KR20080060883A - 결정화 장비 및 이를 이용한 결정화방법 - Google Patents
결정화 장비 및 이를 이용한 결정화방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080060883A KR20080060883A KR1020060135497A KR20060135497A KR20080060883A KR 20080060883 A KR20080060883 A KR 20080060883A KR 1020060135497 A KR1020060135497 A KR 1020060135497A KR 20060135497 A KR20060135497 A KR 20060135497A KR 20080060883 A KR20080060883 A KR 20080060883A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask
- laser beam
- crystallization
- irradiated
- group
- Prior art date
Links
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 11
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 3
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L21/2026—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
- H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
- H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
본 발명은 실리콘의 결정화 방법에 관한 것으로, 특히 결정립계(grain boundary)의 단차 없이 측면성장 유도 결정화를 진행할 수 있는 새로운 형태의 레이저빔 결정화 장비와 이를 이용한 다결정 실리콘 결정화 방법에 관한 것이다.
본 발명의 특징은, 레이저빔 결정화 장비에 구성된 기존의 제 1 마스크 및 제 1 집속렌즈에 추가적으로 제 2 마스크 및 제 2 집속렌즈를 더욱 구성하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 마스크 및 제 1 집속렌즈는 실제 결정화를 진행하기 위한 것이고, 상기 제 2 마스크와 제 2 집속렌즈는 결정립계의 돌출된 부분만을 녹여, 돌출부의 단차를 완화하는 기능을 하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 종래와 달리 그레인 바운더리의 돌출부를 낮춤으로써, 소자의 신뢰성을 확보하고 동시에, 패널 이미지 불량을 개선할 수 있는 장점이 있다.
Description
도 1은 종래에 따른 레이저 빔 결정화 장비를 도시한 도면이고,
도 2는 탈수소화 과정을 거치고 일부분이 결정화된 비정질 실리콘막이 형성된 기판을 도시한 도면이고,
도 3은 다결정 실리콘(poly silicon)을 결정화하기 위해 사용되는 마스크를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 4a 내지 도 4c는 종래에 따른 폴리실리콘 결정화 공정을 도시한 공정 평면도이고,
도 5는 도 4c의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 단면도 이고,
도 6은 본 발명에 따른 레이저 빔 발생장치를 개략적으로 도시한 도면이고,
도 7과 도 8은 각각 본 발명에 따른 제 1 마스크와 제 2 마스크를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 9a 내지 도 11a는 본 발명에 따른 결정화 공정을 순서에 따라 도시한 공정 평면도이고, 도 9b 내지 도 11b는 상기 도 9a와 도 10a와 도 11a의 각 a-a'와 b-b'와 c-c'를 따라 절단한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 레이저빔 결정화 장비 102 : 레이저빔 발생장치
104a : 레이저 빔 104b,104c : 제 1 및 제 2 레이저 빔
106 : 집속렌즈 108a : 빔 스플릿터
108b : 반사 미러 110a,110b : 제 1 마스크, 제 2 마스크
112a,112b : 제 1 집속렌즈, 제 2 집속렌즈
114 : 기판
본 발명은 측면성장 유도 결정화에 관한 것으로 특히, 결정화를 진행하면서 동시에 결정화된 영역의 그레인 바운더리(grain boundary)의 단차를 제거할 수 있는 레이저빔 결정화 장비와 이를 이용한 결정화 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 실리콘은 비정질 실리콘(amorphous silicon)과 결정질 실리콘(crystalline silicon)으로 존재하게 된다.
비정질 실리콘은 낮은 온도에서 증착하여 박막(thin film)을 형성하는 것이 가능하여, 주로 낮은 용융점을 가지는 유리를 기판으로 사용하는 액정패널(liquid crystal panel)의 스위칭 소자(switching device)에 많이 사용한다.
그러나, 상기 비정질 실리콘 박막은 액정패널 구동소자의 전기적 특성과 신뢰성 저하 및 표시소자 대면적화에 어려움이 있다.
대면적, 고정세 및 패널 영상구동회로, 일체형 랩탑컴퓨터(laptop computer), 벽걸이 TV용 액정표시소자의 상용화는 우수한 전기적 특성(예를 들면 높은 전계효과 이동도(30㎠/VS)와 고주파 동작특성 및 낮은 누설전류(leakage current))의 화소 구동소자를 요구하며 이는 고품위 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)의 응용을 요구하고 있다.
특히, 다결정 실리콘 박막의 전기적 특성은 결정립(grain)의 크기에 큰 영향을 받는다. 즉, 결정립의 크기가 증가함에 따라 전계효과 이동도도 따라 증가한다.
따라서, 이러한 점을 고려하여 실리콘을 단결정화 하는 방법이 큰 이슈로 떠오르고 있으며, 최근 들어 에너지원을 레이저로 하여 실리콘 결정의 측면성장을 유도하여 거대한 단결정 실리콘을 제조하는 SLS(sequential lateral solidification)(연속적인 측면 고상화 라함.)기술이 국제특허 "WO 97/45827"과 한국 공개특허"2001-004129"에 제안되었다.
상기 SLS 기술은 실리콘 그레인이 액상 실리콘과 고상 실리콘의 경계면에서 그 경계면에 대하여 수직 방향으로 성장한다는 사실을 이용한 것으로, 레이저 에너지의 크기와 레이저빔(laser beam)의 조사범위의 이동을 적절하게 조절하여 실리콘 그레인을 소정의 길이만큼 측면성장 시킴으로서 비정질 실리콘 박막을 결정화시키는 것이다.
이러한 SLS기술을 실현하기 위한 레이저빔 결정화 장비는 이하, 도 1에 도 시한 바와 같다.
상기 레이저빔 결정화 장비(32)는 레이저 빔(34)을 발생하는 레이저 발생장치(36)와, 상기 레이저 발생장치를 통해 방출된 레이저 빔을 집속시키는 집속렌즈(40)와, 기판(44)에 레이저 빔을 나누어 조사시키는 마스크(38)와, 상기 마스크(38)의 상, 하부에 위치하여 상기 마스크를 통과한 레이저빔(34)을 일정한 비율로 축소하는 축소렌즈(42, projextion lens)로 구성된다.
상기 레이저빔 발생장치(36)는 광원에서 가공되지 않은 레이저빔을 방출시키고, 어테뉴에이터(미도시)를 통과시켜 레이저빔의 에너지 크기를 조절하고, 상기 집속렌즈(40)를 통해 레이저 빔(34)을 조사하게 된다.
상기 마스크(38)에 대응되는 위치에는 비정질 실리콘 박막이 증착된 기판(44)이 고정된 X-Y스테이지(46)가 위치한다.
이때, 상기 기판(44)의 모든 영역을 결정화하기 위해서는 상기 X-Y스테이지(46)를 미소하게 이동하여 줌으로써 결정영역을 확대해 나가는 방법을 사용한다.
전술한 구성에서, 상기 마스크(38)는 상기 레이저 빔을 통과시키는 투과영역(A)과, 레이저 빔을 차단하는 차단영역(B)으로 구분된다.
상기 차단영역(B)의 너비(투과영역 사이의 거리)는 그레인의 측면성장 길이를 결정한다.
전술한 바와 같은 종래의 SLS 결정화 장비를 이용하여 실리콘을 결정화하는 방법을 알아본다.
일반적으로, 결정질 실리콘은 상기 기판에 절연막인 버퍼층(buffer layer)(미도시)을 형성하고, 상기 버퍼층 상부에 비정질 선행 막을 증착 한 후에 이를 이용하여 형성한다. 상기 비정질 선행 막은 일반적으로 화학 기상증착법(CVD)등을 사용하여 기판에 증착하게 되며, 이는 박막 내에 수소를 많이 함유하고 있다.
상기 수소는 열에 의해 박막을 이탈하는 특징이 있기 때문에, 상기 비정질 선행 막을 1차로 열처리하여 탈수소화 과정을 거치는 것이 필요하다.
왜냐하면, 수소를 미리 제거하지 않은 경우에는 결정박막의 표면이 매우 거칠어져 전기적으로 특성이 좋지 않기 때문이다.
도 2는 탈수소화 과정을 거치고 일부분이 결정화된 비정질 실리콘(52)막이 형성된 기판(54)이다.
도시한 바와 같이, 레이저 빔을 이용한 결정화는 기판(54)의 전 면적을 동시에 결정화 할 수 없다.
왜냐하면, 레이저 빔의 빔폭과 마스크(도 1의 38)의 크기가 제한되어 있기 때문에 대면적으로 갈수록 상기 하나의 마스크(도 1의 38)를 여러번 정렬하고, 그 때마다 결정화 과정을 반복함으로써 결정화가 이루어진다.
이때, 상기 단일 마스크의 축소면적(C)만큼 결정화 된 영역을 한 블록이라 정의하면, 상기 한 블록내의 결정화 또한 다차(多次)의 레이저 빔 조사를 통해 이루어진다.
도 3은 결정화 공정시 사용되는 마스크를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 마스크(50)는 빛의 투과 유.무에 따라 투과 영역(T)와 차단 영역(C)으로 나눌 수 있으며, 상기 투과 영역(T)은 일정한 형태 및 배열로 복수 개 구성된다.
상기 투과 영역(T)은 가로 방향을 구성되는 막대 형상 이며 이때, 상기 투과영역(T)의 세로 폭(즉, 빔 패턴의 너비)은 한 번의 레이저 조사공정에 의해 성장하는 그레인의 최대성장 길이의 두 배의 길이보다 작은 길이를 가지도록 구성하고, 상기 차단영역(C)의 세로 폭(빔 패턴의 간격)은 투과영역의 세로길이 보다 약간 작게 구성한다.
이와 같이 하면, 1차 레이저빔을 조사하였을 경우, 레이저 빔이 조사된 부분과 조사되지 않은 부분의 양측 경계로부터 상기 레이저 빔이 조사되어 멜팅된 영역 내로 결정립(grain)이 각각 측면 성장하게 되고, 각 측면 성장한 그레인(grain)의 바운더리(boundary)가 충돌하면서 성장이 멈추게 된다.
결정화 공정 중, 상기 마스크(50)를 통과하여 상기 축소 렌즈(도 1의 42)에 의해 축소된 빔 패턴은 X축으로 움직이며 결정화를 진행한다. 이때 상기 이동경로는 상기 마스크(50)의 투과 영역(T)의 길이만큼 또는 이하의 길이만큼 즉, 상기 렌즈에 의해 축소된 패턴의 가로 길이 만큼 ㎜단위로 이동하며 결정화 공정을 진행한다.
이하, 도 4a 내지 도 4c를 참조하여, 종래에 따른 결정화 방법을 상세히 설명한다.
도 4a 내지 도 4c는 종래에 따른 비정질 선행막을 결정화 하는 공정을 도시한 공정 평면도이다. 이때, 도 3의 A부분에 대응하는 부분의 결정화 형상을 예를 들어 설명한다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(60) 상에 비정질 선행막(62)을 형성하고, 탈수소화 공정을 진행한다.
다음으로, 상기 비정질 선행막(62)의 상부에 상기 도 3의 마스크(50)에 조사된 레이저 빔은 상기 축소렌즈(도 1의 42)를 통과하여 기판(60)에 닿게 된다.
이때, 상기 기판(60)에 조사된 레이저 빔의 형상은 상기 마스크(도 3의 50) 투과영역(T)과 동일한 형상이다.
상기 마스크(도 3의 50)의 상부에서 1차 레이저빔이 조사되면 도시한 바와 같이, 상기 투과영역에 대응하는 비정질 선행막(62)에 결정영역(B1,B2,B3)이 형성된다.
상기 레이저빔은 상기 비정질 선행막(62)이 완전히 녹는 완전 멜팅 에너지대(complete melting energy level)를 사용한다.
상기 결정영역(B1,B2,B3)을 살펴보면 레이저빔이 닿은 영역과 닿지 않은 영역의 양측경계로부터 결정이 성장하여 중심에서 멈춘 상태임을 알 수 있다.
이때, 상기 결정영역(B1,B2,B3)은 각각 제 1 영역(E1)과 제 2 영역(E2)으로 나눌 수 있으며, 각각은 동일한 방향으로 성장한 결정립을 포함 한다.
전술한 바와 같은 1차 결정화 공정이 완료되면 가로방향을 제 2 및 제 3 차 결정화 공정을 진행하게 되는데, 도 4b와 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 마스크의 투과영역(T)이 가로방향으로 이동하는 것과 같은 동작으로 레이저 빔을 조사하여 결정화 공정을 연속적으로 진행하게 된다.
한편 도 4c의 형상은 결정화가 두 번 진행된 것으로, 각 결정영역 사이(F)에 비정질막이 존재하는 것으로 도시하였지만, 상기 도 3의 마스크 전체를 사용하여 결정화 공정을 진행한다면 결정화가 진행되면서 어느 순간부터는 결정영역(B1,B2,B3)의 사이에 공간(F)이 존재하지 않고 모두 결정화가 진행될 수 있다.
전술한 바와 같은 결정화 공정을 완료하면 상기 비정질 선행막(62)은 기판(60)위에서 모두 결정화되고, 소자를 제작하는 공정순서에 따라 박막트랜지스터의 액티브 패턴으로 형성될 것이다.
그러나, 이러한 스위칭 소자를 포함한 액정패널을 구동하게 되면, 화질 상 줄무늬 얼룩 및 패널 신뢰성에 문제가 발생 하였는데, 이러한 문제의 원인은 상기 결정 영역(B1,B2,B3)의 제 1 영역(E1)과 제 2 영역(E2)이 만나는 부분(E3)에 그 원인이 있었다.
이에 대해 이하, 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5는 도 4c의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 단면도이다.
앞서 언급한 바와 같이, 결정영역(B3)은 제 1 영역(E1)과 제 1 영역(E2)으로 나눌 수 있으며, 상기 제 1 및 제 2 영역(E1,E2)에 속하는 결정립(grain: 64a,64b)들은 서로 마주보는 방향으로 성장하게 되며 결국, 서로의 결정립계(grain boundary : 66a,66b)가 충돌하면서 성장이 멈추게 된다.
이때, 상기 결정립 계(66a,66b)가 충돌하는 부분(E3)은 다른 부분에 비해 위로 돌출되어 단차진 형상이 된다.
상기 돌출된 형상은 도 4c에 보이는 바와 같이 일 방향으로 진행될 것이고, 이는 상.하로 규칙성을 띄며 존재하게 될 것이다.
전술한 바와 같이 돌출부가 존재하는 다결정 실리콘층을 패턴하여, 스위칭 소자의 액티브 층으로 사용한다면, 상기 결정층의 돌출부는 스위칭 소자의 채널특성에 좋지 않은 영향을 미치게 될 것이다.
따라서, 종래에는 상기 스위칭 소자를 사용한 액정패널에 화질상의 줄무늬 얼룩이 발생하였고 또한, 소자의 동작이 불안정하여 액정패널의 신뢰성이 저하되는 문제가 있었다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로, 전술한 돌출부가 발생하지 않으면서 결정화를 진행할 수 있는 레이저빔 결정화 장비를 제안하는 것을 제 1 목적으로 한다.
또한, 상기 레이저빔 결정화 장비를 이용한 결정화 방법을 제안하는 것을 제 2 목적으로 하고, 표면이 균일한 다결정 실리콘층을 제작하는 것을 제 3 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 레이저빔 결정화 장비는 레이저 빔 발생장치와; 상기 레이저 빔 발생 장치로부터 조사된 레이저빔을 집속하는 집속렌즈와; 상기 집속렌즈의 하부에 구성되고, 조사된 빛의 일부를 투과하고 나머지 일부는 입사된 방향과 수직한 방향으로 반사하는 빔 스플릿터와; 상기 빔 스플릿터의 하부에 구성된 제 1 마스크와, 상기 제 1 마스크를 통해 조사된 빛을 축소하는 제 1 축소렌즈와; 상기 빔 스플릿으로 반사된 빛을 이와 수직한 방향으로 반사하는 반사 미러와; 상기 반사 미러로 부터 반사된 빛을 투과시키는 제 2 마스크와, 상기 제 2 마스크를 통해 조사된 빛을 축소하는 제 2 축소렌즈를 포함한다.
상기 제 1 및 제 2 마스크는 동일 방향으로 동시에 이동하며, 레이저 빔이 동시에 조사되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 1 및 제 2 마스크의 투과영역은 가로 방향으로 구성된 막대 형상이며, 상기 제 2 마스크의 투과영역은 상기 제 1 마스크의 투과영역보다 작은 폭이며 제 1 마스크의 투과영역의 중심에 대응하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 마스크와 제 2 마스크에 구성된 복수의 투과영역은, 다수의 투과영역이 세로방향으로 이격된 제 1 그룹과, 상기 제 1 그룹과 가로 방향으로 이격하고 상기 제 1 그룹에 속하는 투과영역의 사이에 대응하여 위치하면서, 세로 방향으로 이격된 제 2 그룹으로 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 그룹은 가로방향으로 번갈아 구성된 형태인 것을 특징으로 하며, 상기 빔 스플릿터로 부터 조사되어 상기 제 1 마스크을 통해 입사된 레이저 빔은 완전 멜팅 영역대의 에너지를 가지는 반면, 상기 빔 스플릿으로부터 반사되어 상기 제 2 마스크를 통해 입사된 빛은 회절하여 완전 멜팅 영역대의 에너지 보다 낮은 에너지를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 마스크를 통과한 레이저 빔은 비정질 선행막을 측면결정화 하고, 상기 제 2 마스크를 통과한 레이저 빔은 상기 측면 결정화된 부분에서, 결정립계가 부딪혀 돌출된 부분을 녹여 상기 돌출부의 높이를 완화하는 것을 특징으로한다.
전술한 레이저 빔 발생장치를 이용한 다결정 실리콘층의 결정화 방법은 비정질 선행막이 형성된 기판을 준비하는 단계와; 상기 제 1 마스크를 통해 레이저빔을 조사하여 상기 비정질 선행막을 측면 결정화 하는 단계와; 상기 제 2 마스크를 통해 레이저 빔을 조사하여, 측면 결정화된 영역에 형성되고 결정립계가 부딪혀 돌출된 부분을 녹여 높이를 완화하는 단계와; 상기 제 1 마스크를 이용한 결정화 공정과 동시에, 상기 제 2 마스크 통한 돌출부 완화 공정을 일 방향으로 순차 진행하는 단계를 포함한다.
상기 비정질 선행막을 결정화하기 전 탈수소화 공정을 진행하는 단계를 더욱 포함 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 측면 유도 결정화 방법을 아래의 실시예를 통해 상세히 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명의 특징은 레이저 빔 결정화 장비에, 기존의 제 1 마스크 및 제 1 집속렌즈에, 보조적으로 결정립계의 돌출부를 제거하기 위한 제 2 마스크 및 제 2 집속렌즈를 추가하여 구성하는 것을 특징으로 한다.
도 6은 본 발명에 따른 레이저 빔 결정화 장비를 도시한 도면이다.
본 발명에 따른 레이저 빔 결정화 장비(100)는 레이저 빔(104a)을 발생하는 레이저 발생장치(102)와, 상기 레이저 발생장치(102)를 통해 방출된 레이저 빔을 집속시키는 집속렌즈(106)와, 기판(114)에 레이저 빔(104b,104c)이 일정한 형태로 나누어져 조사되도록 하는 마스크(110a,110b)와, 상기 마스크(110a,110b)의 하부에 위치하여 상기 마스크(110a,110b)를 통과한 레이저빔(104a,104b)을 일정한 비율로 축소하는 축소렌즈(112a,112b)를 포함한다.
상기 레이저빔 발생장치(102)는 광원에서 가공되지 않은 레이저빔을 방출시키고, 어테뉴에이터(미도시)를 통과시켜 레이저빔의 에너지 크기를 조절하고, 상기 집속렌즈(106)를 통해 레이저 빔(104a)을 조사하게 된다.
상기 마스크(110a,110b)를 구성함에 있어 기존의 제 1 마스크(110a)와 제 1 축소렌즈(112a)에 더하여 제 2 마스크(110b)와 제 2 축소렌즈(112b)를 더욱 구성하는 것이다.
이때, 상기 제 1 마스크(110a)의 상부에는 상기 집속렌즈(106)에서 조사된 빛(104a)의 일부(104b)는 반사하고 나머지는 빛(104c)은 투과사키는 빔 스플릿(108b)이 구성되고, 상기 제 2 마스크(110b)의 상부에는 상기 빔 스플릿(108b)을 통해 반사된 빛(104b)을 상기 제 2 마스크(110b)로 반사하는 반사 미러(mirror, 108b)를 더욱 포함한다.
이때, 상기 제 2 마스크(110b)는 상기 제 1 마스크(110a)로 이미 진행된 결정화 영역에 다시 한번 낮은 레벨의 레이저빔을 조사하기 위한 것이며, 이는 종래에서 제기 되었던 결정립계의 돌출부를 평탄화하기 위한 보조적인 장치임을 특징으로 한다.
이하, 도 7과 도 8을 참조하여 본 발명에 따른 제 1 마스크와 제 2 마스크의 형태를 설명한다.
도 7은 제 1 마스크의 일부를 도시한 평면도이고, 도 8은 제 2 마스크의 일부를 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 제 1 마스크(110a)는 빛의 투과 유.무에 따라 투과영역(T1)과 차단영역(C1)으로 나눌 수 있으며, 상기 투과영역(T1)은 차단영역(C1) 사이에 일정한 형태 및 배열로 복수개 구성된다.
자세히는, 가로방향으로 구성된 막대 형상의 복수의 투과영역(T1)이 세로 방향으로 일정간격 이격된 제 1 그룹(D1)과, 상기 제 1 그룹(D1)과 가로 방향으로 이격되고, 동일한 막대 형상의 투과영역(T1)이 상기 제 1 그룹(D1)에 속한 투과영역(T1) 사이에 대응하여 위치하면서 세로 방향으로 이격된 제 2 그룹(D2)으로 나눌 수 있으며, 상기 제 1 및 제 2 그룹(D1,D2)이 가로 방향으로 교대로 구성되는 형태로 상기 복수의 투과영역(T1)을 형성한다.
이때, 상기 투과영역(T1)의 세로폭(W1)은 2.5㎛~3㎛가 되도록 설계하며, 반적을 투과영역의 세로폭과 투과영역간의 거리는 3:1의 비율로 설계된다.
도 8에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 마스크(110b) 또한 투과영역(T2)과 차단영역(C2)으로 나눌 수 있으며 이때, 투과영역(T2)의 형태는 앞서 제 1 마스크와 동일하게 제 1 그룹(D1')과 제 2 그룹(D2')으로 나누고, 상기 제 1 그룹(D1')과 제 2 그룹(D2')에 속하는 투과영역(T2)을 가로 방향으로 교대로 구성한다.
이때, 상기 제 2 마스크(110b)의 각 투과영역(T2)은 상기 제 1 마스크(도 7 110a)의 투과영역(T1)의 중심에 대응하여 위치하도록 하는 것을 특징으로 하며 이 때, 상기 투과영역(110a)의 세로폭 (W2)을 0.2㎛~0.5㎛가 되도록 한다.
따라서, 제 2 마스크(110b)의 투과영역(T2)은 상기 제 1 마스크(도 7의 110a)의 투과영역(T1)보다 그 폭이 매우 작기 때문에, 레이저 빔이 조사되더라도, 회절현상에 의해 에너지 밀도(energy density)가 낮아진다.
그러므로, 상기 제 1 마스크(도 1의 110a)와 제 2 마스크(110b)가 구성된 레이저빔 결정화 장비를 이용하여 결정화를 진행하게 되면, 상기 제 1 마스크(도 1의 110a)에 대응한 영역은 결정화 되고, 상기 제 2 마스크(110b)에 대응한 부분은 이미 결정된 부분의 표면 일부를 녹이고 이를 재결정화 하는 역할을 하게 된다.
따라서, 상기 제 1 마스크(도 1의 110a)로 결정화된 영역에 형성된 결정립계의 돌출부를 상기 제 2 마스크(110b)를 통한 레이저 빔 조사로 평탄화 할 수 있다.
이하, 공정 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 레이저 빔 결정화 장비를 이용한 결정화 공정을 설명한다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 레이저빔 발생장치를 이용한 결정화 방법을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이고, 도 10a 내지 도 10c는 상기 도 9a 내지 도 9c의 각 a-a`,b-b',c-c'를 절단한 단면도이다.
(이때, 마스크의 투과영역은 도 7및 도 8의 K1,K2부분에 대응한 부분을 예로 들어 설명한다.)
먼저, 도 9a와 도 10a에 도시한 바와 같이, 기판(200) 상에 비정질 선행막(202)을 형성하고, 탈수소화 공정을 진행한다.
다음으로, 상기 비정질 선행막(202)의 상부에 제 1 마스크(110a)를 위치하 고, 상기 마스크(110a)의 투과 영역(T1)으로 레이저빔을 조사한다.
이때, 상기 축소렌즈(도 6의 112a)를 통해 축소되어 상기 비정질 선행막(202)의 표면에 조사되며, 조사된 레이저 빔은 상기 마스크(110a)의 투과영역(T1)과 동일한 형상이다.
따라서, 상기 마스크(110)의 상부에서 1차 레이저빔이 조사되면 도시한 바와 같이, 상기 투과영역(T1)에 대응하여 비정질 선행막(202)에 부분적으로 결정영역(B1,B2,B3,B4,B5)이 형성된다.
한편, 상기 레이저빔은 상기 비정질 선행막(202)이 완전히 녹는 완전멜팅 에너지대(complete melting energy level)를 사용한다.
결정영역(B1,B2,B3,B4,B5)을 살펴보면 레이저빔이 닿은 영역과 닿지 않은 영역의 양측경계로부터 결정립(208a)이 성장하면서 중심에서 상기 결정립(208a)의 결정립계(208b)가 부딪히면서 멈춘 상태임을 알 수 있다.
이때, 상기 결정영역(B1,B2,B3,B4,B5)은 각각 제 1 영역(E1)과 제 2 영역(E2)으로 나눌 수 있으며, 각각은 동일한 방향으로 성장한 결정립을 포함 한다.
이때, 도시한 바와 같이, 상기 각 결정영역(B1,B2,B3,B4,B5)은 제 1 및 제 2 영역(E1,E2)에 속하는 결정립(206a,206b)의 결정립계(208a,208b)가 서로 만나는 부분에서 부딪혀 솟아 오른 형상으로 돌출부(L)가 형성된다.
한편, 상기 제 1 마스크(110a)에 대응한 부분은 결정화되는 반면, 상기 제 2 마스크(도 6의 110b)에 대응한 부분은 이에 대응하는 영역을 표면으로부터 살짝 녹이는 정도에 불과하다.
전술한 바와 같은 1차 결정화 공정이 완료되면 가로방향으로 상기 마스크를 이동하여 결정화를 진행한다.(실제는 기판을 -X축 방향으로 이동한 것임.)
즉, 도 9b와 도 10b에 도시한 바와 같이, 이미 결정화된 영역(B1,B2,B3,B4,B5)의 길이만큼 가로방향으로 이동하여 레이저 빔을 조사하는 공정을 진행한다.
이때, 제 1 마스크(110a)의 제 1 그룹(도 110)에 해당하는 투과영역(T1)의 일 측 끝단은 이미 결정화된 영역(B1,B2,B3)의 타 끝단과 일부가 겹쳐지도록 위치하게 되며, 동시에 이미 결정화된 영역(투과영역의 제 2 그룹에 의해 결정화된 영역)사이에도 일부가 위치하게 된다.
또한, 제 1 마스크(110a)의 제 2 그룹(D2)에 해당하는 투과영역(T2)의 일 끝단은 앞선 공정에서 투과영역의 제 2 그룹에 대응하여 결정화된 영역(B4,B5)의 타 끝단에 겹쳐 위치하게 된다.
다음으로, 2 차 레이저빔을 조사하는 공정을 진행한다.
이와 같이 하면, 도 9c와 도 10c에 도시한 바와 같이, 2차 레이저 빔을 조사하게 되면, 이미 결정화된 영역(B1,B2,B3,B3,B5)은 가로방향 및 새로 방향으로 새로운 영역(B6,B7)이 발생하게 됨과 시에, 투과영역(T1)과 상하로 겹쳐지는 결정영역(B4,B5)에서는 각 결정영역(B4,B5)의 제 1 영역(E1)과 제 2 영역(E2)이 상.하로 성장(E1',E2')하여 기존에 비해 확장된 결정영역(B4',B5')이 형성된다.
이때, 도시한 바와 같이, 결정화가 진행된 단면을 보면 결정화된 영역(B4',B5')의 표면은 결정립계의 만나는 부분마다 돌출부(L)가 발생했음을 알 수 있다.
다음으로, 어느 정도 제 1 마스크 공정(110a)으로 결정화가 진행되면, 상기 제 1 마스크(110a)와 일정간격 이격된 제 2 마스크(110b)가 결정화된 영역(B4,B5)에 위치하게 되며 특히, 상기 제 2 마스크(110b)의 투과 영역(T2)은 결정화된 영역(B4,B5)의 돌출부(L)에 대응하여 위치한다.
이때, 초기에는 마스크(110b)의 투과영역(T2) 형상에 의해, 투과영역(T2)이 이미 결정화된 영역(B1,B2,B3,B4,B5)의 돌출부(L)마다 모두 대응할 수 없고, 제 2 마스크 공정 또한 상기 제 1 마스크 공정과 동시에 진행되므로 가로방향으로 이동하게 때문에, 어느 순간부터 돌출부의 모두가 시간차를 두고 제 2 마스크(110b)의 투과영역(T2)에 대응된다.
따라서, 상기 제 2 마스크(110b)를 통해 레이저 빔을 조사하게 되며, 조사된 빛은 상기 제 2 마스크(110b)의 투과영역(T2)이 폭이 매우 좁기 때문에 회절하게 되고, 이로써 자체의 에너지 밀도는 낮아지게 된다.
결국, 상기 제 1 마스크(10a의 110a)를 통해 조사된 레이저 빔은 비정질 선행막(202)을 모두 녹일 수 있는 반면, 상기 제 2 마스크(110b)를 통해 조사된 빛은 결정층의 돌출부(L)만을 살짝 녹이는 정도이기 때문에, 돌출부의 높이를 완화하는 기능을 하게 된다.
결과적으로, 상기 제 1 마스크(110a)와 제 2 마스크(110b)를 동시에 이용하여 가로방향으로 순차 결정화 공정을 진행하게 되면, 어느 순간 마스크가 대응되는 모든 영역이 돌출부 없이 결정화된 상태가 된다.
이상으로, 전술한 바와 같은 공정으로 본 발명에 따른 레이저빔 결정화 장비를 이용하여 표면상태가 균일한 다결정 실리콘층을 형성할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 레이저빔 결정화 장비를 이용하여 결정화를 진행하면, 표면에 돌출부가 없는 균일한 상태의 다결정 실리콘을 형성할 수 있는 효과가 있다.
전술한 다결정 실리콘을 이용하여 소자를 제작하면 구동특성이 안정될 수 있기 때문에, 이를 소자로 사용한 액정패널의 신뢰성 개선 및 패널의 이미지 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Claims (11)
- 레이저 빔 발생장치와;상기 레이저 빔 발생 장치로부터 조사된 레이저빔을 집속하는 집속렌즈와;상기 집속렌즈의 하부에 구성되고, 조사된 빛의 일부를 투과하고 나머지 일부는 입사된 방향과 수직한 방향으로 반사하는 빔 스플릿터와;상기 빔 스플릿터의 하부에 구성된 제 1 마스크와, 상기 제 1 마스크를 통해 조사된 빛을 축소하는 제 1 축소렌즈와;상기 빔 스플릿으로 반사된 빛을 이와 수직한 방향으로 반사하는 반사 미러와;상기 반사 미러로 부터 반사된 빛을 투과시키는 제 2 마스크와, 상기 제 2 마스크를 통해 조사된 빛을 축소하는 제 2 축소렌즈를 포함하는 레이저 빔 결정화 장비.
- 제 1 항에 있어서상기 제 1 및 제 2 마스크는 동일 방향으로 동시에 이동하며, 레이저 빔이 동시에 조사되는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 결정화 장비.
- 제 1 항에 있어서상기 제 1 및 제 2 마스크의 투과영역은 가로 방향으로 구성된 막대 형상이며, 상기 제 2 마스크의 투과영역은 상기 제 1 마스크의 투과영역보다 작은 폭이며 제 1 마스크의 투과영역의 중심에 대응하도록 구성된 것을 특징으로 하는 레이저 빔 결정화 장비.
- 제 3 항에 있어서상기 제 1 마스크와 제 2 마스크에 구성된 복수의 투과영역은, 다수의 투과영역이 세로방향으로 이격된 제 1 그룹과, 상기 제 1 그룹과 가로 방향으로 이격하고 상기 제 1 그룹에 속하는 투과영역의 사이에 대응하여 위치하면서, 세로 방향으로 이격된 제 2 그룹으로 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 그룹은 가로방향으로 번갈아 구성된 형태인 것을 특징으로 하는 레이저 빔 결정화 장비.
- 제 3 항에 있어서상기 빔 스플릿터로 부터 조사되어 상기 제 1 마스크을 통해 입사된 레이저 빔은 완전 멜팅 영역대의 에너지를 가지는 반면, 상기 빔 스플릿으로부터 반사되어 상기 제 2 마스크를 통해 입사된 빛은 회절하여 완전 멜팅 영역대의 에너지 보다 낮은 에너지를 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 결정화 장비.
- 제 5 항에 있어서상기 제 1 마스크를 통과한 레이저 빔은 비정질 선행막을 측면결정화 하고, 상기 제 2 마스크를 통과한 레이저 빔은 상기 측면 결정화된 부분에서, 결정립계가 부딪혀 돌출된 부분을 녹여 상기 돌출부의 높이를 완화하는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 결정화 장비.
- 레이저 빔 발생장치와; 상기 레이저 빔 발생 장치로부터 조사된 레이저빔을 집속하는 집속렌즈와; 상기 집속렌즈의 하부에 구성되고, 조사된 빛의 일부를 투과하고 나머지 일부는 입사된 방향과 수직한 방향으로 반사하는 빔 스플릿터와; 상기 빔 스플릿터의 하부에 구성된 제 1 마스크와, 상기 제 1 마스크를 통해 조사된 빛을 축소하는 제 1 축소렌즈와; 상기 빔 스플릿으로 반사된 빛을 이와 수직한 방향으로 반사하는 반사 미러와; 상기 반사 미러로 부터 반사된 빛을 투과시키는 제 2 마스크와, 상기 제 2 마스크를 통해 조사된 빛을 축소하는 제 2 축소렌즈를 포함하는 레이저 빔 결정화 장비를 이용한 다결정 실리콘 결정화 방법은,비정질 선행막이 형성된 기판을 준비하는 단계와;상기 제 1 마스크를 통해 레이저빔을 조사하여 상기 비정질 선행막을 측면 결정화 하는 단계와;상기 제 2 마스크를 통해 레이저 빔을 조사하여, 측면 결정화된 영역에 형성되고 결정립계가 부딪혀 돌출된 부분을 녹여 높이를 완화하는 단계와;상기 제 1 마스크를 이용한 결정화 공정과 동시에, 상기 제 2 마스크 통한 돌출부 완화 공정을 일 방향으로 순차 진행하는 단계를 포함하는 다결정 실리콘 결정화 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 비정질 선행막을 결정화하기 전 탈수소화 공정을 진행하는 단계를 더욱 포함하는 다결정 실리콘 결정화 방법.
- 제 7 항에 있어서상기 제 1 및 제 2 마스크의 투과영역은 가로 방향으로 구성된 막대 형상이며, 상기 제 2 마스크의 투과영역은 상기 제 1 마스크의 투과영역보다 작은 폭이며 제 1 마스크의 투과영역의 중심에 대응하도록 구성된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 결정화 방법.
- 제 9 항에 있어서상기 제 1 마스크와 제 2 마스크에 구성된 복수의 투과영역은, 다수의 투과영역이 세로방향으로 이격된 제 1 그룹과, 상기 제 1 그룹과 가로 방향으로 이격하고 상기 제 1 그룹에 속하는 투과영역의 사이에 대응하여 위치하면서 세로 방향으로 이격된 제 2 그룹으로 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 그룹은 가로방향으로 번갈아 구성된 형태인 것을 특징으로 다결정 실리콘 결정화 방법.
- 제 7 항에 있어서상기 빔 스플릿터로 부터 조사되어 상기 제 1 마스크을 통해 입사된 레이저 빔은 완전 멜팅 영역대의 에너지를 가지는 반면, 상기 빔 스플릿으로부터 반사되어 상기 제 2 마스크를 통해 입사된 빛은 회절하여 완전 멜팅 영역대의 에너지보다 낮은 에너지를 가지는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 결정화 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060135497A KR20080060883A (ko) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | 결정화 장비 및 이를 이용한 결정화방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060135497A KR20080060883A (ko) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | 결정화 장비 및 이를 이용한 결정화방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080060883A true KR20080060883A (ko) | 2008-07-02 |
Family
ID=39813360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060135497A KR20080060883A (ko) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | 결정화 장비 및 이를 이용한 결정화방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20080060883A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170071679A (ko) * | 2015-12-15 | 2017-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 실리콘 결정화 방법 및 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 |
| CN108213743A (zh) * | 2016-12-22 | 2018-06-29 | 株式会社村田制作所 | 激光加工装置及激光加工方法 |
-
2006
- 2006-12-27 KR KR1020060135497A patent/KR20080060883A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170071679A (ko) * | 2015-12-15 | 2017-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 실리콘 결정화 방법 및 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 |
| CN108213743A (zh) * | 2016-12-22 | 2018-06-29 | 株式会社村田制作所 | 激光加工装置及激光加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100400510B1 (ko) | 실리콘 결정화 장치와 실리콘 결정화 방법 | |
| KR100405080B1 (ko) | 실리콘 결정화방법. | |
| KR100558678B1 (ko) | 폴리실리콘 결정화방법 | |
| JP4099767B2 (ja) | 多結晶シリコン形成方法及び多結晶シリコン形成用レーザー装置のマスク | |
| KR20010029978A (ko) | 반도체 박막의 제조 방법 | |
| KR100492152B1 (ko) | 실리콘 결정화방법 | |
| KR20000077040A (ko) | 반도체 박막을 결정화하는 방법 및 레이저 조사 시스템 | |
| KR100997275B1 (ko) | 실리콘 결정화 방법 | |
| KR100492352B1 (ko) | 실리콘 결정화 방법 | |
| KR100486676B1 (ko) | 위상변이 레이저 마스크 및 이를 이용한 순차측면고상결정화 방법 | |
| US20050287773A1 (en) | Laser beam projection mask, and laser beam machining method and laser beam machine using same | |
| KR100303138B1 (ko) | 실리콘박막을결정화하는방법과이를이용한박막트랜지스터제조방법 | |
| KR100956947B1 (ko) | 실리콘 결정화 방법 | |
| KR20080060883A (ko) | 결정화 장비 및 이를 이용한 결정화방법 | |
| KR100484399B1 (ko) | 실리콘의 결정화용 마스크 및 결정화 방법 | |
| KR100478757B1 (ko) | 실리콘 결정화방법 | |
| KR100482163B1 (ko) | 마스크와 이를 이용한 실리콘 결정화방법 | |
| JP2005191560A (ja) | 結晶化装備及びこれを用いた結晶化方法 | |
| KR100536832B1 (ko) | 실리콘 결정화방법 및 결정화 장비 | |
| KR100544438B1 (ko) | 마스크와 이를 이용한 결정화방법 | |
| KR100525439B1 (ko) | Ｓｌｓ 결정화마스크, 결정화장비 및 결정화방법 | |
| KR100956339B1 (ko) | 규소 결정화 시스템 및 규소 결정화 방법 | |
| KR100544437B1 (ko) | 마스크와 이를 이용한 결정화방법 | |
| KR100496489B1 (ko) | 실리콘 결정화방법 | |
| KR20080060891A (ko) | 결정화용 마스크와 이를 이용한 결정화방법. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |