JP2007512793A5

JP2007512793A5 -

Info

Publication number: JP2007512793A5
Application number: JP2006541801A
Authority: JP
Filing date: 2004-12-01
Publication date: 2008-01-24

Claims

マイクロホン出力信号を供給するように構成された集積回路であって、
第２マイクロホン部材に対して相対的に可動な第１マイクロホン部材によって発生された入力信号を受け取るために結合された前置増幅器と、
どちらのマイクロホン部材にもバイアス電圧を供給する電圧ポンプと
を備える集積回路であり、
前記電圧ポンプが、発振器がパルス振幅を有する振動信号を供給する、第１ポンプ段を有し、
前記電圧ポンプが、前記第１段で供給される振動信号上で動作する回路手段によって電圧レベルがより高いレベルにポンプされる、第２ポンプ段を有し、
前記第１ポンプ段は、第１構成要素によって構成され、
前記第１構成要素は、公称電圧レベルを有しており、
前記構成要素は、前記公称電圧レベルを超えると、電圧破壊レベルを有し、
前記第２ポンプ段は、第２構成要素によって構成され、
前記第２構成要素は、前記第１構成要素の電圧破壊レベルより大きな電圧破壊レベルを有し、
前記第一ポンプ段で供給される前記振動信号のパルス振幅は、前記公称電圧レベルに実質的に等しいことを特徴とする、集積回路。
前記発振器が、前記発振器によって供給される信号サイクルにわたって等しいレベルの電流を引き出すように構成される、請求項１に記載の集積回路。
前記発振器が、電荷を充電されることができる素子を有するパスを備え、前記パスが、前記異なるパスの前記異なる素子を、共通のソースから引き出された電流によって交互に充電するために、前記発振器によって制御される、請求項１または２に記載の集積回路。
ある電圧パルス・レベルで前記振動信号を受信し、より高い電圧パルス・レベルで前記第２ポンプ段に供給されるポンプされた振動信号を供給する、電圧ポンプによって、前記第１ポンプ段が構成される、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の集積回路。
前記第１電圧ポンプ段の出力信号が、
前記第１ポンプ段から出力される信号の固定電圧パルス・レベルを維持する回路へのフィードバック信号として供給される、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の集積回路。
前記第２ポンプ段がディクソン・コンバータとして構成される電圧ポンプを備える、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の集積回路。
前記ディクソン・タイプの電圧変換器の出力信号が、前記電圧変換器から出力された前記信号の調節された電圧パルス・レベルを供給する回路へのフィードバック信号として提供される、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の集積回路。
複数の電圧変換器がバイアス電圧を供給するためにカスケードされ、
前記カスケードの前記第１変換器に適合する別の電圧変換器が、前記第１変換器と同じ信号を受け取り、前記別の電圧変換器からの出力信号の固定電圧レベルを維持する回路にフィードバック信号を供給するために結合される、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の集積回路。
前記電圧ポンプが金属コンデンサとして実装されるコンデンサを備える、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の集積回路。
前記電圧ポンプがポリ・ダイオードとして実装されたダイオードを備える、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の集積回路。
前記電圧ポンプがＮウェル内の拡散ダイオードとして実装されたダイオードを備える、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の集積回路。
前記前置増幅器が、
第１および第２入力端子を有する差動入力段ならびに出力端子を有する出力段と、
前記出力端子と前記第１入力端子の間に結合され、前記半導体基板上に集積された、低域通過周波数伝達関数を有するフィードバック回路とを備え、
前記第２入力端子がマイクロホン信号のための入力を供給する、
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の集積回路。
前記フィードバック回路が、前記周波数領域で、ゼロおよびポールを持つ伝達関数を有するフィルタであり、前記ゼロが前記ポールより高い周波数に置かれる、請求項１２に記載の集積回路。
前記前置増幅器が、前記周波数領域で、ゼロおよびポールを持つ伝達関数を有し、前記ポールが０．１Ｈｚ乃至５０Ｈｚまたは０．１Ｈｚ乃至１００Ｈｚまたは０．１乃至２００Ｈｚの範囲にある、請求項１２または１３に記載の集積回路。
前記フィードバック回路が、前記周波数領域で、遷移周波数範囲より下では比較的高い利得レベルを有し、前記遷移周波数範囲より上では比較的低い利得レベルを有するフィルタである、請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の集積回路。
前記遷移周波数範囲が約１００Ｈｚの周波数より下にある、請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の集積回路。
前記遷移周波数範囲が４０Ｈｚの周波数より下にある、請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の集積回路。
前記前置増幅器の入力でのＤＣ電圧を下げるために結合された、ＤＣブロッキング・コンデンサを備え、前記ＤＣ電圧が、前記第１または第２マイクロホン部材にバイアスをかけることから発生する、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の集積回路。
前記集積回路がＡ／Ｄコンバータを備える、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の集積回路。
さらにアナログ・デジタル変換器を備えて構成され、前記電圧ポンプおよび前記アナログ・デジタル変換器が共通のクロック信号によって駆動される、請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の集積回路。
前記アナログ・デジタル変換器がシグマ・デルタ・コンバータ・タイプのものである、請求項２０または２１に記載の集積回路。
高域フィルタを備えた、請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の集積回路。
前記前置増幅器が高域フィルタ関数を提供するように構成された、請求項１乃至２２のいずれか１項に記載の集積回路。
請求項１乃至２３のいずれか１項に記載の集積回路を備えたマイクロホン。
コンデンサ・マイクロホンである、請求項２４に記載のマイクロホン。
ＭＥＭＳマイクロホンである、請求項２４に記載のマイクロホン。