JP2009157354A - 表示装置及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電膜によるゲート電極と、第1導電膜上の第1絶縁層によるゲート絶縁膜と、第1絶縁層上にゲート電極と重なる第1半導体層と、第1半導体層上かつゲート電極に重なる第2絶縁層によるチャネル保護膜と、第1半導体層と重なりソース領域及びドレイン領域に分離された導電性の第2半導体層と、第2半導体層上の第2導電膜によるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、第2導電膜上に形成された第3絶縁層と、第3絶縁層上の第3導電膜により形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方と接続する画素電極と、第1絶縁層上の容量配線と、容量配線上の第3絶縁層を挟んで、画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置及びその作製方法に関する。
【選択図】図4
Description
本実施の形態では、本発明のチャネルストッパ型の逆スタガ型TFT及びそれを有する画素部の作製方法について、図1(A)〜図1(D)、図2(A)〜図2(C)、図3(A)〜図3(C)、図4、図5、図20、図21、図22、図23を用いてを説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で作製したTFT基板を用いて、液晶表示装置を完成させるまでの作製工程を、図10、図11(A)〜図11(D)、図12、を用いて以下に説明する。
本発明が適用される電子機器として、テレビ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。
102 ゲート配線
103 ソース配線
104 ゲート絶縁膜
105 i型半導体層
106 絶縁膜
108 チャネル保護膜
109 レジストマスク
111 導電型半導体層
112 導電膜
113 i型半導体層
113a 微結晶半導体層
113b 非晶質半導体層
114 i型半導体層
116 導電型半導体層
117 ドレイン領域
118 ソース領域
121 ドレイン電極
122 ソース電極
123 配線
125 レジストマスク
127 保護膜
128 レジストマスク
129 透光性導電膜
131 画素電極
132 接続電極
134 レジストマスク
141 TFT領域
142 容量領域
143 中継領域
161 導電膜
162 レジストマスク
171 コンタクトホール
172 コンタクトホール
173 コンタクトホール
208 配向膜
211 対向基板
212 着色層
213 遮光層(ブラックマトリクス)
214 オーバーコート層
215 対向電極
216 配向膜
218 液晶
221 シール材
222 FPC
231 画素部
1101 基板
1102 ゲート配線
1104 ゲート絶縁膜
1105 半導体層
1106 絶縁膜
1108 チャネル保護膜
1109 レジストマスク
1111 半導体層
1112 導電膜
1113 i型半導体層
1117 ドレイン領域
1118 ソース領域
1121 ドレイン電極
1122 ソース配線
1125 レジストマスク
1127 保護膜
1128 レジストマスク
1129 導電膜
1131 画素電極
1134 レジストマスク
1141 TFT領域
1142 容量領域
1143 配線領域
1151 容量配線
1161 導電膜
1162 レジストマスク
1173 コンタクトホール
2001 液晶表示パネル
2002 画素部
2003 走査線駆動回路
2004 信号線駆動回路
2011 回路基板
2012 コントロール回路
2013 信号分割回路
2014 接続配線
2101 チューナ
2102 映像信号増幅回路
2103 映像信号処理回路
2105 音声信号増幅回路
2106 音声信号処理回路
2107 スピーカ
2108 制御回路
2109 入力部
2201 筐体
2202 表示画面
2203 スピーカ
2204 操作スイッチ
2210 充電器
2212 筐体
2213 表示部
2216 操作キー
2217 スピーカ部
2301 液晶表示パネル
2302 プリント配線基板
2303 画素部
2304 走査線駆動回路
2305 走査線駆動回路
2306 信号線駆動回路
2307 コントローラ
2308 CPU
2309 メモリ
2310 電源回路
2311 音声処理回路
2312 送受信回路
2313 FPC
2314 インターフェース
2315 アンテナ用ポート
2316 VRAM
2317 DRAM
2318 フラッシュメモリ
2319 インターフェース
2320 制御信号生成回路
2321 デコーダ
2322 レジスタ
2323 演算回路
2324 RAM
2325 入力手段
2326 マイク
2327 スピーカ
2328 アンテナ
2330 ハウジング
2331 プリント基板
2332 スピーカ
2333 マイクロフォン
2334 送受信回路
2335 信号処理回路
2336 入力手段
2337 バッテリ
2339 筐体
2340 アンテナ
2401 筐体
2402 支持台
2403 表示部
2501 本体
2502 筐体
2503 表示部
2504 キーボード
2505 外部接続ポート
2506 ポインティングデバイス
2601 本体
2602 表示部
2603 スイッチ
2604 操作キー
2605 赤外線ポート
2701 筐体
2702 表示部
2703 スピーカ部
2704 操作キー
2705 記録媒体挿入部
2801 本体
2802 筐体
2803 表示部A
2804 表示部B
2805 記録媒体読込部
2806 操作キー
2807 スピーカ部
2901 リリースボタン
2902 メインスイッチ
2903 ファインダ窓
2904 フラッシュ
2905 レンズ
2906 鏡胴
2907 筺体
2911 ファインダ接眼窓
2912 モニタ
2913 操作ボタン
Claims (5)
- 第1の導電膜により形成されるゲート電極と、
前記第1の導電膜上の第1の絶縁層で形成されるゲート絶縁膜と、
前記第1の絶縁層上に、前記ゲート電極と重なる第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に配置され、かつ、前記ゲート電極に重なる第2の絶縁層で形成されるチャネル保護膜と、
前記第1の半導体層と重なり、一端がチャネル保護膜上に延び、ソース領域及びドレイン領域に分離された、一導電性を付与する不純物元素を有する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上の第2の導電膜により形成され、前記ソース領域及びドレイン領域に対応して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
を含む薄膜トランジスタと、
前記第2の導電膜上に形成された第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上の第3の導電膜により形成され、前記第3の絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記ソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続する画素電極と、
前記第1の絶縁層上の、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層及び前記第2の導電膜の積層体で形成される容量配線と、
前記容量配線上の前記第3の絶縁層と、
前記画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置。 - 第1の導電膜により形成されるゲート電極と、
前記第1の導電膜上の第1の絶縁層で形成されるゲート絶縁膜と、
前記第1の絶縁層上に、前記ゲート電極と重なる第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に配置され、かつ、前記ゲート電極に重なる第2の絶縁層で形成されるチャネル保護膜と、
前記第1の半導体層と重なり、一端がチャネル保護膜上に延び、ソース領域及びドレイン領域に分離された、一導電性を付与する不純物元素を有する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上の第2の導電膜により形成され、前記ソース領域及びドレイン領域に対応して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
を含む薄膜トランジスタと、
前記第2の導電膜上に形成された第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上の第3の導電膜により形成され、前記第3の絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記ソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続する画素電極と、
前記第1の絶縁層上の、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層及び前記第2の導電膜の積層体で形成される容量配線と、
前記容量配線上の前記第3の絶縁層と、
前記画素電極の重畳領域に形成される保持容量と、
前記第1の導電膜により形成される配線と、
前記配線上の前記第3の導電膜により形成され、前記ソース電極またはドレイン電極の他方の上面と側面に接する電極と、
を有する接続領域を有する表示装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第3の導電膜は、透光性導電膜であることを特徴とする表示装置。 - 基板上に第1の導電膜を成膜し、
前記第1の導電膜上に、第1のレジストマスクを形成し、前記第1のレジストマスクを用いて、前記第1の導電膜をエッチングして、ゲート配線及びソース配線を形成し、
前記ゲート配線及びソース配線上に、ゲート絶縁膜となる第1の絶縁膜、i型半導体層、第2の絶縁膜を成膜し、
前記第2の絶縁膜上、第2のレジストマスクを形成し、前記第2のレジストマスクを用いて、前記第2の絶縁膜をエッチングして、チャネル保護膜を形成し、
前記i型半導体層及びチャネル保護膜上に、一導電性を付与する不純物元素を含む導電型半導体層、第2の導電膜を成膜し、
前記第2の導電膜上に、第3のレジストマスクを形成し、前記第2の導電膜、前記導電型半導体層、前記i型半導体層をエッチングして、前記チャネル保護膜を露出させ、
前記第3のレジストマスクを用いた前記第2の導電膜のエッチングにより、ソース電極及びドレイン電極、並びに、容量配線の配線が形成され、
前記第3のレジストマスクを用いた前記導電型半導体層のエッチングにより、ソース領域及びドレイン領域、並びに、前記容量配線の導電型半導体層が形成され、
前記第3のレジストマスクを用いた前記i型半導体層のエッチングにより、チャネル形成領域を含むi型半導体層、並びに、容量配線のi型半導体層が形成され、
前記第3のレジストマスクを用いた、前記第2の導電膜、前記導電型半導体層、前記i型半導体層のエッチングにより、前記ソース配線及び前記ゲート絶縁膜上に、第1のコンタクトホールを形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極、前記チャネル保護膜、前記容量配線の配線を覆って、保護膜を形成し、
前記保護膜上に第4のレジストマスクを形成し、前記第4のレジストマスクを用いて、前記保護膜及び前記ゲート絶縁膜をエッチングし、
前記第4のレジストマスクを用いた前記保護膜のエッチングにより、前記第1のコンタクトホールより径の大きい第2のコンタクトホールを形成し、かつ、前記ゲート絶縁膜のエッチングにより、前記第1のコンタクトホール中のゲート絶縁膜が除去され、前記ソース配線が露出し、
前記ゲート絶縁膜が除去された第1のコンタクトホール及び第2のコンタクトホールにより、前記保護膜、前記ソース電極、前記ソース領域、前記i型半導体層、前記ゲート絶縁膜中に、階段状コンタクトホールが形成され、
前記第4のレジストマスクを用いた前記保護膜のエッチングにより、前記保護膜中に、前記ドレイン電極に達する第3のコンタクトホールが形成され、
前記保護膜、前記階段状コンタクトホール、前記第3のコンタクトホールを覆って、第3の導電膜を成膜し、
前記第3の導電膜上に、第5のレジストマスクを形成し、前記第5のレジストマスクを用いて、前記第3の導電膜をエッチングし、前記第3のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に電気的に接続され、前記容量配線上に延びる画素電極を形成し、
前記第5のレジストマスクを用いた前記第3の導電膜のエッチングにより、前記階段状コンタクトホール中に、前記ソース配線及び前記ソース電極を電気的に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項4において、
前記第3の導電膜は、透光性導電膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011070981A1 (ja) | 2009-12-09 | 2011-06-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN102983741A (zh) * | 2011-09-06 | 2013-03-20 | Lg电子株式会社 | 移动终端及其电源管理单元 |
US8405080B2 (en) | 2010-03-19 | 2013-03-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Transistor substrate and manufacturing method of the same |
JP2013122580A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、el表示装置、及びその作製方法 |
KR20130139935A (ko) | 2010-10-07 | 2013-12-23 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 표시 장치, 및 반도체 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP2017038078A (ja) * | 2011-12-23 | 2017-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101770969B1 (ko) * | 2011-01-21 | 2017-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센싱 기판 및 이의 제조 방법 |
JP2019186568A (ja) * | 2009-09-16 | 2019-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8114720B2 (en) | 2008-12-25 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101460868B1 (ko) | 2009-07-10 | 2014-11-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN103489871B (zh) | 2009-07-31 | 2016-03-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
TWI830077B (zh) * | 2009-08-07 | 2024-01-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR101687311B1 (ko) * | 2009-10-07 | 2016-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20170143023A (ko) * | 2009-10-21 | 2017-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작방법 |
US8187929B2 (en) * | 2009-11-04 | 2012-05-29 | Cbrite, Inc. | Mask level reduction for MOSFET |
US9129868B2 (en) * | 2009-11-04 | 2015-09-08 | Cbrite Inc. | Mask level reduction for MOFET |
US8053818B2 (en) * | 2009-12-18 | 2011-11-08 | Palo Alto Research Center Incorporated | Thin film field effect transistor with dual semiconductor layers |
US8603841B2 (en) * | 2010-08-27 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device |
US8728860B2 (en) * | 2010-09-03 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5848918B2 (ja) | 2010-09-03 | 2016-01-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9142568B2 (en) | 2010-09-10 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting display device |
US8647919B2 (en) * | 2010-09-13 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting display device and method for manufacturing the same |
JP5912467B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2016-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換回路及び表示装置 |
TWI489560B (zh) * | 2011-11-24 | 2015-06-21 | Au Optronics Corp | 畫素結構及其製作方法 |
JP6306278B2 (ja) * | 2012-04-09 | 2018-04-04 | Jsr株式会社 | 半導体素子、半導体基板、感放射線性樹脂組成物、保護膜および表示素子 |
KR101938761B1 (ko) * | 2012-05-23 | 2019-01-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI493726B (zh) * | 2012-06-05 | 2015-07-21 | E Ink Holdings Inc | 薄膜電晶體結構及其陣列基板 |
CN102790096A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
DE112013003841T5 (de) | 2012-08-03 | 2015-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
CN103219284B (zh) * | 2013-03-19 | 2015-04-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft阵列基板、tft阵列基板的制作方法及显示装置 |
US9915848B2 (en) * | 2013-04-19 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
TWI687748B (zh) | 2013-06-05 | 2020-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
KR20150010065A (ko) * | 2013-07-18 | 2015-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체 소자의 제조 방법 및 산화물 반도체 소자를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 |
JP6168915B2 (ja) * | 2013-08-22 | 2017-07-26 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TWI553835B (zh) * | 2014-02-26 | 2016-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 主動基板以及顯示面板 |
KR102503719B1 (ko) * | 2016-05-03 | 2023-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR102464900B1 (ko) * | 2016-05-11 | 2022-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP6873753B2 (ja) * | 2017-03-09 | 2021-05-19 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置 |
CN109256418A (zh) * | 2017-07-14 | 2019-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
CN108280317B (zh) * | 2018-04-27 | 2024-02-13 | 深圳市爱协生科技股份有限公司 | 显示驱动集成电路结构及制作方法 |
CN109087894A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-12-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器 |
TWI819745B (zh) * | 2022-08-11 | 2023-10-21 | 友達光電股份有限公司 | 近眼顯示裝置及其製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11194360A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-07-21 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置 |
JP2002148658A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-22 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタパネル |
JP2009042630A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
Family Cites Families (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2668935B2 (ja) | 1988-05-10 | 1997-10-27 | 松下電器産業株式会社 | マトリクス型画像表示装置用半導体装置およびその製造方法 |
JPH03249735A (ja) | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH04369623A (ja) | 1991-06-19 | 1992-12-22 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP3286930B2 (ja) | 1995-07-03 | 2002-05-27 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタマトリクス基板 |
JP2803713B2 (ja) | 1995-12-08 | 1998-09-24 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP3622934B2 (ja) | 1996-07-31 | 2005-02-23 | エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 |
TW379360B (en) | 1997-03-03 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP3208658B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2001-09-17 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 電気光学素子の製法 |
JP3544280B2 (ja) | 1997-03-27 | 2004-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR100244447B1 (ko) | 1997-04-03 | 2000-02-01 | 구본준 | 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 |
JP4302194B2 (ja) | 1997-04-25 | 2009-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6307214B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor thin film and semiconductor device |
US6452211B1 (en) | 1997-06-10 | 2002-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor thin film and semiconductor device |
JP4027465B2 (ja) | 1997-07-01 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法 |
JP3390633B2 (ja) | 1997-07-14 | 2003-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3844566B2 (ja) | 1997-07-30 | 2006-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6197624B1 (en) | 1997-08-29 | 2001-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of adjusting the threshold voltage in an SOI CMOS |
US6294441B1 (en) | 1998-08-18 | 2001-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP4156115B2 (ja) | 1998-12-25 | 2008-09-24 | シャープ株式会社 | マトリクス配線基板及び液晶表示装置用基板 |
WO2000059041A1 (en) | 1999-03-30 | 2000-10-05 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing thin-film transistor |
US6524876B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
JP2001051303A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2002116712A (ja) | 2000-10-04 | 2002-04-19 | Advanced Display Inc | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2002151699A (ja) | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
US7071037B2 (en) | 2001-03-06 | 2006-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2002289857A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Toshiba Corp | マトリクスアレイ基板の製造方法 |
KR100732877B1 (ko) * | 2001-08-21 | 2007-06-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 엑스레이 영상 감지소자 및 그의 제조 방법 |
CN1325984C (zh) * | 2001-09-26 | 2007-07-11 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器的薄膜晶体管阵列板 |
KR100835974B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2008-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
JP2003243327A (ja) | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置 |
KR20030075046A (ko) | 2002-03-15 | 2003-09-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP3989761B2 (ja) | 2002-04-09 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
US7038239B2 (en) | 2002-04-09 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
US7167217B2 (en) * | 2002-08-23 | 2007-01-23 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
US7183146B2 (en) * | 2003-01-17 | 2007-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US20040174483A1 (en) | 2003-03-07 | 2004-09-09 | Yayoi Nakamura | Liquid crystal display device having auxiliary capacitive electrode |
JP4182779B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2008-11-19 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
TWI336921B (en) * | 2003-07-18 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing semiconductor device |
US7211454B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate |
JP4483235B2 (ja) * | 2003-09-01 | 2010-06-16 | カシオ計算機株式会社 | トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板 |
TWI366701B (en) | 2004-01-26 | 2012-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing display and television |
KR101121620B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
CN101880859B (zh) * | 2005-01-12 | 2013-03-27 | 出光兴产株式会社 | 溅射标靶 |
CN1743933A (zh) * | 2005-09-27 | 2006-03-08 | 广辉电子股份有限公司 | 像素结构及其制造方法 |
KR100818887B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2008-04-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 및 그 제조 방법 |
US8212953B2 (en) | 2005-12-26 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5121221B2 (ja) | 2005-12-26 | 2013-01-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN101401031A (zh) * | 2006-03-24 | 2009-04-01 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
TWI430234B (zh) * | 2006-04-05 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,顯示裝置,和電子裝置 |
-
2008
- 2008-11-20 JP JP2008296460A patent/JP5292066B2/ja active Active
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2011
- 2011-10-14 US US13/273,802 patent/US8878184B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-10-29 JP JP2012237398A patent/JP2013080228A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11194360A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-07-21 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置 |
JP2002148658A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-22 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタパネル |
JP2009042630A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019186568A (ja) * | 2009-09-16 | 2019-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
WO2011070981A1 (ja) | 2009-12-09 | 2011-06-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
RU2503085C1 (ru) * | 2009-12-09 | 2013-12-27 | Шарп Кабусики Кайся | Полупроводниковое устройство и способ его изготовления |
US8685803B2 (en) | 2009-12-09 | 2014-04-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing same |
US8405080B2 (en) | 2010-03-19 | 2013-03-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Transistor substrate and manufacturing method of the same |
KR20130139935A (ko) | 2010-10-07 | 2013-12-23 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 표시 장치, 및 반도체 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
US9087752B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-07-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device and display device |
KR101770969B1 (ko) * | 2011-01-21 | 2017-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센싱 기판 및 이의 제조 방법 |
CN102983741A (zh) * | 2011-09-06 | 2013-03-20 | Lg电子株式会社 | 移动终端及其电源管理单元 |
JP2013122580A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、el表示装置、及びその作製方法 |
US9576982B2 (en) | 2011-11-11 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, EL display device, and manufacturing method thereof |
US9923000B2 (en) | 2011-12-23 | 2018-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2017038078A (ja) * | 2011-12-23 | 2017-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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