JP2017045457A - トランザクション基盤のハイブリッドメモリモジュール、及びそれを動作させる方法 - Google Patents
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Abstract
Description
110 DRAMキャッシュ
120 フラッシュストレージ
130 DRAMコントローラ
131 DRAM装置
140 フラッシュコントローラ
141 フラッシュ装置
150 メインコントローラ
151 キャッシュタッグ
152 バッファ
155 メモリインターフェイス
160 ホストメモリコントローラ
Claims (19)
- 1つ以上のDRAM装置とDRAMコントローラとを含むダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)キャッシュと、
1つ以上のフラッシュ装置とフラッシュコントローラとを含むフラッシュストレージと、
前記DRAMコントローラ及び前記フラッシュコントローラとインターフェイシングするメインコントローラと、
前記メインコントローラとホストメモリコントローラとを連結するように構成されたトランザクション基盤のメモリインターフェイスと、を含むことを特徴とするトランザクション基盤ハイブリッドメモリモジュール。 - 前記メインコントローラは、臨時キャッシュデータを格納するように構成されたバッファと、キャッシュタッグを含むことを特徴とする請求項1に記載のトランザクション基盤ハイブリッドメモリモジュール。
- 前記キャッシュタッグは、前記ホストメモリコントローラから受信されたメモリトランザクション要請がDRAMキャッシュをアクセスするための要請を含むか否かを示すことを特徴とする請求項2に記載のトランザクション基盤ハイブリッドメモリモジュール。
- 前記メインコントローラは、前記ホストメモリコントローラから受信されたメモリトランザクション要請がリードヒット(read hit)、リードミス、ライトヒット(write hit)、又はライトミスであるかを前記キャッシュタッグに基づいて決定することを特徴とする請求項3に記載のトランザクション基盤ハイブリッドメモリモジュール。
- 前記メインコントローラは、前記フラッシュストレージのフラッシュページを前記DRAMキャッシュの1つ以上のDRAMページに対してマッピングすることを特徴とする請求項1に記載のトランザクション基盤ハイブリッドメモリモジュール。
- 前記トランザクション基盤のメモリインターフェイスは、前記ハイブリッドメモリモジュールのメモリアクセスレイテンシが決定されない場合に、前記ホストメモリコントローラがハイブリッドメモリモジュールをアクセスするようにすることを特徴とする請求項1に記載のトランザクション基盤ハイブリッドメモリモジュール。
- 前記メインコントローラは、前記ホストメモリコントローラから受信されたメモリトランザクション要請が前記DRAMキャッシュからのリード要請であるか、或いはDRAMキャッシュへのライト要請であるかをキャッシュタッグに基づいて決定し、前記DRAMコントローラは、前記メモリトランザクション要請に応答して前記DRAMキャッシュに対するメモリトランザクション及びコマンドスケジューリングを管理することを特徴とする請求項1に記載のトランザクション基盤ハイブリッドメモリモジュール。
- 前記メインコントローラは、前記ホストメモリコントローラから受信されたメモリトランザクション要請が前記フラッシュストレージからのリード要請であるか、或いはフラッシュストレージへのライト要請であるかをキャッシュタッグに基づいて決定し、前記フラッシュコントローラは、前記メモリトランザクション要請に応答して前記フラッシュストレージに対するアドレス変換、ガーベッジコレクション(garbage collection)、ウェアレベリング(wear leveling)、及びスケジューリングを管理することを特徴とする請求項1に記載のトランザクション基盤ハイブリッドメモリモジュール。
- DRAMキャッシュとフラッシュストレージとを含むハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法において、
ホストメモリコントローラからのメモリトランザクション要請を非同期的に受信し、
前記メモリトランザクション要請を前記ハイブリッドメモリモジュールのバッファ内に格納し、
前記ハイブリッドメモリモジュールのキャッシュタッグをチェックし、前記メモリトランザクション要請が前記DRAMキャッシュ内に格納されたデータをアクセスするための要請を含んでいるか否かを決定し、
前記キャッシュタッグに基づいて前記メモリトランザクション要請を遂行することを含むことを特徴とするハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法。 - 前記メモリトランザクション要請が前記DRAMキャッシュからのリード要請であるか否かを前記キャッシュタッグに基づいて決定し、
前記メモリトランザクション要請に対応する前記DRAMキャッシュからのDRAMデータを受信し、
前記ホストメモリコントローラへ前記DRAMデータを提供することをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法。 - 前記メモリトランザクション要請と前記キャッシュタッグとを前記バッファに格納することをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法。
- 前記フラッシュストレージのフラッシュページを前記DRAMキャッシュの1つ以上のDRAMページに対してマッピングすることをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法。
- メモリトランザクション要請が前記DRAMキャッシュからのリード要請であるか、或いはDRAMキャッシュへのライト要請であるかを前記キャッシュタッグに基づいて決定し、
前記メモリトランザクション要請に応答して前記DRAMキャッシュに対するメモリトランザクション及びコマンドスケジューリングを管理することをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法。 - メモリトランザクション要請が前記フラッシュストレージからのリード要請であるか、或いはフラッシュストレージへのライト要請であるかを前記キャッシュタッグに基づいて決定し、
前記メモリトランザクション要請に応答して前記フラッシュストレージに対するアドレス変換、ガーベッジコレクション、ウェアレベリング、及びスケジューリングを管理することをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法。 - DRAMキャッシュページがダーティであるか否か決定し、
DRAMキャッシュページからダーティデータをリードし、
前記フラッシュストレージに前記ダーティデータをライトすることをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法。 - 前記ホストメモリコントローラから受信されたデータを前記DRAMキャッシュにライトし、
前記DRAMキャッシュをダーティとしてマーキングすることをさらに含むことを特徴とする請求項15に記載のハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法。 - 前記DRAMキャッシュのDRAMキャッシュページのオープンを維持し、
前記オープンされたDRAMキャッシュページに対して一連のカラムアクセスを遂行することをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法。 - 前記フラッシュストレージ内に格納されたデータが前記ホストメモリコントローラによって頻繁に要請されるかを決定し、
前記ホストメモリコントローラによるデータ要請の頻繁度に基づいて前記フラッシュストレージ内に格納された前記データを前記DRAMキャッシュにマッピングすることをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法。 - 前記DRAMキャッシュ及びフラッシュストレージのアクセスレイテンシは非決定的であることを特徴とする請求項9に記載のハイブリッドメモリモジュールを動作させる方法。
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