JP2007258426A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007258426A5
JP2007258426A5 JP2006080464A JP2006080464A JP2007258426A5 JP 2007258426 A5 JP2007258426 A5 JP 2007258426A5 JP 2006080464 A JP2006080464 A JP 2006080464A JP 2006080464 A JP2006080464 A JP 2006080464A JP 2007258426 A5 JP2007258426 A5 JP 2007258426A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
plasma etching
plasma
etching method
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006080464A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007258426A (ja
JP4877747B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006080464A priority Critical patent/JP4877747B2/ja
Priority claimed from JP2006080464A external-priority patent/JP4877747B2/ja
Priority to CNB2007100894235A priority patent/CN100521105C/zh
Priority to US11/689,629 priority patent/US7794617B2/en
Priority to TW96109942A priority patent/TWI401741B/zh
Publication of JP2007258426A publication Critical patent/JP2007258426A/ja
Publication of JP2007258426A5 publication Critical patent/JP2007258426A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4877747B2 publication Critical patent/JP4877747B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2006080464A 2006-03-23 2006-03-23 プラズマエッチング方法 Expired - Fee Related JP4877747B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006080464A JP4877747B2 (ja) 2006-03-23 2006-03-23 プラズマエッチング方法
CNB2007100894235A CN100521105C (zh) 2006-03-23 2007-03-22 等离子体蚀刻方法
US11/689,629 US7794617B2 (en) 2006-03-23 2007-03-22 Plasma etching method, plasma processing apparatus, control program and computer readable storage medium
TW96109942A TWI401741B (zh) 2006-03-23 2007-03-22 Plasma etching method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006080464A JP4877747B2 (ja) 2006-03-23 2006-03-23 プラズマエッチング方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007258426A JP2007258426A (ja) 2007-10-04
JP2007258426A5 true JP2007258426A5 (enExample) 2009-04-16
JP4877747B2 JP4877747B2 (ja) 2012-02-15

Family

ID=38632365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006080464A Expired - Fee Related JP4877747B2 (ja) 2006-03-23 2006-03-23 プラズマエッチング方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4877747B2 (enExample)
CN (1) CN100521105C (enExample)
TW (1) TWI401741B (enExample)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5102653B2 (ja) * 2008-02-29 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体
JP5264231B2 (ja) * 2008-03-21 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5064319B2 (ja) * 2008-07-04 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5457021B2 (ja) * 2008-12-22 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置
US8435901B2 (en) * 2010-06-11 2013-05-07 Tokyo Electron Limited Method of selectively etching an insulation stack for a metal interconnect
US8741778B2 (en) * 2010-12-14 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Uniform dry etch in two stages
CN102792446A (zh) * 2011-01-17 2012-11-21 住友电气工业株式会社 用于制造碳化硅半导体器件的方法
JP5719648B2 (ja) * 2011-03-14 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、およびエッチング装置
JP5968130B2 (ja) * 2012-07-10 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
CN103489757A (zh) * 2013-10-16 2014-01-01 信利半导体有限公司 一种用于叠层绝缘薄膜的刻蚀方法
JP6315809B2 (ja) * 2014-08-28 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6541439B2 (ja) * 2015-05-29 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6494424B2 (ja) * 2015-05-29 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
CN105206525A (zh) * 2015-09-28 2015-12-30 上海华力微电子有限公司 解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法
JP6670672B2 (ja) * 2016-05-10 2020-03-25 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6929148B2 (ja) * 2017-06-30 2021-09-01 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JP6817168B2 (ja) * 2017-08-25 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
JP7061941B2 (ja) * 2018-08-06 2022-05-02 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法
GB201917734D0 (en) * 2019-12-04 2020-01-15 Spts Technologies Ltd Method, substrate and apparatus
JP7426840B2 (ja) * 2020-01-28 2024-02-02 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
JP7478059B2 (ja) * 2020-08-05 2024-05-02 株式会社アルバック シリコンのドライエッチング方法
JP7535408B2 (ja) 2020-08-12 2024-08-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理システム
CN112687537B (zh) * 2020-12-17 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 金属硬掩膜刻蚀方法
JP7519549B2 (ja) * 2022-07-25 2024-07-19 株式会社日立ハイテク プラズマ処理方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62154627A (ja) * 1985-12-26 1987-07-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエツチング方法
JP2758754B2 (ja) * 1991-12-05 1998-05-28 シャープ株式会社 プラズマエッチング方法
JPH05217954A (ja) * 1992-02-05 1993-08-27 Sharp Corp ドライエッチング終点検出方法
JP3665701B2 (ja) * 1998-01-23 2005-06-29 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6218309B1 (en) * 1999-06-30 2001-04-17 Lam Research Corporation Method of achieving top rounding and uniform etch depths while etching shallow trench isolation features
JP2001274141A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2001358061A (ja) * 2000-04-12 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP3946724B2 (ja) * 2004-01-29 2007-07-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US20060032833A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Encapsulation of post-etch halogenic residue

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007258426A5 (enExample)
JP2008524851A5 (enExample)
JP2006049798A5 (enExample)
JP2014112668A5 (enExample)
JP2015012178A5 (enExample)
JP2018166142A5 (enExample)
JP2010161350A5 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2007509769A5 (enExample)
JP2011192872A5 (enExample)
JP2007514327A5 (enExample)
JP2006156675A5 (enExample)
TW200625441A (en) Photoresist conditioning with hydrogen ramping
JP2011176095A5 (enExample)
JP2018050041A5 (enExample)
JP2011108782A5 (enExample)
JP2011168881A5 (enExample)
JP2007511096A5 (enExample)
TWI456656B (zh) 介電蝕刻中的輪廓控制
JP2010245101A5 (enExample)
JP2015510260A5 (enExample)
TW200802540A (en) Method and apparatus for providing mask in semiconductor processing
JP2014175509A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2012028603A (ja) プラズマ処理方法および記憶媒体
JP2014045063A5 (enExample)
JP2006165164A5 (enExample)