KR20080060876A - 마스크 패턴및 이를 이용한 결정화방법. - Google Patents

마스크 패턴및 이를 이용한 결정화방법. Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘의 결정화 방법에 관한 것으로, 탈수소화 공정과 결정화 공정을 동시에 진행할 수 있는 새로운 마스크 패턴과 이를 이용한 결정화 방법에 관한 것이다.
본 발명은 마스크에 투과 패턴을 구성할 때, 제 1 영역과 제 2 영역으로 나누고, 상기 마스크를 일 방향으로 이동하면서 결정화를 진행하는 과정에서, 상기 제 2 영역을 통해 탈수소화를 진행한 후 연속하여, 상기 제 1 영역을 통해 결정화를 진행하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 제 2 영역의 투과패턴은 일정간격 이격된 다수의 슬릿 패턴이며, 레이저 빔을 회절시켜 레이저 빔의 에너지 밀도를 낮추기 때문에 결정화가 아닌 탈수소화가 가능하다.
따라서, 결정공정을 진행하는 과정에서 탈수소화 공정을 별도로 진행하지 않아도 되므로, 공정 시간을 줄일 수 있는 장점이 있다.

Description

마스크 패턴및 이를 이용한 결정화방법.{A mask and a methode of Si crystalling using the same}
도 1은 종래에 따른 레이저 빔 결정화 장비를 도시한 도면이고,
도 2는 탈수소화 과정을 거치고 일부분이 결정화된 비정질 실리콘막이 형성된 기판을 도시한 도면이고,
도 3은 다결정 실리콘(poly silicon)을 결정화하기 위해 사용되는 마스크를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 4a 내지 도 4d는 종래에 따른 마스크를 이용한 결정화 공정을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,
도 5는 본 발명에 따른 마스크를 도시한 평면도이고,
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 마스크를 이용한 결정화 공정을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 마스크 T1 : 제 1 투과패턴
T2 : 제 2 투과패턴 C : 차단부
본 발명은 측면 성장 결정화에 관한 것으로 특히, 탈수소화 공정과 결정화 공정을 동시에 진행할 수 있도록 구성된 마스크와, 이를 이용한 결정화 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 실리콘은 비정질 실리콘(amorphous silicon)과 결정질 실리콘(crystalline silicon)으로 존재하게 된다.
비정질 실리콘은 낮은 온도에서 증착하여 박막(thin film)을 형성하는 것이 가능하여, 주로 낮은 용융점을 가지는 유리를 기판으로 사용하는 액정패널(liquid crystal panel)의 스위칭 소자(switching device)에 많이 사용한다.
그러나, 상기 비정질 실리콘 박막은 액정패널 구동소자의 전기적 특성과 신뢰성 저하 및 표시소자 대면적화에 어려움이 있다.
대면적, 고정세 및 패널 영상구동회로, 일체형 랩탑컴퓨터(laptop computer), 벽걸이 TV용 액정표시소자의 상용화는 우수한 전기적 특성(예를 들면 높은 전계효과 이동도(30㎠/VS)와 고주파 동작특성 및 낮은 누설전류(leakage current))의 화소 구동소자를 요구하며 이는 고품위 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)의 응용을 요구하고 있다.
특히, 다결정 실리콘 박막의 전기적 특성은 결정립(grain)의 크기에 큰 영향을 받는다. 즉, 결정립의 크기가 증가함에 따라 전계효과 이동도도 따라 증가한다.
따라서, 이러한 점을 고려하여 실리콘을 단결정화 하는 방법이 큰 이슈로 떠오르고 있으며, 최근 들어 에너지원을 레이저로 하여 실리콘 결정의 측면성장을 유도하여 거대한 단결정 실리콘을 제조하는 SLS(sequential lateral solidification)(연속적인 측면 고상화라함.)기술이 국제특허 "WO 97/45827"과 한국 공개특허"2001-004129"에 제안되었다.
상기 SLS 기술은 실리콘 그레인이 액상 실리콘과 고상 실리콘의 경계면에서 그 경계면에 대하여 수직 방향으로 성장한다는 사실을 이용한 것으로, 레이저 에너지의 크기와 레이저빔(laser beam)의 조사범위의 이동을 적절하게 조절하여 실리콘 그레인을 소정의 길이만큼 측면성장 시킴으로서 비정질 실리콘 박막을 결정화시키는 것이다.
이러한 SLS기술을 실현하기 위한 레이저빔 결정화 장비는 이하, 도 1에 도시한 바와 같다.
상기 레이저빔 결정화 장비(32)는 레이저 빔(34)을 발생하는 레이저 발생장치(36)와, 상기 레이저 발생장치를 통해 방출된 레이저 빔을 집속시키는 집속렌즈(40)와, 기판(44)에 레이저 빔을 나누어 조사시키는 마스크(38)와, 상기 마스크(38)의 상, 하부에 위치하여 상기 마스크를 통과한 레이저빔(34)을 일정한 비율로 축소하는 촉소렌즈(42, projextion lens)로 구성된다.
상기 레이저빔 발생장치(36)는 광원에서 가공되지 않은 레이저빔을 방출시키고, 어테뉴에이터(미도시)를 통과시켜 레이저빔의 에너지 크기를 조절하고, 상기 축소렌즈(42)를 통해 레이저 빔(34)을 조사하게 된다.
상기 마스크(38)에 대응되는 위치에는 비정질 실리콘 박막이 증착된 기판(44)이 고정된 X-Y스테이지(46)가 위치한다.
이때, 상기 기판(44)의 모든 영역을 결정화하기 위해서는 상기 X-Y스테이지(46)를 미소하게 이동하여 줌으로써 결정영역을 확대해 나가는 방법을 사용한다.
전술한 구성에서, 상기 마스크(38)는 상기 레이저 빔을 통과시키는 투과패턴(A)과, 레이저 빔을 차단하는 차단부(B)으로 구분된다.
상기 차단부(B)의 너비(투과패턴 사이의 거리)는 그레인의 측면성장 길이를 결정한다.
전술한 바와 같은 종래의 SLS 결정화 장비를 이용하여 실리콘을 결정화하는 방법을 알아본다.
일반적으로, 결정질 실리콘은 상기 기판에 절연막인 버퍼층(buffer layer)(미도시)을 형성하고, 상기 버퍼층 상부에 비정질 선행 막을 증착 한 후에 이를 이용하여 형성한다. 상기 비정질 선행 막은 일반적으로 화학 기상증착법(CVD)등을 사용하여 기판에 증착하게 되며, 이는 박막 내에 수소를 많이 함유하고 있다.
상기 수소(H)는 열에 의해 박막을 이탈하는 특징이 있기 때문에, 상기 비정질 선행 막을 1차로 열처리하여 탈수소화 과정을 거치는 것이 필요하다.
왜냐하면, 수소를 미리 제거하지 않은 경우에는 결정박막의 표면이 매우 거칠어져 전기적으로 특성이 좋지 않기 때문이다.
도 2는 탈수소화 과정을 거치고 일부분이 결정화된 비정질 실리콘(52)막이 형성된 기판(54)이다.
도시한 바와 같이, 레이저 빔을 이용한 결정화는 기판(54)의 전 면적을 동시에 결정화 할 수 없다.
왜냐하면, 레이저 빔의 빔폭과 마스크(도 1의 38)의 크기가 제한되어 있기 때문에 대면적으로 갈수록 상기 하나의 마스크(도 1의 38)를 여러번 정렬하고, 그 때마다 결정화 과정을 반복함으로써 결정화가 이루어진다.
이때, 상기 단일 마스크의 축소면적(C)만큼 결정화 된 영역을 한 블록이라 정의하면, 상기 한 블록내의 결정화 또한 다차(多次)의 레이저 빔 조사를 통해 이루어진다.
도 3은 폴리실리콘(poly silicon)을 결정화하기 위해 사용되는 마스크를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 마스크(50)는 빛의 투과 유.무에 따라 복수의 투과 패턴(T)와 차단부(C)로 나눌 수 있으며, 상기 투과패턴(T)은 차단부(C) 사이에 일정한 형태 및 배열로 복수개 구성된다.
상기 투과 패턴은 가로 방향의 스트라이프 형태로 구성되며 이때, 상기 투과패턴(T)의 세로폭(즉, 빔 패턴의 너비)는 한 번의 레이저 조사공정에 의해 성장하는 그레인의 최대성장 길이의 두 배의 길이보다 작은 길이를 가지도록 구성하고, 상기 차단패턴(T)의 세로 길이(빔 패턴의 간격)는 투과패턴(T)의 세로폭 보다 작게 구성한다.
이와 같이 하면, 1차 레이저빔을 조사하였을 경우, 용융영역에서는 비정질 실리콘층의 양측 계면에서 그레인이 각각 측면 성장하게 되고, 각 측면 성장한 그 레인(grain)의 바운더리(boundary)가 충돌하면서 성장이 멈추게 된다.
왜냐하면, 상기 빔 패턴의 너비가 한번의 레이저 조사 공정으로 이루어진 그레인의 최대성장길이의 두 배 또는 그 이하의 길이가 된다면, 결정영역의 중심에서 핵이 생성되는 영역이 존재하지 않게 되기 때문이다.
결정화 공정 중, 상기 마스크(50)를 통과하여 상기 축소렌즈(도 1의 42)에 의해 축소된 빔 패턴은 X축으로 움직이며 결정화를 진행한다. 이때 상기 이동경로는 상기 마스크(50)의 가로방향의 길이만큼 즉, 상기 렌즈에 의해 축소된 패턴의 가로길이 만큼 ㎜단위로 이동하며 결정화 공정을 진행한다.
따라서, 상기 마스크 또는 X-Y스테이지의 X 방향으로의 움직임의 범위가 커지므로 결정화를 위한 공정시간을 단축할 수 있다.
이하, 도 4a 내지 도 4c를 참조하여, 종래에 따른 결정화 방법을 상세히 설명한다.
도 4a 내지 도 4c는 종래에 따른 다결정 실리콘 결정화 공정을 도시한 공정 단면도이다. 이때, 도 3의 Ⅲ-Ⅲ에 따른 투과패턴을 예를 들어 설명한다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(60) 상에 절연막을 증착하여 버퍼막(62)을 형성하고 연속하여, 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 선행막(64)을 형성 한다.
다음으로, 도 4b에 도시한 바와 같이, 탈수소화 공정을 진행한다.
탈수소화 공정이 필요한 이유는, 결정화가 순간적으로 이루어지기 때문이다. 즉, 비정질 실리콘(a-Si:H)은 레이저 결정화 시 비정질 실리콘은 순간적으로 녹는 점 까지 가열되게 되고 결정화 현상은 수 ns의 짧은 순간에 이루어지게 되어, 비정질 실리콘 내에 함유된 수소(Si-H, Si-H2)가 결합이 끊어져 실리콘 외부로 나와 실리콘 막에 결함(demage)을 주되며 따라서, 실리콘 표면이 거칠어 지고 또한 다수의 구멍(void)가 발생하게 된다.
따라서, 이를 해결하기 위해 탈수소화 공정을 미리 진행하야 한다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 탈수소화 공정이 완료되면 결정화 공정을 진행하게 되는데 앞서, 도 1에서 설명한 레이저빔 발생장치와, 도 3에서 언급한 마스크(50)를 이용하여 결정화 공정을 진행하게 된다.
탈수소화 공정이 완료된 비정질 선행막(64)의 상부에 마스크(50) 위치시키고, 상부로부터 레이저 빔(미도시)을 조사한다. 물론 도시하지는 않았지만 상기 마스크(50)의 하부에는 축소렌즈(도 1의 42)가 구비되고, 마스크(50)로부터 조사된 레이저 빔은 등 비율로 축소되어 기판(60)에 조사된다.
이때, 조사된 레이저 빔의 빔 패턴은 마스크(50)의 투과패턴(T)과 동일하기 때문에 처음에는 상기 투과부(T)의 형상에 따라 랜덤하게 결정층(B1,B2,B3)이 형성된다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 마스크(50)를 투과패턴(T)의 길이와 같거나 작은 거리로 이동한 후, 제 1 결정화된 영역(B1,B2,B3)에 이어 연속된 결정화 공정을 진행한다.
이와 같이 하면, 가로방향으로 새로운 결정화 영역(E)이 발생하게 되고 동시 에, 상하로 결정 영역(B1,B2,B3) 내부의 결정립이 성장하는 과정 즉, 측면성장 결정화가 진행된 다결정 실리콘층을 형성할 수 있다.
그러나, 종래의 결정화 방법은 상기 결정화를 진행하는 공정 중, 8시간 동안의 탈수소화 공정을 별도로 진행 한 후, 결정화 공정을 진행한다.
따라서, 종래와 같이 별도로 진행되는 탈수소화 공정은 결정화 공정을 지연시키는 원인이 되며 따라서, 생산수율이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로, 동일한 기판에 결정화 공정과 탈수소화 공정이 동시에 진행될 수 있는 새로운 패턴의 마스크를 제안하는 것을 제 1 목적으로 한다.
또한, 상기 마스크를 이용한 결정화 방법을 제안하는 것을 제 2 목적으로 한다.
또한, 전술한 마스크를 사용하여 결정화를 진행함으로써, 공정시간을 절약하여 생산수율을 개선하는 것을 제 3 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 결정화용 마스크는 좌측 제 1 영역과 우측 제 2 영역으로 구분되고, 상기 제 1 및 제 2 영역은 각각 복수의 제 1 투과패턴과 제 2 투과패턴으로 포함하며, 상기 좌측 제 1 영역의 투과 패턴은 비정질 선행막의 결정화를 위해 사용되고, 상기 우측 제 2 투과패턴은 비정질 선행막의 탈수소화를 위해 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 영역에 구성된 복수의 제 1 투과패턴은 가로방향으로 구성된 막대 형상이며, 이러한 막대 형상의 제 1 투과패턴이 세로 방향으로 복수개 이격된 제 1 그룹과, 상기 제 1 그룹의 제 1 투과패턴 사이에 대응하여 위치하고 세로 방향으로 이격된 제 2 그룹으로 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 투과패턴의 세로폭은 2.5㎛~3㎛인 것을 특징으로 한다.
상기 제 2 영역을 이루는 복수의 제 2 투과 패턴은 가로방향으로 구성된 막대 형상이며, 이러한 막대 형상의 제 2 투과패턴이 세로 방향으로 복수개 이격하여 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 2 투과패턴은 세로폭이 1.4㎛~1.6㎛인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 결정화용 마스크를 이용한 결정화 방법은, 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판 상에 비정질 선행막을 형성하는 단계와; 상기 비정질 선행막의 상부에 상기 마스크를 위치시키고, 상기 마스크의 상부로부터 빛을 조사하여, 상기 제 1 영역의 제 1 투과패턴에 대응하는 비정질 선행막을 결정화 하고, 상기 제 2 영역의 제 2 투과패턴에 대응하는 비정질 선행막을 탈수소화 하는 단계와; 상기 마스크를 가로방향으로 이동하여, 상기 제 2 영역의 제 2 투과패턴에 대응하는 영역은 탈수소화 하고, 상기 제 1 영역에 대응하는 제 1 투과패턴은 앞선 공정 단계에 의해 탈수소화가 완료된 비정질 선행막을 결정화 하는 단계와; 상기 제2 투과패턴을 통한 탈수소화 공정과, 상기 제 1 투과패턴을 통한 결정화 공정을 일 방향으로 순차 진행하여 결정화를 완료하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 따른결정화방법을 아래의 실시예를 통해 상세히 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명의 특징은 하나의 마스크에 결정화를 위한 복수의 제 1 투과패턴과, 탈수소화 공정을 위한 복수의 제 2 투과패턴을 구성하는 것을 특징으로 한다.
도 5은 본 발명에 따른 마스크를 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 발명에 따른 마스크(100)는 차단부(C)에 복수의 투과패턴(T)이 구성된다.
이때, 상기 마스크(100)을 동일한 형태의 복수의 제 1 투과패턴(T1)이 구성된 제 1 영역(MA1)과, 복수의 제 2 투과패턴(T2)이 구성된 제 2 영역(MA1)으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 영역(MA1)은 가로방향으로 구성된 막대형상의 제 1 투과패턴이 세로 방향으로 이격된 제 1 그룹과, 상기 제 1 그룹에 속하는 제 1 투과패턴의 사이에 대응하여 위치하고 세로 방향으로 이격된 제 2 그룹으로 구성된다. 상기 제 2 영역(MA2)은 가로 방향으로 구성된 막대 형상의 제 2 투과패턴이 세로방향으로 이격되어 구성된 것을 특징으로 합니다.
이때, 상기 제 1 영역(MA1)의 제 1 투과패턴(T1)은 결정화를 위한 것이며, 상기 제 2 영역(MA2)의 제 2 투과패턴(T2)은 탈수소화를 위한 것이다.
한편, 상기 제 1 영역(MA1)과 제 2 영역(MA2)에 속하는 투과패턴(T1,T2)은, 투과패턴(T1,T2)의 폭과 투과패턴 간 거리가 약 3:1의 비율로 설계되며, 상기 제 1 영역(MA1)에 속하는 제 1 투과패턴(T1)의 폭은 2.5㎛~3㎛인데 반해, 상기 제 2 영역에 속하는 제 2 투과패턴(T2)의 폭은 1.4㎛~1.6㎛에 불과하다.
따라서, 상기 제 1 영역(MA1)에 속하는 제 1 투과패턴(T1)을 통과하는 레이저 빔은 원래의 에너지 밀도 즉 완전 멜팅 영역대(complete melting level)의 에너지를 그대로 유지하지만, 상기 제 2 영역(MA2)에 속하는 복수의 제 2 투과패턴(T2)을 통과한 레이저 빔은 회절하여 그 에너지 밀도가 상당히 낮아진다.
따라서, 상기 제 2 영역(MA2)에 속하는 복수의 제 2 투과패턴(T2)은 결정화를 진행하기 보다는 비정질 선행막(미도시)에 열을 가하여 내부의 수소(H)를 이탈시키는 역할을 할 수 있게 된다.
전술한 마스크를 이용한 측면 결정화 방법은 앞서 도 1에 언급한 레이저빔 발생장치를 이용하게 되며 앞서 언급한 바와 같이, 결정화 공정은 한 방향으로 진행되기 때문에, 공정 중 상기 마스크(100)에 레이저 빔이 조사되면 상기 제 2 영역(MA2)에 대응하는 비정질 선행막(미도시)은 탈수소화 공정이 진행될 것이고, 상기 제 1 영역(MA1)에 대응하는 비정질 선행막(미도시)은 상기 마스크(100)의 제 2 영역(MA2)에 의해 이미 탈수소화 된 비정질 선행막(미도시)을 결정화 할 것이다.
따라서, 동일한 영역은 아니지만 동일 기판(미도시)에서 탈수소화 공정과 결정화 공정을 동시에 진행하는 효과를 얻을 수 있다.
이하, 도 6a 내지 도 6c를 참조하여, 본 발명에 따른 마스크를 이용한 결정 화 공정을 설명한다.(이때, 도 5의 Ⅴ-Ⅴ에 해당하는 투과영역의 결정화 공정을 예를 들어 설명한다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 따른 결정화 공정을 순서대로 도시한 공정 단면도이다.(도 5의 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절단한 투과패턴을 예를 들어 설명한다.)
6a에 도시한 바와 같이, 기판(200)에 상에 절연막을 증착하여 버퍼층(buffer layer, 202)을 형성한다.
다음으로, 상기 버퍼층(202)의 상부에 비정질 실리콘(a-Si:H)을 증착하여 비정질 선행막(204)을 형성한다.
도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 비정질 선행막의 상부에 앞서 언급한 도 5의 마스크(100)를 위치시키고, 레이저 빔을 조사하는 공정을 진행한다.
이때, 마스크(100)의 제 2 영역(MA2)대응하는 비정질 선행막(204)은 탈수소 공정이 진행되고, 상기 제 1 영역(MA1)에 대응하는 비정질 선행막(204)은 결정화 가 진행되어 비정절 선행막(204)에 결정영역(B1,B2,B3)이 형성된다.
다음으로 도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 마스크(100)를 투과패턴의 가로방향의 길이와 같거나 작게 이동하여, 투과패턴의 일부가 이미 결정화된 영역의 일부와 겹쳐지도록 구성하고, 상기 마스크(100)의 상부로 레이저 빔을 조사한다.
이와 같이 하면, 마스크(100)의 제 1 영역(MA1)에 구성된 최소한 제 2 그룹(도 5의 G2)의 투과패턴(T2)은 상기 제 1 영역(MA1)의 제 2 투과패턴(T2)에 의해 이미 탈수소화 공정이 진행된 영역에 대응될 것이고, 레이저 빔의 조사와 함께 결정화가 진행될 것이다.
따라서, 일 방향으로 마스크(M)을 이동하고 레이저 빔을 조사하는 공정을 반복하여 진행하게 되면, 동일영역에 대해 탈수소화 공정과 결정화 공정이 연속적으로 진행되는 샘이다.
따라서, 본 발명에 따른 마스크를 이용하면 도일 기판(200)에 탈수소화 공정과 결정화 공정이 동시에 진행되기 때문에 종래와 비교하여 공정을 단순화 할 수 있다.
따라서, 본 발명은 탈수소화 공정과 결정화 공정이 동일 기판에 동시에 진행되는 것이 가능한 결정화용 마스크를 통해 결정화 공정을 진행함으로써, 공정을 단순화 할 수 있는 효과가 있다.
또한, 공정 단순화를 통해 공정시간을 줄일 수 있어, 생산수율이 개선되는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 좌측 제 1 영역과 우측 제 2 영역으로 구분되고,
    상기 제 1 및 제 2 영역은 각각 복수의 제 1 투과패턴과 제 2 투과패턴으로 포함하며, 상기 좌측 제 1 영역의 투과패턴은 비정질 선행막의 결정화를 위해 사용되고, 상기 우측 제 2 투과패턴은 비정질 선행막의 탈수소화를 위해 사용되는 결정화용 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 영역에 구성된 복수의 제 1 투과패턴은 가로방향으로 구성된 막대 형상이며,
    이러한 막대 형상의 제 1 투과패턴이 세로 방향으로 복수개 이격된 제 1 그룹과, 상기 제 1 그룹의 제 1 투과패턴 사이에 대응하여 위치하고 세로 방향으로 이격된 제 2 그룹으로 구성된 것을 특징으로 하는 결정화용 마스크.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 투과패턴의 세로폭은 2.5㎛~3㎛인 결정화용 마스크.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 영역을 이루는 복수의 제 2 투과 패턴은 가로방향으로 구성된 막대 형상이며,
    이러한 막대 형상의 제 2 투과패턴이 세로 방향으로 복수개 이격하여 구성된 것을 특징으로 하는 결정화용 마스크.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 투과패턴은 세로폭이 1.4㎛~1.6㎛인 것을 특징으로 하는 결정화용 마스크.
  6. 좌측 제 1 영역과 우측 제 2 영역으로 구분되고, 상기 제 1 및 제 2 영역은 각각 복수의 제 1 투과패턴과 제 2 투과패턴으로 포함하며, 상기 제 1 영역의 제 1 투과패턴은 비정질 선행막의 결정화를 위해 사용되고, 상기 제 2 투과패턴은 비정질 선행막의 탈수소화를 위해 사용되는 결정화용 마스크를 이용할 결정화 방법은
    기판을 준비하는 단계와;
    상기 기판 상에 비정질 선행막을 형성하는 단계와;
    상기 비정질 선행막의 상부에 상기 마스크를 위치시키고, 상기 마스크의 상 부로부터 빛을 조사하여, 상기 제 1 영역의 제 1 투과패턴에 대응하는 비정질 선행막을 결정화 하고, 상기 제 2 영역의 제 2 투과패턴에 대응하는 비정질 선행막을 탈수소화 하는 단계와;
    상기 마스크를 가로방향으로 이동하여, 상기 제 2 영역의 제 2 투과패턴에 대응하는 영역은 탈수소화 하고, 상기 제 1 영역에 대응하는 제 1 투과패턴은 앞선 공정 단계에 의해 탈수소화가 완료된 비정질 선행막을 결정화 하는 단계와;
    상기 제2 투과패턴을 통한 탈수소화 공정과, 상기 제 1 투과패턴을 통한 결정화 공정을 일 방향으로 순차 진행하여 결정화를 완료하는 단계
    를 포함하는 다결정 실리콘 결정화 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 영역에 구성된 복수의 제 1 투과패턴은 가로방향으로 구성된 막대 형상이며,
    이러한 막대 형상의 제 1 투과패턴이 세로 방향으로 복수개 이격된 제 1 그룹과, 상기 제 1 그룹의 제 1 투과패턴 사이에 대응하여 위치하고 세로 방향으로 이격된 제 2 그룹으로 구성된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 결정화 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 투과패턴의 세로폭은 2.5㎛~3㎛인 다결정 실리콘 결정화 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 영역을 이루는 복수의 제 2 투과 패턴은 가로방향으로 구성된 막대 형상이며,
    이러한 막대 형상의 제 2 투과패턴이 세로 방향으로 복수개 이격하여 구성된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 결정화 방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 투과패턴은 세로폭이 1.4㎛~1.6㎛인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 결정화 방법.
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