JP4877747B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006080464A JP4877747B2 (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | プラズマエッチング方法 |
| CNB2007100894235A CN100521105C (zh) | 2006-03-23 | 2007-03-22 | 等离子体蚀刻方法 |
| US11/689,629 US7794617B2 (en) | 2006-03-23 | 2007-03-22 | Plasma etching method, plasma processing apparatus, control program and computer readable storage medium |
| TW96109942A TWI401741B (zh) | 2006-03-23 | 2007-03-22 | Plasma etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006080464A JP4877747B2 (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | プラズマエッチング方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007258426A JP2007258426A (ja) | 2007-10-04 |
| JP2007258426A5 JP2007258426A5 (enExample) | 2009-04-16 |
| JP4877747B2 true JP4877747B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=38632365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006080464A Expired - Fee Related JP4877747B2 (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4877747B2 (enExample) |
| CN (1) | CN100521105C (enExample) |
| TW (1) | TWI401741B (enExample) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5102653B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP5264231B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5064319B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP5457021B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置 |
| US8435901B2 (en) * | 2010-06-11 | 2013-05-07 | Tokyo Electron Limited | Method of selectively etching an insulation stack for a metal interconnect |
| US8741778B2 (en) * | 2010-12-14 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Uniform dry etch in two stages |
| CN102792446A (zh) * | 2011-01-17 | 2012-11-21 | 住友电气工业株式会社 | 用于制造碳化硅半导体器件的方法 |
| JP5719648B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2015-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、およびエッチング装置 |
| JP5968130B2 (ja) * | 2012-07-10 | 2016-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| CN103489757A (zh) * | 2013-10-16 | 2014-01-01 | 信利半导体有限公司 | 一种用于叠层绝缘薄膜的刻蚀方法 |
| JP6315809B2 (ja) * | 2014-08-28 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP6541439B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP6494424B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| CN105206525A (zh) * | 2015-09-28 | 2015-12-30 | 上海华力微电子有限公司 | 解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法 |
| JP6670672B2 (ja) * | 2016-05-10 | 2020-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP6929148B2 (ja) * | 2017-06-30 | 2021-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
| JP6817168B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
| JP7061941B2 (ja) * | 2018-08-06 | 2022-05-02 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| GB201917734D0 (en) * | 2019-12-04 | 2020-01-15 | Spts Technologies Ltd | Method, substrate and apparatus |
| JP7426840B2 (ja) * | 2020-01-28 | 2024-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| JP7478059B2 (ja) * | 2020-08-05 | 2024-05-02 | 株式会社アルバック | シリコンのドライエッチング方法 |
| JP7535408B2 (ja) | 2020-08-12 | 2024-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理システム |
| CN112687537B (zh) * | 2020-12-17 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 金属硬掩膜刻蚀方法 |
| JP7519549B2 (ja) * | 2022-07-25 | 2024-07-19 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154627A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング方法 |
| JP2758754B2 (ja) * | 1991-12-05 | 1998-05-28 | シャープ株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| JPH05217954A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-27 | Sharp Corp | ドライエッチング終点検出方法 |
| JP3665701B2 (ja) * | 1998-01-23 | 2005-06-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US6218309B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-04-17 | Lam Research Corporation | Method of achieving top rounding and uniform etch depths while etching shallow trench isolation features |
| JP2001274141A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001358061A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3946724B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2007-07-18 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20060032833A1 (en) * | 2004-08-10 | 2006-02-16 | Applied Materials, Inc. | Encapsulation of post-etch halogenic residue |
-
2006
- 2006-03-23 JP JP2006080464A patent/JP4877747B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-22 CN CNB2007100894235A patent/CN100521105C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-22 TW TW96109942A patent/TWI401741B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101043004A (zh) | 2007-09-26 |
| JP2007258426A (ja) | 2007-10-04 |
| TWI401741B (zh) | 2013-07-11 |
| TW200746293A (en) | 2007-12-16 |
| CN100521105C (zh) | 2009-07-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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