JP2007291484A - 非晶質炭素系硬質多層膜及びこの膜を表面に備えた硬質表面部材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材の表面に形成される非晶質炭素系硬質多層膜は、基材側に形成される基本層と、表面側に形成される表層と、これら基本層と表層との間に形成される組成変化層とを備えており、
基本層は下記式(1)に示される元素Mの窒化物又は炭窒化物からなり、
表層はCを50原子%以上含有する非晶質炭素膜からなり、
組成変化層は基本層から非晶質炭素膜に向けて元素M及び窒素が減少し、炭素が増大する層である。
M1-x-yCxNy …(1)
(式中、Mは周期表第4A属元素、第5A属元素、第6A属元素、Al、及びSiから選択される1種以上である。また式中、x及びyは原子比を示す。xは0.5以下であり、yは0.03以上であり、1−x−yは0を超える)
【選択図】図1
Description
基本層は下記式(1)に示される元素Mの窒化物又は炭窒化物からなり、
表層はCを50原子%以上含有する非晶質炭素膜からなり、
組成変化層は基本層から非晶質炭素膜に向けて元素M及び窒素が減少し、炭素が増大する層である点に要旨を有するものである。
M1-x-yCxNy …(1)
(式中、Mは周期表第4A属元素、第5A属元素、第6A属元素、Al、及びSiから選択される1種以上である。また式中、x及びyは原子比を示す。xは0.5以下であり、yは0.03以上であり、1−x−yは0を超える)
M1-x-yCxNy …(1)
(式中、x及びyは原子比を示す)
4つの蒸発源(ターゲット径6インチ)を備えたアンバランスド型マグネトロンスパッタリング装置を用い、2つの蒸発源に下記表1に示す元素Mからなるターゲットを取り付け、残る2つの蒸発源にカーボンターゲットを取り付けた。鏡面研磨した基材(超硬合金(JIS−P20)、高速度工具鋼(JIS−SKH51、HRC63))をエタノール中で超音波洗浄した後、前記スパッタリング装置のチャンバー内のターンテーブルに取り付けた。チャンバーを真空(圧力1×10-3Pa)にし、基材を約200℃まで加熱した後、Arイオンによって基材をエッチングした。
所定の雰囲気ガスをチャンバー内に導入し、元素Mからなるターゲットに2kWの電力を供給してスパッタすることにより、基材表面に基本層を形成した。雰囲気ガスは基本層の種類に応じ、下記の通りに使い分けた。
1−1)元素M単体(Cr、Wなど)の場合:
Arガス
全圧:0.6Pa
1−2)元素Mの炭化物(TiCなど)の場合:
Ar−CH4混合ガス
Ar:CH4=6:4(体積比)
全圧:0.6Pa
1−3)元素Mの窒化物(ZrN、TaN、CrN、WN、MoN、AlN、WMoNなど)の場合:
Ar−N2混合ガス
Ar:N2=7:3(体積比)
全圧:0.6Pa
1−4)元素Mの炭窒化物(TiCN、VCN、SiCNなど)の場合:
Ar−N2−CH4混合ガス
Ar:N2:CH4=5:2:3(体積比)
全圧:0.6Pa
カーボンターゲットに0.05kWの電力を供給した。以後、カーボンターゲットへの電力を徐々に単調増加させ、最終的に2.5kWにした。カーボンターゲットへの電力を増加する間、同時進行的に、元素Mからなるターゲットの電力を徐々に単調に低下して最終的に0kWにした。さらに同時進行的に、雰囲気ガス中のN2の比率を徐々に単調に低下しつつ、CH4の比率を徐々に単調に増加して、最終的にAr−CH4混合ガス(Ar:CH4=9:1(体積比)、全圧:0.6Pa)にした。
所定の雰囲気ガスをチャンバー内に導入し、元素Mからなるターゲットとカーボンターゲットに所定の電力を供給してスパッタすることにより、DLC層を形成した。雰囲気ガス及び供給電力はDLC層の種類に応じ、下記の通りに使い分けた。
3−1)カーボン単体の場合
カーボンターゲットへの供給電力:2.5kW
元素Mターゲットへの供給電力:0kW
Ar−CH4混合ガス
Ar:CH4=9:1(体積比)
全圧:0.6Pa
3−2)元素M含有DLC(W含有DLCなど)の場合
カーボンターゲットへの供給電力:2.5kW
元素Mターゲットへの供給電力:0.5kW(元素MがWの場合)
Ar−CH4混合ガス
Ar:CH4=9:1(体積比)
全圧:0.6Pa
下記表2に示す基本層、組成変化層、及びDLC層を実施例1と同様にして形成し、実施例1と同様にして評価した。また基本層の結晶構造をθ−2θ法によるX線回折(CuKα線、40kV−40mA)によって調べ、最も強度の強いピークに対応する結晶構造を基本層の結晶構造とした。
下記表3に示す基本層、組成変化層、及びDLC層を実施例1と同様にして形成し、実施例1と同様にして評価した。なおNo.19〜23の例では、図1に示す様に組成変化層の組成変化パターンを種々変化させた。
No.1〜17について:
アンバランスド型マグネトロンスパッタリング装置の蒸発源に、下記表4に示すターゲットX、下記表4に示す元素Mからなるターゲット、及びカーボンターゲットを取り付けた。鏡面研磨した基材(超硬合金(JIS−P20)、高速度工具鋼(JIS−SKH51、HRC63))をエタノール中で超音波洗浄した後、前記スパッタリング装置のチャンバー内のターンテーブルに取り付けた。チャンバーを真空(圧力1×10-3Pa)にし、基材を約200℃まで加熱した後、Arイオンによって基材をエッチングした。
Crからなる第1の金属層、Wからなる第2の金属層、及びこれら第1、第2の金属層の間に第1の金属層から第2の金属層にかけてCrが減少し、Wが増加する組成変化層(傾斜層)を形成する以外は、No.7と同様にした。
Claims (5)
- 基材の表面に形成される硬質多層膜であって、
この硬質多層膜は基材側に形成される基本層と、表面側に形成される表層と、これら基本層と表層との間に形成される組成変化層とを備えており、
基本層は下記式(1)に示される元素Mの窒化物又は炭窒化物からなり、
表層はCを50原子%以上含有する非晶質炭素膜からなり、
組成変化層は基本層から非晶質炭素膜に向けて元素M及び窒素が減少し、炭素が増大する層であることを特徴とする非晶質炭素系硬質多層膜。
M1-x-yCxNy …(1)
(式中、Mは周期表第4A属元素、第5A属元素、第6A属元素、Al、及びSiから選択される1種以上である。また式中、x及びyは原子比を示す。xは0.5以下であり、yは0.03以上であり、1−x−yは0を超える) - 元素MがTi、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、及びSiから選択される1種以上である請求項1に記載の非晶質炭素系硬質多層膜。
- 元素Mが、W、Mo、及びTaから選択される1種以上であり、基本層の結晶構造をX線回折によって調べたとき、αW型構造、αMo型構造、又はTaN型構造の最大ピークの強度が他の結晶構造のピークの5倍以上である請求項1に記載の非晶質炭素系硬質多層膜。
- 周期表第4A属元素、第5A属元素、第6A属元素、Al、及びSiから選択される1種以上からなる元素の層が、前記基材と基本層との間に形成されている請求項1〜3のいずれかに記載の非晶質炭素系硬質多層膜。
- 基材と、この基材の表面に形成された請求項1〜4のいずれかに記載の非晶質炭素系硬質多層膜とから構成される硬質表面部材。
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