JPH06195258A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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JPH06195258A
JPH06195258A JP4180215A JP18021592A JPH06195258A JP H06195258 A JPH06195258 A JP H06195258A JP 4180215 A JP4180215 A JP 4180215A JP 18021592 A JP18021592 A JP 18021592A JP H06195258 A JPH06195258 A JP H06195258A
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Koyo Oyama
幸洋 尾山
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NEC Corp
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    • G11C29/74—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using duplex memories, i.e. using dual copies

Abstract

(57)【要約】 【目的】高速アクセス性と情報不揮発性とをともに備え
る単一装置構成の記憶装置を提供する。 【構成】揮発性ＲＡＭ部２は記憶すべき情報を格納する
半導体メモリであり、中央制御部１を介して外部から高
速にアクセスできる。不揮発性ＲＡＭ部３は情報を電気
的に書き換え可能で、かつ記憶保持のための電源供給が
不要な半導体メモリである。中央制御部１の退避／復旧
制御部５の制御により、メモリ相互アクセス制御部７を
起動し、揮発性ＲＡＭアクセス制御部６及び不揮発性Ｒ
ＡＭアクセス制御部８を介して、揮発性ＲＡＭ部２と不
揮発性ＲＡＭ部３との間で記憶情報の退避／復旧を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体記憶装置に関し、
特に情報処理装置の記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の記憶装置は、中央処理装
置とバス接続されたランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）
から構成される主記憶装置と、磁気ディスク装置や磁気
テープ装置や光ディスク装置等の二次記憶装置の２種類
に分類される。一般的に主記憶装置は、中央処理装置か
ら直接アクセス可能で高速アクセス可能な揮発性ランダ
ムアクセスメモリで構成され、二次記憶装置は、磁気デ
ィスク装置や磁気テープ装置や光ディスク装置や電子デ
ィスク装置に代表される大容量及び不揮発性の特徴を有
し、主記憶装置と二次記憶装置は相互補間関係を持ち、
両者を用いてシステム構成をとる事が主流となってい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の記憶装
置は、主記憶装置では情報の不揮発対策が必要となる問
題があり、二次記憶装置において、磁気ディスク装置や
磁気テープ装置や光ディスク装置のように回転記憶媒体
を使用する記憶装置は、回転待ち時間やシーク時間やサ
ーチ時間がかかりアクセス速度が遅い欠点があり、電子
ディスク装置は、半導体メモリを用いてアクセス速度は
速いが、不揮発対策として大容量の電池を必要とし重量
及び容積が大きくなる欠点があり、長時間保持用に三次
記憶装置を必要とする等の欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体記憶装置
は、記憶すべき情報を格納するための外部装置からのラ
ンダムかつ高速なリード／ライトアクセスが可能な半導
体メモリである揮発性ＲＡＭ部と；電源供給なしに保存
すべき情報を格納するための電気的に書き換え可能な半
導体メモリである不揮発性ＲＡＭ部と；前記揮発性ＲＡ
Ｍ部へのリード／ライトアクセス制御を行う揮発性ＲＡ
Ｍアクセス制御手段と、前記不揮発性ＲＡＭ部へのリー
ド／ライトアクセス制御を行なう不揮発性ＲＡＭアクセ
ス制御手段と、前記揮発性ＲＡＭ部及び不揮発性ＲＡＭ
部相互間のコピー制御を行なうメモリ相互アクセス制御
手段と、前記外部装置との接続制御を行なう外部インタ
フェース手段と、退避指示により前記メモリ相互アクセ
ス制御手段を制御して前記揮発性ＲＡＭ部に格納されて
いる情報を前記不揮発性ＲＡＭ部にコピーする退避制御
手段と、復旧指示により前記メモリ相互アクセス制御手
段を制御して前記不揮発性ＲＡＭ部に格納されている情
報を前記揮発性ＲＡＭ部にコピーする復旧制御手段とを
持つ中央制御部とを備えている。
【０００５】また、上記構成において、前記揮発性ＲＡ
Ｍアクセス制御手段が、前記揮発性ＲＡＭ部に対するラ
イトアクセス時にはエラーチェッキング・コレクティン
グ情報であるＥＣＣ情報の付加を行ない、リードアクセ
ス時にはこのＥＣＣ情報によるエラー検出及び訂正を行
ない、外部からのＲＡＭアクセスの無い時に前記揮発性
ＲＡＭ部の情報を順次読みだしてそのＥＣＣ情報による
エラー検出及び訂正をするパトロールリード機能の制御
を行ない、前記不揮発性ＲＡＭアクセス制御手段が、前
記不揮発性ＲＡＭ部に対するライトアクセス時にはエラ
ーチェッキング・コレクティング情報であるＥＣＣ情報
の付加を行い、リードアクセス時にはこのＥＣＣ情報に
よるエラー検出及び訂正を行なう構成とするこができ
る。
【０００６】
【実施例】次に、本発明につて図面を参照して説明す
る。
【０００７】図１は本発明の一実施例のブロック構成図
であり、（ａ）は半導体装置全体の、（ｂ）は中央制御
部１の構成を示す。揮発性ＲＡＭ（ランダム・アクセス
・メモリ）部２は高速アクセス可能な半導体メモリであ
り、不揮発性ＲＡＭ部３は電気的に書き換え可能でかつ
記憶保持のため電源供給を必要としない半導体メモリで
ある。外部装置から記憶すべき情報を格納する場合に、
中央制御部１の中の外部インタフェース部４を介して該
装置に記憶すべき情報と書き込み指示を伝達し、中央制
御部１はこの情報を揮発性ＲＡＭアクセス制御部６に引
き渡し、揮発性ＲＡＭアクセス制御部６はこの情報にエ
ラーチェッキング＆コレクティング（ＥＣＣ）情報の付
加を行ない、これらの情報を揮発性ＲＡＭ部２へ書き込
む。外部装置から記憶情報を読み出す場合に、中央制御
部１の中の外部インタフェース部４を介して該装置に読
みだし指示を伝達し、中央制御部１はこの指示情報を揮
発性ＲＡＭアクセス制御部６に引き渡し、揮発性ＲＡＭ
アクセス制御部６はこの指示情報に基づき該当情報を揮
発性ＲＡＭ部２から読みだし、エラーチェッキング＆コ
レクティング（ＥＣＣ）情報によるエラー検出及び訂正
を行ない、指示された情報を外部インタフェース部４へ
渡し、外部インタフェース部４から外部装置に情報伝達
を行なう。また、これらの外部から揮発性ＲＡＭアクス
時の外部アクセス情報経路９を図２（ａ）に示す。
【０００８】図２（ｂ）は、不揮発性ＲＡＭ部３に格納
されている情報を揮発性ＲＡＭ部２にコピーする復旧処
理情報経路１０を示し、該装置において復旧処理を行な
う場合は、復旧指示により退避／復旧制御部５がメモリ
相互アクセス制御部７に対し、不揮発性ＲＡＭ部３に格
納されている情報を揮発性ＲＡＭ部２にコピーする復旧
処理を指示し、メモリ相互アクセス制御部７は不揮発性
ＲＡＭアクセス制御部８に読み出し要求を行ない、不揮
発性ＲＡＭ部３に格納されている情報を受け取り、この
情報を揮発性ＲＡＭアクセス制御部６に書き込み要求を
行ない、揮発性ＲＡＭ部２に書き込み処理させることで
復旧処理を行なう。
【０００９】図２（ｃ）は、揮発性ＲＡＭ部２に格納さ
れている情報を不揮発性ＲＡＭＡ部３にコピーする退避
処理情報経路１１を示し、該装置において退避処理を行
なう場合は、退避指示により退避／復旧制御部５がメモ
リ相互アクセス制御部７に対し、揮発性ＲＡＭ部２に格
納されている情報を不揮発性ＲＡＭ部３にコピーする退
避処理を指示し、メモリ相互アクセス制御部７は揮発性
ＲＡＭアクセス制御部６に読み出し要求を行ない、揮発
性ＲＡＭ部２に格納されている情報を受け取り、この情
報を不揮発性ＲＡＭアクセス制御部８に書き込み要求を
行ない、不揮発性ＲＡＭ部３に書き込み処理させること
で退避処理を行なう。
【００１０】外部からのＲＡＭアクセスが無くかつ退避
／復旧処理も無い時に、揮発性ＲＡＭアクセス制御部６
はパトロールリード機能の制御を行なう。パトロールリ
ード機能は、揮発性ＲＡＭ部２の情報を順次読みだして
そのＥＣＣ情報によりエラー検出及び訂正する機能であ
る。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、揮発性Ｒ
ＡＭの高速アクセスが可能で主記憶装置として使用可能
であり、不揮発性ＲＡＭに情報の退避格納を行なう事で
二次記憶装置として使用可能である。二次記憶装置とし
て使用した場合にも主記憶と同程度の高速アクセスがで
きシステム性能の向上が可能であり、従来の二次記憶装
置が回転待ち時間やシーク時間等の遅れから退避／復旧
処理に長時間必要とするのに対し、退避制御機能と復旧
制御機能を使用して情報の退避／復旧を半導体メモリア
クセス速度で行なうので、退避／復旧処理が短時間で可
能となる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のブロック図である。
【図２】（ａ）は外部アクセス情報経路、（ｂ）は復旧
処理情報経路、（ｃ）は退避処理情報経路を示す図であ
る。
【符号の説明】
１ 中央制御部 ２ 揮発性ＲＡＭ部 ３ 不揮発性ＲＡＭ部 ４ 外部インタフェース部 ５ 退避／復旧制御部 ６ 揮発性ＲＡＭアクセス制御部 ７ メモリ相互アクセス制御部 ８ 不揮発性ＲＡＭアクセス制御部 ９ 外部アクセス情報経路 １０ 復旧処理情報経路 １１ 退避処理情報経路

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記憶すべき情報を格納するための外部装
    置からのランダムかつ高速なリード／ライトアクセスが
    可能な半導体メモリである揮発性ＲＡＭ部と；電源供給
    なしに保存すべき情報を格納するための電気的に書き換
    え可能な半導体メモリである不揮発性ＲＡＭ部と；前記
    揮発性ＲＡＭ部へのリード／ライトアクセス制御を行う
    揮発性ＲＡＭアクセス制御手段と、前記不揮発性ＲＡＭ
    部へのリード／ライトアクセス制御を行なう不揮発性Ｒ
    ＡＭアクセス制御手段と、前記揮発性ＲＡＭ部及び不揮
    発性ＲＡＭ部相互間のコピー制御を行なうメモリ相互ア
    クセス制御手段と、前記外部装置との接続制御を行なう
    外部インタフェース手段と、退避指示により前記メモリ
    相互アクセス制御手段を制御して前記揮発性ＲＡＭ部に
    格納されている情報を前記不揮発性ＲＡＭ部にコピーす
    る退避制御手段と、復旧指示により前記メモリ相互アク
    セス制御手段を制御して前記不揮発性ＲＡＭ部に格納さ
    れている情報を前記揮発性ＲＡＭ部にコピーする復旧制
    御手段とを持つ中央制御部とを備えたことを特徴とする
    半導体記憶装置。
  2. 【請求項２】 前記揮発性ＲＡＭアクセス制御手段が、
    前記揮発性ＲＡＭ部に対するライトアクセス時にはエラ
    ーチェッキング・コレクティング情報であるＥＣＣ情報
    の付加を行ない、リードアクセス時にはこのＥＣＣ情報
    によるエラー検出及び訂正を行ない、外部からのＲＡＭ
    アクセスの無い時に前記揮発性ＲＡＭ部の情報を順次読
    みだしてそのＥＣＣ情報によるエラー検出及び訂正をす
    るパトロールリード機能の制御を行ない、前記不揮発性
    ＲＡＭアクセス制御手段が、前記不揮発性ＲＡＭ部に対
    するライトアクセス時にはエラーチェッキング・コレク
    ティング情報であるＥＣＣ情報の付加を行い、リードア
    クセス時にはこのＥＣＣ情報によるエラー検出及び訂正
    を行なうことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装
    置。
JP4180215A 1992-07-08 1992-07-08 半導体記憶装置 Pending JPH06195258A (ja)

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