RU2008148129A - Гибридное запоминающее устройство с единым интерфейсом - Google Patents

Гибридное запоминающее устройство с единым интерфейсом Download PDF

Info

Publication number
RU2008148129A
RU2008148129A RU2008148129/09A RU2008148129A RU2008148129A RU 2008148129 A RU2008148129 A RU 2008148129A RU 2008148129/09 A RU2008148129/09 A RU 2008148129/09A RU 2008148129 A RU2008148129 A RU 2008148129A RU 2008148129 A RU2008148129 A RU 2008148129A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
memory
type
information
controller
received
Prior art date
Application number
RU2008148129/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2442211C2 (ru
Inventor
Растон ПАНАБЕЙКЕР (US)
Растон ПАНАБЕЙКЕР
Джек КРИСИ (US)
Джек КРИСИ
Original Assignee
Майкрософт Корпорейшн (Us)
Майкрософт Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Майкрософт Корпорейшн (Us), Майкрософт Корпорейшн filed Critical Майкрософт Корпорейшн (Us)
Publication of RU2008148129A publication Critical patent/RU2008148129A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2442211C2 publication Critical patent/RU2442211C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/06—Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
    • G06F12/0638—Combination of memories, e.g. ROM and RAM such as to permit replacement or supplementing of words in one module by words in another module
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/06—Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12—Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/20—Employing a main memory using a specific memory technology
    • G06F2212/202—Non-volatile memory
    • G06F2212/2022—Flash memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/20—Employing a main memory using a specific memory technology
    • G06F2212/205—Hybrid memory, e.g. using both volatile and non-volatile memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/005—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor comprising combined but independently operative RAM-ROM, RAM-PROM, RAM-EPROM cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/10—Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
    • G11C2207/104—Embedded memory devices, e.g. memories with a processing device on the same die or ASIC memory designs

Abstract

1. В запоминающем устройстве способ, содержащий этапы, на которых: ! принимают в контроллере команды, адреса и данные в запоминающем устройстве через заданный интерфейс для первого типа памяти, ассоциативно связанного с запоминающим устройством; ! определяют в контроллере то, соответствует ли информация, принятая в запоминающем устройстве, второму типу памяти, ассоциативно связанному с запоминающим устройством, и если да, выводят сигналы во второй тип памяти, чтобы передавать, по меньшей мере, одну команду во второй тип памяти и/или выполнять, по меньшей мере, одну операцию ввода/вывода (I/O) данных во втором типе памяти. ! 2. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором, когда принятая информация соответствует второму типу памяти, отключают первый тип памяти. ! 3. Способ по п.1, дополнительно содержащий этапы, на которых, когда принятая информация соответствует второму типу памяти, выводят индикацию занятности, выполняют операцию ввода/вывода данных во втором типе памяти и выводят индикацию готовности, когда операция ввода-вывода завершена. ! 4. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором, когда принятая информация соответствует второму типу памяти, осуществляют доступ к информации команд и/или информации адресации данных в другом наборе из одной или более ячеек запоминающего устройства. ! 5. Способ по п.4, в котором принятая информация соответствует информации адресации данных, дополнительно содержащий этап, на котором считывают информацию адресации данных, чтобы отобразить принятый адрес в одну секцию из множества возможных секций второго типа памяти. ! 6. В запоминающем устройстве система,

Claims (18)

1. В запоминающем устройстве способ, содержащий этапы, на которых:
принимают в контроллере команды, адреса и данные в запоминающем устройстве через заданный интерфейс для первого типа памяти, ассоциативно связанного с запоминающим устройством;
определяют в контроллере то, соответствует ли информация, принятая в запоминающем устройстве, второму типу памяти, ассоциативно связанному с запоминающим устройством, и если да, выводят сигналы во второй тип памяти, чтобы передавать, по меньшей мере, одну команду во второй тип памяти и/или выполнять, по меньшей мере, одну операцию ввода/вывода (I/O) данных во втором типе памяти.
2. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором, когда принятая информация соответствует второму типу памяти, отключают первый тип памяти.
3. Способ по п.1, дополнительно содержащий этапы, на которых, когда принятая информация соответствует второму типу памяти, выводят индикацию занятности, выполняют операцию ввода/вывода данных во втором типе памяти и выводят индикацию готовности, когда операция ввода-вывода завершена.
4. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором, когда принятая информация соответствует второму типу памяти, осуществляют доступ к информации команд и/или информации адресации данных в другом наборе из одной или более ячеек запоминающего устройства.
5. Способ по п.4, в котором принятая информация соответствует информации адресации данных, дополнительно содержащий этап, на котором считывают информацию адресации данных, чтобы отобразить принятый адрес в одну секцию из множества возможных секций второго типа памяти.
6. В запоминающем устройстве система, содержащая:
первый тип памяти;
интерфейс, соответствующий первому типу памяти таким образом, чтобы запоминающее устройство работало с протоколом доступа первого типа памяти;
второй тип памяти; и
контроллер, который соединен с интерфейсом, с первым типом памяти и вторым типом памяти, в котором на основе информации, принятой в интерфейсе, контроллер определяет то, применяется ли другая информация, принятая через интерфейс, к первому типу памяти или второму типу памяти.
7. Система по п.6, в которой первый тип памяти содержит энергозависимую память, второй тип памяти содержит энергонезависимую память и в которой, по меньшей мере, часть информации, принимаемой в интерфейсе, посредством которого контроллер определяет, применяется ли связанная информация, принимаемая через интерфейс, к первому типу памяти или второму типу памяти, принимается по адресу памяти, соответствующему первому типу памяти.
8. Система по п.7, в которой энергозависимая память содержит память SDRAM-типа или DRAM-типа и в которой адрес памяти и связанная информация, принятая посредством интерфейса, содержит строб строкового доступа, строб столбцового доступа и управляющую информацию.
9. Система по п.7, в которой энергонезависимая память содержит флэш-память и дополнительно содержит буфер, ассоциативно связанный с контроллером, для буферизации операций ввода/вывода данных, выполняемых с помощью флэш-памяти.
10. Система по п.9, дополнительно содержащая индикатор состояния, при этом контроллер сообщает через индикатор состояния, занята или завершена операция ввода/вывода данных.
11. Система по п.6, в которой запоминающее устройство включено в модуль памяти с двухрядным расположением выводов.
12. Система по п.6, в которой контроллер дополнительно включает в себя средство управления памятью.
13. Система по п.6, в которой контроллер осуществляет доступ к информации команд и/или информации адресации данных в наборе из одной или более ячеек, соответствующих первому типу памяти.
14. В вычислительном устройстве система, содержащая:
гибридное запоминающее устройство, включающее в себя интерфейс, соответствующий первому типу памяти, второй тип памяти и контроллер; и
компонент, который инициирует команды в контроллер через интерфейс, в том числе посредством записи связанных с командами данных в один или более адресов первого типа памяти, включая в себя, по меньшей мере, одну команду, направляемую в операцию ввода/вывода данных во втором типе памяти.
15. Система по п.14, в которой контроллер сообщает компоненту информацию состояния операции ввода/вывода данных второго типа памяти посредством записи связанных с состоянием данных в один или более адресов первого типа памяти.
16. Система по п.14, в которой компонент содержит код, приводящийся в исполнение в микропрограммном обеспечении вычислительного устройства.
17. Система по п.14, в которой первый тип памяти соответствует энергозависимой памяти, второй тип памяти соответствует энергонезависимой памяти, при этом данные, адресованные в определенную ячейку в первом типе памяти, управляются посредством контроллера, чтобы осуществлять доступ ко второму типу памяти.
18. Система по п.14, дополнительно содержащая буфер, ассоциативно связанный с контроллером, для буферизации операций ввода/вывода данных, выполняемых со вторым типом памяти.
RU2008148129/08A 2006-06-07 2007-06-01 Гибридное запоминающее устройство с единым интерфейсом RU2442211C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/449,435 US7716411B2 (en) 2006-06-07 2006-06-07 Hybrid memory device with single interface
US11/449,435 2006-06-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008148129A true RU2008148129A (ru) 2010-06-10
RU2442211C2 RU2442211C2 (ru) 2012-02-10

Family

ID=38823267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008148129/08A RU2442211C2 (ru) 2006-06-07 2007-06-01 Гибридное запоминающее устройство с единым интерфейсом

Country Status (11)

Country Link
US (2) US7716411B2 (ru)
EP (1) EP2025001B1 (ru)
JP (2) JP2009540431A (ru)
KR (1) KR101159400B1 (ru)
CN (1) CN101473438B (ru)
BR (1) BRPI0711731A2 (ru)
ES (1) ES2718463T3 (ru)
MX (1) MX2008014859A (ru)
RU (1) RU2442211C2 (ru)
TW (1) TWI420302B (ru)
WO (1) WO2007145883A1 (ru)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8812744B1 (en) 2013-03-14 2014-08-19 Microsoft Corporation Assigning priorities to data for hybrid drives
US9626126B2 (en) 2013-04-24 2017-04-18 Microsoft Technology Licensing, Llc Power saving mode hybrid drive access management
US9946495B2 (en) 2013-04-25 2018-04-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Dirty data management for hybrid drives
CN111399752A (zh) * 2019-01-03 2020-07-10 慧荣科技股份有限公司 不同类型存储单元的控制装置及方法
US11748022B2 (en) 2019-01-03 2023-09-05 Silicon Motion, Inc. Method and apparatus for controlling different types of storage units

Families Citing this family (188)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8250295B2 (en) 2004-01-05 2012-08-21 Smart Modular Technologies, Inc. Multi-rank memory module that emulates a memory module having a different number of ranks
US7392338B2 (en) 2006-07-31 2008-06-24 Metaram, Inc. Interface circuit system and method for autonomously performing power management operations in conjunction with a plurality of memory circuits
US8111566B1 (en) 2007-11-16 2012-02-07 Google, Inc. Optimal channel design for memory devices for providing a high-speed memory interface
US20080082763A1 (en) 2006-10-02 2008-04-03 Metaram, Inc. Apparatus and method for power management of memory circuits by a system or component thereof
US8081474B1 (en) 2007-12-18 2011-12-20 Google Inc. Embossed heat spreader
US8386722B1 (en) 2008-06-23 2013-02-26 Google Inc. Stacked DIMM memory interface
US8327104B2 (en) 2006-07-31 2012-12-04 Google Inc. Adjusting the timing of signals associated with a memory system
US8244971B2 (en) 2006-07-31 2012-08-14 Google Inc. Memory circuit system and method
US9171585B2 (en) 2005-06-24 2015-10-27 Google Inc. Configurable memory circuit system and method
US9542352B2 (en) 2006-02-09 2017-01-10 Google Inc. System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits
US9507739B2 (en) 2005-06-24 2016-11-29 Google Inc. Configurable memory circuit system and method
US20080028136A1 (en) 2006-07-31 2008-01-31 Schakel Keith R Method and apparatus for refresh management of memory modules
US8130560B1 (en) 2006-11-13 2012-03-06 Google Inc. Multi-rank partial width memory modules
US8397013B1 (en) 2006-10-05 2013-03-12 Google Inc. Hybrid memory module
US8089795B2 (en) 2006-02-09 2012-01-03 Google Inc. Memory module with memory stack and interface with enhanced capabilities
US7386656B2 (en) 2006-07-31 2008-06-10 Metaram, Inc. Interface circuit system and method for performing power management operations in conjunction with only a portion of a memory circuit
US8060774B2 (en) 2005-06-24 2011-11-15 Google Inc. Memory systems and memory modules
US10013371B2 (en) 2005-06-24 2018-07-03 Google Llc Configurable memory circuit system and method
US8077535B2 (en) 2006-07-31 2011-12-13 Google Inc. Memory refresh apparatus and method
US8335894B1 (en) 2008-07-25 2012-12-18 Google Inc. Configurable memory system with interface circuit
US8041881B2 (en) 2006-07-31 2011-10-18 Google Inc. Memory device with emulated characteristics
US8438328B2 (en) 2008-02-21 2013-05-07 Google Inc. Emulation of abstracted DIMMs using abstracted DRAMs
US8055833B2 (en) 2006-10-05 2011-11-08 Google Inc. System and method for increasing capacity, performance, and flexibility of flash storage
US8090897B2 (en) 2006-07-31 2012-01-03 Google Inc. System and method for simulating an aspect of a memory circuit
US8169233B2 (en) 2009-06-09 2012-05-01 Google Inc. Programming of DIMM termination resistance values
US8359187B2 (en) 2005-06-24 2013-01-22 Google Inc. Simulating a different number of memory circuit devices
US8796830B1 (en) 2006-09-01 2014-08-05 Google Inc. Stackable low-profile lead frame package
US7379316B2 (en) 2005-09-02 2008-05-27 Metaram, Inc. Methods and apparatus of stacking DRAMs
US9632929B2 (en) 2006-02-09 2017-04-25 Google Inc. Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits
US7724589B2 (en) 2006-07-31 2010-05-25 Google Inc. System and method for delaying a signal communicated from a system to at least one of a plurality of memory circuits
US7516293B2 (en) * 2006-09-08 2009-04-07 International Business Machines Corporation Increased performance using mixed memory types
US8745315B2 (en) 2006-11-06 2014-06-03 Rambus Inc. Memory Systems and methods supporting volatile and wear-leveled nonvolatile physical memory
US8135900B2 (en) 2007-03-28 2012-03-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Integrated memory management and memory management method
JP5032172B2 (ja) * 2007-03-28 2012-09-26 株式会社東芝 統合メモリ管理装置及び方法並びにデータ処理システム
WO2008131058A2 (en) * 2007-04-17 2008-10-30 Rambus Inc. Hybrid volatile and non-volatile memory device
US8904098B2 (en) 2007-06-01 2014-12-02 Netlist, Inc. Redundant backup using non-volatile memory
US8301833B1 (en) 2007-06-01 2012-10-30 Netlist, Inc. Non-volatile memory module
US8874831B2 (en) * 2007-06-01 2014-10-28 Netlist, Inc. Flash-DRAM hybrid memory module
US8209479B2 (en) 2007-07-18 2012-06-26 Google Inc. Memory circuit system and method
DE102007038543B4 (de) * 2007-08-16 2022-09-01 Robert Bosch Gmbh Begleit-Chip zur Anwendung in einer Motorsteuerung
US8080874B1 (en) 2007-09-14 2011-12-20 Google Inc. Providing additional space between an integrated circuit and a circuit board for positioning a component therebetween
US9201790B2 (en) * 2007-10-09 2015-12-01 Seagate Technology Llc System and method of matching data rates
US8209463B2 (en) * 2008-02-05 2012-06-26 Spansion Llc Expansion slots for flash memory based random access memory subsystem
US8332572B2 (en) * 2008-02-05 2012-12-11 Spansion Llc Wear leveling mechanism using a DRAM buffer
US8275945B2 (en) * 2008-02-05 2012-09-25 Spansion Llc Mitigation of flash memory latency and bandwidth limitations via a write activity log and buffer
US8352671B2 (en) * 2008-02-05 2013-01-08 Spansion Llc Partial allocate paging mechanism using a controller and a buffer
JP2009211192A (ja) * 2008-02-29 2009-09-17 Toshiba Corp メモリシステム
US8082384B2 (en) 2008-03-26 2011-12-20 Microsoft Corporation Booting an electronic device using flash memory and a limited function memory controller
US20090313416A1 (en) * 2008-06-16 2009-12-17 George Wayne Nation Computer main memory incorporating volatile and non-volatile memory
US10236032B2 (en) * 2008-09-18 2019-03-19 Novachips Canada Inc. Mass data storage system with non-volatile memory modules
US8599625B2 (en) 2008-10-23 2013-12-03 Marvell World Trade Ltd. Switch pin multiplexing
KR100987332B1 (ko) 2008-11-07 2010-10-18 서울대학교산학협력단 메모리 구조에 따른 메모리 관리 장치
CN101510174B (zh) * 2008-11-07 2012-05-02 慧帝科技(深圳)有限公司 一种快闪记忆体更新资料的管理方法及相关的记忆卡
US8370603B2 (en) 2008-12-23 2013-02-05 Apple Inc. Architecture for address mapping of managed non-volatile memory
US8327087B1 (en) * 2008-12-31 2012-12-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for an always open write-only register based memory mapped overlay interface for a nonvolatile memory
US20140325129A1 (en) * 2008-12-31 2014-10-30 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for active range mapping for a nonvolatile memory device
KR101583002B1 (ko) * 2009-02-23 2016-01-21 삼성전자주식회사 컴퓨팅 시스템, 그것의 부팅 방법, 및 코드 데이터 피닝 방법
CN102063939B (zh) * 2009-11-18 2015-01-28 中兴通讯股份有限公司 一种电可擦除可编程只读存储器的实现方法和装置
CN102110057B (zh) * 2009-12-25 2013-05-08 澜起科技（上海）有限公司 存储器模组及存储器模组内的数据交换方法
US8612809B2 (en) 2009-12-31 2013-12-17 Intel Corporation Systems, methods, and apparatuses for stacked memory
JP5570619B2 (ja) 2010-02-23 2014-08-13 ラムバス・インコーポレーテッド 異なるメモリ種類にアクセスする異なる速度での時分割多重化
US8924645B2 (en) 2010-03-08 2014-12-30 Hewlett-Packard Development Company, L. P. Data storage apparatus and methods
US20110255335A1 (en) * 2010-04-20 2011-10-20 Alessandro Grossi Charge trap memory having limited charge diffusion
US20120026802A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Emanuele Confalonieri Managed hybrid memory with adaptive power supply
KR101670055B1 (ko) * 2010-08-30 2016-11-09 삼성전자 주식회사 디지털 영상 처리 장치의 제어 방법, 상기 방법을 적용한 디지털 영상 처리 장치, 상기 디지털 영상 처리 장치를 포함하는 통신 시스템
JP2012063874A (ja) * 2010-09-14 2012-03-29 Toshiba Corp チップセレクト信号を切り替えるセレクタ、ストレージ装置、及び電子機器
KR20120028484A (ko) 2010-09-15 2012-03-23 삼성전자주식회사 모바일 기기에 채용하기 적합한 복합형 반도체 장치
EP2453377A1 (en) * 2010-11-15 2012-05-16 Gemalto SA Method of loading data into a portable secure token
US10817421B2 (en) 2010-12-13 2020-10-27 Sandisk Technologies Llc Persistent data structures
US9208071B2 (en) * 2010-12-13 2015-12-08 SanDisk Technologies, Inc. Apparatus, system, and method for accessing memory
US10817502B2 (en) 2010-12-13 2020-10-27 Sandisk Technologies Llc Persistent memory management
US9141527B2 (en) * 2011-02-25 2015-09-22 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Managing cache pools
US8930647B1 (en) 2011-04-06 2015-01-06 P4tents1, LLC Multiple class memory systems
US9158546B1 (en) 2011-04-06 2015-10-13 P4tents1, LLC Computer program product for fetching from a first physical memory between an execution of a plurality of threads associated with a second physical memory
US9176671B1 (en) 2011-04-06 2015-11-03 P4tents1, LLC Fetching data between thread execution in a flash/DRAM/embedded DRAM-equipped system
US9164679B2 (en) 2011-04-06 2015-10-20 Patents1, Llc System, method and computer program product for multi-thread operation involving first memory of a first memory class and second memory of a second memory class
US9170744B1 (en) 2011-04-06 2015-10-27 P4tents1, LLC Computer program product for controlling a flash/DRAM/embedded DRAM-equipped system
US10838646B2 (en) 2011-07-28 2020-11-17 Netlist, Inc. Method and apparatus for presearching stored data
US10380022B2 (en) 2011-07-28 2019-08-13 Netlist, Inc. Hybrid memory module and system and method of operating the same
US10198350B2 (en) 2011-07-28 2019-02-05 Netlist, Inc. Memory module having volatile and non-volatile memory subsystems and method of operation
US9417754B2 (en) 2011-08-05 2016-08-16 P4tents1, LLC User interface system, method, and computer program product
WO2013028859A1 (en) 2011-08-24 2013-02-28 Rambus Inc. Methods and systems for mapping a peripheral function onto a legacy memory interface
US9098209B2 (en) 2011-08-24 2015-08-04 Rambus Inc. Communication via a memory interface
US11048410B2 (en) 2011-08-24 2021-06-29 Rambus Inc. Distributed procedure execution and file systems on a memory interface
US8707104B1 (en) 2011-09-06 2014-04-22 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for error injection in data storage systems
US9195530B1 (en) 2011-09-06 2015-11-24 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for improved data management in data storage systems
US8700834B2 (en) 2011-09-06 2014-04-15 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for an enhanced controller architecture in data storage systems
US8713357B1 (en) 2011-09-06 2014-04-29 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for detailed error reporting in data storage systems
WO2013043602A2 (en) 2011-09-19 2013-03-28 SanDisk Technologies, Inc. High endurance non-volatile storage
KR20130032772A (ko) * 2011-09-23 2013-04-02 삼성전자주식회사 하이브리드 메모리 장치, 이를 포함하는 컴퓨터 시스템, 및 하이브리드 메모리장치의 데이터 기입 및 독출 방법
US9053008B1 (en) 2012-03-26 2015-06-09 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for providing inline parameter service in data storage devices
US9495308B2 (en) 2012-05-22 2016-11-15 Xockets, Inc. Offloading of computation for rack level servers and corresponding methods and systems
US20130318280A1 (en) 2012-05-22 2013-11-28 Xockets IP, LLC Offloading of computation for rack level servers and corresponding methods and systems
CN103456356A (zh) 2012-05-31 2013-12-18 三星电子株式会社 半导体存储器装置和相关的操作方法
KR20130143210A (ko) * 2012-06-21 2013-12-31 삼성전자주식회사 메모리 확장 장치
US9252996B2 (en) 2012-06-21 2016-02-02 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to change information values
US20140101370A1 (en) 2012-10-08 2014-04-10 HGST Netherlands B.V. Apparatus and method for low power low latency high capacity storage class memory
US20140108705A1 (en) 2012-10-12 2014-04-17 Sandisk Technologies Inc. Use of High Endurance Non-Volatile Memory for Read Acceleration
KR101630583B1 (ko) 2012-10-30 2016-06-14 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. 스마트 메모리 버퍼
WO2014081719A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-30 Peddle Charles I Solid state drive architectures
US9147461B1 (en) 2012-11-28 2015-09-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device performing a refresh operation, and memory system including the same
US9280497B2 (en) * 2012-12-21 2016-03-08 Dell Products Lp Systems and methods for support of non-volatile memory on a DDR memory channel
US9250954B2 (en) 2013-01-17 2016-02-02 Xockets, Inc. Offload processor modules for connection to system memory, and corresponding methods and systems
US9378161B1 (en) 2013-01-17 2016-06-28 Xockets, Inc. Full bandwidth packet handling with server systems including offload processors
CN103970219B (zh) * 2013-01-30 2018-03-20 鸿富锦精密电子(天津)有限公司 存储设备及支持所述存储设备的主板
KR101752583B1 (ko) 2013-03-14 2017-07-11 마이크론 테크놀로지, 인크. 트레이닝, 데이터 조직, 및/또는 섀도잉을 포함하는 메모리 시스템들 및 방법들
US10372551B2 (en) 2013-03-15 2019-08-06 Netlist, Inc. Hybrid memory system with configurable error thresholds and failure analysis capability
US9658783B2 (en) 2013-03-27 2017-05-23 Hitachi, Ltd. DRAM having SDRAM interface and flash memory consolidated memory module
CN105027092B (zh) * 2013-03-27 2018-01-30 株式会社日立制作所 具有sdram接口的dram、混合闪存存储器模块
US9552176B2 (en) 2013-04-12 2017-01-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Block storage using a hybrid memory device
US9436600B2 (en) 2013-06-11 2016-09-06 Svic No. 28 New Technology Business Investment L.L.P. Non-volatile memory storage for multi-channel memory system
WO2014203383A1 (ja) * 2013-06-20 2014-12-24 株式会社日立製作所 異種メモリを混載したメモリモジュール、及びそれを搭載した情報処理装置
US9129674B2 (en) * 2013-06-27 2015-09-08 Intel Corporation Hybrid memory device
CN105340017A (zh) * 2013-07-09 2016-02-17 惠普发展公司，有限责任合伙企业 对包括非兼容性存储器技术或与其接合的存储器模块的写入流控制
US9921980B2 (en) 2013-08-12 2018-03-20 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for configuring I/Os of memory for hybrid memory modules
JP6090057B2 (ja) * 2013-08-15 2017-03-08 富士ゼロックス株式会社 状態情報記録装置及びプログラム
US10185515B2 (en) * 2013-09-03 2019-01-22 Qualcomm Incorporated Unified memory controller for heterogeneous memory on a multi-chip package
JP6072661B2 (ja) * 2013-09-30 2017-02-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 データ処理装置、マイクロコントローラ、及び半導体装置
US11182284B2 (en) 2013-11-07 2021-11-23 Netlist, Inc. Memory module having volatile and non-volatile memory subsystems and method of operation
US10248328B2 (en) 2013-11-07 2019-04-02 Netlist, Inc. Direct data move between DRAM and storage on a memory module
CN105934747B (zh) * 2013-11-07 2020-03-06 奈特力斯股份有限公司 混合内存模块以及操作混合内存模块的系统和方法
KR102195896B1 (ko) * 2014-01-10 2020-12-28 삼성전자주식회사 디스크 캐시 제어 장치 및 방법
US9342402B1 (en) 2014-01-28 2016-05-17 Altera Corporation Memory interface with hybrid error detection circuitry for modular designs
US9237670B2 (en) 2014-02-26 2016-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Socket interposer and computer system using the socket
CN103942159A (zh) * 2014-03-19 2014-07-23 华中科技大学 一种基于混合存储设备的数据读写方法与装置
US9911477B1 (en) 2014-04-18 2018-03-06 Altera Corporation Memory controller architecture with improved memory scheduling efficiency
US20150347151A1 (en) * 2014-05-28 2015-12-03 Diablo Technologies Inc. System and method for booting from a non-volatile memory
US9811263B1 (en) 2014-06-30 2017-11-07 Altera Corporation Memory controller architecture with improved memory scheduling efficiency
US10430092B1 (en) * 2014-07-28 2019-10-01 Rambus Inc. Memory controller systems with nonvolatile memory for storing operating parameters
US9715453B2 (en) * 2014-12-11 2017-07-25 Intel Corporation Computing method and apparatus with persistent memory
US10318340B2 (en) * 2014-12-31 2019-06-11 Ati Technologies Ulc NVRAM-aware data processing system
KR102355436B1 (ko) * 2015-01-09 2022-01-26 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치
KR102076196B1 (ko) * 2015-04-14 2020-02-12 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템, 메모리 모듈 및 메모리 모듈의 동작 방법
WO2016171934A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-27 Netlist, Inc. Memory module and system and method of operation
US10339081B2 (en) 2015-05-09 2019-07-02 Medtronic, Inc. Methods and devices that utilize hardware to move blocks of operating parameter data from memory to a register set
US10261697B2 (en) 2015-06-08 2019-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and operating method of storage device
US9904490B2 (en) * 2015-06-26 2018-02-27 Toshiba Memory Corporation Solid-state mass storage device and method for persisting volatile data to non-volatile media
US10078448B2 (en) 2015-07-08 2018-09-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic devices and memory management methods thereof
US20170060434A1 (en) * 2015-08-27 2017-03-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Transaction-based hybrid memory module
KR102367512B1 (ko) 2015-09-08 2022-02-24 삼성전자주식회사 시스템 온 패키지
US10031674B2 (en) * 2015-10-07 2018-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. DIMM SSD addressing performance techniques
US10331586B2 (en) 2015-10-30 2019-06-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device for providing fast booting and system including the same
WO2017078681A1 (en) * 2015-11-03 2017-05-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Operating mode memory migration
US9971511B2 (en) 2016-01-06 2018-05-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Hybrid memory module and transaction-based memory interface
US20170220252A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 Faraday&Future Inc. Flash emulated eeprom wrapper
US10146704B2 (en) * 2016-02-16 2018-12-04 Dell Products L.P. Volatile/non-volatile memory device access provisioning system
US10534619B2 (en) 2016-02-26 2020-01-14 Smart Modular Technologies, Inc. Memory management system with multiple boot devices and method of operation thereof
US10163508B2 (en) * 2016-02-26 2018-12-25 Intel Corporation Supporting multiple memory types in a memory slot
US10621119B2 (en) 2016-03-03 2020-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Asynchronous communication protocol compatible with synchronous DDR protocol
US10592114B2 (en) 2016-03-03 2020-03-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Coordinated in-module RAS features for synchronous DDR compatible memory
US10310547B2 (en) * 2016-03-05 2019-06-04 Intel Corporation Techniques to mirror a command/address or interpret command/address logic at a memory device
US10810144B2 (en) * 2016-06-08 2020-10-20 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for operating a DRR-compatible asynchronous memory module
US10692555B2 (en) 2016-06-29 2020-06-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices enabling read strobe mode and related methods of operating semiconductor memory devices
US10186309B2 (en) 2016-06-29 2019-01-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices
KR102554496B1 (ko) 2016-07-14 2023-07-13 에스케이하이닉스 주식회사 복수개의 메모리 모듈을 포함하는 데이터 처리 시스템
US10282108B2 (en) * 2016-08-31 2019-05-07 Micron Technology, Inc. Hybrid memory device using different types of capacitors
US9916256B1 (en) 2016-09-12 2018-03-13 Toshiba Memory Corporation DDR storage adapter
KR20180030329A (ko) * 2016-09-13 2018-03-22 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법
US10552053B2 (en) 2016-09-28 2020-02-04 Seagate Technology Llc Hybrid data storage device with performance mode data path
DE102017105155B4 (de) 2016-11-11 2023-09-07 Sandisk Technologies Llc Schnittstelle für einen nichtflüchtigen speicher
CN108121664A (zh) * 2016-11-28 2018-06-05 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及其操作方法
KR20180078512A (ko) 2016-12-30 2018-07-10 삼성전자주식회사 반도체 장치
JP6391719B2 (ja) * 2017-01-10 2018-09-19 マイクロン テクノロジー， インク． トレーニング、データ再構築および／またはシャドウィングを含むメモリシステムおよび方法
US10977057B2 (en) 2017-01-23 2021-04-13 Via Labs, Inc. Electronic apparatus capable of collectively managing different firmware codes and operation method thereof
US11175853B2 (en) * 2017-05-09 2021-11-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Systems and methods for write and flush support in hybrid memory
US10496584B2 (en) * 2017-05-11 2019-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory system for supporting internal DQ termination of data buffer
US10403342B2 (en) * 2017-06-20 2019-09-03 Aspiring Sky Co. Limited Hybrid flash memory structure
US10845866B2 (en) * 2017-06-22 2020-11-24 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory system or sub-system
ES2827790T3 (es) * 2017-08-21 2021-05-24 Carrier Corp Sistema antiincendios y de seguridad que incluye bucle accesible por dirección y mejora automática de firmware
KR102412609B1 (ko) 2017-11-03 2022-06-23 삼성전자주식회사 내부 커맨드에 따른 어드레스에 대한 저장 및 출력 제어를 수행하는 메모리 장치 및 그 동작방법
KR102101622B1 (ko) * 2017-12-06 2020-04-17 주식회사 멤레이 메모리 제어 장치 및 이를 포함하는 컴퓨팅 디바이스
US11216370B2 (en) * 2018-02-20 2022-01-04 Medtronic, Inc. Methods and devices that utilize hardware to move blocks of operating parameter data from memory to a register set
KR20190105337A (ko) 2018-03-05 2019-09-17 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
US10534731B2 (en) * 2018-03-19 2020-01-14 Micron Technology, Inc. Interface for memory having a cache and multiple independent arrays
US10705963B2 (en) 2018-03-21 2020-07-07 Micron Technology, Inc. Latency-based storage in a hybrid memory system
TWI668575B (zh) * 2018-07-26 2019-08-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及非揮發式記憶體控制方法
US10977198B2 (en) 2018-09-12 2021-04-13 Micron Technology, Inc. Hybrid memory system interface
CN111512374B (zh) * 2018-10-16 2022-11-11 华为技术有限公司 一种混合存储设备及访问方法
US11048654B2 (en) * 2018-10-24 2021-06-29 Innogrit Technologies Co., Ltd. Systems and methods for providing multiple memory channels with one set of shared address pins on the physical interface
KR20210017109A (ko) 2019-08-07 2021-02-17 삼성전자주식회사 스토리지 장치
RU2757659C1 (ru) * 2020-06-16 2021-10-19 Александр Георгиевич Носков Накопитель магнитный с разделёнными областями
KR20220029914A (ko) 2020-09-02 2022-03-10 삼성전자주식회사 펄스 진폭 변조 기반 데이터 스트로브 신호를 생성하는 메모리 장치, 메모리 컨트롤러 및 이들을 포함하는 메모리 시스템
US20220083252A1 (en) * 2020-09-14 2022-03-17 Micron Technology, Inc. Indication-based avoidance of defective memory cells
CN112199045A (zh) * 2020-10-12 2021-01-08 长江存储科技有限责任公司 存储装置以及数据操作方法
KR20220077400A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
US11803326B2 (en) * 2021-04-23 2023-10-31 Macronix International Co., Ltd. Implementing a read setup burst command in 3D NAND flash memory to reduce voltage threshold deviation over time
KR102483906B1 (ko) * 2021-07-14 2022-12-30 서울시립대학교 산학협력단 Nand 플래시 메모리와 sram이 융합된 nas 메모리 셀 및 이를 이용한 nas 메모리 어레이
CN116955241B (zh) * 2023-09-21 2024-01-05 杭州智灵瞳人工智能有限公司 兼容多类型存储介质的存储芯片

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4995004A (en) 1989-05-15 1991-02-19 Dallas Semiconductor Corporation RAM/ROM hybrid memory architecture
JPH05299616A (ja) * 1992-04-16 1993-11-12 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPH06195258A (ja) * 1992-07-08 1994-07-15 Nec Corp 半導体記憶装置
US5696917A (en) 1994-06-03 1997-12-09 Intel Corporation Method and apparatus for performing burst read operations in an asynchronous nonvolatile memory
US5701433A (en) * 1994-10-14 1997-12-23 Compaq Computer Corporation Computer system having a memory controller which performs readahead operations which can be aborted prior to completion
US5634112A (en) * 1994-10-14 1997-05-27 Compaq Computer Corporation Memory controller having precharge prediction based on processor and PCI bus cycles
US6741494B2 (en) 1995-04-21 2004-05-25 Mark B. Johnson Magnetoelectronic memory element with inductively coupled write wires
US5864671A (en) 1996-07-01 1999-01-26 Sun Microsystems, Inc. Hybrid memory access protocol for servicing memory access request by ascertaining whether the memory block is currently cached in determining which protocols to be used
US6418506B1 (en) * 1996-12-31 2002-07-09 Intel Corporation Integrated circuit memory and method for transferring data using a volatile memory to buffer data for a nonvolatile memory array
US6850995B1 (en) * 1999-01-25 2005-02-01 Canon Kabushiki Kaisha Control unit selectively connected with a first bus and a second bus for controlling a displaying process in parallel with a scanning process
US6380581B1 (en) 1999-02-26 2002-04-30 Micron Technology, Inc. DRAM technology compatible non volatile memory cells with capacitors connected to the gates of the transistors
KR100313514B1 (ko) * 1999-05-11 2001-11-17 김영환 하이브리드 메모리 장치
KR100383774B1 (ko) 2000-01-26 2003-05-12 삼성전자주식회사 공통 인터페이스 방식의 메모리 장치들을 구비한 시스템
US7073014B1 (en) 2000-07-28 2006-07-04 Micron Technology, Inc. Synchronous non-volatile memory system
JP3871853B2 (ja) * 2000-05-26 2007-01-24 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置及びその動作方法
JP2002259443A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Ricoh Co Ltd 文書管理システム、文書検索方法および文書検索プログラム
US6327207B1 (en) * 2001-04-09 2001-12-04 Lsi Logic Corporation Synchronizing data operations across a synchronization boundary between different clock domains using two-hot encoding
TWI240864B (en) * 2001-06-13 2005-10-01 Hitachi Ltd Memory device
JP4059002B2 (ja) * 2001-06-13 2008-03-12 株式会社日立製作所 メモリ装置
JP2003006041A (ja) 2001-06-20 2003-01-10 Hitachi Ltd 半導体装置
US6670234B2 (en) 2001-06-22 2003-12-30 International Business Machines Corporation Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof
US7533214B2 (en) * 2002-02-27 2009-05-12 Microsoft Corporation Open architecture flash driver
US6799231B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-28 Asix Electronics Corp. Virtual I/O device coupled to memory controller
CN1717662B (zh) * 2002-11-28 2010-04-28 株式会社瑞萨科技 存储器模块、存储器系统和信息仪器
US7752380B2 (en) 2003-07-31 2010-07-06 Sandisk Il Ltd SDRAM memory device with an embedded NAND flash controller
US6859068B1 (en) * 2003-08-08 2005-02-22 Sun Microsystems, Inc. Self-correcting I/O interface driver scheme for memory interface
US7171526B2 (en) 2003-11-07 2007-01-30 Freescale Semiconductor, Inc. Memory controller useable in a data processing system
US6862206B1 (en) * 2003-12-19 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory module hybridizing an atomic resolution storage (ARS) memory and a magnetic memory
KR101085406B1 (ko) 2004-02-16 2011-11-21 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리를 제어하기 위한 컨트롤러
US20050204091A1 (en) 2004-03-11 2005-09-15 Kilbuck Kevin M. Non-volatile memory with synchronous DRAM interface
US20060184710A1 (en) * 2005-02-17 2006-08-17 Nokia Inc. Bridge between a single channel high speed bus and a multiple channel low speed bus
US20060294295A1 (en) * 2005-06-24 2006-12-28 Yukio Fukuzo DRAM chip device well-communicated with flash memory chip and multi-chip package comprising such a device
US7360022B2 (en) * 2005-12-29 2008-04-15 Intel Corporation Synchronizing an instruction cache and a data cache on demand
WO2008131058A2 (en) * 2007-04-17 2008-10-30 Rambus Inc. Hybrid volatile and non-volatile memory device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8812744B1 (en) 2013-03-14 2014-08-19 Microsoft Corporation Assigning priorities to data for hybrid drives
US8990441B2 (en) 2013-03-14 2015-03-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Assigning priorities to data for hybrid drives
US9323460B2 (en) 2013-03-14 2016-04-26 Microsoft Technology Licensing, Llc Assigning priorities to data for hybrid drives
US9626126B2 (en) 2013-04-24 2017-04-18 Microsoft Technology Licensing, Llc Power saving mode hybrid drive access management
US9946495B2 (en) 2013-04-25 2018-04-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Dirty data management for hybrid drives
CN111399752A (zh) * 2019-01-03 2020-07-10 慧荣科技股份有限公司 不同类型存储单元的控制装置及方法
US11748022B2 (en) 2019-01-03 2023-09-05 Silicon Motion, Inc. Method and apparatus for controlling different types of storage units
CN111399752B (zh) * 2019-01-03 2023-11-28 慧荣科技股份有限公司 不同类型存储单元的控制装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2025001A1 (en) 2009-02-18
US20070288683A1 (en) 2007-12-13
US20100217924A1 (en) 2010-08-26
JP2009540431A (ja) 2009-11-19
TWI420302B (zh) 2013-12-21
BRPI0711731A2 (pt) 2011-11-29
RU2442211C2 (ru) 2012-02-10
JP2011181098A (ja) 2011-09-15
EP2025001A4 (en) 2010-07-28
CN101473438A (zh) 2009-07-01
KR101159400B1 (ko) 2012-06-28
JP5613103B2 (ja) 2014-10-22
WO2007145883A1 (en) 2007-12-21
EP2025001B1 (en) 2019-01-23
CN101473438B (zh) 2012-06-13
ES2718463T3 (es) 2019-07-02
KR20090026276A (ko) 2009-03-12
US8423700B2 (en) 2013-04-16
MX2008014859A (es) 2008-12-01
TW200745848A (en) 2007-12-16
US7716411B2 (en) 2010-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008148129A (ru) Гибридное запоминающее устройство с единым интерфейсом
US8301827B2 (en) Data read method for processing a plurality of host read commands, and flash memory controller and storage system using the same
US9576662B2 (en) Phase change memory in a dual inline memory module
US8386699B2 (en) Method for giving program commands to flash memory for writing data according to a sequence, and controller and storage system using the same
JP2009540431A5 (ru)
US8144515B2 (en) Interleaved flash storage system and method
JP4984666B2 (ja) 不揮発性メモリ
US20050055493A1 (en) [method for accessing large block flash memory]
KR20150124751A (ko) 불휘발성 메모리 시스템
US9312032B2 (en) Semiconductor memory apparatus and data processing system with main memory blocks and redundant memory blocks sharing a common global data line
JP2011118469A (ja) メモリ管理装置およびメモリ管理方法
US7836263B2 (en) Nonvolatile memory controlling method and nonvolatile memory controlling apparatus
US7765367B2 (en) Control device for accelerating memory to execute iterant command
JP2012069102A (ja) 不揮発性メモリの読み出し動作変更
US8599593B2 (en) Memory system and method of operating the same
US20210064258A1 (en) Memory system
CN109299018B (zh) 一种Flash存储器中历史数据的读取方法及装置
KR102423278B1 (ko) 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
US20090043945A1 (en) Non-Volatile Memory System and Method for Reading Data Therefrom
JP2009003995A (ja) 半導体記憶装置
US11031057B2 (en) Mode conversion method and apparatus for a nonvolatile memory
JP4273038B2 (ja) メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリのデータ転送方法
US20240143512A1 (en) Write buffer linking for easy cache reads
JP2009003994A (ja) 半導体記憶装置
US10387076B2 (en) Methods for scheduling data-programming tasks and apparatuses using the same

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20150526