JP2007207406A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007207406A JP2007207406A JP2006157574A JP2006157574A JP2007207406A JP 2007207406 A JP2007207406 A JP 2007207406A JP 2006157574 A JP2006157574 A JP 2006157574A JP 2006157574 A JP2006157574 A JP 2006157574A JP 2007207406 A JP2007207406 A JP 2007207406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier circuit
- memory cell
- sense amplifier
- data
- write
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の半導体記憶装置は、行列に並べられたメモリセル(10、10A〜10H)を備えるメモリセルアレイと、センスアンプ回路(26)とを具備する。メモリセル(10、10A〜10H)のそれぞれは、データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子(J0、J1)と、磁気抵抗素子(J0、J1)に電流が流されることによって生成される電位を増幅する増幅手段(MP1、MN1、MP7、MP7)とを備えている。センスアンプ回路(26)は、前記増幅手段(MP1、MN1、MP7、MP7)の出力に応答して、磁気抵抗素子(J0、J1)に記憶された前記データを識別する。
【選択図】図3
Description
図3は、本発明の第1の実施形態のMRAMの構成を示す図であり、具体的には、第1の実施形態のMRAMのメモリセル10の等価回路図である。第1の実施形態のMRAMの一つの特徴は、メモリアレイの各メモリセル10に磁気抵抗素子J0、J1から得られる信号を増幅するためのインバータが内蔵されている点にある。以下、第1の実施形態のMRAMのメモリセル10を詳細に説明する。
セル節点N1の電位がNMOSトランジスタMN1とPMOSトランジスタMP1で構成されたインバータで増幅されてメモリセル10の外に出力される。読み出しが行われるメモリセルは、読み出しワード線RWLとNMOSトランジスタMN2で選択される。磁気トンネル接合の高抵抗と低抵抗の差は数10%程度であり、これがMRAMを速くできない原因であったが、メモリセル内部で信号を増幅することにより、読み出しの高速化が可能となる。
図20〜図23は、本発明の第2の実施形態のMRAMの構成を示す図である。各メモリセルに増幅手段としてインバータが集積化されている第1の実施形態とは異なり、第2の実施形態では、図23に示されているように、磁気抵抗素子J0、J1から得られる信号を増幅するサブセンスアンプ回路30が複数のメモリセル20ごとに一つ設けられている。図23には、4つのメモリセル20毎に一つのサブセンスアンプ回路30が設けられている構成が図示されている。サブセンスアンプ回路30は、メモリセル20が配置されているメモリアレイ内に行列に配置されている。
図24は、本発明の第3の実施形態のMRAMの構成を示すブロック図である。第3の実施形態のMRAMは、第2の実施形態とほぼ同様の構成を有している。同一列の複数のメモリセル20Aが一のサブセンスアンプ回路30Aに接続され、更に、同一列の複数のサブセンスアンプ回路30Aが、一のセンスアンプ回路26に接続されている。
11:電源端子
12、13:接地端子
21:書き込みビット線セレクタ
22:ビット線ドライバ回路
23:読み出しワード線デコーダ
24:書き込みワード線デコーダ
25:プルアップ線デコーダ
26:センスアンプ回路
27:データラッチ
28:アドレス一致検出回路
29:リードデータセレクタ
30、30A:サブセンスアンプ回路
MN1〜MN7、MN11、MN21、MN22:NMOSトランジスタ
MP1〜MP7、MP16、MP21:PMOSトランジスタ
MD1:Nチャネルディプレッショントランジスタ
J0、J1:磁気抵抗素子
Claims (7)
- 行列に並べられたメモリセルを備えるメモリセルアレイと、
センスアンプ回路
とを具備し、
前記メモリセルのそれぞれは、
データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子と、
前記磁気抵抗素子に電流が流されることによって生成される電位を増幅する増幅手段
とを備え、
前記センスアンプ回路は、前記増幅手段の出力に応答して、前記磁気抵抗素子に記憶された前記データを識別する
半導体記憶装置。 - 請求項1に記載の半導体記憶装置であって、
前記少なくとも一の磁気抵抗素子は、複数であり、且つ直列に接続され、
前記増幅手段の入力は、前記複数の磁気抵抗素子の接続点であるセル節点に接続された
半導体記憶装置。 - 請求項2に記載の半導体記憶装置であって、
前記メモリセルアレイは、
第1書き込みビット線と、
第2書き込みビット線と、
前記センスアンプ回路に接続された読み出しビット線
とを更に備え、
前記メモリセルのそれぞれは、
前記セル節点と前記第1書き込みビット線との間に接続された第1スイッチ素子と、
前記セル節点と前記第2書き込みビット線との間に接続された第2スイッチ素子
とを備え、
前記増幅手段の出力は、前記読み出しビット線に接続されている
半導体記憶装置。 - 請求項1に記載の半導体記憶装置であって、
更に、
書き込みアドレスによって選択された前記メモリセルの磁気抵抗素子に書き込みデータを書き込む書き込み回路と、
前記センスアンプ回路から出力される出力データをラッチするように構成されたデータラッチと、
前記データラッチにラッチされているデータを外部に出力する出力回路と、
前記書き込みアドレスと読み出しアドレスの一致を検出するアドレス一致検出回路
とを具備し、
前記データラッチは、前記読み出しアドレスと前記書み込みアドレスの一致に応答して前記書き込み回路から前記書き込みデータをラッチする
半導体記憶装置。 - 行列に並べられたメモリセルを備えるメモリセルアレイと、
センスアンプ回路
とを具備し、
前記メモリセルのそれぞれは、データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子を備え、
前記メモリセルアレイには、n個(n≧2)の前記メモリセル毎に設けられ、前記磁気抵抗素子に電流が流されることによって生成される電位を増幅する増幅回路が配置され、
前記センスアンプ回路は、前記増幅回路の出力に応答して、前記磁気抵抗素子に記憶された前記データを識別する
半導体記憶装置。 - 行列に並べられたメモリセルを備えるメモリセルアレイと、
センスアンプ回路
とを具備し、
前記メモリセルのそれぞれは、
データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子と、
前記磁気抵抗素子に電流が流されることによって生成される電位が供給されるトランジスタ
とを備え、
前記メモリセルアレイは、n個(n≧2)の前記メモリセル毎に設けられたサブセンスアンプ回路を備え、
前記トランジスタと前記サブセンスアンプ回路に含まれる素子により、増幅回路が構成され、
前記センスアンプ回路は、前記増幅回路の出力に応答して、前記磁気抵抗素子に記憶された前記データを識別する
半導体記憶装置。 - 請求項6に記載の半導体記憶装置であって、
前記トランジスタは、前記電位がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが前記メモリセルと前記サブセンスアンプ回路とを接続するサブビット線に接続されているNMOSトランジスタであり、
前記素子は、前記サブビット線と電源端子の間に接続された、ダイオード接続されたトランジスタ又は抵抗素子である
半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006157574A JP5067650B2 (ja) | 2006-01-06 | 2006-06-06 | 半導体記憶装置 |
US11/614,231 US7492629B2 (en) | 2006-01-06 | 2006-12-21 | Magnetic random access memory and operating method of the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006001794 | 2006-01-06 | ||
JP2006001794 | 2006-01-06 | ||
JP2006157574A JP5067650B2 (ja) | 2006-01-06 | 2006-06-06 | 半導体記憶装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012150643A Division JP5590510B2 (ja) | 2006-01-06 | 2012-07-04 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007207406A true JP2007207406A (ja) | 2007-08-16 |
JP5067650B2 JP5067650B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=38232590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006157574A Active JP5067650B2 (ja) | 2006-01-06 | 2006-06-06 | 半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7492629B2 (ja) |
JP (1) | JP5067650B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010102800A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Nec Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法 |
WO2010087271A1 (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-05 | 日本電気株式会社 | 不揮発ロジック回路 |
JP2010225194A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリおよび再構成可能な回路 |
JP2012074118A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
US8243502B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-08-14 | Nec Corporation | Nonvolatile latch circuit and logic circuit using the same |
JP2012191455A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JP5421923B2 (ja) * | 2008-10-06 | 2014-02-19 | 国立大学法人大阪大学 | ノイズジェネレータ、及び確率共振素子 |
JP2014212551A (ja) * | 2014-06-23 | 2014-11-13 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
JPWO2013047213A1 (ja) * | 2011-09-27 | 2015-03-26 | 日本電気株式会社 | 不揮発抵抗ネットワーク集合体、および、それを用いた障害耐性を高めた不揮発論理ゲート |
CN105190761A (zh) * | 2013-03-27 | 2015-12-23 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 基于非易失性存储器的同步逻辑 |
WO2022064303A1 (ja) * | 2020-09-22 | 2022-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9570678B1 (en) | 2010-06-08 | 2017-02-14 | Crossbar, Inc. | Resistive RAM with preferental filament formation region and methods |
US8946046B1 (en) | 2012-05-02 | 2015-02-03 | Crossbar, Inc. | Guided path for forming a conductive filament in RRAM |
US9601692B1 (en) | 2010-07-13 | 2017-03-21 | Crossbar, Inc. | Hetero-switching layer in a RRAM device and method |
US8331126B2 (en) * | 2010-06-28 | 2012-12-11 | Qualcomm Incorporated | Non-volatile memory with split write and read bitlines |
US8569172B1 (en) | 2012-08-14 | 2013-10-29 | Crossbar, Inc. | Noble metal/non-noble metal electrode for RRAM applications |
US8884261B2 (en) | 2010-08-23 | 2014-11-11 | Crossbar, Inc. | Device switching using layered device structure |
US8373438B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-02-12 | Alexander Mikhailovich Shukh | Nonvolatile logic circuit |
US8502185B2 (en) | 2011-05-31 | 2013-08-06 | Crossbar, Inc. | Switching device having a non-linear element |
USRE46335E1 (en) | 2010-11-04 | 2017-03-07 | Crossbar, Inc. | Switching device having a non-linear element |
US9620206B2 (en) | 2011-05-31 | 2017-04-11 | Crossbar, Inc. | Memory array architecture with two-terminal memory cells |
US8619459B1 (en) * | 2011-06-23 | 2013-12-31 | Crossbar, Inc. | High operating speed resistive random access memory |
US8946669B1 (en) | 2012-04-05 | 2015-02-03 | Crossbar, Inc. | Resistive memory device and fabrication methods |
US9564587B1 (en) | 2011-06-30 | 2017-02-07 | Crossbar, Inc. | Three-dimensional two-terminal memory with enhanced electric field and segmented interconnects |
US9166163B2 (en) | 2011-06-30 | 2015-10-20 | Crossbar, Inc. | Sub-oxide interface layer for two-terminal memory |
US9627443B2 (en) | 2011-06-30 | 2017-04-18 | Crossbar, Inc. | Three-dimensional oblique two-terminal memory with enhanced electric field |
US9685608B2 (en) | 2012-04-13 | 2017-06-20 | Crossbar, Inc. | Reduced diffusion in metal electrode for two-terminal memory |
US8658476B1 (en) | 2012-04-20 | 2014-02-25 | Crossbar, Inc. | Low temperature P+ polycrystalline silicon material for non-volatile memory device |
US10096653B2 (en) | 2012-08-14 | 2018-10-09 | Crossbar, Inc. | Monolithically integrated resistive memory using integrated-circuit foundry compatible processes |
US9583701B1 (en) | 2012-08-14 | 2017-02-28 | Crossbar, Inc. | Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation |
WO2014033904A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗センサ、グラジオメータ |
US9576616B2 (en) | 2012-10-10 | 2017-02-21 | Crossbar, Inc. | Non-volatile memory with overwrite capability and low write amplification |
US8995180B2 (en) * | 2012-11-29 | 2015-03-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Magnetoresistive random access memory (MRAM) differential bit cell and method of use |
US10290801B2 (en) | 2014-02-07 | 2019-05-14 | Crossbar, Inc. | Scalable silicon based resistive memory device |
US10134459B2 (en) * | 2015-02-03 | 2018-11-20 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | MRAM with metal-insulator-transition material |
US9767892B1 (en) * | 2016-04-27 | 2017-09-19 | Altera Corporation | Memory elements with dynamic pull-up weakening write assist circuitry |
US11361215B2 (en) * | 2017-11-29 | 2022-06-14 | Anaflash Inc. | Neural network circuits having non-volatile synapse arrays |
US11164610B1 (en) | 2020-06-05 | 2021-11-02 | Qualcomm Incorporated | Memory device with built-in flexible double redundancy |
US11177010B1 (en) | 2020-07-13 | 2021-11-16 | Qualcomm Incorporated | Bitcell for data redundancy |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204854A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | 磁気装置および磁性体素子 |
JP2001210073A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-08-03 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびそれを用いたシステムlsi |
JP2001273758A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Sharp Corp | 磁気メモリ |
JP2004164719A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sony Corp | 磁気メモリ、情報記録回路及び情報読出回路 |
JP2004220759A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2004241451A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Sony Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2911312B2 (ja) | 1992-09-02 | 1999-06-23 | 三菱電機株式会社 | 磁性薄膜メモリおよびその記録方法 |
US6034887A (en) | 1998-08-05 | 2000-03-07 | International Business Machines Corporation | Non-volatile magnetic memory cell and devices |
JP3913971B2 (ja) | 1999-12-16 | 2007-05-09 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ装置 |
US6191989B1 (en) | 2000-03-07 | 2001-02-20 | International Business Machines Corporation | Current sensing amplifier |
JP2002100181A (ja) | 2000-09-27 | 2002-04-05 | Nec Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP2002140889A (ja) | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Canon Inc | 強磁性体メモリおよびその情報再生方法 |
JP2002230965A (ja) | 2001-01-24 | 2002-08-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 不揮発性メモリ装置 |
JP2002269968A (ja) | 2001-03-13 | 2002-09-20 | Canon Inc | 強磁性体メモリの情報再生方法 |
JP2003151262A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP4146170B2 (ja) | 2001-12-21 | 2008-09-03 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP3812498B2 (ja) | 2001-12-28 | 2006-08-23 | 日本電気株式会社 | トンネル磁気抵抗素子を利用した半導体記憶装置 |
JP2003208784A (ja) | 2002-01-10 | 2003-07-25 | Nec Corp | 不揮発性磁気記憶装置 |
JP2004086952A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Renesas Technology Corp | 薄膜磁性体記憶装置 |
JP2004145952A (ja) | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Nec Electronics Corp | Mram及びその書込方法 |
JP3888463B2 (ja) | 2002-11-27 | 2007-03-07 | 日本電気株式会社 | メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ |
US7184301B2 (en) | 2002-11-27 | 2007-02-27 | Nec Corporation | Magnetic memory cell and magnetic random access memory using the same |
JP4873338B2 (ja) | 2002-12-13 | 2012-02-08 | 独立行政法人科学技術振興機構 | スピン注入デバイス及びこれを用いた磁気装置 |
JP3766380B2 (ja) | 2002-12-25 | 2006-04-12 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその磁気ランダムアクセスメモリのデータ読み出し方法 |
US6914808B2 (en) * | 2002-12-27 | 2005-07-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive random access memory device |
JP2004213771A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP3818276B2 (ja) | 2003-06-24 | 2006-09-06 | 独立行政法人科学技術振興機構 | スピン注入素子及びそれを用いた磁気装置 |
US6980465B2 (en) | 2003-12-19 | 2005-12-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Addressing circuit for a cross-point memory array including cross-point resistive elements |
JP4819316B2 (ja) | 2004-02-23 | 2011-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2006093432A (ja) | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Sony Corp | 記憶素子及びメモリ |
US7577017B2 (en) * | 2006-01-20 | 2009-08-18 | Industrial Technology Research Institute | High-bandwidth magnetoresistive random access memory devices and methods of operation thereof |
-
2006
- 2006-06-06 JP JP2006157574A patent/JP5067650B2/ja active Active
- 2006-12-21 US US11/614,231 patent/US7492629B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204854A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | 磁気装置および磁性体素子 |
JP2001210073A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-08-03 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびそれを用いたシステムlsi |
JP2001273758A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Sharp Corp | 磁気メモリ |
JP2004164719A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sony Corp | 磁気メモリ、情報記録回路及び情報読出回路 |
JP2004220759A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2004241451A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Sony Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8243502B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-08-14 | Nec Corporation | Nonvolatile latch circuit and logic circuit using the same |
JP5421923B2 (ja) * | 2008-10-06 | 2014-02-19 | 国立大学法人大阪大学 | ノイズジェネレータ、及び確率共振素子 |
JP2010102800A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Nec Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法 |
JP5365813B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2013-12-11 | 日本電気株式会社 | 不揮発ロジック回路 |
WO2010087271A1 (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-05 | 日本電気株式会社 | 不揮発ロジック回路 |
JP2010225194A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリおよび再構成可能な回路 |
US8531866B2 (en) | 2009-03-19 | 2013-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile memories and reconfigurable circuits |
JP2012074118A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JP2012191455A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JPWO2013047213A1 (ja) * | 2011-09-27 | 2015-03-26 | 日本電気株式会社 | 不揮発抵抗ネットワーク集合体、および、それを用いた障害耐性を高めた不揮発論理ゲート |
CN105190761A (zh) * | 2013-03-27 | 2015-12-23 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 基于非易失性存储器的同步逻辑 |
JP2016514392A (ja) * | 2013-03-27 | 2016-05-19 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | 不揮発性メモリベースの同期式論理回路 |
JP2014212551A (ja) * | 2014-06-23 | 2014-11-13 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
WO2022064303A1 (ja) * | 2020-09-22 | 2022-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7492629B2 (en) | 2009-02-17 |
US20070159876A1 (en) | 2007-07-12 |
JP5067650B2 (ja) | 2012-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5067650B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP4768437B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP4988588B2 (ja) | 静的ランダムアクセスメモリ用のワード線ドライバ回路 | |
KR101548343B1 (ko) | 메모리 장치 | |
US7660150B2 (en) | Memory cell having improved write stability | |
US8576655B2 (en) | Semiconductor memories | |
JP4159095B2 (ja) | 磁気記憶装置 | |
CN105573456B (zh) | 半导体装置 | |
KR100287882B1 (ko) | 비휘발성 강유전체 메모리장치 | |
US7123504B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device having static random access memory mounted thereon | |
CN110660430B (zh) | 存储器装置、存储器输入/输出电路及其方法 | |
JP2008276826A (ja) | 半導体装置 | |
JP2005276277A (ja) | スタティック型メモリセルおよびsram装置 | |
TWI620458B (zh) | 半導體記憶裝置及其驅動方法 | |
JP5415672B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4200101B2 (ja) | カスコードセンス増幅器及び列選択回路及び動作方法。 | |
JP2009272023A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2009020957A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6504784B1 (en) | Semiconductor memory device with reduced standby current | |
KR100604824B1 (ko) | 게이트 바이어스 제어에 의해 임의의 방향성을 갖는비트라인 센스 앰프를 채용하는 메모리 장치 및 그비트라인 센싱 방법 | |
TWI602193B (zh) | 半導體儲存裝置及其驅動方法 | |
JP4287768B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7489581B2 (en) | Semiconductor memory | |
JP2009116994A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP5590510B2 (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120720 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150824 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5067650 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |