JP4099767B2 - 多結晶シリコン形成方法及び多結晶シリコン形成用レーザー装置のマスク - Google Patents
多結晶シリコン形成方法及び多結晶シリコン形成用レーザー装置のマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP4099767B2 JP4099767B2 JP2003362037A JP2003362037A JP4099767B2 JP 4099767 B2 JP4099767 B2 JP 4099767B2 JP 2003362037 A JP2003362037 A JP 2003362037A JP 2003362037 A JP2003362037 A JP 2003362037A JP 4099767 B2 JP4099767 B2 JP 4099767B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- length
- edge
- region
- transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
- B23K26/0661—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks disposed on the workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
- C30B1/023—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing from solids with amorphous structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/02—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the solid state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
- H01L21/0268—Shape of mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02691—Scanning of a beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1012—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with a window or port for visual observation or examination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
また、第1方向に階段状に配置されかつ第2方向に一定間隔離隔されるように配列されて、各々は中央部と前記中央部の両側面に第1及び2エッジ部でなる複数個の透過領域と;レーザー装置のレーザービームを遮断する遮断領域とを含み、前記透過領域の第1エッジ部は前記第1方向に第1エッジ長さを有し、前記透過領域の第2エッジ部は前記第1方向と反対側方向に第2エッジ長さを有し、前記第1方向に沿って互いに隣接した両透過領域の対向する中央部対向端間の距離は、前記第1エッジ長さと前記第2エッジ長さの合計より小さく、前記第1方向と前記第2方向は実質的に垂直であり、前記各透過領域の中央部は、四角形形状であって、前記各透過領域の第1及び2エッジ部はテーパ状であり、前記各透過領域の中央部は、前記第1方向と平行して第1長さを有する第1及び2辺と前記第2方向と平行して第2長さを有する第3及び4辺でなり、前記第2長さは、前記第2方向に隣接した前記中央部間の間隔より大きいことを特徴とする多結晶シリコン形成用レーザー装置のマスクを提供する。
Claims (13)
- 非晶質シリコン層が形成された基板を提供する段階と;
複数個の透過領域を含んで、前記複数個の透過領域は、第1方向に階段状に配置されかつ第2方向に一定間隔離隔されるように配列されて、各透過領域は中央部と前記中央部の両側面に第1及び2エッジ部でなるマスクを前記非晶質シリコン層上部に配置する段階と;
前記マスクを通して前記非晶質シリコン層に1次レーザービームを照射して前記複数個の透過領域に対応して各々中央部と前記中央部の両側面に第1及び2エッジ部でなる複数個の第1照射領域を形成する段階と;
前記各透過領域の第1エッジ部が前記各第1照射領域の中央部と重なるように前記基板を前記マスクに対して相対的に移動して整列する段階と;
前記マスクを通して前記非晶質シリコン層に2次レーザービームを照射して前記複数個の透過領域に対応する複数個の第2照射領域を形成する段階と
を含み、
前記透過領域の第1エッジ部は前記第1方向に第1エッジ長さを有し、前記透過領域の第2エッジ部は前記第1方向と反対側方向に第2エッジ長さを有し、前記第1方向に沿って互いに隣接した両透過領域の対向する中央部対向端間の距離は、前記第1エッジ長さと前記第2エッジ長さの合計より小さいことを特徴とする多結晶シリコン形成方法。 - 前記マスクは、前記レーザービームを遮断する遮断領域をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコン形成方法。
- 前記第1方向は、前記第2方向と実質的に垂直であることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコン形成方法。
- 前記各透過領域の中央部は、四角形状であって、前記各透過領域の第1及び2エッジ部はテーパ状であることを特徴とする請求項3に記載の多結晶シリコン形成方法。
- 前記各透過領域の中央部は、前記第1方向と平行して第1長さを有する第1及び2辺と前記第2方向と平行して第2長さを有する第3及び4辺でなされることを特徴とする請求項4に記載の多結晶シリコン形成方法。
- 前記基板は、前記マスクに対して前記第1方向に前記第1長さほど相対的に移動することを特徴とする請求項5に記載の多結晶シリコン形成方法。
- 前記第2長さは、前記第2方向によって隣接した前記中央部間の第1距離より大きいことを特徴とする請求項5に記載の多結晶シリコン形成方法。
- 前記第1方向によって隣接した前記中央部の第1辺間の第2距離は、前記第2長さの半分より大きくて前記第2長さより小さいことを特徴とする請求項7に記載の多結晶シリコン形成方法。
- 前記第1方向によって隣接した前記中央部の第1辺間の第2距離は、0より大きく前記第2長さの半分より小さいことを特徴とする請求項7に記載の多結晶シリコン形成方法。
- 前記各透過領域の第1エッジ部が前記各第2照射領域の中央部と重なるように前記基板を前記マスクに対して相対的に移動して整列する段階と;
前記マスクを通して前記非晶質シリコン層に3次レーザービームを照射して前記複数個の透過領域に対応する複数個の第3照射領域を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項5に記載の多結晶シリコン形成方法。 - 第1方向に階段状に配置されかつ第2方向に一定間隔離隔されるように配列されて、各々は中央部と前記中央部の両側面に第1及び2エッジ部でなる複数個の透過領域と;
レーザー装置のレーザービームを遮断する遮断領域と
を含み、
前記透過領域の第1エッジ部は前記第1方向に第1エッジ長さを有し、前記透過領域の第2エッジ部は前記第1方向と反対側方向に第2エッジ長さを有し、前記第1方向に沿って互いに隣接した両透過領域の対向する中央部対向端間の距離は、前記第1エッジ長さと前記第2エッジ長さの合計より小さく、
前記第1方向と前記第2方向は実質的に垂直であり、前記各透過領域の中央部は、四角形形状であって、前記各透過領域の第1及び2エッジ部はテーパ状であり、前記各透過領域の中央部は、前記第1方向と平行して第1長さを有する第1及び2辺と前記第2方向と平行して第2長さを有する第3及び4辺でなり、前記第2長さは、前記第2方向に隣接した前記中央部間の間隔より大きいことを特徴とする多結晶シリコン形成用レーザー装置のマスク。 - 前記第1方向によって隣接した前記中央部の第1辺間の第1距離は、前記第2長さの半分より大きくて前記第2長さより小さいことを特徴とする請求項11に記載の多結晶シリコン形成用レーザー装置のマスク。
- 前記第1方向によって隣接した前記中央部の第1辺間の第2距離は、0より大きくて前記第2長さの半分より小さいことを特徴とする請求項11に記載の多結晶シリコン形成用レーザー装置のマスク。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020088532A KR100646160B1 (ko) | 2002-12-31 | 2002-12-31 | 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004214614A JP2004214614A (ja) | 2004-07-29 |
JP4099767B2 true JP4099767B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=27656471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003362037A Expired - Lifetime JP4099767B2 (ja) | 2002-12-31 | 2003-10-22 | 多結晶シリコン形成方法及び多結晶シリコン形成用レーザー装置のマスク |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6867151B2 (ja) |
JP (1) | JP4099767B2 (ja) |
KR (1) | KR100646160B1 (ja) |
CN (1) | CN1277155C (ja) |
DE (1) | DE10329332B4 (ja) |
FR (1) | FR2849530B1 (ja) |
GB (1) | GB2396962B (ja) |
TW (1) | TWI223334B (ja) |
Families Citing this family (120)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6555449B1 (en) | 1996-05-28 | 2003-04-29 | Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication |
US6830993B1 (en) | 2000-03-21 | 2004-12-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method |
KR100854834B1 (ko) | 2000-10-10 | 2008-08-27 | 더 트러스티스 오브 컬럼비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 | 얇은 금속층을 가공하는 방법 및 장치 |
KR100400510B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-10-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 결정화 장치와 실리콘 결정화 방법 |
US7758926B2 (en) * | 2001-05-30 | 2010-07-20 | Lg Display Co., Ltd. | Amorphous silicon deposition for sequential lateral solidification |
TWI378307B (en) | 2002-08-19 | 2012-12-01 | Univ Columbia | Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and structure of such film regions |
CN1757093A (zh) | 2002-08-19 | 2006-04-05 | 纽约市哥伦比亚大学托管会 | 具有多种照射图形的单步半导体处理系统和方法 |
JP4474108B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2010-06-02 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置とその製造方法および製造装置 |
US7341928B2 (en) | 2003-02-19 | 2008-03-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | System and process for processing a plurality of semiconductor thin films which are crystallized using sequential lateral solidification techniques |
KR100956339B1 (ko) * | 2003-02-25 | 2010-05-06 | 삼성전자주식회사 | 규소 결정화 시스템 및 규소 결정화 방법 |
KR101026796B1 (ko) * | 2003-05-13 | 2011-04-04 | 삼성전자주식회사 | 다결정 규소층 및 다결정 규소용 마스크, 그 다결정규소층을 포함하는 표시 장치용 표시판 및 그 제조 방법 |
WO2005029546A2 (en) | 2003-09-16 | 2005-03-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination |
US7164152B2 (en) * | 2003-09-16 | 2007-01-16 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Laser-irradiated thin films having variable thickness |
US7318866B2 (en) | 2003-09-16 | 2008-01-15 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for inducing crystallization of thin films using multiple optical paths |
WO2005029551A2 (en) | 2003-09-16 | 2005-03-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Processes and systems for laser crystallization processing of film regions on a substrate utilizing a line-type beam, and structures of such film regions |
TWI366859B (en) | 2003-09-16 | 2012-06-21 | Univ Columbia | System and method of enhancing the width of polycrystalline grains produced via sequential lateral solidification using a modified mask pattern |
WO2005029549A2 (en) | 2003-09-16 | 2005-03-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method and system for facilitating bi-directional growth |
US7311778B2 (en) | 2003-09-19 | 2007-12-25 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Single scan irradiation for crystallization of thin films |
KR100595455B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2006-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 레이저 마스크 및 이를 이용한 결정화방법 |
KR100698056B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2007-03-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 레이저 빔 패턴 마스크 및 이를 이용한 결정화 방법 |
KR100631013B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-10-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 주기성을 가진 패턴이 형성된 레이저 마스크 및 이를이용한 결정화방법 |
KR100737535B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2007-07-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 다결정실리콘막 형성방법 |
CN100485868C (zh) * | 2004-03-31 | 2009-05-06 | 日本电气株式会社 | 半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管 |
KR100781440B1 (ko) * | 2004-07-20 | 2007-12-03 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 다결정실리콘막 형성방법 |
KR101316633B1 (ko) * | 2004-07-28 | 2013-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 다결정 규소용 마스크 및 이의 제조방법과, 이를 이용한박막트랜지스터의 제조방법 |
DE102004042343B4 (de) * | 2004-09-01 | 2008-01-31 | Innovavent Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Modifikation von amorphen Halbleitern mittels Laserstrahlung |
US7645337B2 (en) | 2004-11-18 | 2010-01-12 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films |
JP2006196539A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Sharp Corp | 多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置 |
US8221544B2 (en) | 2005-04-06 | 2012-07-17 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Line scan sequential lateral solidification of thin films |
TWI298111B (en) * | 2005-06-03 | 2008-06-21 | Au Optronics Corp | A mask used in a sequential lateral solidification process |
TWI313769B (en) * | 2005-07-15 | 2009-08-21 | Au Optronics Corp | A mask for sequential lateral solidification (sls) process and a method for crystallizing amorphous silicon by using the same |
US20090242805A1 (en) * | 2005-08-16 | 2009-10-01 | Im James S | Systems and methods for uniform sequential lateral solidification of thin films using high frequency lasers |
TWI299431B (en) * | 2005-08-23 | 2008-08-01 | Au Optronics Corp | A mask for sequential lateral solidification (sls) process and a method thereof |
JP2007096244A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-04-12 | Sharp Corp | 投影マスク、レーザ加工方法、レーザ加工装置および薄膜トランジスタ素子 |
JP2007067020A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Sharp Corp | 投影マスク、レーザ加工方法、レーザ加工装置および薄膜トランジスタ素子 |
JP2007123445A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Sharp Corp | レーザビーム投影マスク、レーザ加工方法、レーザ加工装置および薄膜トランジスタ素子 |
TW200733240A (en) | 2005-12-05 | 2007-09-01 | Univ Columbia | Systems and methods for processing a film, and thin films |
WO2007108157A1 (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | 薄膜トランジスタの製造方法、レーザー結晶化装置及び半導体装置 |
JP2008053396A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置の製造方法 |
US8420456B2 (en) * | 2007-06-12 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing for thin film transistor |
US8614471B2 (en) | 2007-09-21 | 2013-12-24 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors |
JP5385289B2 (ja) | 2007-09-25 | 2014-01-08 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 横方向に結晶化した薄膜上に作製される薄膜トランジスタデバイスにおいて高い均一性を生成する方法 |
CN103354204A (zh) | 2007-11-21 | 2013-10-16 | 纽约市哥伦比亚大学理事会 | 用于制备外延纹理厚膜的系统和方法 |
US8012861B2 (en) | 2007-11-21 | 2011-09-06 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films |
WO2009067688A1 (en) | 2007-11-21 | 2009-05-28 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films |
WO2009111340A2 (en) | 2008-02-29 | 2009-09-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Flash lamp annealing crystallization for large area thin films |
TWI339410B (en) * | 2008-07-09 | 2011-03-21 | Au Optronics Corp | Mask and fabricating method of a polysilicon layer using the same |
KR20110094022A (ko) | 2008-11-14 | 2011-08-19 | 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 | 박막 결정화를 위한 시스템 및 방법 |
US8183496B2 (en) * | 2008-12-30 | 2012-05-22 | Intel Corporation | Method of forming a pattern on a work piece, method of shaping a beam of electromagnetic radiation for use in said method, and aperture for shaping a beam of electromagnetic radiation |
TWI475124B (zh) | 2009-05-22 | 2015-03-01 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜沉積設備 |
TWI472639B (zh) | 2009-05-22 | 2015-02-11 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜沉積設備 |
US8882920B2 (en) | 2009-06-05 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
US8882921B2 (en) | 2009-06-08 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
US9174250B2 (en) | 2009-06-09 | 2015-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
US8802200B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-08-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
KR101074792B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101097311B1 (ko) | 2009-06-24 | 2011-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치 |
KR101117719B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2012-03-08 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101117720B1 (ko) | 2009-06-25 | 2012-03-08 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법 |
KR20110014442A (ko) * | 2009-08-05 | 2011-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
US20110033621A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus including deposition blade |
KR101127575B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2012-03-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치 |
JP5676175B2 (ja) | 2009-08-24 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
KR101127578B1 (ko) | 2009-08-24 | 2012-03-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
US8486737B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
JP5328726B2 (ja) | 2009-08-25 | 2013-10-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
JP5611718B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
JP5677785B2 (ja) | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
US20110052795A1 (en) * | 2009-09-01 | 2011-03-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
US8696815B2 (en) | 2009-09-01 | 2014-04-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
US9646831B2 (en) | 2009-11-03 | 2017-05-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Advanced excimer laser annealing for thin films |
US9087696B2 (en) | 2009-11-03 | 2015-07-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing |
US8440581B2 (en) | 2009-11-24 | 2013-05-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification |
KR101146982B1 (ko) | 2009-11-20 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법 |
KR101084184B1 (ko) | 2010-01-11 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101174875B1 (ko) | 2010-01-14 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101193186B1 (ko) | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101156441B1 (ko) | 2010-03-11 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101202348B1 (ko) | 2010-04-06 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
KR101223723B1 (ko) | 2010-07-07 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101135537B1 (ko) * | 2010-07-16 | 2012-04-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 조사 장치 |
KR101673017B1 (ko) | 2010-07-30 | 2016-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
KR101678056B1 (ko) | 2010-09-16 | 2016-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20120029166A (ko) | 2010-09-16 | 2012-03-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101738531B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101723506B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR20120045865A (ko) | 2010-11-01 | 2012-05-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR20120065789A (ko) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR101760897B1 (ko) | 2011-01-12 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치 |
KR101923174B1 (ko) | 2011-05-11 | 2018-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR101857992B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-05-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101840654B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101852517B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101857249B1 (ko) | 2011-05-27 | 2018-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR20130004830A (ko) | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR101826068B1 (ko) | 2011-07-04 | 2018-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR20130010730A (ko) | 2011-07-19 | 2013-01-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치 |
KR20130015144A (ko) | 2011-08-02 | 2013-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법 |
KR20130069037A (ko) | 2011-12-16 | 2013-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR102015872B1 (ko) | 2012-06-22 | 2019-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101959974B1 (ko) | 2012-07-10 | 2019-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
US9496524B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-11-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method |
US9461277B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-10-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
KR102013315B1 (ko) | 2012-07-10 | 2019-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101632298B1 (ko) | 2012-07-16 | 2016-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102013318B1 (ko) | 2012-09-20 | 2019-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101994838B1 (ko) | 2012-09-24 | 2019-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20140050994A (ko) | 2012-10-22 | 2014-04-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102052069B1 (ko) | 2012-11-09 | 2019-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR102075525B1 (ko) | 2013-03-20 | 2020-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20140118551A (ko) | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR102081284B1 (ko) | 2013-04-18 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102037376B1 (ko) | 2013-04-18 | 2019-10-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102107104B1 (ko) | 2013-06-17 | 2020-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR102108361B1 (ko) | 2013-06-24 | 2020-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
TW201528379A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-07-16 | Applied Materials Inc | 雙波長退火方法與設備 |
KR102162797B1 (ko) | 2013-12-23 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
CN105068375B (zh) * | 2015-09-01 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于光配向的光罩及光配向方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6373093B2 (en) | 1989-04-28 | 2002-04-16 | Nippondenso Corporation | Semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
US6555449B1 (en) * | 1996-05-28 | 2003-04-29 | Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication |
JP3642546B2 (ja) | 1997-08-12 | 2005-04-27 | 株式会社東芝 | 多結晶半導体薄膜の製造方法 |
US5973192A (en) | 1997-11-26 | 1999-10-26 | Hampshire Chemical Corp. | Thioglycerol derivatives and their use in polysulfide compositions for optical material |
KR100292048B1 (ko) * | 1998-06-09 | 2001-07-12 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막트랜지스터액정표시장치의제조방법 |
US6326286B1 (en) * | 1998-06-09 | 2001-12-04 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Method for crystallizing amorphous silicon layer |
KR100327087B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2002-03-13 | 구본준, 론 위라하디락사 | 레이저 어닐링 방법 |
KR100303142B1 (ko) * | 1999-10-29 | 2001-11-02 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시패널의 제조방법 |
KR100660814B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2006-12-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터의 반도체층 형성방법 |
KR20010025694A (ko) | 2001-01-18 | 2001-04-06 | 김성오 | 플라즈마 중합법을 이용한 2차전지의 제조 및 공정 |
US20020102821A1 (en) | 2001-01-29 | 2002-08-01 | Apostolos Voutsas | Mask pattern design to improve quality uniformity in lateral laser crystallized poly-Si films |
JP3945805B2 (ja) | 2001-02-08 | 2007-07-18 | 株式会社東芝 | レーザ加工方法、液晶表示装置の製造方法、レーザ加工装置、半導体デバイスの製造方法 |
CA2412603A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | The Trustee Of Columbia University In The City Of New York | Method and system for providing a single-scan, continuous motion sequential lateral solidification |
KR100405080B1 (ko) | 2001-05-11 | 2003-11-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 결정화방법. |
KR100558678B1 (ko) | 2001-06-01 | 2006-03-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 폴리실리콘 결정화방법 |
KR100424593B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2004-03-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 결정화방법 |
JP4109026B2 (ja) | 2001-07-27 | 2008-06-25 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | アレイ基板を製造する方法およびフォトマスク |
TW582062B (en) * | 2001-09-14 | 2004-04-01 | Sony Corp | Laser irradiation apparatus and method of treating semiconductor thin film |
-
2002
- 2002-12-31 KR KR1020020088532A patent/KR100646160B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-06-05 US US10/454,679 patent/US6867151B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-25 CN CNB031374743A patent/CN1277155C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-26 TW TW092117415A patent/TWI223334B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-06-27 GB GB0315076A patent/GB2396962B/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-27 FR FR0307823A patent/FR2849530B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-30 DE DE10329332A patent/DE10329332B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-22 JP JP2003362037A patent/JP4099767B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-01-06 US US11/029,395 patent/US7329936B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-12-19 US US12/002,759 patent/US7651567B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080141935A1 (en) | 2008-06-19 |
TW200411743A (en) | 2004-07-01 |
KR20040062203A (ko) | 2004-07-07 |
FR2849530A1 (fr) | 2004-07-02 |
GB2396962A (en) | 2004-07-07 |
GB0315076D0 (en) | 2003-07-30 |
DE10329332B4 (de) | 2008-01-10 |
CN1514304A (zh) | 2004-07-21 |
JP2004214614A (ja) | 2004-07-29 |
CN1277155C (zh) | 2006-09-27 |
FR2849530B1 (fr) | 2011-10-14 |
US7329936B2 (en) | 2008-02-12 |
GB2396962B (en) | 2005-08-31 |
US20040127066A1 (en) | 2004-07-01 |
DE10329332A1 (de) | 2004-07-15 |
US6867151B2 (en) | 2005-03-15 |
US20050124145A1 (en) | 2005-06-09 |
KR100646160B1 (ko) | 2006-11-14 |
TWI223334B (en) | 2004-11-01 |
US7651567B2 (en) | 2010-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4099767B2 (ja) | 多結晶シリコン形成方法及び多結晶シリコン形成用レーザー装置のマスク | |
JP4263403B2 (ja) | シリコン結晶化方法 | |
KR100997275B1 (ko) | 실리콘 결정화 방법 | |
KR100492352B1 (ko) | 실리콘 결정화 방법 | |
JP4691331B2 (ja) | 非晶質シリコン膜の結晶化方法 | |
KR101108169B1 (ko) | 연속 측면 결정화용 마스크 및 이를 구비하는 연속 측면 결정화 장치 | |
KR20070072200A (ko) | 실리콘 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법 | |
KR100956339B1 (ko) | 규소 결정화 시스템 및 규소 결정화 방법 | |
JP2009032969A (ja) | 半導体薄膜の製造装置、その方法、その方法によって作製された半導体薄膜および半導体素子 | |
KR20080060883A (ko) | 결정화 장비 및 이를 이용한 결정화방법 | |
KR100544438B1 (ko) | 마스크와 이를 이용한 결정화방법 | |
KR100524080B1 (ko) | 순차측면고상 결정화 기술을 이용한 비정질 실리콘의결정화 방법 | |
KR100544437B1 (ko) | 마스크와 이를 이용한 결정화방법 | |
JP4467276B2 (ja) | 半導体薄膜を製造する方法と装置 | |
KR20040014797A (ko) | Sls 결정화마스크, 결정화장비 및 결정화방법 | |
KR100496489B1 (ko) | 실리콘 결정화방법 | |
KR20060133332A (ko) | Sls결정화 마스크와, 이를 이용한 sls결정화 장치 및sls결정화 방법 | |
KR20040051980A (ko) | 규소 결정화 방법 | |
KR20080060876A (ko) | 마스크 패턴및 이를 이용한 결정화방법. | |
KR20070072271A (ko) | 실리콘 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법 | |
KR20060099294A (ko) | 비정질 실리콘의 결정화 방법 및 이에 사용되는 2 샷 순차측면 고상화용 마스크 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070522 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070925 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080306 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4099767 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140328 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |