JP2009027156A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009027156A JP2009027156A JP2008159876A JP2008159876A JP2009027156A JP 2009027156 A JP2009027156 A JP 2009027156A JP 2008159876 A JP2008159876 A JP 2008159876A JP 2008159876 A JP2008159876 A JP 2008159876A JP 2009027156 A JP2009027156 A JP 2009027156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- substrate
- layer
- semiconductor substrate
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 462
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 374
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 174
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims abstract description 141
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 102
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 54
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 35
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 28
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 21
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 18
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 8
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 39
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 37
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 34
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 abstract description 22
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 323
- 239000010408 film Substances 0.000 description 174
- 239000002585 base Substances 0.000 description 62
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 52
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 50
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 47
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 32
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 28
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000006870 function Effects 0.000 description 17
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 15
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 2
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N germanium nitride Chemical compound N#[Ge]N([Ge]#N)[Ge]#N BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHVMAFDNFMTYLQ-UHFFFAOYSA-N azanylidyne(azanylidynegermyloxy)germane Chemical compound N#[Ge]O[Ge]#N BHVMAFDNFMTYLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3226—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering of silicon on insulator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板に水素イオンを照射し損傷領域を形成した後、ベース基板と半導体基板を接合させる。加熱処理を行って、半導体基板を劈開させSOI基板を作製する。SOI基板の半導体層をエッチングにより素子分離する。素子分離された半導体層に、Arなどの第18族元素と、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素とを添加し、n型またはp型のゲッタリングサイト領域を形成する。加熱処理を行って、半導体層中の金属元素をゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせる。水素イオンの照射工程で、水素イオンと共に金属イオンが半導体基板中に打ち込まれても、ゲッタリング処理によって、金属汚染の影響を抑えることができる。したがって、水素イオンの照射をイオンドーピング法で積極的に行うことができる。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、SOI基板を作製する方法、および、SOI基板を用いて半導体装置を作製する方法を説明する。まず、図1を用いて、SOI基板を作製する方法を説明する。
よって、イオンビーム121に含まれるH3 +の割合を高くすることにより、水素の平均侵入深さのばらつきが小さくなるので、半導体基板111において、水素の深さ方向の濃度プロファイルはより急峻になり、そのプロファイルのピーク位置を浅くすることができる。
本実施の形態では、実施の形態1と異なる領域にゲッタリングサイト領域を形成する方法を説明する。
本実施の形態では半導体装置の作製方法の一例を説明する。本実施の形態では、リンを添加した半導体、ならびにリンおよびボロンを添加した半導体をゲッタリングサイト領域に用いる。
本実施の形態では、SOI基板131を用いて、半導体装置を作製する方法を説明する。以下、図7および図8を参照して、本実施の形態も、実施の形態1と同様に半導体装置の作製方法として、nチャネル型薄膜トランジスタ、およびpチャネル型薄膜トランジスタを作製する方法を説明する。実施の形態1−3の半導体装置の作製方法では、SOI基板の半導体層をエッチングして素子分離した後に、ゲッタリングサイト領域を形成する工程を行っている。これに対し、本実施形態の作製方法では、素子分離される前の半導体層にゲッタリングサイト領域を形成する工程を行っている。
本実施の形態では、実施の形態1と異なる方法でSOI基板を作製する方法を説明する。図9はSOI基板の作製方法の一例を示す断面図である。
図1および図9を用いて説明したSOI基板の作製工程では、無アルカリガラス基板などの各種のガラス基板をベース基板101に適用することが可能となる。従って、ベース基板101にガラス基板を用いることで、一辺が1メートルを超える大面積なSOI基板を作製することができる。このような大面積なSOI基板に複数の半導体素子を形成することで、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置を作製することができる。また、このような表示装置だけでなく、SOI基板を用いて、太陽電池、フォトIC、半導体記憶装置など各種の半導体装置を作製することができる。
102 絶縁層
102a 絶縁膜
102b 絶縁膜
104 接合層
111 半導体基板
111A 半導体基板
112 絶縁層
112a 絶縁膜
112b 絶縁膜
113 損傷領域
114 接合層
115 半導体層
115A 半導体層
117 保護膜
121 イオンビーム
131 SOI基板
132 SOI基板
140 素子形成領域
141 レジスト
142 ゲッタリングサイト領域
151 半導体層
152 半導体層
154 絶縁層
155 ゲート電極
156 ゲート電極
157 低濃度不純物領域
158 チャネル形成領域
159 高濃度不純物領域
160 チャネル形成領域
161 サイドウォール絶縁層
162 サイドウォール絶縁層
163 ゲッタリングサイト領域
164 ゲッタリングサイト領域
165 レジスト
167 ゲッタリングサイト領域
168 絶縁層
169 層間絶縁層
170 配線
177 高濃度不純物領域
181 レジスト
182 レジスト
183 ゲッタリングサイト領域
184 ゲッタリングサイト領域
185 高濃度不純物領域
191 高濃度不純物領域
192 高濃度不純物領域
200 マイクロプロセッサ
201 演算回路
202 演算回路制御部
203 命令解析部
204 制御部
205 タイミング制御部
206 レジスタ
207 レジスタ制御部
208 バスインターフェース
209 読み出し専用メモリ(ROM)
210 ROMインターフェース
211 RFCPU
212 アナログ回路部
213 デジタル回路部
214 共振回路
215 整流回路
216 定電圧回路
217 リセット回路
218 発振回路
219 復調回路
220 変調回路
221 RFインターフェース
222 制御レジスタ
223 クロックコントローラ
224 CPUインターフェース
225 中央処理ユニット(CPU)
226 ランダムアクセスメモリ(RAM)
227 読み出し専用メモリ(ROM)
228 アンテナ
229 容量部
230 電源管理回路
301 マザーガラス
302 半導体層
310 表示パネル形成領域
311 走査線駆動回路形成領域
312 信号線駆動回路形成領域
313 画素形成領域
320 半導体層
322 走査線
323 信号線
324 画素電極
325 TFT
327 層間絶縁膜
328 電極
329 柱状スペーサ
330 配向膜
332 対向基板
333 対向電極
334 配向膜
335 液晶層
341 チャネル形成領域
342 ゲッタリングサイト領域
401 選択用トランジスタ
402 表示制御用トランジスタ
403 半導体層
404 半導体層
405 走査線
406 信号線
407 電流供給線
408 画素電極
411 電極
412 ゲート電極
413 電極
427 層間絶縁膜
428 隔壁層
429 EL層
430 対向電極
431 対向基板
432 樹脂層
451 チャネル形成領域
452 高濃度不純物領域
453 ゲッタリングサイト領域
901 携帯電話機
902 表示部
903 操作スイッチ
911 デジタルプレーヤー
912 表示部
913 操作部
914 イヤホン
921 電子ブック
922 表示部
923 操作スイッチ
Claims (14)
- ベース基板および半導体基板を用意し、
ソースガスを励起してプラズマを発生させ、前記プラズマに含まれるイオン種を前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記ベース基板または前記半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して、前記ベース基板と前記半導体基板を密着させ、前記接合層の表面と当該接合層との接触面とを接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、
前記半導体基板の加熱によって前記損傷領域で前記半導体基板を分割し、前記半導体基板から分離された第1の半導体層を前記ベース基板上に形成し、
前記第1の半導体層をエッチングして、第2の半導体層を形成し、
前記第2の半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記第2の半導体層上に前記絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第2の半導体層の前記ゲート電極と重ならない領域に第18族元素を添加して、ゲッタリングサイト領域を形成し、
前記第2の半導体層中の金属元素を前記ゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせるための加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ベース基板および半導体基板を用意し、
ソースガスを励起してプラズマを発生させ、前記プラズマに含まれるイオン種を前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記ベース基板または前記半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して、前記ベース基板と前記半導体基板を密着させ、前記接合層の表面と当該接合層との接触面とを接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、
前記半導体基板の加熱によって前記損傷領域で前記半導体基板を分割し、前記半導体基板から分離された第1の半導体層を前記ベース基板上に形成し、
前記第1の半導体層をエッチングして、第2の半導体層を形成し、
前記第2の半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記第2の半導体層上に前記絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第2の半導体層の前記ゲート電極と重ならない領域に、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素および第18族元素を含んだ、n型またはp型の導線型を示すゲッタリングサイト領域を形成し、
前記第2の半導体層中の金属元素を前記ゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせるための加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ベース基板および半導体基板を用意し、
ソースガスを励起してプラズマを発生させ、前記プラズマに含まれるイオン種を前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記ベース基板または前記半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して、前記ベース基板と前記半導体基板を密着させ、前記接合層の表面と当該接合層との接触面とを接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、
前記半導体基板の加熱によって前記損傷領域で前記半導体基板を分割し、前記半導体基板から分離された第1の半導体層を前記ベース基板上に形成し、
前記第1の半導体層をエッチングして、第2の半導体層を形成し、
前記第2の半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記第2の半導体層上に前記絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第2の半導体層の前記ゲート電極と重ならない部分に、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素が添加されたn型またはp型の不純物領域、および前記不純物領域に隣接するゲッタリングサイト領域を形成し、
前記第2の半導体層中の金属元素を前記ゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせるための加熱処理を行い、
前記ゲッタリングサイト領域は、前記不純物領域と同じ導電型を有し、
前記不純物領域に添加された前記不純物元素、および第18族元素を前記第2の半導体層に添加することで、前記ゲッタリングサイト領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ベース基板および半導体基板を用意し、
ソースガスを励起してプラズマを発生させ、前記プラズマに含まれるイオン種を前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記ベース基板または前記半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して、前記ベース基板と前記半導体基板を密着させ、前記接合層の表面と当該接合層との接触面とを接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、
前記半導体基板の加熱によって前記損傷領域で前記半導体基板を分割し、前記半導体基板から分離された第1の半導体層を前記ベース基板上に形成し、
前記第1の半導体層をエッチングして、第2の半導体層、および第3の半導体層を形成し、
前記第2の半導体層および第3の半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記第2の半導体層および第3の半導体層上に、それぞれ、前記絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第2の半導体層の前記ゲート電極と重ならない部分に、リンを添加し、n型の導電性を示す第1のゲッタリングサイト領域を形成し、
前記第3の半導体層の前記ゲート電極と重ならない部分にリンおよびボロンを添加して、p型の導電性を示す第2のゲッタリングサイト領域を形成し、
前記第2の半導体層中の金属元素を前記第1のゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせ、かつ、前記第3の半導体層の中の金属元素を前記第2のゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせるための加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ベース基板および半導体基板を用意し、
ソースガスを励起してプラズマを発生させ、前記プラズマに含まれるイオン種を前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記ベース基板または前記半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して、前記ベース基板と前記半導体基板を密着させ、前記接合層の表面と当該接合層との接触面とを接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、
前記半導体基板の加熱によって前記損傷領域で前記半導体基板を分割し、前記半導体基板から分離された第1の半導体層を前記ベース基板上に形成し、
前記第1の半導体層に第18族元素を添加して、ゲッタリングサイト領域を形成し、
前記第1の半導体層中の金属元素を前記ゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせるための加熱処理を行い、
エッチングにより前記第1の半導体層を素子分離して、第2の半導体層を形成し、かつ前記ゲッタリングサイト領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ベース基板および半導体基板を用意し、
ソースガスを励起してプラズマを発生させ、前記プラズマに含まれるイオン種を前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記ベース基板または前記半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して、前記ベース基板と前記半導体基板を密着させ、前記接合層の表面と当該接合層との接触面とを接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、
前記半導体基板の加熱によって前記損傷領域で前記半導体基板を分割し、前記半導体基板を前記ベース基板から分離することにより、前記半導体基板から分離された第1の半導体層を前記ベース基板上に形成し、
前記第1の半導体層にリンまたはヒ素を添加して、ゲッタリングサイト領域を形成し、
前記第1の半導体層を加熱して、前記第1の半導体層中の金属元素を前記ゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせるための加熱処理を行い、
エッチングにより前記第1の半導体層を素子分離して、第2の半導体層を形成し、かつ前記ゲッタリングサイト領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ベース基板および半導体基板を用意し、
ソースガスを励起してプラズマを発生させ、前記プラズマに含まれるイオン種を前記半導体基板に照射して、前記半導体基板の表面から所定の深さの領域に損傷領域を形成し、
前記ベース基板または前記半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して、前記ベース基板と前記半導体基板を密着させ、前記接合層の表面と当該接合層との接触面とを接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、
前記半導体基板の加熱によって前記損傷領域で前記半導体基板を分割し、前記半導体基板から分離された第1の半導体層を前記ベース基板上に形成し、
前記第1の半導体層に第18族元素およびリンを添加して、ゲッタリングサイト領域を形成し、
前記第1の半導体層中の金属元素を前記ゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせるための加熱処理を行い、
エッチングにより前記第1の半導体層を素子分離して、第2の半導体層を形成し、かつ前記ゲッタリングサイト領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ベース基板および半導体基板を用意し、
ソースガスを励起してプラズマを発生させ、前記プラズマに含まれるイオン種を前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記ベース基板または前記半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して、前記ベース基板と前記半導体基板を密着させ、前記接合層の表面と当該接合層との接触面とを接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、
前記半導体基板の加熱によって前記損傷領域で前記半導体基板を分割し、前記半導体基板から分離された第1の半導体層を前記ベース基板上に形成し、
前記第1の半導体層にリンおよびボロンを添加し、ゲッタリングサイト領域を形成し、
前記第1の半導体層中の金属元素を前記ゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせるための加熱処理を行い、
エッチングにより前記第1の半導体層を素子分離して、第2の半導体層を形成し、かつ前記ゲッタリングサイト領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至8のいずれか1項において、
前記損傷領域の形成に、イオンドーピング装置を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至8のいずれか1項において、
前記損傷領域の形成のためのソースガスに水素ガスを用い、
前記水素ガスを励起して、イオン種としてH+、H2 +及びH3 +を含むプラズマを生
成し、前記H+、H2 +及びH3 +を含むイオンビームを照射して、前記損傷領域を形成
することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至8のいずれか1項において、
前記損傷領域の形成のためのソースガスにヘリウムガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至8のいずれか1項において、
前記損傷領域の形成のためのソースガスにハロゲンガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至12のいずれか1項において、
前記ベース基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至12のいずれか1項において、
前記ベース基板は、アルミノシリケートガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008159876A JP5383098B2 (ja) | 2007-06-20 | 2008-06-19 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007162444 | 2007-06-20 | ||
JP2007162464 | 2007-06-20 | ||
JP2007162444 | 2007-06-20 | ||
JP2007162464 | 2007-06-20 | ||
JP2008159876A JP5383098B2 (ja) | 2007-06-20 | 2008-06-19 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009027156A true JP2009027156A (ja) | 2009-02-05 |
JP2009027156A5 JP2009027156A5 (ja) | 2011-07-07 |
JP5383098B2 JP5383098B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=40136912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008159876A Expired - Fee Related JP5383098B2 (ja) | 2007-06-20 | 2008-06-19 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8093135B2 (ja) |
JP (1) | JP5383098B2 (ja) |
KR (1) | KR101478813B1 (ja) |
CN (2) | CN101681843B (ja) |
SG (1) | SG182214A1 (ja) |
TW (1) | TWI485805B (ja) |
WO (1) | WO2008156040A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011176295A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法 |
CN103137537A (zh) * | 2011-11-28 | 2013-06-05 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法 |
JP2017045885A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 株式会社Sumco | Soiウェーハの製造方法およびsoiウェーハ |
JP2017045886A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 株式会社Sumco | Soiウェーハの製造方法およびsoiウェーハ |
JP2019114800A (ja) * | 2019-03-13 | 2019-07-11 | 株式会社Sumco | Soiウェーハ |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5315596B2 (ja) * | 2006-07-24 | 2013-10-16 | 株式会社Sumco | 貼合せsoiウェーハの製造方法 |
WO2008132904A1 (en) * | 2007-04-13 | 2008-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photovoltaic device and method for manufacturing the same |
US7795111B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate and manufacturing method of semiconductor device |
KR101404781B1 (ko) * | 2007-06-28 | 2014-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US8431451B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-04-30 | Semicondutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP5507063B2 (ja) * | 2007-07-09 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5452900B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2014-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体膜付き基板の作製方法 |
US8236668B2 (en) * | 2007-10-10 | 2012-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
JP2009135453A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器 |
JP2010153802A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US8299537B2 (en) | 2009-02-11 | 2012-10-30 | International Business Machines Corporation | Semiconductor-on-insulator substrate and structure including multiple order radio frequency harmonic supressing region |
KR20160130876A (ko) * | 2009-09-30 | 2016-11-14 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 플렉시블 디바이스용 기판, 플렉시블 디바이스용 박막 트랜지스터 기판, 플렉시블 디바이스, 박막 소자용 기판, 박막 소자, 박막 트랜지스터, 박막 소자용 기판의 제조 방법, 박막 소자의 제조 방법 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
US8461017B2 (en) * | 2010-07-19 | 2013-06-11 | Soitec | Methods of forming bonded semiconductor structures using a temporary carrier having a weakened ion implant region for subsequent separation along the weakened region |
US8835955B2 (en) * | 2010-11-01 | 2014-09-16 | Translucent, Inc. | IIIOxNy on single crystal SOI substrate and III n growth platform |
JP6016532B2 (ja) | 2011-09-07 | 2016-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9178042B2 (en) * | 2013-01-08 | 2015-11-03 | Globalfoundries Inc | Crystalline thin-film transistor |
US9577110B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device |
CN108028214B (zh) * | 2015-12-30 | 2022-04-08 | 玛特森技术公司 | 用于毫秒退火系统的气体流动控制 |
US9966301B2 (en) * | 2016-06-27 | 2018-05-08 | New Fab, LLC | Reduced substrate effects in monolithically integrated RF circuits |
JP2019054153A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US11030426B2 (en) * | 2019-10-24 | 2021-06-08 | Asianlink Technology Incorporation | Electronic book for detecting page codes by using wireless radio-frequency technology |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000106424A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
JP2001035787A (ja) * | 1998-07-15 | 2001-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 結晶性半導体薄膜及びその作製方法並びに半導体装置及びその作製方法 |
JP2002184695A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法並びに半導体装置 |
JP2003282885A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02267950A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 | Sony Corp | 半導体基板 |
JP2564935B2 (ja) * | 1989-04-20 | 1996-12-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US5753560A (en) * | 1996-10-31 | 1998-05-19 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor device using lateral gettering |
JP3976828B2 (ja) * | 1997-02-17 | 2007-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 結晶性珪素膜の作製方法 |
US6027988A (en) * | 1997-05-28 | 2000-02-22 | The Regents Of The University Of California | Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation |
JP3844566B2 (ja) * | 1997-07-30 | 2006-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JPH11163363A (ja) * | 1997-11-22 | 1999-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US6369410B1 (en) * | 1997-12-15 | 2002-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device |
US6503321B2 (en) * | 1998-02-17 | 2003-01-07 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Slicing of single-crystal films using ion implantation |
DE19821999A1 (de) * | 1998-05-15 | 1999-11-18 | Siemens Ag | SOI-Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben |
JP3697106B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法及び半導体薄膜の作製方法 |
CN1241803A (zh) * | 1998-05-15 | 2000-01-19 | 佳能株式会社 | 半导体衬底、半导体薄膜以及多层结构的制造工艺 |
JP3358550B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2002-12-24 | 信越半導体株式会社 | Soiウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるsoiウエーハ |
US7153729B1 (en) | 1998-07-15 | 2006-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same |
US6271101B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device |
US6380007B1 (en) * | 1998-12-28 | 2002-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP4066574B2 (ja) * | 1999-03-04 | 2008-03-26 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7232742B1 (en) * | 1999-11-26 | 2007-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device that includes forming a material with a high tensile stress in contact with a semiconductor film to getter impurities from the semiconductor film |
US6821827B2 (en) * | 1999-12-28 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
US6902987B1 (en) * | 2000-02-16 | 2005-06-07 | Ziptronix, Inc. | Method for low temperature bonding and bonded structure |
US7045444B2 (en) | 2000-12-19 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device that includes selectively adding a noble gas element |
TW586141B (en) * | 2001-01-19 | 2004-05-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7115453B2 (en) * | 2001-01-29 | 2006-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US7141822B2 (en) * | 2001-02-09 | 2006-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5088993B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2012-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4993810B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2012-08-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7052943B2 (en) * | 2001-03-16 | 2006-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP2002343799A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Nec Corp | Soi基板及び半導体装置の製造方法 |
TW541584B (en) * | 2001-06-01 | 2003-07-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor film, semiconductor device and method for manufacturing same |
US6743700B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor device and method of their production |
FR2835097B1 (fr) * | 2002-01-23 | 2005-10-14 | Procede optimise de report d'une couche mince de carbure de silicium sur un substrat d'accueil | |
US7119365B2 (en) * | 2002-03-26 | 2006-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof, SOI substrate and display device using the same, and manufacturing method of the SOI substrate |
JP4772258B2 (ja) | 2002-08-23 | 2011-09-14 | シャープ株式会社 | Soi基板の製造方法 |
JP4289837B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2009-07-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法 |
JP4509488B2 (ja) * | 2003-04-02 | 2010-07-21 | 株式会社Sumco | 貼り合わせ基板の製造方法 |
US6972247B2 (en) * | 2003-12-05 | 2005-12-06 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating strained Si SOI wafers |
US6992025B2 (en) * | 2004-01-12 | 2006-01-31 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Strained silicon on insulator from film transfer and relaxation by hydrogen implantation |
JP5110772B2 (ja) | 2004-02-03 | 2012-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体薄膜層を有する基板の製造方法 |
SG144152A1 (en) * | 2004-12-13 | 2008-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma doping method |
-
2008
- 2008-06-10 CN CN2008800205733A patent/CN101681843B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-10 WO PCT/JP2008/060928 patent/WO2008156040A1/en active Application Filing
- 2008-06-10 SG SG2012045472A patent/SG182214A1/en unknown
- 2008-06-10 CN CN201210057692.4A patent/CN102592977B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-10 KR KR1020107001224A patent/KR101478813B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-06-17 US US12/140,705 patent/US8093135B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-18 TW TW097122676A patent/TWI485805B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-06-19 JP JP2008159876A patent/JP5383098B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-21 US US13/011,046 patent/US8551828B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001035787A (ja) * | 1998-07-15 | 2001-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 結晶性半導体薄膜及びその作製方法並びに半導体装置及びその作製方法 |
JP2000106424A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
JP2002184695A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法並びに半導体装置 |
JP2003282885A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011176295A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法 |
CN103137537A (zh) * | 2011-11-28 | 2013-06-05 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法 |
JP2017045885A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 株式会社Sumco | Soiウェーハの製造方法およびsoiウェーハ |
JP2017045886A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 株式会社Sumco | Soiウェーハの製造方法およびsoiウェーハ |
US10170357B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-01-01 | Sumco Corporation | SOI wafer manufacturing process and SOI wafer |
JP2019114800A (ja) * | 2019-03-13 | 2019-07-11 | 株式会社Sumco | Soiウェーハ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI485805B (zh) | 2015-05-21 |
JP5383098B2 (ja) | 2014-01-08 |
US8093135B2 (en) | 2012-01-10 |
KR20100033408A (ko) | 2010-03-29 |
CN101681843B (zh) | 2012-05-09 |
TW200917416A (en) | 2009-04-16 |
CN101681843A (zh) | 2010-03-24 |
WO2008156040A1 (en) | 2008-12-24 |
CN102592977B (zh) | 2015-03-25 |
US8551828B2 (en) | 2013-10-08 |
KR101478813B1 (ko) | 2015-01-02 |
SG182214A1 (en) | 2012-07-30 |
US20110117708A1 (en) | 2011-05-19 |
US20080318367A1 (en) | 2008-12-25 |
CN102592977A (zh) | 2012-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5383098B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5478789B2 (ja) | Soi基板の作製方法 | |
KR101561855B1 (ko) | Soi기판의 제작방법 | |
JP5542256B2 (ja) | Soi基板の作製方法 | |
JP5849077B2 (ja) | Soi基板の作製方法 | |
TWI437696B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP5700617B2 (ja) | Soi基板の作製方法 | |
KR20080101653A (ko) | 반도체 기판 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US20080248629A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor substrate | |
JP2014179644A (ja) | Soi基板の作製方法 | |
JP2009212502A (ja) | Soi基板の作製方法 | |
JP2010114431A (ja) | Soi基板の作製方法 | |
JP5478916B2 (ja) | Soi基板の作製方法 | |
JP5201967B2 (ja) | 半導体基板の作製方法および半導体装置の作製方法 | |
JP5430109B2 (ja) | Soi基板の作製方法 | |
JP2010147313A (ja) | Soi基板の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110519 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131001 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |