JP2006519492A - シリコン結晶化システム及びシリコン結晶化方法 - Google Patents

シリコン結晶化システム及びシリコン結晶化方法 Download PDF

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Abstract

レーザーを生成するレーザー生成装置、前記レーザー生成装置で生成されたレーザービームを制御する第1及び第2光系、前記光系を通過したレーザービームの照射によって多結晶シリコン層に結晶化する非晶質シリコン層が蒸着されたパネルを装着可能なステージを備えることを特徴とするシリコン結晶化システムであり、前記第1光学ユニットは、レーザービームを横辺と横辺より長い縦辺を有するように作り、前記第2光学ユニットは、レーザービームを横辺と横辺より短い縦辺を有するように作ることができ、前記第1及び第2光学ユニットから発するレーザービームは長方形断面を有する。

Description

本発明は、多結晶化システム及び方法に関し、特に、薄膜トランジスタ表示板の多結晶シリコン層を形成するシステム及びその方法に関する。
一般に、シリコンは、結晶状態によって非晶質シリコンと結晶質シリコンに分けることができる。非晶質シリコンは、低い温度で蒸着し薄膜を形成することが可能であり、主に低い融点を有するガラスを基板として用いる液晶パネルの薄膜トランジスタに多く用いられる。
しかし、非晶質シリコン薄膜は、低い電界効果移動度などの問題点がある。そのため、高い電界効果移動度(30cm/Vsec)と高周波動作特性及び低い漏れ電流の電気的特性を有する多結晶シリコンの応用が要求される。
特に、多結晶シリコン薄膜の電気的特性は、結晶粒(grain)の大きさの影響を大きく受ける。即ち、結晶粒の大きさが増加するにつれて電界効果移動度も増加する。
従って、レーザービームを使用して結晶粒を側面成長させ、巨大な多結晶シリコンを製造するSLS(sequential lateral solidification)(順次横方向結晶化)技術が提案されている。
このようなSLS技術は、固相領域に隣接する液相領域で発生する結晶粒成長が液相領域と固相領域の境界面で始まり、その境界面に対して垂直方向に進むということを利用したものである。この時、レーザービームは、互いにオフセットされた複数のスリット状通過領域を有するマスクを通過し、非晶質シリコンを溶かしてスリット状の液相領域を形成する。次に、液相の非晶質シリコンが冷却され結晶化するが、前述したように、結晶粒成長は、レーザーが照射されない固相領域と液相領域の境界面から始まり、その境界面に対して垂直方向に進む。そして、結晶粒は、液状領域の中央で互いに出会えば成長を止める。このような工程を、マスクを結晶粒の成長方向に対して垂直に移動しながら行うことによって、非晶質シリコン層の全領域を結晶化することができる。
しかし、このような従来の技術により液晶パネルの多結晶シリコン層を形成する場合、レーザービームを一つの形態及び一つのエネルギーに作る単一光学ユニット(optical unit)を用いるので、この光学ユニットによって決定されるレーザービームの形状及びエネルギーは同一である。そのため、各領域に最も適合するレーザービームの形状及びエネルギーが得られないという問題点がある。
従って、本発明は、上記のような従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、複数個の光学ユニットを用いて種々の形状及びエネルギーのレーザービームを非晶質シリコン層に選択的または同時に照射することによって、液晶表示装置の量産性及び特性を同時に向上させることができるシリコン結晶化システム及びシリコン結晶化方法を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明によるシリコン結晶化システムは、レーザー生成装置、前記レーザー生成装置で生成されたレーザービームを制御する第1及び第2光学ユニット、前記光学ユニットを通過したレーザービームの照射によって多結晶化される非晶質シリコン層を有するパネルを装着可能なステージを備え、前記第1光学ユニット及び前記第2光学ユニットは、レーザービームを互いに異なる形状に作ることを特徴とする。
この時、前記第1光学ユニットは、レーザービームを横辺と横辺より長い縦辺を有するように作り、前記第2光学ユニットは、レーザービームを横辺と横辺より短い縦辺を有するように作ることができる。前記第1及び第2光学ユニットから発するレーザービームは、長方形断面を有することができる。
前記パネルは、表示領域、ゲート駆動回路領域及びデータ駆動回路領域を備えることができる。
前記画素領域及び前記ゲート駆動回路領域は、前記第1光学ユニットが調節したレーザービームを照射し、前記データ駆動回路領域は、前記第2光学ユニットが調節した前記レーザービームを照射することが好ましい。前記表示領域とゲート駆動回路領域は、2ショットマスクを通じてレーザーを照射し、前記データ駆動回路領域は、マルチショット(3ショット以上)マスクを通じてレーザーを照射することがより好ましい。
前記2ショットマスクは、レーザービームの通過領域を定義し、2列を形成する複数のスリットを有し、前記スリットの2列は互いにオフセットし得る。前記スリットの2列は、スリットの幅と同じ距離でオフセットし得る。
前記マルチショットマスクは、レーザービームの通過領域を定義し、3つまたはそれ以上の列を形成する複数のスリットを備え、前記スリットの列はオフセットし得、隣接した前記列のスリットは、スリットの幅の半分と同じ距離か、それより小さい距離でオフセットし得る。
前記第1及び第2光学ユニットの位置を制御する位置制御機をさらに備えることができる。
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるシリコン結晶化システムは、レーザービームを生成するレーザー生成装置、レーザービームを複数の小ビームに分割するレーザービーム分割器、前記レーザービーム分割器から出る小ビームを制御する第1及び第2光学ユニット、前記第1及び第2光学ユニットから出る小ビームによって多結晶化される非晶質シリコン層を有するパターンを搭載するためのステージを備え、前記第1光学ユニット及び前記第2光学ユニットは、前記レーザービームを互いに異なる形状を有するように作ることを特徴とする。
前記第1光学ユニットは、小ビームを横辺と横辺より長い縦辺を有するように作り、前記第2光学ユニットは、小ビームを横辺と横辺より短い縦辺を有するように作ることができ、前記第1及び第2光学ユニットから出る小ビームは、長方形断面を有することができる。
前記パネルは、表示領域、ゲート駆動回路領域及びデータ駆動回路領域を備えることができる。
前記画素領域及び前記ゲート駆動回路領域は、前記第1光学ユニットが調節したレーザービームを照射し、前記データ駆動回路領域は、前記第2光学ユニットが調節した前記レーザービームを照射することが好ましい。
前記表示領域とゲート駆動回路領域は、2ショットマスクを通じてレーザーを照射し、前記データ駆動回路領域は、マルチショット(3ショット以上)マスクを通じてレーザーを照射することがより好ましい。
前記2ショットマスクは、レーザービームの通過領域を定義し、2列を形成する複数のスリットを備え、前記スリットの2列はオフセットし得、2列のスリットは互いにその幅と同じ距離でオフセットし得る。
前記マルチショットマスクは、レーザービームの通過領域を定義し、3つまたはそれ以上の列を形成する複数のスリットを備え、前記スリットの列はオフセットし得、前記隣接した列のスリットはスリットの幅の半分と同じ距離であるか、それより小さい距離でオフセットし得る。
上記目的を達成するためになされた本発明によるシリコン結晶化方法は、表示領域、ゲート駆動回路領域及びデータ駆動回路領域を備える絶縁基板上に非晶質シリコン層を蒸着する段階、前記非晶質シリコン層の前記画素領域及び前記ゲート駆動回路領域に第1レーザービームを通過させるための複数のスリットを備える第1マスクを用いて第1レーザービームを照射する段階、前記非晶質シリコン層の前記データ駆動回路領域に第2レーザービームを通過させるための複数のスリットを備える第2マスクを用いて第2レーザービームを照射する段階、非晶質シリコン層を多結晶化する段階を有し、第1及び第2レーザービームの形状が互いに異なることを特徴とする。
前記第1レーザービームは、横辺と横辺より長い縦辺を有し、前記第2レーザービームは、横辺と横辺より短い縦辺を有することができる。
前記第1及び第2マスクのスリットは、複数の列を形成し、列内のスリットは互いにオフセットし得、前記第1マスクのスリットは2列をなし、前記第2マスクのスリットは、少なくとも3列をなすことが好ましい。
前記第1及び第2レーザービームは、初期の単一レーザービームから選択的に生成するか、或いは、初期の単一レーザービームを分割し同時に生成できる。
本発明に係るケイ素結晶化システム及びその方法によれば、複数個の光学ユニットを用いて種々の形状及びエネルギーのレーザービームを非晶質シリコン層に選択的または同時に照射することによって、液晶表示装置の量産性及び特性を同時に向上させるという効果がある。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
本発明の実施形態に係るシリコン結晶化システム及びシリコン結晶化方法について図面を参照して説明する。
まず、本発明の一実施形態に係るシリコン結晶化システムについて、図1乃至図6を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るシリコン結晶化システムの概略図であり、図2は、本発明の一実施形態に係る液晶パネルの平面図である。
図1に示すように、本実施形態に係るシリコン結晶化システムは、レーザービーム1を生成するレーザー生成装置10、レーザー生成装置10からのレーザービーム1の形状及びエネルギーを制御する複数の光学ユニット20、並びに光学ユニット20の位置を制御する位置制御機40を備える。また、シリコン結晶化システムは、液晶パネル100を搭載し、光学ユニット20から発するレーザービーム1が照射されるステージ30を備える。
光学ユニット20は、レーザービーム1を横方向に短く、縦方向に長い長方形断面を有するように作る第1光学ユニット21と、横方向に長く、縦方向に短い長方形断面を有するように作る第2光学ユニット22を備える。第1及び第2光学ユニット21、22は、レーザービーム1を種々の形状及び大きさに作る複数の副光学ユニットを備える。
位置制御機40は、複数個の副光学ユニットの一つを選択し、レーザー生成装置10とステージ30の間に配置する。
液晶パネル100は、絶縁基板110とその上に蒸着され、レーザー生成装置10から発するレーザービーム1によって多結晶化される非晶質シリコン層150を有する。液晶パネル100は、表示領域101と、ゲート駆動回路領域102及びデータ駆動回路領域103を備える周辺領域に区分される。この中で、データ駆動回路領域103には高性能の薄膜トランジスタが要求されるアナログ−デジタル変換器(A/D converter)(図示せず)及びデジタル−アナログ変換器(D/A converter)(図示せず)が形成される。
本発明の一実施形態によれば、表示領域101とゲート駆動回路領域102は、量産性の良い2ショット順次横方向結晶化工程(2shot SLS process)で結晶化し、高性能薄膜トランジスタが要求されるデータ駆動回路領域103は、3ショット以上(以下、マルチショットという。)の順次横方向結晶化工程で結晶化し、量産性を確保すると同時にデータ駆動回路領域103には高性能薄膜トランジスタを形成する。
まず、本発明の一実施形態に係る2ショット順次横方向結晶化工程について、図3乃至図5及び図1、図2を参照して説明する。
図3は、レーザービームを照射し、非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化させる2ショット順次横方向結晶化工程を示した概略図であり、図4は、2ショット順次横方向結晶化工程によって形成される多結晶シリコンの結晶粒を示す。
図2及び図3のように、2ショット順次横方向結晶化工程において、表示領域101またはゲート駆動回路領域103上の非晶質シリコン層150の露光領域に、スリット状通過領域310を有する2ショットマスク300を通じてレーザービーム1を照射する。
図5に示すように、2ショットマスク300は、縦方向に長く、レーザービーム1もマスク300と同様の形態を有するのが良い。従って、図1に示すように、第1光学ユニット21の副光学ユニットの一つをレーザービーム生成装置10とステージ30の間に配置する。
2ショットマスク300のスリット310は、横方向に長く、幅(W)を有し、横方向に配列されている二つの列(G、H)をなす。各列(G、H)のスリット310は、互いに所定の距離、好ましくはスリット310の幅(W)と同じ距離で離れている。また、二つの列(G、H)のスリット310は、所定の距離、好ましくはスリット310の幅(W)と同じ距離でずれるようにしてオフセットされている。2ショットマスク300は、非晶質シリコン層150の露光領域を覆う。
通過領域310に対応してレーザービームが照射される非晶質シリコン層150の部分は、完全に溶融されて液相領域210を形成する。しかし、符号220で示す領域は固体状態を維持する。液相領域210の幅及び長さは、スリット310の幅及び長さと同一である。この時、結晶粒成長は、液相領域210と固相領域220の境界面230で、それぞれその境界面230に対し垂直方向(A)に成長する。成長する結晶粒は、液相領域210の中央231で出会い、これによって成長が止まる。
一回の露光段階(ショットとも言う。)が終了すれば、2ショットマスク300をスリット310の長さ(マスク300の幅の1/2に当たる)ほどスリット310の長手方向に移動する。すると、前の段階における露光領域が次の段階における露光領域と部分的に重畳する。即ち、前の露光領域の右半分が次の露光領域の左半分となり再び露光される。 また、前の露光領域の右半分にあった固相領域220が、レーザービームに照射されて液相領域になる。結果的に、連続する2回の露光段階で重畳する非晶質シリコン層の全面積が多結晶化し、2回の露光によって形成された結晶粒の幅がスリット310の幅(W)と同一である。
このような露光過程は、左側から右側に移動しつつ繰り返し行われ、レーザービームも左側から右側に移動しながら走査される。非晶質シリコン層150の右側端まで走査が完了すれば、2ショットマスク300をその長さほど下方に移動し、走査も下方に移動する。その後、マスク300の移動及び走査を右側から左側に行う。
このような工程を繰り返して非晶質シリコン層の全領域が多結晶化される。
次に、マルチショット順次横方向結晶化工程を図6及び図1、図2を参照して説明する。
マルチショット順次横方向結晶化工程において、非晶質シリコン層150の所定領域をマルチショット、好ましくは3回乃至6回のショットで完全に多結晶化する。しかし、高性能の薄膜トランジスタを得るためには、7回以上のショットを行うこともできる。ここで“マルチショット”とは、3回以上のショットを意味する。
図6は、複数ショット順次横方向結晶化工程において6ショットマスクの移動を示した図である。
図6に示すように、6ショットマスク600は、複数のスリット状通過領域610を有する。通過領域610は、横方向に長く、6個の列(G、H、I、J、K、L)をなす。各列(G、H、I、J、K、L)は、所定の距離、好ましくはスリット610の幅の2倍に当たる距離で互いに離れているスリット対(611gと612g、611hと612h、611iと612i、611jと612j、611kと612k、611lと612l)を有する。
隣接した2列(G、H、I、J、K、L)のスリット610は、所定の距離、好ましくはスリット610幅の半分以下の距離でオフセットし、左側から右側に向かうにつれて下がる階段状の配列を有する。最後の列(L)のスリット611l)と第1列(G)のスリット612gは、所定の距離、好ましくはスリット610幅の半分以上の距離でオフセットしている。各列(G、H、I、J、K、L)のスリット610数は、一つまたは三つ以上であり得る。
6ショットマスク600は、横方向に長く、レーザービーム1もマスク600と同様の形状を有するのが良い。そのため、第2光学ユニット22の副光学ユニットがレーザー生成装置10とステージ30の間に配置される。
データ駆動回路領域102にある非晶質シリコン層150の露光領域を覆うマスク600を非晶質シリコン層150と位置あわせし、マスク600を通じてレーザービーム1を照射し多結晶化を行う。各列(G、H、I、J、K、L)のスリット610間の距離がスリット610幅の2倍である場合には、露光領域の1/3が結晶化する。多結晶化後、マスク600をスリット610の長さほど(マスク600の幅の1/6と同じ)スリット610の長手方向に移動する。すると、前のショットにおける露光領域の右側5/6が、次のショットにおける露光領域と重畳する。
隣接列のスリット610がその幅の半分ほどでオフセットされている場合には、前のショットで露光されない部分の1/4と、前のショットで露光された部分の半分にレーザービーム1が照射され多結晶化する。詳しくは、スリット611kと対向する非晶質シリコン層150部分は、前のショットでレーザービーム1に露出されない上半分と、前のショットでスリット611lを通じてレーザービーム1が照射された下半分を含む。次のショットによる下半分における結晶粒成長は、前のショットで形成されたその下の結晶粒の境界から始まり上方に進むが、これはその結晶粒の成長方向と同じ方向である。結果的に、前のショットで形成された結晶粒が、上方にスリット610幅の半分ほど大きくなる。
結晶粒成長は、6回の露光工程の間継続し、結晶粒の大きさはスリットパターンの幅(w)の3倍程度になる。これにより、結晶粒の大きさが増加し、極めて大きい電荷移動度を有する薄膜トランジスタを得ることができる。
これと同様にして、nショット順次横方向結晶化工程を行うことにより、スリット幅(w)のn/2倍程度の幅を有する結晶粒を得ることができる。
次に、図7と図8を参照して本発明の他の実施形態に係るシリコン結晶化システムについて詳細に説明する。
図7は、本発明の他の実施形態に係るシリコン結晶化システムの概略図であり、図8は、本発明の一実施形態に係る図7に示したシリコン結晶化システムのレーザービーム分割器の概略図である。
図7に示すように、本実施形態に係るシリコン結晶化システムは、レーザービーム1を生成するレーザー生成装置10、レーザー発生装置10からのレーザービーム1を同じエネルギーを有する複数の小ビーム2に分割するためのレーザービーム分割器50、レーザービーム分割器50から来る小ビーム2のエネルギー及び形状を調節する複数の光学ユニット20、並びに液晶パネル100を搭載し、光学ユニット20から来る小ビーム2が照射されるステージ30を備える。
図8に示すように、レーザービーム分割器50内部には複数個、つまり第1乃至第nミラー(M1−Mn)が配置されている。各ミラー(M1−Mn)は、レーザービーム1の進行方向に対して約45度をなす。第1ミラー(M1)は、レーザービーム1をある程度透過させて、レーザービーム分割器50に入射するレーザービーム1エネルギーの1/nほどのエネルギーを有する小ビーム2を生成し、レーザービーム1をある程度反射して、入射ビームエネルギーの残り(1−(1/n))ほどのエネルギーを有するレーザービームを生成する。第2乃至第n−1ミラー(M1〜Mn−1)は、前のミラー((M1〜Mn−2)から来る入射レーザービームをある程度反射して、レーザービーム1エネルギーの1/nほどのエネルギーを有する小ビーム2を生成し、入射レーザービームをある程度透過させて、入射ビームエネルギーの残りほどのエネルギーを有する出力レーザービームを生成する。すると、i番目のミラー(1<i<1)からの出力ビームは、初期レーザービーム1エネルギーの(1−(i/n))ほどのエネルギーを有する。最後に、第nミラー(Mn)は、レーザービーム1エネルギーの1/nのエネルギーを有する入射ビームを全反射して小ビーム2を生成する。
光学ユニット20は、小ビーム2を横方向に短く、縦方向に長い長方形断面を有するように作る第1光学ユニット21と、横方向に長く、縦方向に短い長方形断面を有するように作る第2光学ユニット22を備える。第1及び第2光学ユニット21、22は、小ビーム2を種々の形状及び大きさに作る複数の副光学ユニットを備える。
第1及び第2光学ユニット21、22から発する小ビーム2は、非晶質シリコン層150に同時に照射される。例えば、第1光学ユニット21から発する小ビーム2は、表示領域101とゲート駆動回路領域102に2ショットマスクを通じて照射され、第2光学ユニット22から発する小ビーム2は、マルチショットマスクを通じてデータ駆動回路領域103に照射される。
本発明によるシリコン結晶化システム及びその方法は、複数個の光学ユニットを用いて種々の形状及びエネルギーのレーザービームを非晶質シリコン層に選択的または同時に照射することによって、液晶表示装置の量産性及び特性を同時に向上させる。
以上で、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものでなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
本発明の一実施形態に係るシリコン結晶化システムを示した概略図である。 本発明の一実施形態に係る液晶パネルの平面図である。 レーザーを照射して非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化させる2ショット順次横方向結晶化工程を概略的に示した図である。 2ショット順次横方向結晶化工程によって形成された多結晶シリコンの結晶粒を示した図である。 2ショット順次横方向結晶化工程で2ショットマスクの移動を示した図である。 6ショット順次横方向結晶化工程で6ショットマスクの移動を示した図である。 本発明の他の実施形態に係るシリコン結晶化システムの概略図である。 本発明の一実施形態に係る図7に示したシリコン結晶化システムのレーザービーム分割器の概略図である。
符号の説明
1 レーザービーム
10 レーザー生成装置
20 光学ユニット
21 第1光学ユニット
22 第2光学ユニット
30 ステージ
40 位置制御機
50 レーザービーム分割器
100 液晶パネル
110 絶縁基板
150 非晶質シリコン層
300 2ショットマスク
310 スリット
600 6ショットマスク
610 スリット状通過領域

Claims (27)

  1. レーザービームを生成するレーザー生成装置と、
    前記レーザー生成装置からのレーザービームを制御する第1及び第2光学ユニットと、
    前記各々の光学ユニットを通過したレーザービームの照射によって多結晶化される非晶質シリコン層を有するパネルを装着可能なステージとを備え、
    前記第1光学ユニット及び前記第2光学ユニットは、レーザービームを互いに異なる形状に作ることを特徴とするシリコン結晶化システム。
  2. 前記第1光学ユニットは、レーザービームを横辺と該横辺より長い縦辺を有するように作り、前記第2光学ユニットは、レーザービームを横辺と該横辺より短い縦辺を有するように作ることを特徴とする請求項1に記載のシリコン結晶化システム。
  3. 前記第1及び第2光学ユニットから発するレーザービームは、長方形断面を有することを特徴とする請求項2に記載のシリコン結晶化システム。
  4. 前記パネルは、表示領域、ゲート駆動回路領域、及びデータ駆動回路領域を備えることを特徴とする請求項3に記載のシリコン結晶化システム。
  5. 前記画素領域及び前記ゲート駆動回路領域には、前記第1光学ユニットが調節したレーザービームが照射され、前記データ駆動回路領域には、前記第2光学ユニットが調節したレーザービームが照射されることを特徴とする請求項4に記載のシリコン結晶化システム。
  6. 前記表示領域と前記ゲート駆動回路領域は、2ショットマスクを通じてレーザービームを照射し、前記データ駆動回路領域は、マルチショット(3ショット以上)マスクを通じてレーザービームを照射することを特徴とする請求項5に記載のシリコン結晶化システム。
  7. 前記2ショットマスクは、レーザービームの通過領域を定義し、2列をなす複数のスリットを備え、前記2列のスリットがオフセット(offset)していることを特徴とする請求項6に記載のシリコン結晶化システム。
  8. 前記二列のスリットが、前記スリットの幅と同じ距離でオフセットしていることを特徴とする請求項7に記載のシリコン結晶化システム。
  9. 前記マルチショットマスクは、レーザービームの通過領域を定義し、3つ以上の列をなす複数のスリットを備え、該列のスリットがオフセットしていることを特徴とする請求項6に記載のシリコン結晶化システム。
  10. 隣接した前記列のスリットが、スリット幅の半分以下の距離でオフセットしていることを特徴とする請求項9に記載のシリコン結晶化システム。
  11. 前記第1及び第2光学ユニットの位置を制御する位置制御機をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のシリコン結晶化システム。
  12. レーザービームを生成するレーザー生成装置と、
    前記レーザービームを複数の小ビームに分割するレーザービーム分割器と、
    前記レーザービーム分割器から発する小ビームを制御する第1及び第2光学ユニットと、
    前記第1及び第2光学ユニットから発する小ビームによって多結晶化される非晶質シリコン層を有するパネルを搭載するためのステージとを備え、
    前記第1光学ユニット及び前記第2光学ユニットは、前記小ビームを互いに異なる形状を有するように作ることを特徴とするシリコン結晶化システム。
  13. 前記第1光学ユニットは、小ビームを横辺と該横辺より長い縦辺を有するように作り、前記第2光学ユニットは、小ビームを横辺と該横辺より短い縦辺を有するように作ることを特徴とする請求項12に記載のシリコン結晶化システム。
  14. 前記第1及び第2光学ユニットから発する小ビームは、長方形断面を有することを特徴とする請求項13に記載のシリコン結晶化システム。
  15. 前記パネルは、表示領域、ゲート駆動回路領域及びデータ駆動回路領域を備えることを特徴とする請求項14に記載のシリコン結晶化システム。
  16. 前記画素領域及び前記ゲート駆動回路領域には、前記第1光学ユニットが調節したレーザービームが照射され、前記データ駆動回路領域には、前記第2光学ユニットが調節したレーザービームが照射されることを特徴とする請求項15に記載のシリコン結晶化システム。
  17. 前記表示領域及び前記ゲート駆動回路領域は、2ショットマスクを通じてレーザービームを照射し、前記データ駆動回路領域は、マルチショット(3ショット以上)マスクを通じてレーザービームを照射することを特徴とする請求項16に記載のシリコン結晶化システム。
  18. 前記2ショットマスクは、レーザービームの通過領域を定義し、2列をなす複数のスリットを備え、前記2列のスリットがオフセットしていることを特徴とする請求項17に記載のシリコン結晶化システム。
  19. 前記2列のスリットが互いにその幅と同じ距離でオフセットしていることを特徴とする請求項18に記載のシリコン結晶化システム。
  20. 前記マルチショットマスクは、レーザービームの通過領域を定義し、3つ以上の列をなす複数のスリットを備え、前記列のスリットがオフセットしていることを特徴とする請求項19に記載のシリコン結晶化システム。
  21. 隣接した前記列のスリットが、スリット幅の半分以下の距離でオフセットしていることを特徴とする請求項20に記載のシリコン結晶化システム。
  22. 表示領域、ゲート駆動回路領域及びデータ駆動回路領域を備える絶縁基板上に非晶質シリコン層を蒸着する段階と、
    前記非晶質シリコン層の前記画素領域及び前記ゲート駆動回路領域に第1レーザービームを通過させるための複数のスリットを備える第1マスクを通じて第1レーザービームを照射する段階と、
    前記非晶質シリコン層の前記データ駆動回路領域に第2レーザービームを通過させるための複数のスリットを備える第2マスクを通じて第2レーザービームを照射する段階と、
    前記非晶質シリコン層を多結晶化する段階とを有し、
    前記第1及び第2レーザービームの形状が互いに異なることを特徴とするシリコン結晶化方法。
  23. 前記第1レーザービームは、横辺と該横辺より長い縦辺を有し、前記第2レーザービームは、横辺と該横辺より短い縦辺を有することを特徴とする請求項22に記載のシリコン結晶化方法。
  24. 前記第1及び第2マスクのスリットは、複数の列をなし、該列のスリットが互いにオフセットしていることを特徴とする請求項23に記載のシリコン結晶化方法。
  25. 前記第1マスクのスリットは2列をなし、前記第2マスクのスリットは少なくとも3列をなすことを特徴とする請求項24に記載のシリコン結晶化方法。
  26. 前記第1及び第2レーザービームは、一つの初期レーザービームから選択的に生成することを特徴とする請求項22に記載のシリコン結晶化方法。
  27. 前記第1及び第2レーザービームは、一つの初期レーザービームを分割して同時に生成することを特徴とする請求項22に記載のシリコン結晶化方法。
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