TWI401741B - Plasma etching method - Google Patents

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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5102653B2 (ja) * 2008-02-29 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体
JP5264231B2 (ja) * 2008-03-21 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5064319B2 (ja) * 2008-07-04 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5457021B2 (ja) * 2008-12-22 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置
US8435901B2 (en) * 2010-06-11 2013-05-07 Tokyo Electron Limited Method of selectively etching an insulation stack for a metal interconnect
US8741778B2 (en) * 2010-12-14 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Uniform dry etch in two stages
WO2012098759A1 (ja) * 2011-01-17 2012-07-26 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP5719648B2 (ja) * 2011-03-14 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、およびエッチング装置
JP5968130B2 (ja) * 2012-07-10 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
CN103489757A (zh) * 2013-10-16 2014-01-01 信利半导体有限公司 一种用于叠层绝缘薄膜的刻蚀方法
JP6315809B2 (ja) * 2014-08-28 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6541439B2 (ja) * 2015-05-29 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6494424B2 (ja) * 2015-05-29 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
CN105206525A (zh) * 2015-09-28 2015-12-30 上海华力微电子有限公司 解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法
JP6670672B2 (ja) * 2016-05-10 2020-03-25 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6929148B2 (ja) * 2017-06-30 2021-09-01 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JP6817168B2 (ja) * 2017-08-25 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
JP7061941B2 (ja) * 2018-08-06 2022-05-02 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法
GB201917734D0 (en) * 2019-12-04 2020-01-15 Spts Technologies Ltd Method, substrate and apparatus
JP7426840B2 (ja) * 2020-01-28 2024-02-02 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
US11688609B2 (en) * 2020-05-29 2023-06-27 Tokyo Electron Limited Etching method and plasma processing apparatus
JP7478059B2 (ja) * 2020-08-05 2024-05-02 株式会社アルバック シリコンのドライエッチング方法
JP7535408B2 (ja) 2020-08-12 2024-08-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理システム
CN112687537B (zh) * 2020-12-17 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 金属硬掩膜刻蚀方法
KR102916926B1 (ko) * 2022-07-25 2026-01-23 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05160077A (ja) * 1991-12-05 1993-06-25 Sharp Corp プラズマエッチング方法
JPH11214651A (ja) * 1998-01-23 1999-08-06 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
TW451395B (en) * 1999-06-30 2001-08-21 Lam Res Corp Method of achieving top rounding and uniform etch depths while etching shallow trench isolation features
US20060032833A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Encapsulation of post-etch halogenic residue

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62154627A (ja) * 1985-12-26 1987-07-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエツチング方法
JPH05217954A (ja) * 1992-02-05 1993-08-27 Sharp Corp ドライエッチング終点検出方法
JP2001274141A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2001358061A (ja) * 2000-04-12 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP3946724B2 (ja) * 2004-01-29 2007-07-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05160077A (ja) * 1991-12-05 1993-06-25 Sharp Corp プラズマエッチング方法
JPH11214651A (ja) * 1998-01-23 1999-08-06 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
TW451395B (en) * 1999-06-30 2001-08-21 Lam Res Corp Method of achieving top rounding and uniform etch depths while etching shallow trench isolation features
US20060032833A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Encapsulation of post-etch halogenic residue

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Publication number Publication date
CN101043004A (zh) 2007-09-26
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