TWI342047B - System and method of silicon crystallization - Google Patents

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TWI342047B
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crystallization system
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Ui-Jin Chung
Dong-Byum Kim
Su-Gyeong Lee
Myung-Koo Kang
Hyun-Jae Kim
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Samsung Electronics Co Ltd
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1342047 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領，域】 本發明關於一種多晶化系統及方法，且特別是關於—種 形成-涛膜電晶體陣列面板之多晶石夕層之系統及方法。 【先前技術】 成薄膜電晶體（TFTs)於一液 大體上，料依其結晶狀態而分類成非晶碎及結晶石夕， 由：非晶料在低溫下沉積形成一薄膜，故其經常用於形 一低溶點 晶面板之玻璃基板上，且具有 惟’非晶⑪薄膜具有低場效遷移料缺點，因此需要呈 有大約30 Cn^see高場效遷移率、高頻率操作特徵、及低 漏電流之多晶石夕。 夕aa石夕薄膜之電力特徵明顯受到晶粒尺寸影響，例如， 晶粒越大則場效遷移率越高。 利用雷射束使晶粒生長於橫向之依序橫向固化（sls) 係經建議用於取得大晶粒。 此技術所採用之事實為鄰近於一固相區之液相區内之晶 粒生長係始於液相區與固相區之間之界面，且沿著一垂直 於界面之方向行進。在SLS技術中，一雷射束通過一具有複 數隙縫型透射區且相互錯開之遮罩，且炫化非晶石夕以形成 具有隙縫形狀之液相區。隨後’液相非晶♦冷卻而結晶。 如上所述，晶粒生長始於液相區與固相區之間之界面，其 並未曝露於雷射束’且在一垂直於界面之方向行進，及當 到達液相區中央時晶粒即停止生長。SLS可藉由在垂直於晶 91592.doc 粒生長方向移動遮罩而結晶全部薄膜。 另方面’雷射束具、有由一光學單元決定之形狀及能量， 光學單7C可以使畲射束僅有單一形狀及單一能量，據此， 其難以取得適用於多種區域之形狀及能量。 【發明内容】 提供一種矽結晶系統，其包括：一雷射束產生器，其產 生一雷射束；第一及第二光學單元，其用於控制雷射束產 生益之雷射束；及一平台，其用於安裝一面板，面板包括 一非晶石夕層，供由光學單元之雷射束予以多晶化’其中$ 一及第二光學單元使雷射束有不同形狀。 第光學單元使雷射束具有一橫緣及一較長於橫緣之縱 緣，及第二光學單元使雷射束具有一橫緣及一較短於橫緣 之縱緣。第一及第二光學單元之雷射束具有長方形狀。 面板可包含一顯示面板，其包括一顯示區、一閘極驅動 電路區、及一資料驅動電路區。 較佳為，顯示區及閘極驅動電路區係由第一光學單元所 控制之雷射束照射’且資料驅動電路區係由第二光學單元 所控制之雷射束照射。更佳為，顯示區及閘極驅動電路區 係透過一二次投射遮罩而照射，且資料驅動電路區係透過 一多次投射遮罩而照射。 一-人技射遮罩具有複數隙縫’用於界定出透射雷射束之 區域及形成二列，且二列中之隙縫較佳為錯開一等於隙縫 寬度之距離。 多次投射遮罩具有複數隙縫，用於界定出透射雷射束之 91592.doc 區域及形成三或多列，且諸列中之隙縫較佳為錯開—等於 或小於隙縫一半寬度，之距離。 ' 矽結晶系統可造一步包含一位置控制器，用於定位第一 及第二光學單元。 提供一種矽結晶系統，其包括：一雷射東產生器，其產 生—雷射束；一分束器，其用於將雷射束分成複數射束； 第—及第二光學單元，其用於控制分束器之射束；及一平 α，其用於安裝一面板，面板包括一非晶矽層，供由分束 器之射束予以多晶化，其中第一及第二光學單元使雷射束 有不同形狀。 - 第一光學單元使射束具有一橫緣及一較長於橫緣之縱 緣，及第二光學單元使射束具有一橫緣及一較短於橫緣之 縱緣。來自第一及第二光學單元之射束具有長方形狀。 面板可包括一顯示面板，其包括一顯示區'一閘極驅動 電路區、及一資料驅動電路區。 較佳為，顯示區及閘極驅動電路區係由第一光學單元所 控制之射束照射，且資料驅動電路區係由第二光學單元所 控制之射束照射。更佳為，顯示區及閘極驅動電路區係透 過一二次投射遮罩而照射，且資料驅動電路區係透過一多 次投射遮罩而照射。 二次投射遮罩具有複數隙縫，用於界定出透射射束之區 域及形成二列，且二列中之隙缝較佳為錯開—等於隙縫寬 度之距離。 多次投射遮罩具有複數隙縫，用於界定出透射雷射束之 91592.doc 1342047 區域及形成三或多列，且相鄰列中之隙縫較佳為錯開一等 於或小於隙縫一半寬，度之距離。 提供一種矽結晶之方法，其包括：沉積一非晶矽層於一 基板上，其具有一顯示區、一閘極驅動電路區、及一資料 驅動電路區m射束透過—具有複數隙縫可供透 射第一雷射束之第一遮罩，以照射於非晶矽層之顯示區及 閘極驅動區上，將—第一雷射束透過—具有複數隙縫可供 透射第二雷射束之第二遮罩，以照射於非晶矽層之資料驅 動區上’及將非晶矽層結晶’其中第—及第二雷射束之形 狀不同。 ' 第一雷射束可具有一橫緣及一較長於橫緣之縱緣，及第 二雷射束具有一橫緣及一較短於橫緣之縱緣。 第一及第一遮罩之隙縫形成複數列，且諸列中之隙縫係 錯開。較佳為’第一遮罩之隙縫形成二列，且第二遮罩之 隙縫形成至少三列。 第一及第二雷射束係選擇性產生自單一初始雷射束，或 藉由將單一初始雷射束分束而同時產生。 【貧施方式】 本發明現在即參考附圖完整說明於後，圖中揭示本發明 之實施例’惟’本發明另可用多種型式實施，且不應拘限 於本文内載述之實施例。 在圖式中，諸層、膜及區域之尺寸及相對尺寸為求清楚 而予以加大’圖中相同之參考編號係指相同元件。可以瞭 解的是，當一元件例如一層'膜、區域或基板稱為在另一 91592.doc 1342047 元件"上"時，其可直接在另一元件上或 卞丄^有亦可存在介置元 件。對比之下，當-元件稱為”直接,,在另—元件上時，則 不存在介置元件。 隨後’本發明實施例之m系統及方法係參考附圖說 明於後。 本發明實施例之-石夕結晶系統係參考圖…詳細說明於 後。 圖1係本發明實施例之石夕結晶系統之示意圖，及圖2係本 發明貫施例之液晶面板之平面圖。 請參閱圖丨’此實施例之一矽結晶系統包括一用於產生一 雷射束1之雷射束產生器10、用於控制雷射束產生器1〇所生 ，射束1形狀及能量之複數光學單元20、及—用於控制光學 早凡20位置之位置控制器4〇 “夕結晶系統進—步包括一平 。30，其女裝一液晶面板1〇〇且由光學單元之雷射束1照 射。 光學單元2〇包括一第一光學單元2卜用於成形雷射束i 以具有一長方形截面且具有短橫緣與長縱緣，及一第二光 學單元22 ’用於成形雷射束丨以具有-長方形截面且具有長 橫，與短縱緣。第一及第二光學單元21、22包括複數光學 子單元，以用於雷射束1之形狀及尺寸。 其中-光學子單元係經位置控制器40選定及設置於雷射 束產生器10與平台30之間。 液面板1 00包括一絕緣基板u 〇及—沉積於絕緣基板 上之非明石夕層1 50，以利於由雷射束產生器i 〇之雷射束 9l592.doc 1342047 予以結阳化。液晶面板1 〇〇包括一顯示區丨〇丨及一包括一閘 極驅動電路區102與一資料驅動電路區1〇3在内之周邊區， 貝料驅動電路區！ 03係由需要高性能TFTs之類比-數位 (D/A)轉換(圖中未示）及數位-類比（D/A)轉換器（圖中未 示）提供。 依本發明之一實施例所示’顯示區1 〇丨及閘極驅動電路區 102係由一確保生產率之二次投射SLS製程予以結晶化，而 貧料驅動電路區1 〇3係由一確保高性能TFTs以及大生產率 之二或多次投射（文後稱為，，多次投射，'）SLS製程予以結-晶 化。 首先，本發明實施例之二次投射SLS製程係參考圖3_5及 圖1、2說明於後。 圖3概略說明利用一雷射束將非晶矽結晶成多晶矽之二 次投射SLS製程，圖4說明由二次投射SLS製程形成之多晶 矽粒，及圖5說明二次投射SLS製程中之二次投射遮罩之移 動。 5月參閱圖2、3，一次投射s L S製程係透過一二次投射遮罩 300而將雷射束1照射於顯示區！ 〇 1或資料驅動電路區1 上 之非晶矽層I 50之一曝光區上，二次投射遮罩包括具有隙縫 形狀之複數透射區3 1 0。 如圖5所示’二次投射遮罩300係在縱向加長，因此雷射 束1較佳為具有相同於遮罩300之形狀。據此，第一光學單 元21之其中一光學子單元設置於雷射束產生器1〇與平台3〇 之間，如圖1所示。 9l592.doc 1342047 二次投射遮罩300之隙縫3 1 0係在橫向加長及具有一寬度 W，且其在橫向形成二列G、Η，各列中之隙縫3丨〇彼此相隔 一預定距離，此較佳為等於隙縫3 1 0之寬度W，且二列中之 隙縫3 10係錯開—距離，此較佳為等於隙縫3 1〇之寬度w。 一次投射遮罩300覆蓋非晶矽層1 50之曝光區。 面向透射區310且由雷射束照射之非晶矽層15〇部分係完 全熔化，以形成液相區21〇，而由參考編號22〇所示之部分 仍在固相區内。液相區21〇之寬度及長度等於隙縫31〇者。 晶粒生長係開始於液相區21〇與固相區22〇之間之界面 230，且沿著一垂直於界面23〇之方向A，所生長之晶粒到達 液相區210之中間平面231，晶粒生長即止於此。 一旦元成曝光步驟（亦稱為一次投射），二次投射遮罩3〇〇 移動一等於隙縫310長度之距離，亦即等於二次投射遮罩 300在隙縫31〇長度方向中之-半寬度。隨後，先前步驟中 之曝光區係一部分重疊於此曝光步驟之曝光區，亦即，先 别曝光區之右半部再次變成此曝光區之左半部，而先前曝 光區之右半部内之固相區220係由雷射束照射，成為液相 區因此，一連續步驟中之非晶石夕層之所有重疊區皆呈多 晶化，且在二曝光步驟中形成之晶粒具有一等於隙縫3丨0寬 度w之寬度。 曝光步驟係由左至右重複且雷射束由左至右掃描，掃描 到達非晶矽層150之右緣後，二次投射遮罩3〇〇向下移動一 等於其長度之距離，且逐步向下掃描。隨後，遮罩3〇〇及掃 描之移動即由右至左。 9l592.doc 1342047 依此’非晶矽層1 50之所有區域皆呈多晶化。 一多次投射SLS製，程參考圖6及圖I、2詳細說明於後。 多次投射S L S叙程利用多次投射而徹底多晶化一非晶矽 層150之預定區’較佳為三至六次，而七或多次投射可用於 取得南性能TFTs。"多次投射” 一詞在本說明書中係指三或 多次投射。 圖6說明在多次投射SLS製程内之六次投射遮罩之移動。 凊參閱圖6，一六次投射遮罩6〇〇具有複數隙縫型透射區 610，其在橫向加長且形成六列g、η、I、J、κ、L，各列G、 Η、I、J、Κ或L包括一對彼此間隔之隙縫6 1丨^與6 1 2g、6 i i匕 與61211、6111與6121、611』與612<].、6111^與6121〇6111與612卜 較佳為二倍於隙縫61 〇之寬度。鄰近於二列G、H、i '】、κ、 L之隙縫6丨0係錯開一預定距離，其較佳為等於或小於隙縫 610之一半見度，且由左至右配置如降階般。最末列l内之
開一預定距離，其較 各列 G、Η、I、J、K 隙縫6111及最首列G内之隙縫612g亦錯 佳為等於或大於隙縫61〇之一半寬度。 或L内之隙縫6 10數量可為一、三或更多。 六次投射遮罩_係在橫向加長且雷射幻因而較佳具有 相同於遮罩600之形狀’據此，第二光學單元22之其中一光 學子單元設置於雷射束產生器1Q與平台3〇之間。 復显⑺、貝 、v「as ^ /苜iu < 一噪元 之遮罩000係對準於非晶守 > 彳$Λ 7層15 0，且一雷射束1透過遮 600照射以利多晶化。隨後，
田谷列G、H、I、J'k戍L 之隙縫010之間之距離為二# 一 。於隙縫610之寬度時，三分 9l592.doc •13· 1342047 一曝光區即結晶。多晶化後，遮罩咖移動-相等於隙縫610 長度之距離’亦即等於隙縫61〇長度方向令之六分之一隙縫 610寬度。接著，前次投射中之右方六分之五曝光區重疊於 此曝光步驟之曝光區。當相鄰列中之隙縫㈣錯開為隙縫 61〇之-半寬度時’則未在前次投射中曝光之四分之一部分 及在則-人技射中曝光之二分之_部分即由雷射束1照射以 利夕a日化。詳s之，面向隙縫6Uk之非晶矽層门〇之一區域 包括一未在前次投料曝光於雷射幻之上半部及-在前 次投射中透過隙縫6⑴而由雷射束⑽射之下半部，此次投 射中之該區域下半部内之晶粒生長係始於一位於其下方處 且形成於前次投射中之晶粒㈣，且朝上進行，此相同於 晶粒之生長方向。結果，在前次投射中形成之晶粒向上延 伸一等於隙縫6 10 —半寬度。 晶粒生長係在六次曝光步驟期間持續且晶粒具有三倍於 隙縫610寬度之寬度，多晶碎之大晶粒可供取得具有高電荷 載體遷移率之TFTs。 同樣地，一 η次投射SLS製程形成具有n/2寬度之晶粒。 本發明另一實施例之矽結晶系統將參考圖7、8詳細說明 於後。. 圖7係本發明另一實施例之矽結晶系統之示意圖，及圖8 係圖7所示本發明實施例之矽結晶系統之分束器之示意圖。 請參閱圖7 ’此實施例之一矽結晶系統包括一用於產生— 雷射束1之雷射束產生器10、一用於將雷射束產生器1〇所生 雷射束1分成複數相同能量射束2之分束器5〇、用於控制分 91592.doc 1342047 束器50所生射束2形狀及能量之複數光學單元2〇、及一用於 安裝一液晶面板1 〇〇、且由光學單元2〇之射束2照射之平台 30 〇 如圖8所示’分束器5〇包括提供於其内部之複數面鏡 Ml-Mn ’亦即第一至第η，各面鏡Ml-Mn係與雷射束1之行 進方向呈大約45度角。第一面鏡mi可以部分地透射雷射束 1以產生一射束2 ’其能量等於投射在分束器5〇上之雷射束j 之1/n能量，及部分地反射入射束以產生一雷射束，其具有 入射束1之剩餘部分（1_l/n)能量。第二至第（η_υ面.鏡 Μ2-Μη-1各將前一面鏡Μ1_Μη_2所反射之入射雷射束部分 地反射，以產生一射束2 ’其能量等於雷射束丨之丨化能量， 且部分地透射入射束以產生一輸出束，其具有入射束之剩 餘部分能量》隨後，來自第i(1<i<n)面鏡之輸出束具有等 於初始雷射束1之（l_l/n)能量，最後，第η面鏡Μη將一具有 1/n雷射束1能量之入射束全反射，以產生一射束2。 光學單元20包括一第一光學單元21，用於成形射束2以具 有一長方形截面且具有短橫緣與長縱緣，及一第二光學單 元2用於成形射束2以具有一長方形截面且具有長橫緣與 短縱緣。第一及第二光學單元21、22包括複數光學子單元， 以用於射束2之形狀及尺寸。 來自第一及第二光學單元2丨、22之射束2同時照射於非晶 矽層150上，例如，來自第一光學單元2丨之射束2透過一二 次投射遮罩而照射於顯示區丨〇1及閘極驅動電路區！02上， 而來自第一光學單元22之射束2透過一多次投射遮罩而照 91592.doc 15 射於資料驅動電路區丨〇3上 ―糸統及方法係使用複數光學單元而選擇性及同時 …'射不同形狀與能量 + — 董之田射束，稭此改善一裝置之生產率 及特徵。 儘官本發明已參考較佳實施例詳細說明於前，習於此技 者可以瞭解的是在不脫離文㈣請專利範該載之本發明 精神範疇下’仍可達成多種修改及變化。 【圖式簡單說明】 本發明將藉由參考附圖詳細說明其實施例於後以供瞭 解，其中： · 圖1係本發明實施例之矽結晶系統之示意圖； 圖2係本發明實施例之液晶面板之平面圖； 圖3概略說明利用一雷射束將非晶矽結晶成多晶矽之二 次投射SLS製程； 圖4說明由二次投射SLS製程形成之多晶矽粒； 圖5 5兒明二次投射SLS製程中之二次投射遮罩之移動； 圖6說明多次投射SLS製程内之六次投射遮罩之移動； 圖7係本發明另一實施例之矽結晶系統之示意圖；及 圖8係圖7所示本發明實施例之矽結晶系統之分束器之示 意圖。 【圖式代表符號說明】 雷射束 射束 雷射束產生器 9l592.doc 16- 1342047 20、 21、22 光學單元 30 平台 40 位置控制 器 50 分束器 100 液晶面板 101 顯不區 102 閘極驅動 電 路 區 103 資料驅動 電 路 區 110 絕緣基板 150 非晶矽層 210 液相區 220 固相區 230 界面 231 中間平面 300 二次投射遮 罩 3 10 隙縫 600 六次投射 遮罩 610 、6 11 g〜6111、 隙縫列 612g :-6121 Ml〜 Μη 面鏡 9l592.doc

Claims (1)

1342047 行年右月2^«修正本 第093104787號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(99年6月） 拾、申請專利範圍： 1. 一種矽結晶系統，包含： 一雷射束產生器，其產生一雷射束； 第一及第二光學單元，其用於控制雷射束產生器之雷 射束；及 平口，其用於安裝一面板，面板包括一非晶石夕層， 供由光學單元之雷射束予以多晶化，其中來自該第一光 學單元之雷射束與來自該第二光學單元之雷射束具有不 同形狀。 2. 如申請專利範圍第丨項之矽結晶系統，其中第一光學單元 使田射束具有一;^緣及一較長於橫緣之縱緣，及第二光 學單/0使雷射束具有一橫緣及一較短於橫緣之縱緣。 3. 如申請專利範圍第2項之石夕結晶系統，其中來自第一及第 二光學單元之雷射束具有長方形狀。 4. 如申請專利範圍第3項之石夕結晶系統，其中面板包含一顯 示面板八包括顯示區、一閘極驅動電路區、及一資 料驅動電路區。 5. 如申請專利範圍第4項之石μ士 s么w ^ 步喝之石夕結Ba糸統’其中顯示區及閘極 驅動電路區係由第—朵爆α〜 先學早7C所控制之雷射束照射’且 資料驅動電路區係由第- 乐—九干早兀所控制之雷射束照 射0 6. 如申請專利範圍第5項之矽姓B <夕、、口日日系統，其中顯示區及閘 驅動電路區係透過—二4_ 人才又射遮罩而照射，且資料驅 電路區係透過一多次投射遮罩而照射。 91592-990622.doc 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. 如申請專利範圍第6項之矽結晶系統，其中二次投射遮罩 具有歿數隙縫，用於界定出透射雷射束之區域及形成二 列’且二列中之隙縫係錯開。 申明專範圍第7項之石夕結晶系統，其中二列中之隙縫 係錯開一等於隙縫寬度之距離。 如申研專利範圍第6項之矽結晶系統其中多次投射遮罩 具有複數隙縫’用於界定出透射雷射束之區域及形成三 或多列’且諸列中之隙縫係錯開。 申"月專利範圍第9項之石夕結晶系統，其中相鄰列中之隙 縫係錯開-等於或小於隙縫一半寬度之距離。 如申請專利範圍第1項之矽結晶系統，進一步包含一位置 控制器，用於定位第一及第二光學單元。 一種矽結晶系統，包含： 雷射束產生器’其產生一雷射束； 一分束器’其用於將雷射束分成複數射束； 第一及第二光學單元’其用於控制分束器之射束；及 一平台，其用於安裝一面板，面板包括一非晶矽層， 供由分束器之射束予以多晶化，其中來自該第一光學單 元之雷射束與來自該第二光學單元之雷射束具有不同形 狀。 如申請專利範圍第12項之矽結晶系統，其中第一光學單 元使射束具有一橫緣及一較長於橫緣之縱緣，及第二光 予單元使射束具有一橫緣及一較短於橫緣之縱緣。 如申請專利範圍第13項之矽結晶系統，其中來自第一及 91592-990622.doc -2- 15. 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 第二光學單元之射束具有長方形狀。 如申請專利範圍第丨4項之矽結晶系統，其中面板包含一 顯不面板，其包括一顯示區、一閘極驅動電路區、及一 資料驅動電路區。 如申請專利範圍第15項之矽結晶系統，其中顯示區及閘 極驅動電路區係由第一光學單元所控制之射束照射，且 資料驅動電路區係由第二光學單域控制之射束照射。 如申請專利範圍第16項之矽結晶系統，其中顯示區及閘 極驅動電路區係透過一二次投射遮罩而照射，且資料驅 動電路區係透過一多次投射遮罩而照射。 如申請專利範圍第17項之發結晶系統’其中二次投射遮 罩具有複數隙縫，用於界定出透射射束之區域及形成二 列’且二列中之隙縫係錯開。 如申請專利範圍第is項之m系統，其中二列中之隙 縫係錯開一等於隙縫寬度之距離。 如申請專利範圍第19項之#結晶系統，其中多次投射遮 罩^有複數隙縫’用於界定出透射雷射束之區域及形成 二或多列’且相鄰列中之隙縫係錯開。 如申請專利範圍第20項之♦結晶系統，其中相鄰列中之 隙縫係錯開—等於或小於隙縫一半寬度之距離。 一種矽結晶之方法，該方法包含： 沉積一非晶石夕層於-基板上，其具有一顯示區、一問 極驅動電路區、及一資料驅動電路區； 將一第一雷射束透過一具有複數隙縫可供透射第-雷 9I592-990622.doc 1342047
射束之第一遮罩，以照射於非晶 動區上； 矽層之顯示區及閘極驅 將一第二雷射束透過-具有複數隙縫可供透射第二+ 射束之第二遮罩，以照射於非㈣層之資料驅動區上；及田 將非晶^夕層結晶， 其中第一及第二雷射束之形狀不同。 23.
如申請專利範圍第22項之方法， 橫緣及一較長於橫緣之縱緣，及 及一較短於橫緣之縱緣。 其中第一雷射束具有— 第二雷射束具有—橫緣 24. 25. 如申請專利範圍第23項之方法，其中第—及第二遮罩之 隙縫形成複數列，且諸列中之隙縫係錯開。 如申請專利範圍第24項之方法，其中第一遮罩之隙縫形 成一列’且第一遮罩之隙縫形成至少三列。 26. 27.
如申凊專利範圍第22項之方法，其中第一及第 係選擇性產生自單一初始雷射束。 如申請專利範圍第22項之方法，其中第一及第 係藉由將單一初始雷射束分束而同時產生。 二雷射束 二雷射束 91592-990622.doc 4-
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI299431B (en) * 2005-08-23 2008-08-01 Au Optronics Corp A mask for sequential lateral solidification (sls) process and a method thereof
KR20120008345A (ko) 2010-07-16 2012-01-30 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 조사 장치
WO2019111362A1 (ja) * 2017-12-06 2019-06-13 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ照射装置、レーザ照射方法、および、投影マスク

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3722996A (en) * 1971-01-04 1973-03-27 Electromask Inc Optical pattern generator or repeating projector or the like
DE3016000A1 (de) * 1980-04-25 1981-11-05 Schwarz, Hans Werner, 6752 Winnweiler Verfahren zum kurzzeitigen aufzeichnen bzw. sichtbarmachen von in ihrer form sich stetig aendernden lichteffekten durch projektion auf eine flaeche und vorrichtung zum durchfuehren des verfahrens
US4502762A (en) * 1982-11-12 1985-03-05 Northern Telecom Limited Dual wavelength optical system
JPS61222040A (ja) * 1985-03-27 1986-10-02 Nec Corp 光ピツクアツプ装置
USRE33836E (en) * 1987-10-22 1992-03-03 Mrs Technology, Inc. Apparatus and method for making large area electronic devices, such as flat panel displays and the like, using correlated, aligned dual optical systems
JPH05226275A (ja) 1992-02-12 1993-09-03 Nippondenso Co Ltd レーザアニール装置
JP3205478B2 (ja) 1995-01-24 2001-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射システム
JP3429129B2 (ja) 1996-04-26 2003-07-22 三菱電機株式会社 低温ポリシリコン薄膜トランジスタのレーザアニーリング方法
JPH09321310A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
KR100492726B1 (ko) * 1998-01-26 2005-08-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 시스템온패널형액정표시장치
KR100286047B1 (ko) 1998-05-15 2001-04-16 김덕중 역톱니파를 이용한 역률 보정 회로
US6326286B1 (en) * 1998-06-09 2001-12-04 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method for crystallizing amorphous silicon layer
KR100292048B1 (ko) * 1998-06-09 2001-07-12 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터액정표시장치의제조방법
KR100430231B1 (ko) * 1998-10-02 2004-07-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저어닐장비
JP3819711B2 (ja) * 1998-10-23 2006-09-13 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP3194250B2 (ja) * 1998-12-25 2001-07-30 住友重機械工業株式会社 ２軸レーザ加工機
JP3945951B2 (ja) * 1999-01-14 2007-07-18 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工機
US6535535B1 (en) * 1999-02-12 2003-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and semiconductor device
JP2000275668A (ja) 1999-03-19 2000-10-06 Fujitsu Ltd レーザアニーリング装置、液晶表示装置及びその製造方法
JP3201382B2 (ja) 1999-04-12 2001-08-20 セイコーエプソン株式会社 半導体薄膜の製造方法
TW517260B (en) 1999-05-15 2003-01-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for its fabrication
JP3425392B2 (ja) 1999-05-27 2003-07-14 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP3413484B2 (ja) * 1999-11-26 2003-06-03 住友重機械工業株式会社 レーザアニーリング装置
CN100488595C (zh) * 2000-01-14 2009-05-20 安格斯公司 以中性过滤材料为基础过滤流体的系统和方法
AU2000226927A1 (en) * 2000-02-25 2001-09-03 Hitachi Ltd. Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same, and method of producing masks
DE60116873T2 (de) * 2000-05-12 2006-07-20 Pall Corp. Filter
JP2002043245A (ja) 2000-07-31 2002-02-08 Fujitsu Ltd 結晶性半導体薄膜の形成方法
MXPA02005590A (es) * 2000-10-10 2002-09-30 Univ Columbia Metodo y aparato para procesar capas de metal delgadas.
KR100390522B1 (ko) 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
JP2002176180A (ja) 2000-12-06 2002-06-21 Hitachi Ltd 薄膜半導体素子及びその製造方法
US6495405B2 (en) * 2001-01-29 2002-12-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of optimizing channel characteristics using laterally-crystallized ELA poly-Si films
TW521310B (en) * 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
EP1354341A1 (en) * 2001-04-19 2003-10-22 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method for single-scan, continuous motion sequential lateral solidification
KR100405080B1 (ko) * 2001-05-11 2003-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법.
KR100424593B1 (ko) 2001-06-07 2004-03-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법
KR100418745B1 (ko) * 2001-06-08 2004-02-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법
TW558861B (en) * 2001-06-15 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
US6770546B2 (en) * 2001-07-30 2004-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2003151916A (ja) 2001-08-03 2003-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法
TW552645B (en) * 2001-08-03 2003-09-11 Semiconductor Energy Lab Laser irradiating device, laser irradiating method and manufacturing method of semiconductor device
TW527732B (en) * 2001-08-21 2003-04-11 Samsung Electronics Co Ltd Masks for forming polysilicon and methods for manufacturing thin film transistor using the masks
JP3903761B2 (ja) * 2001-10-10 2007-04-11 株式会社日立製作所 レ−ザアニ−ル方法およびレ−ザアニ−ル装置
KR100390211B1 (ko) 2001-11-06 2003-07-12 주상세라스(주) 박막 증착법을 이용한 기능성 광섬유 프로브 제작방법
US6767804B2 (en) 2001-11-08 2004-07-27 Sharp Laboratories Of America, Inc. 2N mask design and method of sequential lateral solidification
JP4394331B2 (ja) * 2002-02-05 2010-01-06 シャープ株式会社 有機ｅｌ素子
US6660576B2 (en) 2002-03-11 2003-12-09 Sharp Laboratories Of America, Inc. Substrate and method for producing variable quality substrate material
US6777276B2 (en) * 2002-08-29 2004-08-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. System and method for optimized laser annealing smoothing mask
KR100424711B1 (ko) 2002-05-15 2004-03-27 주식회사 하이닉스반도체 저전력 소스 구동 장치
JP4668508B2 (ja) 2002-05-17 2011-04-13 シャープ株式会社 半導体結晶化方法
KR100848096B1 (ko) * 2002-05-21 2008-07-24 삼성전자주식회사 다결정용 레이저 조사 장치
KR100878240B1 (ko) * 2002-09-16 2009-01-13 삼성전자주식회사 다결정용 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
JP3822188B2 (ja) * 2002-12-26 2006-09-13 日立ビアメカニクス株式会社 多重ビームレーザ穴あけ加工装置
KR100646160B1 (ko) * 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법
KR100992120B1 (ko) * 2003-03-13 2010-11-04 삼성전자주식회사 규소 결정화 시스템 및 규소 결정화 방법
TWI255961B (en) * 2003-05-26 2006-06-01 Mitsubishi Electric Corp Wavelength conversion method, wavelength conversion laser, and laser processing apparatus
KR100498546B1 (ko) 2003-06-30 2005-07-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 조사 장비 및 그 응용 방법
JP4780943B2 (ja) 2003-09-09 2011-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法
US7450307B2 (en) * 2003-09-09 2008-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device
JP2005167084A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Fujitsu Ltd レーザ結晶化装置及びレーザ結晶化方法
KR101100875B1 (ko) 2003-12-11 2012-01-02 삼성전자주식회사 결정화용 레이저빔 조사 장치, 이를 이용한 결정화 방법및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
US7486856B2 (en) * 2004-03-24 2009-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer and laser irradiation apparatus
KR20060131518A (ko) 2005-06-16 2006-12-20 삼성전자주식회사 레이저 결정화 시스템, 레이저 결정화 방법 및 이를 이용한액정표시장치용 박막트랜지스터 기판의 제조방법

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