定されるのではなく、逆に、揮発性または不揮発性メモリにデータを格納する必要性があるデバイスであればいずれにでも用いてもよく、移動体電話機、セット・トップ・ボックス、ハイブリッド・ハード・ディスク、テレビジョン受像機、リモート・コントローラ、オーディオビジュアル・デバイス、電気器具、家電製品等が含まれる。これらのデバイスの各々は、不揮発性メモリを揮発性メモリ設計に追加すること、またはその逆、あるいはコストがかかり危険が多いハードディスクの設計し直しをせずに、メモリを増大することができる。このように、例えば、移動体電話機のような、揮発性メモリを有するデバイスは、単にメモリ・チップ(または複数のメモリ・チップ)を置き換え、不揮発性ストレージで動作するようにファームウェアの一部を更新することにより、今やその内部に大量の不揮発性ストレージを含み、プログラム、音楽、画像等を格納することが可能となる。これについては、以下で説明する。
このように、本発明は、ここに記載する例、構造、機能のいずれにも限定されない。逆に、ここに記載する例、構造、または機能のいずれもが非限定的であり、本発明は、計算およびデータ・ストレージ一般において便益や利点を提供する種々の方法で用いることができる。
図面の図2に移ると、揮発性メモリ204(例えば、SDRAM)および不揮発性メモリ206(例えば、NANDフラッシュ)を含むハイブリッド・メモリ・デバイス202デバイスの総合的な概念の一例が示されている。コントローラ208は、例えば、ファームウェア/ソフトウェアにおいて発生しCPUを通じてアドレスされるアドレスおよびコマンドに基づいて、アクセスすべきメモリ204または206を決定するロジックを内蔵する。
図2に示すように、コントローラ208は、1つ以上のバッファを備えているバッファ・セット210を含むか、またそうでなければこれと関連付けることができる。バッファ・セット210は、一実現例では、速度一致プロセスに用いられる。例えば、現在では、SDRAMはフラッシュよりも遥かに速く、したがって外部コンポーネットにはSDRAMデバイスのように見えるインターフェースを有するハイブリッド・メモリ・チップは、データをバッファ・セット210(例えば、SDRAM、DRAM、またはSRAM)にバッファして、速度やバースト・モード要件を含むその他の要件に関して、SDRAMプロトコルに準拠する必要がある。つまり、バッファ・セット210は、通例、SDRAMまたはスタティックRAM(SRAM)のようなメモリを備えているが、少なくとも所与のSDRAMチップおよびそのプロトコルが要求する速度でなければならず、そうでなければ、ハイブリッド・デバイスはときとして外部コンポーネントには粗悪なメモリであるように見える。尚、ハイブリッド・メモリ・デバイスが高速メモリ(例えば、SDRAM)をそれよりも遅い(例えば、フラッシュ)インターフェースに追加する場合、必ずしもこのようなバッファは必要でないことを記しておく。
図3Aは、1つのハイブリッド・メモリ・デバイス302Aが概略的にどのように動作するかの概念の一例を示し、ここでは、フラッシュ・メモリ306がある数のブロック(例えば、ブロックF−1からF−nまで)として配列されており、SDRAMインターフェースを通じてアクセスされる。また、ハイブリッド・メモリ・デバイス302Aは、SDRAMデバイス304も含む。以下で説明するが、1つのオンチップ・コントローラ308A(例えば、図2のコントローラ208に対応する)が、CPU389において発生した現在のアドレスに関して、SDRAM304またはフラッシュのどのセクションにアクセスするか決定する。一般に、コントローラ308Aは、コマンド、データ、およびアドレスをCPU389から受信する。これらは、従来のSDRAMプロトコルにしたがって出力される。尚、CPUはハイブリッド・チップ上にある異なるタイプのメモリについて何も知る必要はなく、その既存のSDRAM主体バス上で通常通りに動作することを記しておく。
図3Aにおいて、コントローラ308は、そのインターフェースの一部であるハイブリッド・デバイスのSDRAMアドレス線に送られるアドレスを検出することができるロジックを含む。アドレス可能なアドレス範囲におけるアドレスの一部は、SDRAMに対応し、これらのアドレスについては、コントローラ308Aは、アドレス、コマンド、およびデータをSDRAMデバイス304に処理させる(例えば、同等の0および1を転送する、またはデバイスが1および0を見ることを禁止しない(disable))。その結果、これらのアドレスに対して、ハイブリッド・デバイスは従来のSDRAMデバイスのように作用する。
アドレス可能範囲におけるある種のアドレスは、しかしながら、(通例、指定ブロック320と呼ばれる連続範囲を含む)コントローラ308には、フラッシュと関連があることが分かっており、本質的にフラッシュ・メモリ306へのウィンドウとして作用する。例えば、指定ブロックは、1つのタイプのフラッシュ・デバイスではフラッシュ・ブロック・サイズ、例えば、128KBに対応するとよい。指定ブロック320内にあるアドレスを転送する場合、コントローラ308によってSDRAMデバイス304を(実際にまたは事実上)ディスエーブルする。代わりに、コントローラ308は、コマンドをフラッシュ・メモリ・デバイス306に送り、フラッシュ・メモリ・デバイス306へのリードおよびライト・データの流れを制御する。設計に応じて、コントローラ308は、デバイス304のしかるべきデバイス入力線(例えば、チップ・イネーブル)をディスエーブルに変化させることによって、受信したアドレスをデバイス304に転送しないことによって、および/またはアドレスを転送するが(例えば、リフレッシュのために必要な場合)データライトを許可せず、あるいはどのデータもリードのために返送しないことによって、SDRAMコンポーネント304をディスエーブルすることができる。
尚、フラッシュ306の量は、指定ブロック320のサイズに限定されるのではなく、むしろ、複数のフラッシュ・ブロック(または、フラッシュ・メモリのその他の配列)があり、フラッシュ306全体の内どの部分(例えば、ブロック)にアクセスするのかを識別する追加のマッピング情報に応じて、コントローラ308が各ブロックなどをアクセスするようにしてもよいことを記しておく。この追加のマッピング情報は、コントローラ308に分かっている他のメモリ位置、例えば、アドレス可能なメモリの上位端部(high end)に書き込んでもよい(または、恐らくは、指定ブロックの補追として)。ファームウェア330は、既に本質的に全ての計算機上にあるが、CPU389を通じて適したプロトコルに応じてこの情報を読み取るまたは書き込むために更新することもでき、(ファームウェア330からCPU389を通じてコントローラ308Aまでの破線によって図3Aに示す通り。このように、コマンド、データ、およびステータス情報332をデバイス・ファームウェア330(および/またはその他の要求コード、以下簡略にするためにファームウェア330と呼ぶ)とハイブリッド・メモリ・デバイス302Aとの間で伝達することができる。
図3Bは、図3Aと同様の概念の図であるが、図3Bでは、代わりのコントローラ308Bが、複数のフラッシュ・ブロック(例えば、現在では図3Bにおけるフラッシュ・ブロックA1およびフラッシュ・ブロックB0)に別個にマップされている複数のウィンドウ320Aおよび320Bに対応する、複数のバッファ310−1および310−2を有することを除く。容易に認めることができるであろうが、図3Bには、フラッシュ・メモリ・デバイスに対するこのような2つのみの並列な(したがって、通例では、高速化した)アクセスが示されているが、実用的な数であればいずれでも用いることができる。
コントローラがどのように1つのウィンドウ(図3A)または複数のウィンドウ(図3B)をフラッシュの1つまたは複数の正しいセクションにマッピングするのかの一例として、図4は、従来のSDRAMデバイスの範囲に対応するアドレス範囲440を、線形に表して示す。この例では、SDRAMデバイスは4Mワード×16ビットである。簡略化のために、マッピングについては、図3Aの1つの指定ブロック320に関して説明するが、別個のマッピングも本質的に同様に行うことができることも容易に理解できよう。
図4の例では、SDRAMアドレス空間に対応する最後の2ブロックが、コントローラ308およびファームウェア330によって、フラッシュ・メモリ・デバイス306へのコマンド・チャネル444およびデータ・チャネル442として用いられる。これらのブロック442および444におけるマッピングおよびその他の情報332(図3)は、コントローラ308が理解するいずれかの適したプロトコルおよびその追加情報(例えば、ファームウェア・コード330)のソースを通じて、コントローラ308によってリードおよびライトを行うことができる。つまり、コントローラ308において追加情報332(または図3Bにおける333)、例えば、最後の2つの1キロバイト・ワード・ブロックにアクセスすることにより、フラッシュ・デバイス306と通信するコマンドおよびデータ経路が確立される。他の情報も、これらの空間にあってもよい。例えば、デバイス・ファームウェア330は、ブートストラップ・プロトコルを採用するためにメモリのこのセクションを用いることができ、これによって、ファームウェア330は、メモリ・デバイスが本当にハイブリッド・デバイスであるか否か判定することができる。これは、一般に、図3のハイブリッド・メモリ・デバイス302Aは、他の方法では従来のSDRAMデバイスから区別できないからである。その他に、これらのブロックを通じて伝達される可能性があるデータは、例えば、コントローラ308Aに、アドレス可能メモリ内部において指定ブロック320(または図3Bでは複数のブロック)がどこに位置するか知らせることができる。例えば、このように、指定ブロックは、望ましければ動的な場合も含めて、移動することができる。
ハイブリッド・メモリ・デバイスの一例の動作の説明に移ると、1つの適したコマンド・プロトコルは、フラッシュ・デバイスのアドレス・ブロックおよびコマンド情報(例えば、図3Aにおける332)を転送するために用いられるシリアル・プロトコルを備えている。尚、コントローラ308Aはコマンドおよびアドレス情報の変換を責務とするので、プロトコルは、異なるタイプのフラッシュ・デバイスにアクセスするように構成可能であり、例えば、1つのタイプのNANDデバイスはNOR SRAMインターフェースを用い、これによって制御ロジックはデータのブロックにアクセスし、次いでSDRAMデータ配信プロトコルに合うようにデータのブロックをシリアル化する。フラッシュ306へのライト・データも同様に、フラッシュ・プロトコルの要求に応じて、コントローラ308Aによって変換する。例えば、一度にこのようなフラッシュ・デバイスに2KBが書き込まれる。
容易に認めることができようが、SDRAMは現在フラッシュよりも1桁以上速いので、プロトコルは、コントローラ308Aが、フラッシュ・リードまたはライト要求がビジーであるとき、および要求が準備できたときをファームウェア330に通知する方法を含む。ロケーション332におけるステータス・レジスタを用いることもできる。例えば、ファームウェア330は、リードまたはライト・コマンドをコマンド・ブロック332を通じて送り、このコマンドの一部であるビットとするとよいステータスを、フラッシュ要求を受信したときにコントローラによって0にセットして、ビジーであることを示す。尚、コントローラ308Aは、リード要求上において、コントローラ308Aが、指定ブロックが既に現在のマッピングについての正しいデータを収容していることを知っているのであれば、ステータスをビジーに変化させなくてもよいことを記しておく。
典型的な状況では、コントローラ308Aは、ステータスをビジーにセットし、そしてリードに対しては、バッファ310に要求されたデータを充填し始める。バッファが正しいデータを収容すると、(後続のリード要求を予期して、要求を上回るのであってもよい)、コントローラ308Aはステータスをレディに切り換える。ファームウェア330は、要求を送って以来ステータスをポーリングしており、要求データを読めることを知る。次いで、コントローラ308Aはデータをバッファ310から出力する。例えば、SDRAMプロトコルによれば、コントローラは、1つの出力が要求されたときは、要求されたアドレスに対して1つのデータ集合(例えば、バイト)を出力するか、またはそのアドレスから開始する複数のデータ集合のバースト出力を適時に出力する。出力される集合の数は、現在のバースト・モードに対応する。尚、現バースト・モードは、ハードワイヤ設定によって確立することができ、バースト・モードがソフト制御されていることを示す設定を含む。いずれにしても、SDRAM等価設定線および/またはコマンド(ソフト制御バーストに対する)によって、モードをコントローラ308Aに知らせる。
ライトも同様に処理され、コントローラ308Aは指定ブロックにあるデータをバッファ310にコピーしつつ、コントローラはビジー信号を供給する。ビジー信号は、遅い方のフラッシュに書き込むことによってライト要求が実際に完了するまで、ファームウェアによってポーリングされている。リード要求と同様に、ライト要求についても、ハイブリッド・メモリ・デバイス302Aは、CPU389には、正しいSDRAM速度で動作しているように見え、CPUはファームウェア330とコントローラ308Aとの間で行われつつあるステータス・ポーリングについては全くしらない。プロトコルを通じて、CPUの観点から同期メモリをこのように適正に動作させるが、実際には、要求側エンティティの観点からは、非同期に動作させている。
つまり、SDRAMおよびフラッシュを備え標準的なSDRAMインターフェースを有するハイブリッド・メモリ・デバイスにメモリ・コントローラを追加することにより、フラッシュ・メモリはSDRAMアドレス空間において無効とされる。フラッシュ・ブロック/ページのSDRAMアドレス空間に対するマッピングを管理するために、コマンド・プロトコル(例えば、シリアル)を用いる。これによって、フラッシュ・ストレージを設けたいいずれの計算機においても、1つのピン互換マルチチップ・パッケージを既存のSDRAMデバイスと交換することが可能となり、しかもデバイスに対してはファームウェアの変更のみで、これを行うことができる。例えば、従来のディスク・ドライブのバッファを、フラッシュ・ストレージを設ける単一チップ・アップグレードと交換することができ、これによって、既存のドライブをハイブリッドドライブにアップグレードする新たなファームウェアと共に、フラッシュ・ストレージを用いることが可能になる。更に別の例では、不揮発性ストレージをセット・トップ・ボックスの設計に追加することや、または、当時は大容量ストレージを内蔵する設計としなかったが、例えば、何らかの新たなアプリケーションまたはビジネス・モデルのために今になってそれが望ましくなった移動体電話機の設計に追加することも含む。
具体的なアーキテクチャの一例として、図5および図6は、実際のSDRAMおよびNANDフラッシュ・デバイスの使用を例証する。インターフェースおよび内部コンポーネントは、SDRAM電圧プロトコルおよびSDRAMアクセス・プロトコルの一例に合わせて構成されており、これによって、パッケージ内にある不揮発性メモリを今利用するには、ソフトウェアの変更(例えば、デバイスのファームウェアの中にある)だけで済む。しかしながら、アドレシング特性が定められているのであれば、本質的にいずれのデバイスでも用いることができることは言うまでもない。尚、図5および図6におけるアーキテクチャは、慣例的な用途である16ビット・データ経路の使用を示すが、容易に認められるように、他のデータ経路幅でも同様に動作することを記しておく。この例では、マルチチップ・パッケージは、計算機においてSDRAMチップと物理的に交換することができ、その上揮発性SDRAMメモリおよび不揮発性NANDフラッシュ・メモリの双方を組み込むように記載されている。
図5に表すSDRAMデバイス504は、1バイト、2バイト、8バイト、またはページ転送をサポートするバースト・モード・デバイス(例えば、Micron(登録商標)のMT48LC4M16A2デバイス)を備えており、例えば、2ギガビットのNANDフラッシュ606を含むハイブリッド・メモリ・デバイス602(図6)において用いることができる。図5のSDRAMデバイスについてのアーキテクチャ例において表されているように、従来のSDRAMデバイスに関して、ハイブリッド・メモリ・デバイスは、アドレス線(例えば、A0〜A11、BA0〜BA1)上でRAS/CAS(周知の行アドレス・ストローブおよび列アドレス・ストローブ)信号を受入、単一バイトのリードまたはライト以外では、RAS/CAS開始アドレスからデータを順次読み取るかまたは書き込む。尚、このタイプのメモリを用いる計算機は、シリアルにアクセスしたデータをバッファするが、これは通例多くの計算機においてオンボード・キャッシュによって行われることを記しておく。
開始アドレスに基づいてデータをシリアルに供給するので、ホスト(例えば、CPU)とSDRAM504との間にある(比較的レイテンシが低い)メモリ・コントローラ308は、チップに送られるアドレスを検出することができる。特定のアドレス範囲を検出することによって、SDRAMインターフェースに対するCE#(イネーブル)を用いて、デバイス504をリフレッシュ・サイクルに入れて、データを別のデータ源によって供給することが可能になる。
図5において、コントローラ308の制御ロジックは、SDRAMに送られるアドレスを検出する。前述のように、指定ブロック内部のアドレスを転送するとき、コントローラは、要求がフラッシュに向けられていることを知っている。このアーキテクチャ例では、SDRAMデバイスは、CE#が当該デバイスに達することを防止することによって、ディスエーブルされていることを記しておく。次いで、コントローラの制御ロジックは、コマンドをフラッシュ・デバイス606に送るか、またはデータ転送ロジックによって、リードおよびライト・データのフラッシュ・デバイスへの流れを制御することができる。尚、SDRAMデバイスへのコマンド・ストリームは中断されず、マルチチップ・パッケージ・デバイスの初期化には、制御ロジックがSDRAMに対する動作バースト・モードを検出し、フラッシュ・データをメモリ・データ・バスに転送するときにデータ・バーストを用いることを把握すればよいことを記しておく。
このように、別個のアドレス・バス上においてRAS/CAS転送によってアドレスをSDRAMに送るこのアーキテクチャでは、制御ロジックにおいてRAS/CASサイクルを検出することによって、コマンドおよびデータをフラッシュ606にそしてフラッシュ606から、適宜転送することができる。フラッシュ606に対するコマンド・ブロックへのライトのシリアル・プロトコルによって、フラッシュ・デバイスのプロトコルをサポートすることが可能になる。
図6に示すフラッシュ・デバイス(例えば、Micron(登録商標)のMT29F2G16AABWPデバイス)は、多重化バスを有し、これによって、データI/O、アドレス、およびコマンドが同じピンを共有する。尚、I/OピンI/O[15:8]は、x16構成におけるデータのみに用いられ、アドレスおよびコマンドはI/O[7:0]上で供給されることを記しておく。コマンド・シーケンスは、通常、コマンド・ラッチ・サイクル、アドレス・ラッチ・サイクル、および、リードまたはライトのデータ・サイクルを含む。制御信号CE#、WE#、RE#、CLE、ALE、およびWP#は、フラッシュ・デバイスのリードおよびライト動作を制御する。尚、異なるフラッシュ、例えば、Micron(登録商標)のGb MT29F8G08FABデバイス上では、CE#およびCE2#は各々独立した4Gbのアレイを制御することを記しておく。CE2#は、それ自体のアレイに対してCE#と同じように機能し、CE#について説明した動作は、CE2#にも該当する。
CE#は、デバイスをイネーブルするために用いられる。CE#がローであり、デバイスがビジー状態ではない場合、フラッシュ・メモリはコマンド、データ、およびアドレス情報を受け入れる。デバイスが動作を実行していないとき、CE#ピンは通例ハイに駆動されており、デバイスはスタンバイ・モードに入る。メモリがスタンバイになるのは、データが転送されておりデバイスがビジーでない間にCE#がハイになるときである。これは、電力消費を削減するのに役立つ。
CE#の"Don't Care"動作によって、NANDフラッシュが他のフラッシュまたはSRAMデバイスと同じ非同期メモリ上に常駐することが可能になる。そして、NANDフラッシュが内部動作でビジーの間は、メモリ・バス上にある他のデバイスにアクセスすることができる。この能力は、同一バス上に複数のNANDデバイスを必要とする設計のためにあり、例えば、他のデバイスからリードを行っている間に、1つのデバイスをプログラムすることができる。HIGH CLE信号は、コマンド・サイクルが行われていることを示す。HIGH ALE信号は、アドレス入力サイクルが発生していることを意味する。コマンドは、CE#およびALEがローであり、CLEがハイであり、デバイスがビジーでないときに、WE#の立ち上がりエッジにおいて、コマンド・レジスタに書き込まれる。これに対する例外は、リード・ステータスおよびリセット・コマンドである。
この特定的なコンポーネントでは、WE#の立ち上がりエッジにおいてコマンドをコマンド・レジスタに転送する。コマンドは、線I/O[7:0]上のみで入力される。x16インターフェースを有するデバイスでは、コマンドを発行するときには、線I/O[15:8]には0を書き込む必要がある。CE#およびCLEがローであり、ALEがハイであり、更にデバイスがビジーでないときに、WE#の立ち上がりエッジにおいて、アドレスをアドレス・レジスタに書き込む。アドレスを入力するのはI/O[7:0]上のみである。x16インターフェースを有するインターフェースでは、アドレスを発行するときにはI/O[15:8]にゼロを書き込む必要がある。一般に、5回のアドレス・サイクル全てでデバイスに書き込む。これに対する例外は、ブロック消去コマンドであり、これは3回のアドレス・サイクルだけで済む。
ここに例示するフラッシュ・デバイスは、多重化デバイスであり、これによってアドレス、コマンド、およびデータが単純な16ビット・インターフェースを経由してシリアルに流れる。図7は、アドレス・コマンドおよびデータ転送プロトコルのタイミングの、例示するフラッシュ・デバイスに対するシリアル性を例示する。尚、アドレス、コマンド、およびデータは、順次コマンドよびデータ・ブロックに書き込むことによって、SDRAMインターフェース(これは多重化されていない)から送られることを記しておく。
前述のように、SDRAMのアドレス空間にあるコマンド・ブロックへのライトを検出することによって、要求されるデータをコントローラ508によってフラッシュ・デバイスに転送することができる。先に示したアドレス転送を拡大すると、アドレス情報のフラッシュ・デバイスへの転送を示すことができる。また、前述のように、フラッシュ・メモリのためのアドレス情報を転送するには、SDRAM上のコマンド・ブロック・アドレスに対して複数回のライトを実行する。このエリアにあるSDRAMデータは利用できない。何故なら、デバイスがこれらのライトでは選択解除されている(deselected)からである。このシリアル様式では、アドレス・データおよびコマンド情報は、フラッシュ・デバイスから書き込みそして読み取ることができる。制御ロジックは、前述のように、更に別のコマンド・プロトコルも実装して、例えば、フラッシュ・デバイスがSDRAMデバイスの速度問題(consideration)には関与しないで済むようにする。例えば、フラッシュ・デバイスのステータスを制御ロジックにバッファすることによって、ビジーおよび実行ステータスを示す追加のコマンド応答をシリアル・プロトコルに追加することができる。フラッシュ・デバイスから返送されるデータおよびステータス・を、データ転送ロジックにおいてSRAMの小ブロックにバッファし、フラッシュに対するリードおよびライト速度がSDRAMのそれと一致するようにする。
フラッシュ・デバイスへのシリアル転送の典型的な例を図8に示す。これは、ファームウェア330によるSDRAMアドレス空間332(図3)に対するリードおよびライトの例を表す。SDRAMアドレス空間332は、フラッシュ306を制御するために確保されている。一般に、ファームウェアは、IDLEコマンドを、コントローラが検出したアドレス空間332に書き込むことによって、ステップ802においてフラッシュ・コマンドを送る。
ステップ804において、ファームウェアはフラッシュ・ブロック・アドレス要求を送る。この要求は、コマンド・アドレス空間に対する1つのライト・コマンドと共に、どのブロックそしてどのアドレスを用いるか示す5つのアドレス・ライトを含む。こうして、コントローラは、ライトを実行するために必要となる情報を有することになる。
ステップ806および808の各々において、ファームウェア330は、ライト・コマンドおよびバースト・リードを発行し、ステップ810を経由してループすることによって、ステータスについてポーリングし、フラッシュ・リード・バースト(ステップ812)を送る。
代替実現例では、レジスタに基づくプロトコルが、一連のレジスタにロードすることによって、フラッシュに対するアクセスを与える。これには、コマンドの実行を開始するようにセットしたビジー・ワードをレジスタに書き込むことを含む。これによって、1回のページ・ライトで1つまたは複数のフラッシュ・ブロックのライトまたはフェッチを開始することが可能となる。この代替案では、ビジー・ワードは、コマンドを完了したときにコントローラによって切り換えられる。サポートされるコマンドには、アドレス/ブロック・フェッチ(またはアドレス範囲フェッチ)、アドレス/ブロック・ライト(またはアドレス範囲ライト)、およびアドレス/ブロック削除(またはアドレス範囲削除)が含まれる。
更に、コントローラはロジックを含むので、コントローラはフラッシュ管理を行うことができる。例えば、フラッシュは、何回かのリードおよびライトの後にはへたる(wear out)ので、コントローラは種々の利用可能なフラッシュ・ブロックの使用を均衡にするために、アクセスをリマップ(remap)することができる。これを、へたれ均等化(wear leveling)と呼ぶ。また、コントローラ・ロジックは、誤り検出および訂正を実行し、更に既知の不良ブロックを論理的に利用可能から除去することによって、不良ブロック管理を実行することができる。
図9は、デュアル・インライン・メモリ・モジュール(DIMM)902の一例の図であり、従来のパーソナル・コンピュータのシステム・メモリにどのようにしてフラッシュを追加できるかを例示する。フラッシュ・チップの実体は、SDRAMチップと同じ側、逆側、または双方にあってもよい。コントローラは、DIMM自体にあってもよく、あるいはその外部にあり、必要に応じてSDRAMをディスエーブルしてフラッシュ・データに交換できるようにしてもよい。
パーソナル・コンピュータをオンにすると、BIOS(ファームウェア)がハイブリッドDIMMメモリの存在を検査し、存在する場合、フラッシュからSDRAMメモリの少なくとも一部(そのコード)をロードする。不揮発性フラッシュ・メモリが存在すれば、ブート、即ち、フラッシュに格納されているデータから動作を再開することが可能になる。例えば、メモリの複数のブロックにマッピングされており、SDRAMまたはフラッシュのいずれとも区別される(resolve)CPUメモリ・キャッシュから、データをアクセスする。十分なフラッシュがあれば、冬眠の目的でSDRAM全体を保存することができ、あるいはハード・ディスク・ドライブのような周辺デバイスにアクセスすることなく、オペレーティング・システム全体をロードすることもできる。
本発明には種々の修正や代替構造を取り入れることができるが、その内ある種の実施形態を例示して、図面に示しこれまで詳細に説明した。しかしながら、開示した具体的な形態に本発明を限定する意図はなく、逆に、本発明の主旨および範囲に該当するあらゆる修正、代替構造、および同等物を包含することを意図していることは言うまでもない。

Claims (18)

  1. メモリ・デバイスにおいて、
    前記メモリ・デバイスと関連した第1タイプのメモリに対し定めたインターフェースを通じて、前記メモリ・デバイスにおけるコマンド、アドレス、およびデータを、コントローラにおいて受信するステップと、
    前記コントローラにおいて、前記メモリ・デバイスにおいて受信した情報が、前記メモリ・デバイスと関連した第2タイプのメモリに対応するか判定を行い、そうである場合、少なくとも1つのコマンドを前記第2タイプのメモリに伝達するためおよび前記第2タイプのメモリ上において少なくとも1つのデータ入力/出力(I/O)動作を実行するための一方または双方のために、前記第2タイプのメモリに信号を出力するステップと、
    を備えている、方法。
  2. 請求項1記載の方法であって、更に、前記受信した情報が前記第2タイプのメモリに対応する場合、前記第1タイプのメモリをディスエーブルするステップを備えている、方法。
  3. 請求項1記載の方法であって、更に、前記受信した情報が前記第2タイプのメモリに対応する場合、ビジー指示を出力し、前記第2タイプのメモリ上においてデータI/O動作を実行し、前記I/O動作が完了したときにレディ指示を出力するステップを備えている、方法。
  4. 請求項1記載の方法であって、更に、前記受信した情報が前記第2タイプのメモリに対応する場合、前記メモリ・デバイスの1つ以上のロケーションの別の集合において、コマンド情報およびデータ・アドレシング情報の一方または双方にアクセスするステップを備えている、方法。
  5. 請求項4記載の方法において、前記受信した情報は、データ・アドレシング情報に対応し、前記方法は、更に、前記第2タイプのメモリの複数の可能なセクションの中から1つのセクションに、受信したアドレスをマッピングするために、前記データ・アドレシング情報を読み取るステップを備えている、方法。
  6. メモリ・デバイスにおいて、
    第1タイプのメモリと、
    前記第1タイプのメモリに対応するインターフェースであって、前記メモリ・デバイスが前記第1タイプのメモリのアクセス・プロトコルで動作するようにする、インターフェースと、
    第2タイプのメモリと、
    前記インターフェース、前記第1タイプのメモリ、および前記第2タイプのメモリに結合されているコントローラであって、前記インターフェースにおいて受信した情報に基づいて、前記インターフェースを通じて受信した他の情報が、前記第1タイプのメモリまたは前記第2タイプのメモリのどちらに該当するのか判定を行う、コントローラと、
    を備えている、システム。
  7. 請求項6記載のシステムにおいて、前記第1タイプのメモリは揮発性メモリを含み、前記第2タイプのメモリは不揮発性メモリを含み、前記インターフェースにおいて受信し、前記インターフェースを通じて受信した前記関連情報が、前記第1タイプのメモリまたは前記第2タイプのメモリのどちらに該当するのか前記コントローラが判定を行う基となる情報の少なくとも一部は、前記第1タイプのメモリに対応するメモリ・アドレスにおいて受信する、システム。
  8. 請求項7記載のシステムにおいて、前記揮発性メモリは、SDRAMタイプまたはDRAMタイプ・メモリを含み、前記インターフェースを通じて受信する前記メモリ・アドレスおよび関連情報は、行アクセス・ストローブ、列アクセス・ストローブ、および制御情報を含む、システム。
  9. 請求項7記載のシステムにおいて、前記不揮発性メモリは、フラッシュ・メモリを含み、前記システムは、更に、前記フラッシュ・メモリを用いて実行するデータI/O動作をバッファするために、前記コントローラと関連したバッファを備えている、システム。
  10. 請求項9記載のシステムであって、更に、ステータス・インディケータを備えており、前記コントローラは、前記ステータス・インディケータを通じて、データI/O動作がビジーかまたは完了したかを通知する、システム。
  11. 請求項6記載のシステムにおいて、前記メモリ・デバイスをデュアル・インライン・メモリ・モジュールに組み込んだ、システム。
  12. 請求項6記載のシステムにおいて、前記コントローラは、更に、メモリ管理手段を含む、システム。
  13. 請求項6記載のシステムにおいて、前記コントローラは、前記第1タイプのメモリに対応する1つ以上のロケーションの集合において、コマンド情報およびデータ・アドレシング情報の一方または双方にアクセスする、システム。
  14. 計算機において、
    第1タイプのメモリ、第2タイプのメモリ、およびコントローラに対応するインターフェースを含むハイブリッド・メモリ・デバイスと、
    コマンド関連データを前記第1タイプのメモリの1つ以上のアドレスに書き込むことを含んで、前記第2タイプのメモリ上におけるデータ入力/出力動作を目的とする少なくとも1つのコマンドを含む、前記インターフェースを通じて、前記コントローラに対するコマンドを開始するコンポーネントと、
    を備えている、システム。
  15. 請求項14記載のシステムにおいて、前記コントローラは、ステータス関連データを前記第1タイプのメモリの1つ以上のアドレスに書き込むことによって、前記第2タイプのメモリのデータ入力/出力動作のステータス情報を、前記コンポーネントに通知する、システム。
  16. 請求項14記載のシステムにおいて、前記コンポーネントは、前記計算機のファームウェア上で実行するコードを備えている、システム。
  17. 請求項14記載のシステムにおいて、前記第1タイプのメモリは揮発性メモリに対応し、前記第2タイプのメモリは不揮発性メモリを含み、前記第1タイプのメモリにおける一定のロケーションにアドレスされるデータは、前記第2タイプのメモリにアクセスするために、前記コントローラによって制御される、システム。
  18. 請求項14記載のシステムであって、更に、前記第2タイプのメモリを用いて実行するデータI/O動作をバッファするために、前記コントローラと関連したバッファを備えている、システム。
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