JP2008535139A - 不揮発性メモリのキャッシュ動作におけるデータラッチの使用 - Google Patents
不揮発性メモリのキャッシュ動作におけるデータラッチの使用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008535139A JP2008535139A JP2008504243A JP2008504243A JP2008535139A JP 2008535139 A JP2008535139 A JP 2008535139A JP 2008504243 A JP2008504243 A JP 2008504243A JP 2008504243 A JP2008504243 A JP 2008504243A JP 2008535139 A JP2008535139 A JP 2008535139A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- memory
- read
- page
- memory cells
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/08—Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
- G06F12/0802—Addressing of a memory level in which the access to the desired data or data block requires associative addressing means, e.g. caches
- G06F12/0893—Caches characterised by their organisation or structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/20—Employing a main memory using a specific memory technology
- G06F2212/202—Non-volatile memory
- G06F2212/2022—Flash memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/30—Providing cache or TLB in specific location of a processing system
- G06F2212/304—In main memory subsystem
- G06F2212/3042—In main memory subsystem being part of a memory device, e.g. cache DRAM
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/2245—Memory devices with an internal cache buffer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
Description
一般的に、メモリ装置は、カード上に装着することができる1つ以上のメモリチップを備える。各メモリチップは、復号器、消去回路、書き込み回路および読み出し回路のような周辺回路によって支援されたメモリセルのアレイを備える。より精巧なメモリ装置は、知的かつ高水準のメモリ動作およびインターフェイスを実行するコントローラをも備える。今日、用いられている不揮発性固体メモリ装置が数多く商業的に成功している。これらのメモリ装置は異なる種類のメモリセルを用いることができ、各々の種類は1つ以上の電荷記憶素子を有する。
一般的に、メモリ装置は、行および列に配置され、ワード線およびビット線によってアドレス指定可能であるメモリセルの2次元アレイから成る。NOR形またはNAND形構造に従ってアレイを形成することができる。
図2には、メモリセルのNORアレイの一例を示す。NOR形構造を有するメモリ装置は、図1Bまたは図1Cに示す種類のセルを用いて実施される。メモリセルの各行はソースおよびドレインによってデイジーチェーンに接続されている。この設計は、仮想接地設計と称されることがある。各メモリセル10はソース14、ドレイン16、コントロールゲート30および選択ゲート40を有する。行内のセルは、ワード線42に接続された選択ゲートを有する。列内のセルは、選択されたビット線34,36にそれぞれ接続されたソースおよびドレインを有する。メモリセルが、独立して制御されるコントロールゲートおよび選択ゲートを有する幾つかの実施形態では、ステアリング線36も列内のセルのコントロールゲートを接続する。
図3には、図1Dに示すようなメモリセルのNANDアレイの一例を示す。NANDセルの各列に沿って、ビット線は各NANDセルのドレイン端子56に結合されている。NANDセルの各行に沿って、ソース線はすべてのソース端子54を接続することができる。また、行に沿って延在するNANDセルのコントロールゲートは、一連の対応するワード線に接続されている。接続されたワード線を介してコントロールゲートに適切な電圧を用いて一対の選択トランジスタ(図1D参照)をオンに転換することによってNANDセルの行全体をアドレス指定することができる。NANDセルのチェーン内のメモリトランジスタが読み出されると、チェーンに流れる電流が、読み出されるセル内に記憶された電荷のレベルに本質的に依存するようにチェーン内の残りのメモリトランジスタは関連するワード線を介して確実にオンに転換される。NAND構造アレイおよびメモリシステムの一部としての動作の例が、米国特許第5,570,315号(特許文献9)、第5,774,397号(特許文献16)、および第6,046,935号(特許文献17)に記載されている。
電荷記憶メモリ装置のプログラミング動作は、さらなる電荷を電荷記憶素子に追加することしかできない。従って、プログラミング動作より前に、電荷記憶素子内に存在する電荷を除去(または消去)する必要がある。メモリセルの1つ以上のブロックを消去する消去回路(図示せず)が設けられている。EEPROMのような不揮発性メモリは、セルのアレイ全部またはアレイのセルのかなりの部分が電気的に同時に(すなわち、一瞬に)消去される場合に「フラッシュ」EEPROMと称される。消去されると、次に、セルのこの部分を再プログラムすることができる。同時に消去できるセルのこの部分は、1つ以上のアドレス指定可能な消去単位を構成することができる。一般的に、消去単位またはブロックは1つ以上のページのデータを記憶し、ページはプログラミングおよび読み出しの単位であるが、単一の動作で2つ以上のページをプログラムまたは読み出すことができる。一般的に、各ページは1つ以上のセクタのデータを記憶し、セクタの大きさはホストシステムによって定義される。一例として、磁気ディスクドライブによって確立された規格に従う512バイトのユーザデータと、ユーザデータおよび/またはそれらが記憶されたブロックに関する幾らかのバイト数のオーバーヘッド情報とから成るセクタが挙げられる。
通常の2状態EEPROMセルでは、少なくとも1つの電流区切り点レベルは、導通ウィンドウを2つの領域に区画するように確立される。予め決定された一定の電圧を印加することによってセルが読み出される場合、ソース/ドレイン電流は、区切り点レベル(または、基準電流IREF )と比較することによってメモリ状態に分解される。電流読み出しが区切り点レベルの読み出しよりも高い場合、セルは一方の論理状態(例えば、「0」状態)にあると決定される。その一方で、電流が区切り点レベルの電流よりも少ない場合、セルは他方の論理状態(例えば、「1」状態)にあると決定される。従って、このような2状態セルは1ビットのデジタル情報を記憶する。外部からプログラムすることができる基準電流源は、メモリシステムの一部として区切り点レベルの電流を発生するために設けられることが多い。
読み出しおよびプログラミング性能を改善するため、アレイ内の複数の電荷記憶素子またはメモリトランジスタは並列に読み出され、またはプログラムされる。従って、メモリ素子の論理「ページ」が同時に読み出され、またはプログラムされる。既存のメモリ構造では、一般的に、行は、インターリーブされた幾つかのページを含む。ページの全メモリ素子は同時に読み出され、またはプログラムされる。列復号器は、インターリーブされたページのそれぞれ1つを対応する数の読み出し/書き込みモジュールに選択的に接続する。例えば、1つの実施例では、メモリアレイは、532バイト(512バイト+20バイトのオーバーヘッド)のページサイズを有するように設計される。各列がドレインビット線を含み、1行当たりに、インターリーブされたページが2つある場合、合計して8,512個の列になり、各ページが4,256個の列と関連する。4,256個の検知モジュールは、すべての偶数ビット線または奇数ビット線のどちらかを並列に読み出しまたは書き込むように接続可能である。このように、並行して4,256ビット(すなわち、532バイト)のページのデータはメモリ素子のページから読み出され、またはメモリ素子のページにプログラムされる。読み出し/書き込み回路170を形成する読み出し/書き込みモジュールを様々な構造に配置することができる。
本発明の多くの態様は、内部メモリが読み出し、書き込みまたは消去のような他の動作を行っている間にデータを出し入れするキャッシュ動作のため、図10において前述した読み出し/書き込みスタックのデータラッチを用いる。前述した構造では、データラッチは、多くの物理ページによって共有される。例えば、すべてのワード線によって共有されたビット線の読み出し/書き込みスタック上でのように、1つの動作が継続中である間、これらのラッチのいずれかが自由である場合、これらラッチは、同一または別のワード線において将来動作するためにデータをキャッシュすることができ、伝送時間を別の動作の裏側に隠すことができるので伝送時間を節約することができる。このことは、異なる動作または動作の段階のパイプライン処理の量を増大させることによって性能を改善することができる。一例では、キャッシュプログラミング動作において、あるページのデータをプログラムしている間、別のページのデータをロードして、伝送時間を節約することができる。別の例の場合、例示的な一実施形態において、あるワード線上の読み出し動作は、別のワード線上の書き込み動作に挿入され、これによって、データの書き込みが継続中である間、読み出しからのデータをメモリから伝送することができる。
データの書き込み:〜700μs(下ページ〜600μs、上ページ800μs)
2値データ書き込み:〜200μs
消去:〜2500μs
読み出し:〜20−40μs
データの読み出しおよびトグルアウト:2KBデータ、〜80μs;4KB〜160μs;8KB〜320μs
これらの値を参考のために用いて、以下のタイミング図に含まれる相対時間を理解することができる。異なる段階を用いる長期にわたる動作を有する場合、主な態様は、ラッチが使用可能である場合、読み出し/書き込みスタックの共有ラッチを用いて高速動作に割り込む。例えば、プログラミングまたは消去動作に読み出しを挿入することができ、または、消去に2値プログラミングを挿入することができる。主な例示的な実施形態は、あるページに対するプログラミング動作中、同一の読み出し/書き込みスタックを共有する別のページに対してデータをトグルインおよび/またはトグルアウトする。例えば、トグルアウトし変更すべきデータの読み出しは、データの書き込みのベリファイ段階に挿入される。
(1)この処理は、初期設定値「1」にデータラッチDL0 434−0をリセットすることによって開始する。この規則は、プログラムされない選択された行のセルがプログラムを禁止されるように部分ページプログラミングを簡単化するのに用いられる。
(2)プログラミングデータをI/O線231に沿ってDL0 434−0に供給する。
(3)(ラッチが含まれ、高速パス書き込みが実施される場合、)プログラミングデータをDL1 434−1およびDL2 434−2に伝送する。
(4)プログラミングデータをDL1 434−1に伝送した後、データラッチDL0 434−0を「1」にリセットすることができ、プログラミング時間中、次のデータページをI/O線231に沿ってDL0 434−0にロードすることができ、これによって、最初のページを書き込みながら次のページをキャッシュすることができる。
(5)最初のページをDL1 434−1にロードした後、プログラミングを開始することができる。さらなるプログラミングからセルをロックアウトするためにDL1 434−1のデータを用いる。本願と同時に出願された「不揮発性メモリの複数段階プログラミングにおけるデータラッチの使用」という米国特許出願(特許文献27)に記載されているような高速パス書き込みの第2段階への移行を管理する低いベリファイのロックアウトに対してDL2 434−2のデータを用いる。
(6)プログラミングを開始したら、プログラミングパルスの後、低いベリファイの結果を用いてDL2 434−2を更新する。高いベリファイの結果を用いてDL1 434−1を更新する。(この説明は、下ページプログラミングがA状態に対するものである「従来の」符号化に基づく。この符号化および他の符号化は、本願と同時に出願された「不揮発性メモリの複数段階プログラミングにおけるデータラッチの使用」という米国特許出願(特許文献27)と、2005年3月16日出願の「電力が節約された読み出しおよびプログラム−ベリファイ動作を有する不揮発性および方法」という米国特許出願(特許文献24)とにさらに詳しく説明されている。他の符号化へのこの説明の拡張は容易に分かる。)
(7)プログラミングが完了したかどうかの決定では、行のセル(または、適切な物理的プログラミング単位)のDL1 434−1レジスタのみを検査する。
(1)下ページがプログラムし終えた後、上ページ(または次のページ)書き込みを、(実行されていない)キャッシュプログラミングコマンドが保持された状態マシンコントローラからの信号から開始する。
(2)(下ページ書き込みのステップ(4)中、プログラミングデータがDL0 434−0にロードされた場合、)プログラミングデータをDL0 434−0からDL1
434−1およびDL2 434−2に伝送する。
(3)下ページデータをアレイから読み出し、DL0 434−0に配置する。
(4)この場合もDL1 434−1およびDL2 434−2を、高いベリファイロックアウトデータおよび低いベリファイロックアウトデータにそれぞれ用いる。ラッチDL0 434−0をベリファイ結果で更新しないが、プログラミング参照データとして検査する。
(5)B状態をベリファイする一部として、低いベリファイVBLで検知した後、これに応じてDL2 434−2内のデータを更新し、高いベリファイVBH結果でDL1
434−1のデータを更新する。これと同様に、Cベリファイは、ラッチDL2 434−2およびDL1 434−1をそれぞれVCL結果およびVCH結果で更新するための対応するコマンドを有する。
(6)Bデータが完了した後、C状態のベリファイのみを実行する必要があるので、(参照のためにDL0 434−0に保持された)下ページデータを必要としない。DL0 434−0を「1」にリセットし、別のページのプログラミングデータをI/O線231からラッチDL0 434−0にロードしキャッシュする。共通プロセッサ500は、C状態のみがベリファイされるべきであるという指示を設定することができる。
(7)上ページプログラミングが完了したかどうかの決定では、B状態の場合、ラッチDL1 434−1およびDL0 434−0の双方を検査する。セルがB状態にプログラムされ、C状態のみがベリファイされた場合、プログラムされていないビットが他にあるかどうかを確かめるため、ラッチDL1 434−1のデータのみを検査する必要がある。
(1)この処理は、初期設定値「1」にデータラッチDL0 434−0をリセットすることによって開始する。この規則は、プログラムされない選択された行のセルがプログラムを禁止されるように部分ページプログラミングを簡単化するのに用いられる。
(2)プログラミングデータをI/O線231に沿ってDL0 434−0に供給する。
(3)(ラッチが含まれ、高速パス書き込みが実施される場合、)プログラミングデータをDL1 434−1およびDL2 434−2に伝送する。
(4)プログラミングデータをDL1 434−1に伝送した後、データラッチDL0 434−0を「1」にリセットすることができ、プログラミング時間中、次のデータページをI/O線231に沿ってDL0 434−0にロードすることができ、これによって、第1のページを書き込みながら第2のページをキャッシュすることができる。
(5)上ページのデータをラッチDL0 434−0にロードした後、一方のページは下ページであり他方のページは上ページである2つのページが同じワード線および同じブロックにあるのかどうかを検査するためにアドレスブロックにおいて判断する。2つのページが同じワード線および同じブロックにある場合、プログラミング状態マシンは、実行可能であれば、下ページプログラミング−全シーケンスプログラミング変換を起動する。すべての保留中のベリファイが完了した後、移行が生じる。
(6)一般的に、プログラミングシーケンスが下ページから全シーケンスへ変更されると、幾つかの動作パラメータは変更される。例示的な実施形態では、これらは、以下のことを含む。
(i)下ページデータがロックアウトされなかったが、完了したプログラミングループの数が変換によってリセットされない場合、パルスベリファイ周期の数に対する最大プログラミングループは、下ページアルゴリズムの最大プログラミングループから全シーケンスの最大プログラミングループへ変更される。
(ii)図16に示すように、プログラミング波形は、下ページプログラミング処理に用いられた値VPGM_Lから開始する。全シーケンスへの変換では、プログラミング波形が、上ページ処理に用いられる開始値VPGM_Uを超える箇所に達した場合、階段波を上昇し続ける前に、階段波は減少してVPGM_Uまで戻る。
(iii)プログラミングパルスの最大値およびステップサイズを決定するパラメータは、変更されない。
(7)マルチレベルの符号化に対して正しいデータがプログラムされることを保証するため、メモリセルの現在の状態の全シーケンス読み出しを実行する必要がある。このことは、以前に下ページプログラミングにロックアウトしてあったが、上ページのデータを考慮してさらなるプログラミングを必要とする状態が、全シーケンスを開始するとプログラムを禁止されないようにする。
(8)高速パス書き込みが起動される場合、ラッチDL2 434−2のデータは、上ページプログラミングデータを反映するようにも更新される。その理由は、このデータが、以前は、A状態のみに対する低いベリファイに基づいていたためである。
(9)次に、このプログラミングは、マルチレベルの全シーケンスプログラミングアルゴリズムで再開する。図16に示すような変換時で、下ページ処理のプログラミング波形が、上ページの開始レベルを超えて増大した場合、波形は、このレベルまで戻される。
(1)コピーすべきページ(「ページM」)をラッチDL1 434−1に読み出す。このページMを、上ページまたは下ページのどちらかのデータとすることができる。
(2)次に、ページMをDL0 434−0に伝送する。
(3)次に、DL0 434−0のデータをトグルアウトし変更し、その後、これをラッチに返信する。
(4)次に、プログラミングシーケンスを開始することができる。下ページNへ書き込むべきデータをDL1 434−1およびDL2 434−2に伝送した後、ラッチDL0 434−0は、データをキャッシュする準備ができている。この下ページをプログラムする。この実施形態の場合、状態マシンのプログラミングはここで停止する。
(5)次に、コピーすべき次のページをDL0 434−0に読み出す。次に、プログラミングを再開することができる。ステップ(4)の終わりで停止された状態マシンは、始めからプログラミングシーケンスを再始動する。
(6)下ページが終了するまで、プログラミングは継続する。
コピー先ページアドレスは、書き込みが下ページまたは上ページのためのものかを決定する。プログラミングアドレスが上ページアドレスである場合、プログラミングが終了するまでプログラミングシーケンスを停止せず、書き込みが完了した後、ステップ(5)の読み出しを実行する。
(1)コピーすべきページ(「ページM」)をラッチDL1 434−1に読み出す。このページMを、上ページまたは下ページのどちらかとすることができる。
(2)次に、ページMからのデータをDL0 434−0に伝送する(前述したように、Nなどは書き込みアドレスを示し、Mなどは読み出しアドレスを示す)。
(3)次に、DL0 434−0のデータをトグルアウトし変更し、その後、これをラッチに返信する。
(4)読み出しコマンドが入力されるまで、状態マシンのプログラミングは無限の待機状態に入り、次に、ラッチDL0 434−0への別のページ、例えば次のページM+1の読み出しを開始する。
(5)ステップ(4)の読み出しが完了した後、アドレスをワード線およびブロックアドレスに切り替え戻して、ステップ(1)〜(3)でのデータをページN(この場合、下ページ)にプログラムし、プログラミングを再開する。
(6)ページM+1の読み出しが終了した後、データをトグルアウトし変更し返信することができる。処理が完了した後、2つのページが同じWL上の対応する上ページおよび下ページである場合、書き込みを全シーケンス動作に変換することができる。
(7)全シーケンス書き込みでAおよびBレベルを行った後、前述した通常のキャッシュプログラミングでのようにDL0 434−0内のデータをDL1 434−1に伝送し、別のページ(例えば、ページM+2)に対して読み出しコマンドを送出することができる。単一ページ−全シーケンス変換がない場合、下ページは書き込みを終了し、次に、上ページを開始する。Bレベル状態が完全に行われた後、同じDL0 434−0〜DL1 434−1のデータを伝送し、状態マシンは、ページM+2の読み出しコマンドに対する待機の状態に入る。
(8)読み出しコマンドが届いた後、アドレスを読み出しアドレスに切り替え、次のページ(ページM+2)を読み出す。
(9)読み出しが完了した後、書き込みが終了するまでアドレスを以前の上ページアドレス(プログラミングアドレスN+1)に切り替え戻す。
前述したように、例示的な実施形態は、メモリセルの各々にプログラムすることができるデータ(この場合、2ビット)を保持するのに用いられるラッチDL0 434−0およびDL1 434−1に加えて、高速パス書き込み技術の低いベリファイに用いられるラッチDL2 434−2を含む。例示的な実施形態では行われないが、低いベリファイを受け渡した後、ラッチDL2 434−2を自由にし、データをキャッシュするのにも用いることができる。
Claims (19)
- メモリセルのアレイと、前記アレイの一群のメモリセルについて並列に動作する一連の読み出し/書き込み回路とを含み、各読み出し/書き込み回路が、前記一群のメモリセルの対応するメモリセルの入力および/または出力データをラッチするデータラッチセットを有する不揮発性メモリ装置を動作する方法であって、
第1の複数の前記データラッチセットに記憶された第1のデータセットを用いて第1群のメモリセルについて第1の動作を実行するステップと、
前記第1の動作中、第2の動作のために第2のデータセットを前記第1の複数の前記データラッチセット内にキャッシュするステップと、
を含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記第2のデータセットは、前記メモリ装置の外部から供給される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記第1の動作は複数の段階を含み、前記第2のデータセットは、前記第1群のメモリセルとは異なる第2群のメモリセルから読み出され、前記第2のデータセットは前記第1の動作の段階間で読み出される方法。 - 請求項3記載の方法において、
前記第1の動作は、交互に生じるプログラミング段階およびベリファイ段階を有する書き込み動作であり、前記第1のデータセットは、前記第1群のメモリセルに書き込むべきデータである方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記キャッシュされたデータセットは、その後、前記書き込み動作中、前記第1の複数の前記データラッチセットから伝送される方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記交互に生じるプログラミング段階およびベリファイ段階は、前記第2のデータセットが読み出されていた間、書き込み動作が一時停止されたところから再開する方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記メモリセルは、Nビットのデータを記憶するマルチレベルのメモリセルであって、Nは1よりも大きく、前記データラッチセットの各々は、N個のデータラッチを含み、前記第1のデータセットはNビットデータである方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記Nビットのデータのビットがベリファイされているとき、データラッチは自由にされ、前記キャッシュされたデータは、前記自由にされたデータラッチに記憶される方法。 - 請求項3記載の方法において、
前記第1のデータセットおよび前記第2のデータセットは、前記メモリの異なる第1のワード線および第2のワード線に対応する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記データラッチセットの各々は、前記メモリの異なるビット線と関連する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記第1の動作は消去動作であり、前記第2の動作は読み出しである方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記第1の動作は消去動作であり、前記第2の動作はプログラミング動作である方法。 - 少なくともNビットのデータを各々記憶するメモリセルのアレイであって、Nが1よりも大きいメモリセルのアレイと、前記アレイの一群のメモリセルについて並列に動作する一連の読み出し/書き込み回路とを含み、各読み出し/書き込み回路が、前記一群のメモリセルの対応するメモリセルの入力および/または出力データをラッチするデータラッチセットを有する不揮発性メモリ装置を動作する方法であって、
第1群のメモリセルの第1のNビットデータセットを、対応するデータラッチセットの各々内のN個のデータラッチに記憶するステップと、
前記第1のデータセットを前記第1群のメモリセルに書き込むステップであって、前記書き込むステップは、交互に生じるプログラミング段階およびベリファイ段階を含み、1つ以上のベリファイレベルであるが全部には満たないベリファイレベルを過ぎて前記一群のメモリセルがプログラムされた後、前記対応するデータラッチセットの各々内の前記N個のデータラッチの1つ以上は、前記書き込むステップを完了する前に自由にされるステップと、
前記書き込むステップを完了する前に、第2のデータセットを前記自由にされたデータラッチに伝送するステップと、
を含む方法。 - 請求項13記載の方法において、
前記第2のデータセットは前記アレイの第2群のメモリセルに対するものであり、このとき、前記一連の読み出し/書き込み回路を動作することができ、前記第2群のメモリセルは前記第1群のメモリセルと異なる方法。 - 請求項13記載の方法において、
前記伝送するステップは、
前記第2群のメモリセルから前記第2のデータセットを、前記自由にされたラッチに読み出すステップであって、前記書き込むステップのパルス間で実行されるステップを含む方法。 - 請求項13記載の方法において、
前記伝送するステップは、
前記自由にされたラッチから前記第2のデータセットを伝送するステップであって、前記書き込むステップを完了する前に開始されるステップを含む方法。 - メモリセルのアレイと、前記アレイの一群のメモリセルについて並列に動作する一連の読み出し/書き込み回路とを含み、各読み出し/書き込み回路が、前記一群のメモリセルの対応するメモリセルの入力および/または出力データをラッチするデータラッチセットを有する不揮発性メモリ装置を動作する方法であって、
第1群のメモリセルの第1のデータセットを、対応するデータラッチセットに記憶するステップと、
前記第1のデータセットを前記第1群のメモリセルに書き込むステップであって、交互に生じるプログラミング段階およびベリファイ段階を含むステップと、
前記書き込むステップを前記プログラミング段階の1つと前記ベリファイ段階の1つとの間で一時停止するステップと、
前記一時停止するステップの後で、第2データセットを第2群のメモリセルから、前記対応するデータラッチセットのラッチに読み出すステップと、
前記読み出すステップの後で、前記一時停止された書き込むステップを再開するステップと、
を含む方法。 - 請求項17記載の方法において、
前記書き込むステップは状態マシンによって管理され、前記一時停止するステップは、前記読み出すステップに対するコマンドを受信したことに応答し、前記再開するステップは、前記読み出すステップを完了したことに応答する方法。 - 請求項17記載の方法において、
前記読み出すステップの後で、前記再開された書き込むステップ中、前記メモリから前記第2のデータセットを伝送するステップをさらに含む方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/097,590 US7206230B2 (en) | 2005-04-01 | 2005-04-01 | Use of data latches in cache operations of non-volatile memories |
US11/097,590 | 2005-04-01 | ||
PCT/US2006/011248 WO2006107654A1 (en) | 2005-04-01 | 2006-03-27 | Use of data latches in cache operations of non-volatile memories |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008535139A true JP2008535139A (ja) | 2008-08-28 |
JP2008535139A5 JP2008535139A5 (ja) | 2009-03-19 |
JP5038292B2 JP5038292B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=36636435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008504243A Expired - Fee Related JP5038292B2 (ja) | 2005-04-01 | 2006-03-27 | 不揮発性メモリのキャッシュ動作におけるデータラッチの使用 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (13) | US7206230B2 (ja) |
EP (1) | EP1864289B1 (ja) |
JP (1) | JP5038292B2 (ja) |
KR (1) | KR101106977B1 (ja) |
CN (1) | CN101171641B (ja) |
AT (1) | ATE458248T1 (ja) |
DE (1) | DE602006012293D1 (ja) |
TW (1) | TWI396199B (ja) |
WO (1) | WO2006107654A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129176A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2011187141A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | 転送回路及びそれを用いた不揮発性半導体記憶装置 |
JP2017004582A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
Families Citing this family (287)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5657332A (en) | 1992-05-20 | 1997-08-12 | Sandisk Corporation | Soft errors handling in EEPROM devices |
US7012835B2 (en) | 2003-10-03 | 2006-03-14 | Sandisk Corporation | Flash memory data correction and scrub techniques |
US7490283B2 (en) | 2004-05-13 | 2009-02-10 | Sandisk Corporation | Pipelined data relocation and improved chip architectures |
KR101051703B1 (ko) | 2004-08-09 | 2011-07-25 | 삼성전자주식회사 | 서스펜드/리쥼 기능을 갖는 집적 회로 카드 및 집적 회로카드 시스템 |
US7158421B2 (en) * | 2005-04-01 | 2007-01-02 | Sandisk Corporation | Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories |
US7849381B2 (en) | 2004-12-21 | 2010-12-07 | Sandisk Corporation | Method for copying data in reprogrammable non-volatile memory |
US7251160B2 (en) * | 2005-03-16 | 2007-07-31 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with power-saving read and program-verify operations |
US7206230B2 (en) * | 2005-04-01 | 2007-04-17 | Sandisk Corporation | Use of data latches in cache operations of non-volatile memories |
US7447078B2 (en) * | 2005-04-01 | 2008-11-04 | Sandisk Corporation | Method for non-volatile memory with background data latch caching during read operations |
US7463521B2 (en) * | 2005-04-01 | 2008-12-09 | Sandisk Corporation | Method for non-volatile memory with managed execution of cached data |
US7564713B2 (en) * | 2005-04-28 | 2009-07-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit device wherein during data write a potential transferred to each bit line is changed in accordance with program order of program data |
EP1750278B1 (en) * | 2005-07-28 | 2009-11-11 | STMicroelectronics S.r.l. | Method of programming a four-level flash memory device and a related page buffer |
JP5162846B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2013-03-13 | ソニー株式会社 | 記憶装置、コンピュータシステム、および記憶システム |
US20100302919A1 (en) * | 2005-10-27 | 2010-12-02 | Mediatek Inc. | Optical Recording Method and Apparatus |
EP1850347A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Method and device for writing to a flash memory |
US7917685B2 (en) * | 2006-05-04 | 2011-03-29 | Micron Technology, Inc. | Method for reading a multilevel cell in a non-volatile memory device |
WO2007130976A2 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-15 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory with background data latch caching during program operations and methods therefor |
WO2007131059A2 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-15 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory with background data latch caching during erase operations and methods therefor |
US7355892B2 (en) * | 2006-06-30 | 2008-04-08 | Sandisk Corporation | Partial page fail bit detection in flash memory devices |
US7734861B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-06-08 | Sandisk Corporation | Pseudo random and command driven bit compensation for the cycling effects in flash memory |
US7606966B2 (en) * | 2006-09-08 | 2009-10-20 | Sandisk Corporation | Methods in a pseudo random and command driven bit compensation for the cycling effects in flash memory |
US7885112B2 (en) * | 2007-09-07 | 2011-02-08 | Sandisk Corporation | Nonvolatile memory and method for on-chip pseudo-randomization of data within a page and between pages |
US7886204B2 (en) | 2006-09-27 | 2011-02-08 | Sandisk Corporation | Methods of cell population distribution assisted read margining |
US7716538B2 (en) * | 2006-09-27 | 2010-05-11 | Sandisk Corporation | Memory with cell population distribution assisted read margining |
US7747813B2 (en) * | 2006-11-24 | 2010-06-29 | Sandforce, Inc. | Multi-memory device system and method for managing a lifetime thereof |
US7809900B2 (en) * | 2006-11-24 | 2010-10-05 | Sandforce, Inc. | System, method, and computer program product for delaying an operation that reduces a lifetime of memory |
US7904619B2 (en) | 2006-11-24 | 2011-03-08 | Sandforce, Inc. | System, method, and computer program product for reducing memory write operations using difference information |
US7904672B2 (en) | 2006-12-08 | 2011-03-08 | Sandforce, Inc. | System and method for providing data redundancy after reducing memory writes |
US7616506B2 (en) * | 2006-12-28 | 2009-11-10 | Sandisk Corporation | Systems for complete word line look ahead with efficient data latch assignment in non-volatile memory read operations |
US7616505B2 (en) * | 2006-12-28 | 2009-11-10 | Sandisk Corporation | Complete word line look ahead with efficient data latch assignment in non-volatile memory read operations |
US7502255B2 (en) * | 2007-03-07 | 2009-03-10 | Sandisk Corporation | Method for cache page copy in a non-volatile memory |
US7499320B2 (en) * | 2007-03-07 | 2009-03-03 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory with cache page copy |
KR100813631B1 (ko) * | 2007-03-19 | 2008-03-14 | 삼성전자주식회사 | 읽기 성능을 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 장치 |
US7477547B2 (en) | 2007-03-28 | 2009-01-13 | Sandisk Corporation | Flash memory refresh techniques triggered by controlled scrub data reads |
US7573773B2 (en) * | 2007-03-28 | 2009-08-11 | Sandisk Corporation | Flash memory with data refresh triggered by controlled scrub data reads |
US7606071B2 (en) * | 2007-04-24 | 2009-10-20 | Sandisk Corporation | Compensating source voltage drop in non-volatile storage |
US7606072B2 (en) * | 2007-04-24 | 2009-10-20 | Sandisk Corporation | Non-volatile storage with compensation for source voltage drop |
KR100927119B1 (ko) * | 2007-05-10 | 2009-11-18 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 반도체 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
JP2008310841A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Panasonic Corp | 半導体記憶装置及び電子装置 |
WO2009095902A2 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for handling immediate data errors in flash memory |
US8694715B2 (en) | 2007-10-22 | 2014-04-08 | Densbits Technologies Ltd. | Methods for adaptively programming flash memory devices and flash memory systems incorporating same |
US7849275B2 (en) | 2007-11-19 | 2010-12-07 | Sandforce, Inc. | System, method and a computer program product for writing data to different storage devices based on write frequency |
US7903486B2 (en) * | 2007-11-19 | 2011-03-08 | Sandforce, Inc. | System, method, and computer program product for increasing a lifetime of a plurality of blocks of memory |
US8453022B2 (en) | 2007-12-05 | 2013-05-28 | Densbits Technologies Ltd. | Apparatus and methods for generating row-specific reading thresholds in flash memory |
WO2009074978A2 (en) | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for error correction and decoding on multi-level physical media |
US8307180B2 (en) | 2008-02-28 | 2012-11-06 | Nokia Corporation | Extended utilization area for a memory device |
US7986554B2 (en) | 2008-03-19 | 2011-07-26 | Sandisk Technologies Inc. | Different combinations of wordline order and look-ahead read to improve non-volatile memory performance |
US7961512B2 (en) * | 2008-03-19 | 2011-06-14 | Sandisk Corporation | Adaptive algorithm in cache operation with dynamic data latch requirements |
US8972472B2 (en) | 2008-03-25 | 2015-03-03 | Densbits Technologies Ltd. | Apparatus and methods for hardware-efficient unbiased rounding |
WO2009140112A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Rambus Inc. | Fractional program commands for memory devices |
US8130576B2 (en) * | 2008-06-30 | 2012-03-06 | Intel Corporation | Memory throughput increase via fine granularity of precharge management |
US7729166B2 (en) * | 2008-07-02 | 2010-06-01 | Mosaid Technologies Incorporated | Multiple-bit per cell (MBC) non-volatile memory apparatus and system having polarity control and method of programming same |
KR101395152B1 (ko) * | 2008-07-18 | 2014-05-15 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 셀, 비휘발성 메모리 장치 및 상기비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법 |
US7852671B2 (en) * | 2008-10-30 | 2010-12-14 | Micron Technology, Inc. | Data path for multi-level cell memory, methods for storing and methods for utilizing a memory array |
KR20110110106A (ko) * | 2008-12-09 | 2011-10-06 | 램버스 인코포레이티드 | 병행 및 파이프라인화 메모리 동작을 위한 비휘발성 메모리 디바이스 |
US8819385B2 (en) | 2009-04-06 | 2014-08-26 | Densbits Technologies Ltd. | Device and method for managing a flash memory |
US8458574B2 (en) | 2009-04-06 | 2013-06-04 | Densbits Technologies Ltd. | Compact chien-search based decoding apparatus and method |
US8832353B2 (en) * | 2009-04-07 | 2014-09-09 | Sandisk Technologies Inc. | Host stop-transmission handling |
JP5532671B2 (ja) * | 2009-05-08 | 2014-06-25 | ソニー株式会社 | データ記憶システムおよびデータ記憶方法、実行装置および制御方法、並びに制御装置および制御方法 |
US8874824B2 (en) | 2009-06-04 | 2014-10-28 | Memory Technologies, LLC | Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM |
US8027195B2 (en) * | 2009-06-05 | 2011-09-27 | SanDisk Technologies, Inc. | Folding data stored in binary format into multi-state format within non-volatile memory devices |
US8102705B2 (en) * | 2009-06-05 | 2012-01-24 | Sandisk Technologies Inc. | Structure and method for shuffling data within non-volatile memory devices |
US8132045B2 (en) * | 2009-06-16 | 2012-03-06 | SanDisk Technologies, Inc. | Program failure handling in nonvolatile memory |
US8307241B2 (en) * | 2009-06-16 | 2012-11-06 | Sandisk Technologies Inc. | Data recovery in multi-level cell nonvolatile memory |
US20110002169A1 (en) | 2009-07-06 | 2011-01-06 | Yan Li | Bad Column Management with Bit Information in Non-Volatile Memory Systems |
US8180994B2 (en) | 2009-07-08 | 2012-05-15 | Sandisk Technologies Inc. | Optimized page programming order for non-volatile memory |
US8516166B2 (en) * | 2009-07-20 | 2013-08-20 | Lsi Corporation | System, method, and computer program product for reducing a rate of data transfer to at least a portion of memory |
WO2011010184A1 (en) | 2009-07-20 | 2011-01-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Signal processing system, integrated circuit comprising buffer control logic and method therefor |
JP5316299B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2013-10-16 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体メモリ、システムおよび半導体メモリの動作方法 |
US9330767B1 (en) | 2009-08-26 | 2016-05-03 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Flash memory module and method for programming a page of flash memory cells |
US8995197B1 (en) | 2009-08-26 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | System and methods for dynamic erase and program control for flash memory device memories |
US8730729B2 (en) | 2009-10-15 | 2014-05-20 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for averaging error rates in non-volatile devices and storage systems |
US8724387B2 (en) | 2009-10-22 | 2014-05-13 | Densbits Technologies Ltd. | Method, system, and computer readable medium for reading and programming flash memory cells using multiple bias voltages |
KR101893332B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2018-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법 |
KR101636248B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2016-07-06 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치, 이를 포함하는 플래시 메모리 시스템 및 이의 프로그램 방법 |
US8213243B2 (en) * | 2009-12-15 | 2012-07-03 | Sandisk 3D Llc | Program cycle skip |
US8144512B2 (en) | 2009-12-18 | 2012-03-27 | Sandisk Technologies Inc. | Data transfer flows for on-chip folding |
US9092340B2 (en) * | 2009-12-18 | 2015-07-28 | Sandisk Technologies Inc. | Method and system for achieving die parallelism through block interleaving |
US8468294B2 (en) * | 2009-12-18 | 2013-06-18 | Sandisk Technologies Inc. | Non-volatile memory with multi-gear control using on-chip folding of data |
US8725935B2 (en) | 2009-12-18 | 2014-05-13 | Sandisk Technologies Inc. | Balanced performance for on-chip folding of non-volatile memories |
US9037777B2 (en) | 2009-12-22 | 2015-05-19 | Densbits Technologies Ltd. | Device, system, and method for reducing program/read disturb in flash arrays |
US8248850B2 (en) * | 2010-01-28 | 2012-08-21 | Sandisk Technologies Inc. | Data recovery for non-volatile memory based on count of data state-specific fails |
US8107298B2 (en) * | 2010-01-29 | 2012-01-31 | Sandisk Technologies Inc. | Non-volatile memory with fast binary programming and reduced power consumption |
US8745317B2 (en) | 2010-04-07 | 2014-06-03 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for storing information in a multi-level cell memory |
US20110252185A1 (en) * | 2010-04-08 | 2011-10-13 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method Of Operating A NAND Memory Controller To Minimize Read Latency Time |
US8416624B2 (en) | 2010-05-21 | 2013-04-09 | SanDisk Technologies, Inc. | Erase and programming techniques to reduce the widening of state distributions in non-volatile memories |
TW201212018A (en) * | 2010-06-24 | 2012-03-16 | Mediatek Inc | Optical recording method and system |
US8621321B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-12-31 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for multi-dimensional encoding and decoding |
US8514630B2 (en) | 2010-07-09 | 2013-08-20 | Sandisk Technologies Inc. | Detection of word-line leakage in memory arrays: current based approach |
US8432732B2 (en) | 2010-07-09 | 2013-04-30 | Sandisk Technologies Inc. | Detection of word-line leakage in memory arrays |
US8305807B2 (en) | 2010-07-09 | 2012-11-06 | Sandisk Technologies Inc. | Detection of broken word-lines in memory arrays |
US8310870B2 (en) * | 2010-08-03 | 2012-11-13 | Sandisk Technologies Inc. | Natural threshold voltage distribution compaction in non-volatile memory |
WO2012021379A2 (en) * | 2010-08-10 | 2012-02-16 | Rambus Inc. | Verify before program resume for memory devices |
US8964464B2 (en) | 2010-08-24 | 2015-02-24 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for accelerated sampling |
US8675418B2 (en) * | 2010-08-31 | 2014-03-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory write assist |
US8595414B2 (en) * | 2010-09-30 | 2013-11-26 | Apple Inc. | Selectively combining commands for a system having non-volatile memory |
US9063878B2 (en) | 2010-11-03 | 2015-06-23 | Densbits Technologies Ltd. | Method, system and computer readable medium for copy back |
US8850100B2 (en) | 2010-12-07 | 2014-09-30 | Densbits Technologies Ltd. | Interleaving codeword portions between multiple planes and/or dies of a flash memory device |
KR20120066347A (ko) * | 2010-12-14 | 2012-06-22 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 |
KR101212739B1 (ko) | 2010-12-21 | 2012-12-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리장치 및 이의 동작방법 |
US8472280B2 (en) | 2010-12-21 | 2013-06-25 | Sandisk Technologies Inc. | Alternate page by page programming scheme |
US8819328B2 (en) | 2010-12-30 | 2014-08-26 | Sandisk Technologies Inc. | Controller and method for performing background operations |
KR101861739B1 (ko) * | 2011-01-03 | 2018-05-29 | 삼성전자주식회사 | 출력 드라이버 및 이를 포함하는 장치들 |
KR20120091648A (ko) * | 2011-02-09 | 2012-08-20 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리, 이를 포함하는 시스템, 및 이의 프로그램 방법 |
US8631288B2 (en) | 2011-03-14 | 2014-01-14 | Micron Technology, Inc. | Methods, devices, and systems for data sensing in a memory system |
US8693258B2 (en) * | 2011-03-17 | 2014-04-08 | Densbits Technologies Ltd. | Obtaining soft information using a hard interface |
US9342446B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-05-17 | SanDisk Technologies, Inc. | Non-volatile memory system allowing reverse eviction of data updates to non-volatile binary cache |
US8990665B1 (en) | 2011-04-06 | 2015-03-24 | Densbits Technologies Ltd. | System, method and computer program product for joint search of a read threshold and soft decoding |
US8379454B2 (en) | 2011-05-05 | 2013-02-19 | Sandisk Technologies Inc. | Detection of broken word-lines in memory arrays |
US9372792B1 (en) | 2011-05-12 | 2016-06-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Advanced management of a non-volatile memory |
US9110785B1 (en) | 2011-05-12 | 2015-08-18 | Densbits Technologies Ltd. | Ordered merge of data sectors that belong to memory space portions |
US9396106B2 (en) | 2011-05-12 | 2016-07-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Advanced management of a non-volatile memory |
US8996790B1 (en) | 2011-05-12 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for flash memory management |
US9501392B1 (en) | 2011-05-12 | 2016-11-22 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Management of a non-volatile memory module |
US9195592B1 (en) | 2011-05-12 | 2015-11-24 | Densbits Technologies Ltd. | Advanced management of a non-volatile memory |
US8843693B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-09-23 | SanDisk Technologies, Inc. | Non-volatile memory and method with improved data scrambling |
US8432740B2 (en) | 2011-07-21 | 2013-04-30 | Sandisk Technologies Inc. | Program algorithm with staircase waveform decomposed into multiple passes |
US8750042B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-06-10 | Sandisk Technologies Inc. | Combined simultaneous sensing of multiple wordlines in a post-write read (PWR) and detection of NAND failures |
US8726104B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-05-13 | Sandisk Technologies Inc. | Non-volatile memory and method with accelerated post-write read using combined verification of multiple pages |
US20130031431A1 (en) | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Eran Sharon | Post-Write Read in Non-Volatile Memories Using Comparison of Data as Written in Binary and Multi-State Formats |
US8775901B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-07-08 | SanDisk Technologies, Inc. | Data recovery for defective word lines during programming of non-volatile memory arrays |
US8630118B2 (en) | 2011-11-09 | 2014-01-14 | Sandisk Technologies Inc. | Defective word line detection |
US8842476B2 (en) | 2011-11-09 | 2014-09-23 | Sandisk Technologies Inc. | Erratic program detection for non-volatile storage |
US8687421B2 (en) | 2011-11-21 | 2014-04-01 | Sandisk Technologies Inc. | Scrub techniques for use with dynamic read |
WO2013095385A1 (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | Intel Corporation | Apparatus and method for phase change memory drift management |
US8488382B1 (en) | 2011-12-21 | 2013-07-16 | Sandisk Technologies Inc. | Erase inhibit for 3D non-volatile memory |
US8996788B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | Configurable flash interface |
US8947941B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-02-03 | Densbits Technologies Ltd. | State responsive operations relating to flash memory cells |
US8730722B2 (en) | 2012-03-02 | 2014-05-20 | Sandisk Technologies Inc. | Saving of data in cases of word-line to word-line short in memory arrays |
US8842473B2 (en) | 2012-03-15 | 2014-09-23 | Sandisk Technologies Inc. | Techniques for accessing column selecting shift register with skipped entries in non-volatile memories |
US8817569B2 (en) | 2012-03-19 | 2014-08-26 | Sandisk Technologies Inc. | Immunity against temporary and short power drops in non-volatile memory |
US9135192B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-09-15 | Sandisk Technologies Inc. | Memory system with command queue reordering |
US9311226B2 (en) | 2012-04-20 | 2016-04-12 | Memory Technologies Llc | Managing operational state data of a memory module using host memory in association with state change |
US8996793B1 (en) | 2012-04-24 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | System, method and computer readable medium for generating soft information |
EP2842036B1 (en) | 2012-04-27 | 2019-07-03 | Hewlett-Packard Enterprise Development LP | Local checkpointing using a multi-level cell |
US8681548B2 (en) | 2012-05-03 | 2014-03-25 | Sandisk Technologies Inc. | Column redundancy circuitry for non-volatile memory |
US8838937B1 (en) | 2012-05-23 | 2014-09-16 | Densbits Technologies Ltd. | Methods, systems and computer readable medium for writing and reading data |
US8879325B1 (en) | 2012-05-30 | 2014-11-04 | Densbits Technologies Ltd. | System, method and computer program product for processing read threshold information and for reading a flash memory module |
US9015423B2 (en) * | 2012-06-14 | 2015-04-21 | International Business Machines Corporation | Reducing store operation busy times |
US9075727B2 (en) | 2012-06-14 | 2015-07-07 | International Business Machines Corporation | Reducing penalties for cache accessing operations |
US8750045B2 (en) | 2012-07-27 | 2014-06-10 | Sandisk Technologies Inc. | Experience count dependent program algorithm for flash memory |
US8755226B2 (en) * | 2012-08-07 | 2014-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage device and control method of nonvolatile memory |
US9921954B1 (en) | 2012-08-27 | 2018-03-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and system for split flash memory management between host and storage controller |
US9135989B2 (en) | 2012-09-06 | 2015-09-15 | Sandisk Technologies Inc. | Write data preservation for non-volatile storage |
US9329986B2 (en) | 2012-09-10 | 2016-05-03 | Sandisk Technologies Inc. | Peak current management in multi-die non-volatile memory devices |
US9164526B2 (en) | 2012-09-27 | 2015-10-20 | Sandisk Technologies Inc. | Sigma delta over-sampling charge pump analog-to-digital converter |
US9810723B2 (en) | 2012-09-27 | 2017-11-07 | Sandisk Technologies Llc | Charge pump based over-sampling ADC for current detection |
US9076506B2 (en) | 2012-09-28 | 2015-07-07 | Sandisk Technologies Inc. | Variable rate parallel to serial shift register |
US9490035B2 (en) | 2012-09-28 | 2016-11-08 | SanDisk Technologies, Inc. | Centralized variable rate serializer and deserializer for bad column management |
US8897080B2 (en) | 2012-09-28 | 2014-11-25 | Sandisk Technologies Inc. | Variable rate serial to parallel shift register |
US8773909B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-08 | Sandisk Technologies Inc. | CAM NAND with or function and full chip search capability |
WO2014074496A2 (en) | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Sandisk Technologies Inc. | Cam nand with or function and full chip search capability |
US8780632B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-15 | Sandisk Technologies Inc. | De-duplication techniques using NAND flash based content addressable memory |
US8780635B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-15 | Sandisk Technologies Inc. | Use of bloom filter and improved program algorithm for increased data protection in CAM NAND memory |
US8634248B1 (en) | 2012-11-09 | 2014-01-21 | Sandisk Technologies Inc. | On-device data analytics using NAND flash based intelligent memory |
US8780634B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-15 | Sandisk Technologies Inc. | CAM NAND with OR function and full chip search capability |
WO2014074483A2 (en) | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Sandisk Technologies Inc. | On-device data analytics using nand flash based intelligent memory |
US8811085B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-08-19 | Sandisk Technologies Inc. | On-device data analytics using NAND flash based intelligent memory |
US8817541B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-08-26 | Sandisk Technologies Inc. | Data search using bloom filters and NAND based content addressable memory |
US8780633B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-15 | SanDisk Technologies, Inc. | De-duplication system using NAND flash based content addressable memory |
US8792279B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-29 | Sandisk Technologies Inc. | Architectures for data analytics using computational NAND memory |
US9098403B2 (en) | 2012-11-09 | 2015-08-04 | Sandisk Technologies Inc. | NAND flash based content addressable memory |
US9368225B1 (en) | 2012-11-21 | 2016-06-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Determining read thresholds based upon read error direction statistics |
US9171620B2 (en) * | 2012-11-29 | 2015-10-27 | Sandisk Technologies Inc. | Weighted read scrub for nonvolatile memory |
KR20150098649A (ko) | 2012-12-22 | 2015-08-28 | 퀄컴 인코포레이티드 | 비-휘발성 메모리의 이용을 통한 휘발성 메모리의 전력 소비 감소 |
US9069659B1 (en) | 2013-01-03 | 2015-06-30 | Densbits Technologies Ltd. | Read threshold determination using reference read threshold |
US8710914B1 (en) | 2013-02-08 | 2014-04-29 | Sandisk Technologies Inc. | Voltage regulators with improved wake-up response |
US8928367B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-01-06 | Sandisk Technologies Inc. | Pre-charge circuit with reduced process dependence |
US9075424B2 (en) | 2013-03-06 | 2015-07-07 | Sandisk Technologies Inc. | Compensation scheme to improve the stability of the operational amplifiers |
US9384839B2 (en) | 2013-03-07 | 2016-07-05 | Sandisk Technologies Llc | Write sequence providing write abort protection |
US9142270B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-09-22 | Cypress Semiconductor Corporation | Pipelining in a memory |
US8947944B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-02-03 | Sandisk 3D Llc | Program cycle skip evaluation before write operations in non-volatile memory |
US9037902B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-05-19 | Sandisk Technologies Inc. | Flash memory techniques for recovering from write interrupt resulting from voltage fault |
US8947972B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-02-03 | Sandisk 3D Llc | Dynamic address grouping for parallel programming in non-volatile memory |
US9047933B2 (en) | 2013-04-22 | 2015-06-02 | Sandisk Technologies Inc. | High speed signaling techniques to improve performance of integrated circuits |
FR3006094A1 (fr) * | 2013-05-21 | 2014-11-28 | St Microelectronics Rousset | Ecriture d'une memoire eeprom sur bus i2c |
FR3006097A1 (fr) * | 2013-05-21 | 2014-11-28 | St Microelectronics Rousset | Mecanisme d'ecriture d'une memoire eeprom sur bus i2c |
US9183940B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-11-10 | Aplus Flash Technology, Inc. | Low disturbance, power-consumption, and latency in NAND read and program-verify operations |
KR20140142759A (ko) | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그의 동작방법과 비휘발성 메모리 장치를 포함하는 시스템 |
US9136876B1 (en) | 2013-06-13 | 2015-09-15 | Densbits Technologies Ltd. | Size limited multi-dimensional decoding |
WO2014210424A2 (en) | 2013-06-27 | 2014-12-31 | Aplus Flash Technology, Inc. | Novel nand array architecture for multiple simultaneous program and read |
US20150006784A1 (en) | 2013-06-27 | 2015-01-01 | Sandisk Technologies Inc. | Efficient Post Write Read in Three Dimensional Nonvolatile Memory |
US9195406B2 (en) | 2013-06-28 | 2015-11-24 | Micron Technology, Inc. | Operation management in a memory device |
US9063671B2 (en) | 2013-07-02 | 2015-06-23 | Sandisk Technologies Inc. | Write operations with full sequence programming for defect management in nonvolatile memory |
US9218242B2 (en) | 2013-07-02 | 2015-12-22 | Sandisk Technologies Inc. | Write operations for defect management in nonvolatile memory |
WO2015013689A2 (en) | 2013-07-25 | 2015-01-29 | Aplus Flash Technology, Inc. | Nand array hiarchical bl structures for multiple-wl and all -bl simultaneous erase, erase-verify, program, program-verify, and read operations |
KR102133362B1 (ko) | 2013-08-14 | 2020-07-15 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템, 및 그것의 프로그램 방법 |
US8981750B1 (en) | 2013-08-21 | 2015-03-17 | Sandisk Technologies Inc. | Active regulator wake-up time improvement by capacitive regulation |
US9293205B2 (en) | 2013-09-14 | 2016-03-22 | Aplus Flash Technology, Inc | Multi-task concurrent/pipeline NAND operations on all planes |
US9165683B2 (en) | 2013-09-23 | 2015-10-20 | Sandisk Technologies Inc. | Multi-word line erratic programming detection |
US9413491B1 (en) | 2013-10-08 | 2016-08-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | System and method for multiple dimension decoding and encoding a message |
US9786388B1 (en) | 2013-10-09 | 2017-10-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Detecting and managing bad columns |
US9397706B1 (en) | 2013-10-09 | 2016-07-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | System and method for irregular multiple dimension decoding and encoding |
US9348694B1 (en) | 2013-10-09 | 2016-05-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Detecting and managing bad columns |
US9711225B2 (en) | 2013-10-16 | 2017-07-18 | Sandisk Technologies Llc | Regrouping and skipping cycles in non-volatile memory |
US9043537B1 (en) | 2013-11-21 | 2015-05-26 | Sandisk Technologies Inc. | Update block programming order |
US9218891B2 (en) * | 2013-11-27 | 2015-12-22 | Silicon Motion, Inc. | Data storage device and flash memory control method |
US9058881B1 (en) | 2013-12-05 | 2015-06-16 | Sandisk Technologies Inc. | Systems and methods for partial page programming of multi level cells |
US9244631B2 (en) | 2013-12-06 | 2016-01-26 | Sandisk Technologies Inc. | Lower page only host burst writes |
US9280419B2 (en) | 2013-12-16 | 2016-03-08 | International Business Machines Corporation | Dynamic adjustment of data protection schemes in flash storage systems based on temperature, power off duration and flash age |
WO2015100434A2 (en) | 2013-12-25 | 2015-07-02 | Aplus Flash Technology, Inc | A HYBRID NAND WITH ALL-BL m-PAGE OPERATION SCHEME |
US9536612B1 (en) | 2014-01-23 | 2017-01-03 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd | Digital signaling processing for three dimensional flash memory arrays |
KR102187521B1 (ko) | 2014-01-28 | 2020-12-08 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템 및 불휘발성 메모리에 데이터를 프로그램하는 프로그램 방법 |
US10120792B1 (en) | 2014-01-29 | 2018-11-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Programming an embedded flash storage device |
US9552882B2 (en) | 2014-02-06 | 2017-01-24 | Sandisk Technologies Llc | Sense amplifier with efficient use of data latches |
US9230689B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-01-05 | Sandisk Technologies Inc. | Finding read disturbs on non-volatile memories |
US8902652B1 (en) | 2014-05-13 | 2014-12-02 | Sandisk Technologies Inc. | Systems and methods for lower page writes |
US8886877B1 (en) | 2014-05-15 | 2014-11-11 | Sandisk Technologies Inc. | In-situ block folding for nonvolatile memory |
US9542262B1 (en) | 2014-05-29 | 2017-01-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Error correction |
US9892033B1 (en) | 2014-06-24 | 2018-02-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Management of memory units |
US9584159B1 (en) | 2014-07-03 | 2017-02-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Interleaved encoding |
US9972393B1 (en) | 2014-07-03 | 2018-05-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accelerating programming of a flash memory module |
US9449702B1 (en) | 2014-07-08 | 2016-09-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Power management |
US9443612B2 (en) | 2014-07-10 | 2016-09-13 | Sandisk Technologies Llc | Determination of bit line to low voltage signal shorts |
US9484086B2 (en) | 2014-07-10 | 2016-11-01 | Sandisk Technologies Llc | Determination of word line to local source line shorts |
US9514835B2 (en) | 2014-07-10 | 2016-12-06 | Sandisk Technologies Llc | Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks |
US9460809B2 (en) | 2014-07-10 | 2016-10-04 | Sandisk Technologies Llc | AC stress mode to screen out word line to word line shorts |
US9659636B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-05-23 | Peter Wung Lee | NAND memory array with BL-hierarchical structure for concurrent all-BL, all-threshold-state program, and alternative-WL program, odd/even read and verify operations |
US9202593B1 (en) | 2014-09-02 | 2015-12-01 | Sandisk Technologies Inc. | Techniques for detecting broken word lines in non-volatile memories |
US9240249B1 (en) | 2014-09-02 | 2016-01-19 | Sandisk Technologies Inc. | AC stress methods to screen out bit line defects |
US9449694B2 (en) | 2014-09-04 | 2016-09-20 | Sandisk Technologies Llc | Non-volatile memory with multi-word line select for defect detection operations |
TWI559320B (zh) * | 2014-09-10 | 2016-11-21 | 東芝股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
US9275714B1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-01 | Qualcomm Incorporated | Read operation of MRAM using a dummy word line |
US9552171B2 (en) | 2014-10-29 | 2017-01-24 | Sandisk Technologies Llc | Read scrub with adaptive counter management |
US9934872B2 (en) | 2014-10-30 | 2018-04-03 | Sandisk Technologies Llc | Erase stress and delta erase loop count methods for various fail modes in non-volatile memory |
US9978456B2 (en) | 2014-11-17 | 2018-05-22 | Sandisk Technologies Llc | Techniques for reducing read disturb in partially written blocks of non-volatile memory |
US9524211B1 (en) | 2014-11-18 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Codeword management |
US9349479B1 (en) | 2014-11-18 | 2016-05-24 | Sandisk Technologies Inc. | Boundary word line operation in nonvolatile memory |
US9224502B1 (en) | 2015-01-14 | 2015-12-29 | Sandisk Technologies Inc. | Techniques for detection and treating memory hole to local interconnect marginality defects |
US10305515B1 (en) | 2015-02-02 | 2019-05-28 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | System and method for encoding using multiple linear feedback shift registers |
US10032524B2 (en) | 2015-02-09 | 2018-07-24 | Sandisk Technologies Llc | Techniques for determining local interconnect defects |
US9564215B2 (en) | 2015-02-11 | 2017-02-07 | Sandisk Technologies Llc | Independent sense amplifier addressing and quota sharing in non-volatile memory |
US9449700B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-09-20 | Sandisk Technologies Llc | Boundary word line search and open block read methods with reduced read disturb |
US9269446B1 (en) | 2015-04-08 | 2016-02-23 | Sandisk Technologies Inc. | Methods to improve programming of slow cells |
US9564219B2 (en) | 2015-04-08 | 2017-02-07 | Sandisk Technologies Llc | Current based detection and recording of memory hole-interconnect spacing defects |
KR20160127524A (ko) * | 2015-04-27 | 2016-11-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
KR102282196B1 (ko) | 2015-04-28 | 2021-07-27 | 삼성전자 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
EP3262653B1 (en) * | 2015-05-08 | 2019-04-03 | SanDisk Technologies LLC | Data mapping for non-volatile storage |
US10628255B1 (en) | 2015-06-11 | 2020-04-21 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Multi-dimensional decoding |
US9851921B1 (en) | 2015-07-05 | 2017-12-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Flash memory chip processing |
US9659666B2 (en) | 2015-08-31 | 2017-05-23 | Sandisk Technologies Llc | Dynamic memory recovery at the sub-block level |
US9653154B2 (en) | 2015-09-21 | 2017-05-16 | Sandisk Technologies Llc | Write abort detection for multi-state memories |
US9858009B2 (en) | 2015-10-26 | 2018-01-02 | Sandisk Technologies Llc | Data folding in 3D nonvolatile memory |
US9711211B2 (en) | 2015-10-29 | 2017-07-18 | Sandisk Technologies Llc | Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory |
KR20170050953A (ko) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그의 동작방법 |
KR102435027B1 (ko) | 2015-11-09 | 2022-08-23 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법 |
US10671291B2 (en) | 2015-11-17 | 2020-06-02 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Iterative write sequence interrupt |
KR20170057902A (ko) | 2015-11-17 | 2017-05-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
US9954558B1 (en) | 2016-03-03 | 2018-04-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Fast decoding of data stored in a flash memory |
US9698676B1 (en) | 2016-03-11 | 2017-07-04 | Sandisk Technologies Llc | Charge pump based over-sampling with uniform step size for current detection |
US9996280B2 (en) | 2016-03-15 | 2018-06-12 | Sandisk Technologies Llc | Data register copying for non-volatile storage array operations |
KR20180011376A (ko) | 2016-07-21 | 2018-02-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
US9898229B1 (en) | 2016-07-29 | 2018-02-20 | Sandisk Technologies Llc | Systems and methods of memory reads |
JP2018041154A (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-15 | 東芝メモリ株式会社 | ストレージシステムおよび処理方法 |
US9767914B1 (en) | 2016-10-10 | 2017-09-19 | Wingyu Leung | Durable maintenance of memory cell electric current sense window following program-erase operations to a non-volatile memory |
CN106502919B (zh) * | 2016-10-11 | 2019-05-31 | 上海东软载波微电子有限公司 | 一种Flash闪存的写操作方法及装置 |
US10379940B2 (en) | 2016-12-08 | 2019-08-13 | Sandisk Technologies Llc | Pipeline delay detection during decoding by a data storage device |
KR102639697B1 (ko) | 2017-01-09 | 2024-02-21 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 프로그램 방법 |
JP6783682B2 (ja) * | 2017-02-27 | 2020-11-11 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
JP2019029045A (ja) * | 2017-07-26 | 2019-02-21 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR102631353B1 (ko) * | 2017-08-17 | 2024-01-31 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
KR20200067848A (ko) * | 2017-09-30 | 2020-06-12 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 우선적 유휴 시간 판독 스캔 |
KR20190090268A (ko) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 컨트롤러 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US10642746B2 (en) | 2018-03-22 | 2020-05-05 | Western Digital Technologies, Inc. | Controlling cached/non-cached memory access decisions based on memory access queue fill levels |
KR20200023758A (ko) * | 2018-08-27 | 2020-03-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 동작방법 |
JP2020047335A (ja) | 2018-09-18 | 2020-03-26 | キオクシア株式会社 | 不揮発性メモリ及びメモリシステム |
KR20200034312A (ko) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
US11055184B2 (en) | 2018-12-19 | 2021-07-06 | Vmware, Inc. | In-place garbage collection of a sharded, replicated distributed state machine based on supersedable operations |
US11360704B2 (en) * | 2018-12-21 | 2022-06-14 | Micron Technology, Inc. | Multiplexed signal development in a memory device |
US10877881B2 (en) * | 2019-01-11 | 2020-12-29 | Vmware, Inc. | In-place garbage collection of a sharded, replicated distributed state machine based on mergeable operations |
KR20200098009A (ko) | 2019-02-11 | 2020-08-20 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
KR20200139496A (ko) | 2019-06-04 | 2020-12-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
US10811082B1 (en) | 2019-06-24 | 2020-10-20 | Sandisk Technologies Llc | Non-volatile memory with fast data cache transfer scheme |
US10825526B1 (en) * | 2019-06-24 | 2020-11-03 | Sandisk Technologies Llc | Non-volatile memory with reduced data cache buffer |
US11681797B2 (en) | 2019-08-28 | 2023-06-20 | Micron Technology, Inc. | Row activation prevention using fuses |
US11152054B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-10-19 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing background operations in memory using sensing circuitry |
KR20210060867A (ko) * | 2019-11-19 | 2021-05-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
CN111400201B (zh) * | 2020-03-19 | 2022-08-16 | 合肥兆芯电子有限公司 | 快闪存储器的数据整理方法、存储装置及控制电路单元 |
US11288011B2 (en) | 2020-03-26 | 2022-03-29 | Western Digital Technologies, Inc. | Non-volatile memory array with write failure protection for multi-level cell (MLC) storage elements using coupled writes |
KR20220001137A (ko) | 2020-06-29 | 2022-01-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템, 메모리 장치 및 메모리 장치의 동작 방법 |
US11816343B2 (en) * | 2020-11-30 | 2023-11-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Data storage device enabling latches of non-volatile memory dies for use as externally-accessible volatile memory |
CN112466372B (zh) * | 2020-12-23 | 2021-12-21 | 芯天下技术股份有限公司 | 一种小尺寸Latch单元电路及Flash芯片 |
CN113409852A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-09-17 | 芯天下技术股份有限公司 | 一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端 |
US11651800B2 (en) * | 2021-06-22 | 2023-05-16 | Sandisk Technologies Llc | Sense amplifier mapping and control scheme for non-volatile memory |
US11776599B2 (en) | 2021-09-24 | 2023-10-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Encoded enable clock gaters |
US20240062821A1 (en) * | 2022-08-18 | 2024-02-22 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Memory device and read operation during suspension of program operation thereof |
US12046267B2 (en) | 2022-08-25 | 2024-07-23 | Sandisk Technologies Llc | Advanced window program-verify |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006031871A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (131)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1224062B (it) * | 1979-09-28 | 1990-09-26 | Ates Componenti Elettron | Metodo di programmazione per una memoria a semiconduttore non volatile elettricamente alterabile |
US4785427A (en) * | 1987-01-28 | 1988-11-15 | Cypress Semiconductor Corporation | Differential bit line clamp |
US5034922A (en) * | 1987-12-21 | 1991-07-23 | Motorola, Inc. | Intelligent electrically erasable, programmable read-only memory with improved read latency |
US5093806A (en) * | 1988-02-16 | 1992-03-03 | Tran Hiep V | Sensing and decoding scheme for a bicmos read/write memory |
US5095344A (en) * | 1988-06-08 | 1992-03-10 | Eliyahou Harari | Highly compact eprom and flash eeprom devices |
US5070032A (en) * | 1989-03-15 | 1991-12-03 | Sundisk Corporation | Method of making dense flash eeprom semiconductor memory structures |
DE69034227T2 (de) * | 1989-04-13 | 2007-05-03 | Sandisk Corp., Sunnyvale | EEprom-System mit Blocklöschung |
US5172338B1 (en) * | 1989-04-13 | 1997-07-08 | Sandisk Corp | Multi-state eeprom read and write circuits and techniques |
DE69031297T2 (de) | 1989-07-06 | 1998-04-02 | Digital Equipment Corp | Eingabewarteschlange für Speichersubsysteme |
JP2646850B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1997-08-27 | 日本電気株式会社 | 半導体メモリ回路 |
US5343063A (en) * | 1990-12-18 | 1994-08-30 | Sundisk Corporation | Dense vertical programmable read only memory cell structure and processes for making them |
US5218569A (en) | 1991-02-08 | 1993-06-08 | Banks Gerald J | Electrically alterable non-volatile memory with n-bits per memory cell |
US5490107A (en) * | 1991-12-27 | 1996-02-06 | Fujitsu Limited | Nonvolatile semiconductor memory |
US5313421A (en) * | 1992-01-14 | 1994-05-17 | Sundisk Corporation | EEPROM with split gate source side injection |
US6222762B1 (en) * | 1992-01-14 | 2001-04-24 | Sandisk Corporation | Multi-state memory |
JP3323869B2 (ja) | 1992-03-31 | 2002-09-09 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
US5532962A (en) * | 1992-05-20 | 1996-07-02 | Sandisk Corporation | Soft errors handling in EEPROM devices |
US5315541A (en) * | 1992-07-24 | 1994-05-24 | Sundisk Corporation | Segmented column memory array |
JP3594626B2 (ja) | 1993-03-04 | 2004-12-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性メモリ装置 |
JP3078946B2 (ja) | 1993-03-11 | 2000-08-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション | 一括消去型不揮発性メモリの管理方法及び半導体ディスク装置 |
US5555204A (en) * | 1993-06-29 | 1996-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device |
US5509134A (en) * | 1993-06-30 | 1996-04-16 | Intel Corporation | Method and apparatus for execution of operations in a flash memory array |
US5519847A (en) * | 1993-06-30 | 1996-05-21 | Intel Corporation | Method of pipelining sequential writes in a flash memory |
KR0169267B1 (ko) * | 1993-09-21 | 1999-02-01 | 사토 후미오 | 불휘발성 반도체 기억장치 |
US5661053A (en) * | 1994-05-25 | 1997-08-26 | Sandisk Corporation | Method of making dense flash EEPROM cell array and peripheral supporting circuits formed in deposited field oxide with the use of spacers |
KR100210985B1 (ko) * | 1994-06-29 | 1999-07-15 | 니시무로 타이죠 | 불휘발성 반도체 기억장치 |
US5691994A (en) | 1995-05-08 | 1997-11-25 | Western Digital Corporation | Disk drive with fast error correction validation |
US5838614A (en) | 1995-07-31 | 1998-11-17 | Lexar Microsystems, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory |
US5692165A (en) * | 1995-09-12 | 1997-11-25 | Micron Electronics Inc. | Memory controller with low skew control signal |
KR0169419B1 (ko) * | 1995-09-28 | 1999-02-01 | 김광호 | 불휘발성 반도체 메모리의 독출방법 및 장치 |
JP3941149B2 (ja) * | 1996-12-03 | 2007-07-04 | ソニー株式会社 | 半導体不揮発性記憶装置 |
US5893135A (en) * | 1995-12-27 | 1999-04-06 | Intel Corporation | Flash memory array with two interfaces for responding to RAS and CAS signals |
US5724303A (en) * | 1996-02-15 | 1998-03-03 | Nexcom Technology, Inc. | Non-volatile programmable memory having an SRAM capability |
US5903495A (en) * | 1996-03-18 | 1999-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and memory system |
US5860082A (en) * | 1996-03-28 | 1999-01-12 | Datalight, Inc. | Method and apparatus for allocating storage in a flash memory |
FR2749682B1 (fr) * | 1996-06-10 | 1998-07-10 | Bull Sa | Circuit pour transborder des donnees entre memoires distantes et calculateur comprenant un tel circuit |
US5784705A (en) | 1996-07-15 | 1998-07-21 | Mosys, Incorporated | Method and structure for performing pipeline burst accesses in a semiconductor memory |
US5768192A (en) * | 1996-07-23 | 1998-06-16 | Saifun Semiconductors, Ltd. | Non-volatile semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping |
JP3897388B2 (ja) * | 1996-12-27 | 2007-03-22 | シャープ株式会社 | シリアルアクセス方式の半導体記憶装置 |
US6097638A (en) * | 1997-02-12 | 2000-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
KR100272037B1 (ko) * | 1997-02-27 | 2000-12-01 | 니시무로 타이죠 | 불휘발성 반도체 기억 장치 |
US5870335A (en) * | 1997-03-06 | 1999-02-09 | Agate Semiconductor, Inc. | Precision programming of nonvolatile memory cells |
US5732017A (en) * | 1997-03-31 | 1998-03-24 | Atmel Corporation | Combined program and data nonvolatile memory with concurrent program-read/data write capability |
US5872739A (en) * | 1997-04-17 | 1999-02-16 | Radiant Technologies | Sense amplifier for low read-voltage memory cells |
JPH113290A (ja) | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Hitachi Ltd | メモリ制御方式 |
US5912906A (en) * | 1997-06-23 | 1999-06-15 | Sun Microsystems, Inc. | Method and apparatus for recovering from correctable ECC errors |
US6768165B1 (en) * | 1997-08-01 | 2004-07-27 | Saifun Semiconductors Ltd. | Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping |
US5867429A (en) * | 1997-11-19 | 1999-02-02 | Sandisk Corporation | High density non-volatile flash memory without adverse effects of electric field coupling between adjacent floating gates |
US6333871B1 (en) | 1998-02-16 | 2001-12-25 | Hitachi, Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory including a controller for providing an improved reprogram operation |
US5969986A (en) * | 1998-06-23 | 1999-10-19 | Invox Technology | High-bandwidth read and write architectures for non-volatile memories |
KR100332950B1 (ko) * | 1998-04-10 | 2002-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 단일비트동작모드와다중비트동작모드를갖는불휘발성반도체메모리장치및그것의기입/독출방법 |
US6128229A (en) | 1998-09-16 | 2000-10-03 | Sony Corporation | Non-volatile semiconductor memory and method of verifying after writing and reading the same |
US5949720A (en) * | 1998-10-30 | 1999-09-07 | Stmicroelectronics, Inc. | Voltage clamping method and apparatus for dynamic random access memory devices |
US6567302B2 (en) * | 1998-12-29 | 2003-05-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for programming multi-state cells in a memory device |
US6282145B1 (en) | 1999-01-14 | 2001-08-28 | Silicon Storage Technology, Inc. | Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system |
US6356485B1 (en) * | 1999-02-13 | 2002-03-12 | Integrated Device Technology, Inc. | Merging write cycles by comparing at least a portion of the respective write cycle addresses |
EP1209568A1 (en) | 1999-02-22 | 2002-05-29 | Hitachi, Ltd. | Memory card, method for allotting logical address, and method for writing data |
JP2000243085A (ja) | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
KR100287188B1 (ko) | 1999-04-06 | 2001-04-16 | 윤종용 | 데이터 처리속도 및 데이터 입출력핀의 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 메모리장치 및 이의 독출기입 제어방법 |
JP3299219B2 (ja) * | 1999-05-07 | 2002-07-08 | 日本電気株式会社 | ディジタルpll回路 |
US6253250B1 (en) * | 1999-06-28 | 2001-06-26 | Telocity, Incorporated | Method and apparatus for bridging a plurality of buses and handling of an exception event to provide bus isolation |
JP3863330B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2006-12-27 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
JP2001184881A (ja) | 1999-12-28 | 2001-07-06 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリの読み出し回路 |
JP3983969B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2007-09-26 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6856568B1 (en) * | 2000-04-25 | 2005-02-15 | Multi Level Memory Technology | Refresh operations that change address mappings in a non-volatile memory |
US6396741B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-05-28 | Saifun Semiconductors Ltd. | Programming of nonvolatile memory cells |
TW470967B (en) | 2000-05-23 | 2002-01-01 | Silicon Integrated Sys Corp | High speed multiple ports first-in-first-out memory structure |
US6504757B1 (en) * | 2000-08-11 | 2003-01-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Double boosting scheme for NAND to improve program inhibit characteristics |
US6266273B1 (en) * | 2000-08-21 | 2001-07-24 | Sandisk Corporation | Method and structure for reliable data copy operation for non-volatile memories |
JP2002100192A (ja) | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
US6252803B1 (en) * | 2000-10-23 | 2001-06-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automatic program disturb with intelligent soft programming for flash cells |
US6684289B1 (en) * | 2000-11-22 | 2004-01-27 | Sandisk Corporation | Techniques for operating non-volatile memory systems with data sectors having different sizes than the sizes of the pages and/or blocks of the memory |
US6349056B1 (en) | 2000-12-28 | 2002-02-19 | Sandisk Corporation | Method and structure for efficient data verification operation for non-volatile memories |
US6763424B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-07-13 | Sandisk Corporation | Partial block data programming and reading operations in a non-volatile memory |
KR100381956B1 (ko) * | 2001-02-02 | 2003-04-26 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치의 감지 증폭 회로 |
US6407953B1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-06-18 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory array organization and related test method particularly well suited for integrated circuits having write-once memory arrays |
NO312928B1 (no) | 2001-02-26 | 2002-07-15 | Thin Film Electronics Asa | Ikke-destruktiv utlesing |
US6738289B2 (en) * | 2001-02-26 | 2004-05-18 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory with improved programming and method therefor |
JP3957985B2 (ja) | 2001-03-06 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6377507B1 (en) | 2001-04-06 | 2002-04-23 | Integrated Memory Technologies, Inc. | Non-volatile memory device having high speed page mode operation |
US6570810B2 (en) * | 2001-04-20 | 2003-05-27 | Multi Level Memory Technology | Contactless flash memory with buried diffusion bit/virtual ground lines |
JP2003018307A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Mitsutoyo Corp | 測定データ処理方法およびその装置 |
US6671204B2 (en) | 2001-07-23 | 2003-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device with page buffer having dual registers and methods of using the same |
JP2003036681A (ja) | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Ltd | 不揮発性記憶装置 |
US6456528B1 (en) | 2001-09-17 | 2002-09-24 | Sandisk Corporation | Selective operation of a multi-state non-volatile memory system in a binary mode |
US7177197B2 (en) | 2001-09-17 | 2007-02-13 | Sandisk Corporation | Latched programming of memory and method |
JP4454896B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2010-04-21 | シャープ株式会社 | 仮想接地型不揮発性半導体記憶装置 |
KR100454119B1 (ko) * | 2001-10-24 | 2004-10-26 | 삼성전자주식회사 | 캐쉬 기능을 갖는 불 휘발성 반도체 메모리 장치 및 그것의 프로그램, 읽기, 그리고 페이지 카피백 방법들 |
JP3851865B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2006-11-29 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
US6687158B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-02-03 | Fujitsu Limited | Gapless programming for a NAND type flash memory |
US6700820B2 (en) * | 2002-01-03 | 2004-03-02 | Intel Corporation | Programming non-volatile memory devices |
US6542407B1 (en) | 2002-01-18 | 2003-04-01 | Sandisk Corporation | Techniques of recovering data from memory cells affected by field coupling with adjacent memory cells |
JP4004811B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2007-11-07 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2003233993A (ja) | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置の書き換え方法 |
US20040023700A1 (en) * | 2002-08-02 | 2004-02-05 | Amphenol-T&M Antennas | Self-contained portable hinge assembly |
US6940753B2 (en) * | 2002-09-24 | 2005-09-06 | Sandisk Corporation | Highly compact non-volatile memory and method therefor with space-efficient data registers |
US7196931B2 (en) * | 2002-09-24 | 2007-03-27 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with reduced source line bias errors |
US6983428B2 (en) * | 2002-09-24 | 2006-01-03 | Sandisk Corporation | Highly compact non-volatile memory and method thereof |
US7443757B2 (en) | 2002-09-24 | 2008-10-28 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with reduced bit line crosstalk errors |
KR100615975B1 (ko) | 2002-09-24 | 2006-08-28 | 쌘디스크 코포레이션 | 비휘발성 메모리 및 그 감지 방법 |
US6987693B2 (en) | 2002-09-24 | 2006-01-17 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with reduced neighboring field errors |
US7046568B2 (en) * | 2002-09-24 | 2006-05-16 | Sandisk Corporation | Memory sensing circuit and method for low voltage operation |
JP4265206B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2009-05-20 | 株式会社 東北テクノアーチ | 非接触導電率測定システム |
US6657891B1 (en) * | 2002-11-29 | 2003-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device for storing multivalued data |
US7073103B2 (en) | 2002-12-05 | 2006-07-04 | Sandisk Corporation | Smart verify for multi-state memories |
US6829167B2 (en) | 2002-12-12 | 2004-12-07 | Sandisk Corporation | Error recovery for nonvolatile memory |
JP3920768B2 (ja) | 2002-12-26 | 2007-05-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
DE60306488D1 (de) * | 2003-02-27 | 2006-08-10 | St Microelectronics Srl | Eingebautes Testverfahren in einem Flash Speicher |
US7093062B2 (en) * | 2003-04-10 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | Flash memory data bus for synchronous burst read page |
JP3913704B2 (ja) * | 2003-04-22 | 2007-05-09 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた電子装置 |
JP2004326974A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置及びicカード |
US7392436B2 (en) * | 2003-05-08 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Program failure recovery |
US7012835B2 (en) * | 2003-10-03 | 2006-03-14 | Sandisk Corporation | Flash memory data correction and scrub techniques |
US6868009B1 (en) * | 2003-10-20 | 2005-03-15 | Macronix International Co., Ltd. | Flash memory device with byte erase |
US7372730B2 (en) * | 2004-01-26 | 2008-05-13 | Sandisk Corporation | Method of reading NAND memory to compensate for coupling between storage elements |
JP4170952B2 (ja) | 2004-01-30 | 2008-10-22 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US7177977B2 (en) | 2004-03-19 | 2007-02-13 | Sandisk Corporation | Operating non-volatile memory without read disturb limitations |
US7490283B2 (en) | 2004-05-13 | 2009-02-10 | Sandisk Corporation | Pipelined data relocation and improved chip architectures |
US8375146B2 (en) | 2004-08-09 | 2013-02-12 | SanDisk Technologies, Inc. | Ring bus structure and its use in flash memory systems |
US7120051B2 (en) | 2004-12-14 | 2006-10-10 | Sandisk Corporation | Pipelined programming of non-volatile memories using early data |
US7158421B2 (en) * | 2005-04-01 | 2007-01-02 | Sandisk Corporation | Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories |
US7420847B2 (en) * | 2004-12-14 | 2008-09-02 | Sandisk Corporation | Multi-state memory having data recovery after program fail |
US7409473B2 (en) | 2004-12-21 | 2008-08-05 | Sandisk Corporation | Off-chip data relocation |
US20060140007A1 (en) | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Raul-Adrian Cernea | Non-volatile memory and method with shared processing for an aggregate of read/write circuits |
US7251160B2 (en) | 2005-03-16 | 2007-07-31 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with power-saving read and program-verify operations |
US7447078B2 (en) * | 2005-04-01 | 2008-11-04 | Sandisk Corporation | Method for non-volatile memory with background data latch caching during read operations |
US7206230B2 (en) * | 2005-04-01 | 2007-04-17 | Sandisk Corporation | Use of data latches in cache operations of non-volatile memories |
US7463521B2 (en) * | 2005-04-01 | 2008-12-09 | Sandisk Corporation | Method for non-volatile memory with managed execution of cached data |
US7196928B2 (en) * | 2005-04-05 | 2007-03-27 | Sandisk Corporation | Compensating for coupling during read operations of non-volatile memory |
US7187585B2 (en) * | 2005-04-05 | 2007-03-06 | Sandisk Corporation | Read operation for non-volatile storage that includes compensation for coupling |
US7224614B1 (en) | 2005-12-29 | 2007-05-29 | Sandisk Corporation | Methods for improved program-verify operations in non-volatile memories |
-
2005
- 2005-04-01 US US11/097,590 patent/US7206230B2/en active Active
-
2006
- 2006-03-27 AT AT06739812T patent/ATE458248T1/de not_active IP Right Cessation
- 2006-03-27 JP JP2008504243A patent/JP5038292B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-27 CN CN2006800155839A patent/CN101171641B/zh active Active
- 2006-03-27 DE DE602006012293T patent/DE602006012293D1/de active Active
- 2006-03-27 KR KR1020077022634A patent/KR101106977B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-27 EP EP06739812A patent/EP1864289B1/en not_active Not-in-force
- 2006-03-27 WO PCT/US2006/011248 patent/WO2006107654A1/en active Application Filing
- 2006-03-31 TW TW095111604A patent/TWI396199B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-05-05 US US11/381,998 patent/US7609552B2/en active Active
- 2006-05-05 US US11/382,006 patent/US7505320B2/en active Active
- 2006-05-05 US US11/381,997 patent/US7480181B2/en active Active
- 2006-05-05 US US11/382,001 patent/US7619922B2/en active Active
- 2006-05-05 US US11/382,000 patent/US7486558B2/en active Active
- 2006-05-05 US US11/381,995 patent/US7502260B2/en active Active
-
2007
- 2007-01-03 US US11/619,513 patent/US7577037B2/en active Active
-
2008
- 2008-11-03 US US12/263,658 patent/US7733703B2/en active Active
-
2009
- 2009-06-30 US US12/495,200 patent/US7936602B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-05-18 US US12/782,503 patent/US8036041B2/en active Active
-
2011
- 2011-10-06 US US13/267,689 patent/US8351269B2/en active Active
-
2013
- 2013-01-07 US US13/735,878 patent/US8705286B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006031871A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129176A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2011187141A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | 転送回路及びそれを用いた不揮発性半導体記憶装置 |
US8374041B2 (en) | 2010-03-10 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transfer circuit, nonvolatile semiconductor device using the same, and transfer method of the same |
JP2017004582A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5038292B2 (ja) | 不揮発性メモリのキャッシュ動作におけるデータラッチの使用 | |
JP5043827B2 (ja) | 不揮発性メモリの複数段階プログラミングにおけるデータラッチの使用 | |
US7734861B2 (en) | Pseudo random and command driven bit compensation for the cycling effects in flash memory | |
JP5010031B2 (ja) | ページ内・ページ間オンチップデータ擬似ランダム化のための不揮発性メモリおよび方法 | |
JP4814995B2 (ja) | 読み出し操作中にデータラッチでバックグラウンドキャッシングを行う不揮発性メモリとその方法 | |
US7420847B2 (en) | Multi-state memory having data recovery after program fail | |
JP4778585B2 (ja) | フラッシュメモリにおけるサイクル効果の擬似ランダムおよびコマンド主導型ビット補償とその方法 | |
US7345928B2 (en) | Data recovery methods in multi-state memory after program fail | |
US7471575B2 (en) | Non-volatile memory and method with shared processing for an aggregate of read/write circuits | |
US7606966B2 (en) | Methods in a pseudo random and command driven bit compensation for the cycling effects in flash memory | |
US8416628B2 (en) | Local sensing in a memory device | |
TWI410974B (zh) | 於編程失敗後具有資料回復之複數狀態記憶體 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090130 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111107 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120612 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120705 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5038292 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |