CN101296530B - 硅电容传声器 - Google Patents
硅电容传声器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101296530B CN101296530B CN200710015709.9A CN200710015709A CN101296530B CN 101296530 B CN101296530 B CN 101296530B CN 200710015709 A CN200710015709 A CN 200710015709A CN 101296530 B CN101296530 B CN 101296530B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wiring board
- housing
- silicon based
- condenser microphone
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title abstract 5
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 208000002925 dental caries Diseases 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 2
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
- H04R1/02—Casings; Cabinets ; Supports therefor; Mountings therein
- H04R1/04—Structural association of microphone with electric circuitry therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅电容传声器，它包括设有外接焊盘的第一线路板，垂直安装在所述第一线路板上的第二线路板，安装在所述第二线路板上的MEMS声学芯片，所述MEMS声学芯片所在位置的第二线路板上设有可以通过声波并作用于所述MEMS声学芯片的内声孔，与所述第一线路板和所述第二线路板粘结并形成两个封闭空腔的壳体，其中一个或者两个封闭空腔的外壁上设有接受外界声音信号的外声孔，安装在所述第一线路板或/和所述第二线路板上的电子元器件；这样，硅电容传声器的后腔体积大大增加，硅电容传声器的面积大大减小，并使得硅电容传声器内部零件的安装位置更加灵活，在此结构的基础上可以很容易的实现指向传声器的功能。
Description
技术领域
本发明涉及一种传声器，尤其是涉及一种具有新型封装结构的硅电容传声器。
背景技术
近年来，随着手机、笔记本等电子产品体积不断减小、性能越来越高，也要求配套的电子零件的体积不断减小、性能和一致性提高。在这种背景下，作为重要零件之一的传声器产品领域也推出了很多的新型产品，利用半导体制造加工技术而批量实现的硅电容传声器为其中的代表产品。而硅电容传声器中的关键设计内容为封装技术，而且封装所占用的成本比例较高，所以，最近也出现了很多关于硅电容传声器封装技术的专利，例如美国专利No.US20020102004公开了一种名为“小型的硅电容传声器及其制造方法(miniature siliconcondenser microphone and method for producing same)”的传声器封装。附图4表示了专利No.US20020102004中公开的硅电容传声器封装结构的剖视图。
如图4所示，硅电容传声器包括一个盖子5，盖子5上有能够透过声音的声孔8，有一个线路板1，盖子5和线路板1结合成为一个空腔，线路板1上安装上MEMS(微机电系统)声学芯片11和集成电路2，MEMS声学芯片11和集成电路2可以共同将声音信号转化为电信号。这种设计的关键点在于，在MEMS声学芯片11下方的位置，线路板通过腐蚀等工艺作出一定的凹陷106。这种设计的优势在于增加了MEMS声学芯片11下方的空气空间(行业内通常称之为“后腔”)，可以使硅电容传声器的灵敏度更高，频响曲线更好。
然而，这种设计对后腔的增加非常有限，对性能提高的贡献也非常小；并且，这种设计将使得线路板的厚度大大增加，过多的增加了产品的高度，并且导致成本增加。
并且，在上述结构的基础上也很难制造指向性的硅传声器产品。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够大大增加后腔体积、减小产品尺寸、制造成本低并且很容易达到指向性性能的硅电容传声器。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：硅电容传声器，包括设有外接焊盘的第一线路板，垂直安装在所述第一线路板上的第二线路板，安装在所述第二线路板上的MEMS声学芯片，所述MEMS声学芯片所在位置的第二线路板上设有可以通过声波并作用于所述MEMS声学芯片的内声孔，与所述第一线路板和所述第二线路板粘结并形成两个封闭空腔的壳体，其中一个或者两个封闭空腔的外壁上设有接受外界声音信号的外声孔，安装在所述第一线路板或/和所述第二线路板上的电子元器件。
作为优选的技术方案，所述壳体包括两部分，分别和上述第一线路板、第二线路板粘合在一起构成两个封闭空腔，接收声音信号的外声孔设置在所述壳体上。
作为优选的技术方案，所述壳体为一体式结构，并和上述第一线路板、第二线路板粘合在一起构成两个封闭空腔，接收声音信号的外声孔设置在所述壳体上。
作为对上述技术方案的改进，所述第二线路板上设有连通两个密闭空腔且离开所述MEMS声学芯片所处位置的连腔声孔，所述两个封闭空腔的外壁上均设有接受外界声音信号的外声孔。
作为对上述技术方案的改进，所述第二线路板上相对于MEMS声学芯片的一侧贴有一层声阻装置，所述声阻装置覆盖所述第二线路板上的所有声孔。
作为一种优选的连接方式，所述第一线路板、第二线路板和壳体之间都使用导电胶粘结。
作为一种改进，所述壳体为金属材料壳体，或者陶瓷材料壳体，或者使用多层线路板材料结合而成的壳体，或者使用塑料材料壳体。
作为优选的形状，所述传声器为立方体。
由于采用了上述技术方案，硅电容传声器，它包括设有外接焊盘的第一线路板，垂直安装在所述第一线路板上的第二线路板，安装在所述第二线路板上的MEMS声学芯片，所述MEMS声学芯片所在位置的第二线路板上设有可以通过声波并作用于所述MEMS声学芯片的内声孔，与所述第一线路板和所述第二线路板粘结并形成两个封闭空腔的壳体，其中一个或者两个封闭空腔的外壁上设有接受外界声音信号的外声孔，安装在所述第一线路板或/和所述第二线路板上的电子元器件；这样，硅电容传声器的后腔体积大大增加，硅电容传声器的面积大大减小，并使得硅电容传声器内部零件的安装位置更加灵活，在此结构的基础上可以很容易的实现指向传声器的功能，同时还可以增加产品封装的抗剪切力。
附图说明
图1是本发明实施例一的结构示意图；
图2是本发明实施例一的立体结构图；
图3是本发明实施例二的结构示意图；
图4是背景技术的结构原理图。
具体实施方式
实施例一：如图1、图2所示，硅电容传声器包括：一个矩形的第一线路板1，第一线路板1下侧有多个焊盘13，上侧安装有集成电路2，集成电路2上有金线31连接第一线路板1；在集成电路2的一侧，第一线路板1上安装有矩形的第二线路板6，第二线路板6和第一线路板1的方向垂直且机械连接在一起并且有部分电路电连接，第二线路板6上朝向集成电路2的一侧安装有MEMS声学芯片11，MEMS声学芯片11上有金线32连接第二线路板6，MEMS声学芯片11底面面有一个内声孔10，第二线路板6上相对于MEMS声学芯片11的一侧安装有电容、电阻等电子零件12，在本实施案例中，第一线路板1和第二线路板6使用导电胶连接。
在第二线路板6朝向MEMS声学芯片11的一侧，有第一壳体5a，形状为一个两侧开口的方形，一侧面向第一线路板1，一侧面向第二线路板6，和两个线路板封闭成为一个空腔4，在本实施案例中，第一壳体5a是金属材料的，第一壳体5a和两个线路板连接的端面使用导电胶连接。
在第二线路板6背向MEMS声学芯片11的一侧，有第二壳体5b，形状为一个两侧开口的方形，一侧面向第一线路板1，一侧面向第二线路板6，和两个线路板封闭成为一个空腔9，在本实施案例中，第二壳体5a是金属材料的，第二壳体5a和两个线路板连接的端面使用导电胶连接，并且，第二壳体5a上还有一个外声孔8可以接收外界声音信号。
这样，壳体5a和第一线路板1、第二线路板6形成一个密闭的空间，壳体5b和第一线路板1、第二线路板6也形成一个密闭的空间，第二线路板6位于这两个空腔之间，两个空腔只能通过第二线路板6上的声孔相互导通，声音将从壳体5b上外声孔8传入这个空腔内，根据MEMS声学芯片11安装的位置，声波有可能先遇到MEMS声学芯片11或者先通过第二线路板6上的声孔再遇到MEMS声学芯片11(即声波或从MEMS声学芯片的正面入射，或从背面入射)，但不管如何，MEMS声学芯片11后方的空间都将成为MEMS声学芯片11的后腔，这种设计将使得MEMS声学芯片11的后腔体积大大增加；并且第一线路板1的面积可以大大减小，减小了硅电容传声器的面积；根据实际产品的需要，可以调整集成电路2、电容、电阻等零件12安装在第一线路板1或者第二线路板6上，使得产品的设计更加灵活。
在本实施案例的硅电容传声器中，空腔4和空腔9之间以及这两个空腔和外界只有外声孔8和内声孔10可以贯通，其余结合处要求密闭性良好。外界声波如附图2中的虚线所示，通过第二壳体5b上的外声孔8，进入空腔9，透过第二线路板6上的内声孔10，传达到MEMS声学芯片11上，声腔4则成为硅电容传声器的后腔。
在此结构中，硅电容传声器的后腔可以做成很大，并且，因为第一线路板1上只需要粘贴第二线路板6和集成电路2部分，所以需要的面积很小，第一线路板1和其它电子产品线路板焊接在一起的时候所占用的面积也将大大减小。
当然，在本实施案例的基础上，也可以有多种调整的方案，例如将第一壳体5a和第二壳体5b并在一起，成为一个整体的壳体5；将MEMS声学芯片11朝向空腔9；将电容焊接在第一线路板1上等等，这些方案都不违背利用两个线路板垂直焊接在一起，在内部线路板上焊接MEMS声学芯片11，从而增加后腔、减小产品面积的宗旨。
壳体5材料可以优选铜等电磁屏蔽效果好的单层金属材料，也可以是单层金属材料镀涂金箔，也可以是陶瓷材料，也可以是使用多层线路板材料做成，也可以是塑料材料。
壳体5上的声孔可以是一个，也可以是多个，位置也可以根据实际需要加以调整；或者，也可以不在壳体5上设置声孔，而在第一线路板上设置声孔。
MEMS声学芯片11下的声孔可以是一个，也可以是多个。
实施例二：如图3所示，本实施案例的硅电容传声器为一个单指向硅电容传声器，相比实施案例1，本案例的调整在于：在第一壳体5a和第二壳体5b上分别设有外声孔14和8；在第二线路板6上，除了MEMS声学芯片11下方的内声孔10，在MEMS声学芯片11的周围还设有连腔声孔15；在第二线路板6上相对于MEMS声学芯片11的一侧，贴上一个声阻16，声阻16覆盖第二线路板6上所设的所有声孔；第二线路板6上相对于MEMS声学芯片11的一侧不再安装电容12等零件，而将这些零件安装到第一线路板1上。在第二线路板6相对于MEMS声学芯片11的一侧没有了电容等零件，安装声阻将非常容易，并且没有额外增加产品的尺寸，指向性的控制也将变得更加容易。当然，为进一步减小产品的宽度，也可以将电容等零件安装在第二线路板6向对于MEMS声学芯片11的一侧，并适当的减小声阻的尺寸。
在声波的传输中，如图3虚线所示，一个方向的声波从外声孔14进入，直接作用在MEMS声学芯片11上面，另一个方向的声波从外声孔8进入，穿过声阻16和连腔声孔15、内声孔10作用在MEMS声学芯片11上面，从而达到单指向性能。
当然，外声孔也可以开在其他的位置，来调整指向；根据产品性能的不同需要，也可以没有连腔声孔15，只有MEMS声学芯片11下方的内声孔10；或者不设有连腔声孔15和声阻16，会具有双指向硅电容传声器的功能。
Claims (8)
1.硅电容传声器,其特征在于:它包括设有外接焊盘的第一线路板(1)，垂直安装在所述第一线路板(1)上的第二线路板(6)，安装在所述第二线路板(6)上的MEMS声学芯片(11)，所述MEMS声学芯片(11)所在位置的第二线路板(6)上设有可以通过声波并作用于所述MEMS声学芯片(11)的内声孔(10)，与所述第一线路板(1)和所述第二线路板(6)粘结并形成两个封闭空腔的壳体(5)，其中一个或者两个封闭空腔的外壁上设有接受外界声音信号的外声孔(8)。
2.如权利要求1所述的硅电容传声器，其特征在于：所述壳体（5）包括两部分，分别和上述第一线路板(1)、第二线路板(6)粘合在一起构成两个封闭空腔，接收声音信号的外声孔(8)设置在所述壳体（5）上。
3.如权利要求1所述的硅电容传声器，其特征在于：所述壳体（5）为一体式结构，并和上述第一线路板(1)、第二线路板(6)粘合在一起构成两个封闭空腔，接收声音信号的外声孔(8)设置在所述壳体（5）上。
4.如权利要求2或3所述的硅电容传声器，其特征在于：所述第二线路板(6)上设有连通两个密闭空腔且离开所述MEMS声学芯片(11)所处位置的连腔声孔（15），所述两个封闭空腔的外壁上均设有接受外界声音信号的外声孔(8)。
5.如权利要求4所述的硅电容传声器，其特征在于：所述第二线路板(6)上相对于MEMS声学芯片(11)的一侧贴有一层声阻装置（16），所述声阻装置（16）覆盖所述第二线路板(6)上的所述内声孔(10)和所述连腔声孔（15）。
6.如权利要求1所述的硅电容传声器，其特征在于：所述第一线路板(1)、第二线路板(6)和壳体（5）之间都使用导电胶粘结。
7.如权利要求1所述的硅电容传声器，其特征在于：所述壳体（5）为金属材料壳体，或者陶瓷材料壳体，或者使用多层线路板材料结合而成的壳体，或者使用塑料材料壳体。
8.如权利要求1所述的硅电容传声器，其特征在于：所述第一线路板(11)或/和所述第二线路板(13)上还安装有对电信号进行处理的电子元器件(21、22)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710015709.9A CN101296530B (zh) | 2007-04-29 | 2007-04-29 | 硅电容传声器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710015709.9A CN101296530B (zh) | 2007-04-29 | 2007-04-29 | 硅电容传声器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101296530A CN101296530A (zh) | 2008-10-29 |
| CN101296530B true CN101296530B (zh) | 2013-06-12 |
Family
ID=40066457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200710015709.9A Expired - Fee Related CN101296530B (zh) | 2007-04-29 | 2007-04-29 | 硅电容传声器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101296530B (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8199939B2 (en) | 2009-01-21 | 2012-06-12 | Nokia Corporation | Microphone package |
| WO2011103720A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Ubotic Intellectual Property Co., Ltd. | Semiconductor package for mems device and method of manufacturing the same |
| KR101381438B1 (ko) | 2010-04-30 | 2014-04-04 | 유보틱 인텔릭츄얼 프라퍼티 컴퍼니 리미티드 | 인쇄회로기판에 전기적으로 결합되도록 구성된 에어 캐비티 패키지 및 상기 에어 캐비티 패키지의 제공 방법 |
| WO2011134166A1 (en) | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Ubotic Intellectual Property Co., Ltd. | Semiconductor package configured to electrically couple to printed circuit board and method of providing the same |
| CN102131140B (zh) * | 2011-04-07 | 2014-04-16 | 深圳市豪恩声学股份有限公司 | Mems传声器 |
| KR101480615B1 (ko) * | 2013-05-29 | 2015-01-08 | 현대자동차주식회사 | 지향성 마이크로폰 장치 및 그의 동작방법 |
| CN104349225A (zh) * | 2013-07-29 | 2015-02-11 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种麦克风的封装结构及终端设备 |
| CN103686568B (zh) | 2013-12-23 | 2017-01-18 | 山东共达电声股份有限公司 | 一种指向性mems传声器及受音装置 |
| CN103888880A (zh) * | 2014-03-31 | 2014-06-25 | 山东共达电声股份有限公司 | 一种指向性mems麦克风 |
| CN204652665U (zh) * | 2015-05-08 | 2015-09-16 | 中兴通讯股份有限公司 | 麦克风密封结构及电子设备 |
| CN108966103A (zh) * | 2018-08-29 | 2018-12-07 | 汤小贾 | Mems麦克风封装方法、结构及电子产品 |
| CN208874714U (zh) * | 2018-10-29 | 2019-05-17 | 声电电子科技(惠州)有限公司 | 一种单指向咪的腔体结构 |
| EP4231661A1 (en) * | 2022-02-22 | 2023-08-23 | Infineon Technologies AG | Mems device with a carrier structure comprising a plurality of angularly offset side face regions |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005055406A1 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Audioasics A/S | Microphine with voltage pump |
| CN1794885A (zh) * | 2004-07-02 | 2006-06-28 | 桑尼奥荷兰有限公司 | 包括磁性可激活元件的麦克风部件 |
| CN1905761A (zh) * | 2005-07-06 | 2007-01-31 | 桑尼奥公司 | 具有p型前置放大器输入级的麦克风组件 |
-
2007
- 2007-04-29 CN CN200710015709.9A patent/CN101296530B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005055406A1 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Audioasics A/S | Microphine with voltage pump |
| CN1794885A (zh) * | 2004-07-02 | 2006-06-28 | 桑尼奥荷兰有限公司 | 包括磁性可激活元件的麦克风部件 |
| CN1905761A (zh) * | 2005-07-06 | 2007-01-31 | 桑尼奥公司 | 具有p型前置放大器输入级的麦克风组件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101296530A (zh) | 2008-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101296530B (zh) | 硅电容传声器 | |
| US8625832B2 (en) | Packages and methods for packaging microphone devices | |
| US9485560B2 (en) | Embedded circuit in a MEMS device | |
| CN201146600Y (zh) | 具有附加背音室的定向硅电容传声器 | |
| US8995694B2 (en) | Embedded circuit in a MEMS device | |
| US8767983B2 (en) | Module including a micro-electro-mechanical microphone | |
| US8981537B2 (en) | Reversible top/bottom MEMS package | |
| CN102318365B (zh) | 麦克风单元 | |
| US20140037120A1 (en) | Microphone Assembly | |
| CN101026902B (zh) | 微机电声学传感器的封装结构 | |
| CN101296531B (zh) | 硅电容麦克风阵列 | |
| CN109413554B (zh) | 一种指向性mems麦克风 | |
| CN201042078Y (zh) | 具有防尘声孔的硅麦克风 | |
| US10631100B2 (en) | Micro-electrical mechanical system sensor package and method of manufacture thereof | |
| KR20150058780A (ko) | 마이크로폰 패키지 및 그 실장 구조 | |
| CN201403198Y (zh) | 一种微机电系统麦克风 | |
| JP2015532548A (ja) | Ｍｅｍｓデバイス内の組込回路 | |
| CN101325823B (zh) | 硅晶麦克风的封装构造 | |
| CN201138866Y (zh) | 改进结构的硅麦克风 | |
| CN205622875U (zh) | 一种mems麦克风 | |
| CN109292725A (zh) | 传感器器件和用于制造传感器器件的方法 | |
| KR200448302Y1 (ko) | 실리콘 콘덴서 마이크로 폰 | |
| CN205616568U (zh) | 一种集成传感器的封装结构 | |
| KR101953089B1 (ko) | Mems 트랜스듀서 패키지들의 제조시 사용된 리드 프레임 기반 칩 캐리어 | |
| WO2016153871A1 (en) | Embedded circuit in a mems device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee after: Goertek Inc. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee before: Goertek Inc. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200610 Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province Patentee after: Goer Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee before: GOERTEK Inc. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130612 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |