KR20070072271A - 실리콘 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법 - Google Patents

실리콘 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법 Download PDF

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KR20070072271A
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황광식
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 실리콘 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 실리콘 결정화 방법은, 또한, 본 발명에 따른 실리콘결정화방법은, 비정질 실리콘박막이 증착된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판을 기판 스테이지에 고정시키는 단계; 레이저빔이 통과되는 복수개의 회절패턴이 구비된 마스크를 상기 기판상측에 위치시키는 단계; 상기 마스크의 복수개의 마스크패턴을 통해 레이저빔을 조사하는 단계; 상기 비정질실리콘박막중 상기 마스크패턴의 위치에 해당하는 다수의 영역이 실리콘결정으로 결정화되는 단계; 상기 마스크를 미소한 거리만큼 이동한후 레이저빔을 조사하여, 상기 실리콘결정에 근접한 비정질실리콘영역을 결정화시키는 단계; 및 이러한 결정화공정을 반복수행하여 비정질실리콘박막을 결정화시키는 단계를 포함하여 구성된다.
고상결정화, 레이저빔, 마스크패턴, 이동스테이지, 그레인

Description

실리콘 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법{APPARATUS FOR CRSTALLIZATION AND METHOD FOR CRYSTALLIZING SILICON}
도 1 내지 도 3은 순차 측면고상화 기술을 이용한 실리콘 결정화를 설명하기 위한 도면.
도 4는 종래기술의 일시예에 따른 실리콘 결정화에 사용되는 마스크를 도시한 도면.
도 5는 종래기술의 다른 실시예에 따른 실리콘 결정화용 마스크를 도시한 도면.
도 6은 도 5의 종래기술의 다른 실시예에 따른 실리콘 결정화용 마스크를 이용하여 레이저빔 조사시의 실리콘막의 형태를 도시한 도면.
도 7은 본 발명에 따른 실리콘 결정화 장치를 개략적으로 도시한 도면.
도 8은 본 발명에 따른 실리콘 결정화용 마스크를 도시한 도면.
도 9는 도 8의 실리콘 결정화용 마스크의 상하측에 배치되는 회절마스크패턴의 레이저빔 에너지 프로파일을 종래기술과 비교한 도면.
도 10은 도 8의 실리콘 결정화용 마스크의 상하측을 제외한 지역에 배치되는 마스크패턴의 레이저빔의 에너지 프로파일을 도시한 도면.
도 11은 도 8의 실리콘 결정화용 마스크의 이동에 따른 X방향의 오버랩되는 영역을 나타낸 도면.
도 12는 도 8의 실리콘 결정화용 마스크의 이동에 따른 Y방향의 오버랩되는 영역에서의 결정화 상태를 도시한 도면.
- 도면의 주요부분에 대한 부호설명 -
132 : 결정화장치 134 : 레이저빔
136 : 레이저빔 발생장치 140 : 집속렌즈
142 : 축소렌즈 144 : 기판
146 : 기판스테이지 160 : 마스크 이동 스테이지
200 : 마스크 211 : 마스크패턴
213 : 회절마스크패턴 211a : 가장자리부회절패턴
본 발명은 결정화 장치 및 이용한 실리콘 결정화방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 순차측면고상화(sequential lateral solidification, 이하 SLS라 함) 기술에 의하여 실리콘막을 결정화시키는 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법에 관한 것이다.
순차측면고상화(sequential lateral solidification, 이하 SLS라 함) 기술은 레이저 결정화에 사용되는 기술로서, 실리콘 그레인(grain)이 액상 실리콘영역과 고상 실리콘 영역의 경계면에서 그 경계면에 대하여 수직방향으로 성장하는 사실을 이용한다.
이러한 관점에서, SLS 기술에 의한 실리콘박막의 결정화방법에 대해 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1 내지 도 3은 SLS 기술을 이용하여 비정질 실리콘박막을 결정화하는 공정을 설명하기 위한 도면으로, 레이저 조사횟수에 따른 실리콘 그레인의 성장상태를 간략화시켜 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 비정질실리콘박막(도면전체)에 소정 크기의 넓이를 가지는 일자형 레이저빔을 1차로 조사한다. 이때, 레이저빔이 조사된 실리콘부분(11)을 녹일 수 있는 정도의 충분한 에너지의 레이저를 공급한다.
또한, 레이저빔에 노출된 실리콘부분(11)은 용융된 후 곧 고상화된다. 이 과정에서 레이저빔에 조사되지 않은 고상의 실리콘영역과 레이저빔에 조사된 액상의 실리콘영역의 양 계면(11b)으로부터 실리콘 그레인들(11a)이 측면성장한다.
그리고, 한 번의 레이저빔 조사로 이루어지는 실리콘그레인의 성장길이(이하, 레이저펄스당 실리콘그레인의 성장길이라 함)는 레이저 에너지의 크기와 실리콘박막의 두께에 따라 결정된다.
이러한 레이저빔에 조사되어 용융된 실리콘영역의 고상화는 다음의 양상으로 구분된다.
실리콘 용융영역의 너비(W)가 레이저펄스 당 실리콘 그레인의 성장길이의 2배보다 작은 경우, 도 1에서와 같이, 양 계면(11b)에서 성장한 실리콘 그레인(11a)이 실리콘 용융영역의 중앙에서 충돌하면서 성장이 멈추는 방식으로 결정화가 이루 어진다.
여기서, 도면부호(11c)는 레이저빔의 1차 조사에 의하여 용융된 실리콘부분의 양 계면(11b)에서 측면성장한 실리콘그레인들(11a)이 충돌하여 이루어진 그레인 바운더리를 나타낸다.
또한, 실리콘 용융영역의 너비(W)가 레이저 펄스당 실리콘그레인의 성장길이의 2배보다 큰 경우, 도면에 나타내지 않았지만, 양 계면(11b)에서 성장한 실리콘 그레인들(11a)이 실리콘 용융영역의 중앙부가 냉각되면서 발생하는 미세 실리콘 그레인들과 충돌하면서 성장이 멈추는 방식으로 결정화가 이루어진다.
그리고, 도 2를 참조하면, 레이저 펄스당 실리콘 그레인의 성장길이보다 작은 정도로 비정질 실리콘박막을 이동시킨 후에 레이저빔을 2차로 조사한다. 이때, 레이저빔이 조사된 실리콘부분을 전부 녹일 수 있는 정도의 충분한 에너지의 레이저를 공급한다. 그 결과, 레이저빔에 노출된 실리콘부분은 용융된후 곧 고상화된다.
이 과정에서, 레이저빔의 2차 조사에 의하여 용융된 실리콘부분의 양 계면 (13b)으로부터 실리콘그레인들(11a)(13a)이 측면으로 성장한다. 이때, 레이저빔의 1차 조사에 의하여 형성된 실리콘 그레인(11a)은 계면(13b)에서 결정화의 씨드 (sead)로 작용하여 계속적으로 측면성장한다. 그래서, 실리콘 그레인(13a)은 도면에 보인 바와같이 레이저빔이 이동하는 방향으로 성장하는 결과를 가진다.
도면부호 13c는 레이저빔의 2차 조사에 의하여 용융된 실리콘부분의 양 계면(13b)에서 측면성장한 실리콘 그레인들(11a)(13a)이 충돌하여 이루어진 그레인바운 더리를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 상술한 바와같은 비정질 실리콘박막을 이동시키고, 레이저빔을 조사하여 실리콘박막을 용융시키고 고상화하는 실리콘 결정화공정을 반복적으로 n회 실시하여 실리콘 그레인(11a)의 길이를 원하는 크기로 키운다. 실리콘 그레인(11a)은 최초 형성위치에서 레이저 스캐닝방향으로 측면성장한다.
상술한 바와같이, SLS 기술을 사용할 경우에는 실리콘 그레인의 크기를 획기적으로 성장시키는 것이 가능하다.
SLS 기술을 대면적 실리콘박막에 적용할 경우에는 수율 향상을 위하여 다수개의 레이저빔으로 대면적 실리콘기판에 동시에 조사하여 실리콘 결정화를 진행한다.
도 4는 종래기술에 있어서의 대면적 실리콘박막의 결정화공정에 사용되는 마스크를 나타낸 것이다.
도 4를 참조하면, 하나의 레이저빔을 다수개의 레이저빔으로 패터닝하기 위해서는 복수개의 직사각형 형태의 마스크패턴이 형성된 마스크를 사용하여 실리콘결정화공정을 실시한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 광비투과영역(21b)에 일자 형상의 광투과영역 (21a)이 다수개 배열되어 있는 마스크(20)를 사용하는 경우에는 광투과영역(21a)의 개수만큼 그 형상대로 레이저빔을 다수개 마련하여 동시에 사용할 수 있다.
도 4에 도시된 복수개의 마스크패턴을 통과시켜 얻은 다수개의 일자 형상의 레이저빔을 사용하여 SLS 기술에 의한 실리콘결정화를 진행한다.
한편, 종래기술에 따른 실리콘을 결정화시키는 방법에 대해 도 5 내지 도 6를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 5는 종래기술의 다른 실시예에 따른 실리콘 결정화용 마스크를 도시한 도면이다.
도 6은 도 5의 종래기술의 다른 실시예에 따른 실리콘 결정화용 마스크를 이용하여 레이저빔 조사시의 실리콘막의 형태를 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 직사각형 형태의 복수개의 마스크패턴(31)이 형성된 결정화용 마스크(30)를 준비한후 이 결정화용 마스크(30)를 기판(미도시)상에 형성된 실리콘막(미도시)상에 위치시킨다.
그다음, 도 6을 참조하면, 레이저 빔을 상기 결정화용 마스크(30)을 통해 실리콘막(41)에 조사하여 마스크 형태의 실리콘막(41)에 레이저빔이 조사된다. 이때, 상기 레이저 빔은 상기 실리콘막(41a)부분에만 조사되는데, 상기 실리콘막(41a)부분은 레이저빔 조사로 인해 완전히 녹는 영역(complete melting region)을 의미한다. 또한, 상기 완전히 녹는 영역의 가장자리부는 라운드지게 형성되는데, 이는 간섭에 의한 가장자리부 형태(edge shape)가 왜곡되어 나타나기 때문이다.
이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 레이저 결정화시에 마스크패턴 형태를 변경하여 오버랩영역의 실리콘결정화의 균일성을 개선시킬 수 있는 실리콘결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 실리콘 결정화 장치는, 레이저빔을 생성하는 레이저빔 발생장치; 상기 레이저빔 발생장치에 대응하여 배치되고, X방향 또는 Y방향으로 이동하는 기판 스테이지; 상기 X-Y 스테이지와 상기 레이저 발생장치사이에 배치되고, 레이저빔이 통과되는 복수개의 회절패턴이 구비된 마스크; 상기 마스크를 통과한 레이저빔을 일정비율로 축소하는 축소렌즈; 및 상기 마스크에 연결되고, 마스크를 미소하게 이동시키는 마스크 이동스테이지를 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.
또한, 본 발명에 따른 실리콘결정화방법은, 비정질 실리콘박막이 증착된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판을 기판 스테이지에 고정시키는 단계; 레이저빔이 통과되는 복수개의 회절패턴이 구비된 마스크를 상기 기판상측에 위치시키는 단계;
상기 마스크의 복수개의 마스크패턴을 통해 레이저빔을 조사하는 단계; 상기 비정질실리콘박막중 상기 마스크패턴의 위치에 해당하는 다수의 영역이 실리콘결정으로 결정화되는 단계; 상기 마스크를 미소한 거리만큼 이동한후 레이저빔을 조사하여, 상기 실리콘결정에 근접한 비정질실리콘영역을 결정화시키는 단계; 및 이러한 결정화공정을 반복수행하여 비정질실리콘박막을 결정화시키는 단계를 포함하여 것을 특징으로한다.
이하, 본 발명에 따른 실리콘 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 7은 본 발명에 따른 실리콘 결정화 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 실리콘 결정화용 마스크를 도시한 도면이다.
도 9는 도 8의 실리콘 결정화용 마스크의 상하측에 배치되는 회절마스크패턴의 레이저빔 에너지 프로파일을 종래기술과 비교한 도면이다.
도 10은 도 8의 실리콘 결정화용 마스크의 상하측을 제외한 지역에 배치되는 마스크패턴의 레이저빔의 에너지 프로파일을 도시한 도면이다.
도 7를 참조하면, 실리콘 결정화를 위해 사용되는 결정화 장치(132)는, 레이저빔(134)을 생성하는 레이저 발생장치(136)와, 상기 레이저 발생장치(136)를 통해 방출된 레이저빔(134)을 집속시키는 집속렌즈(140)와, 레이저빔(134)을 슬릿, 즉 마스크패턴(211)(213)을 통해 나누는 마스크(200)와, 상기 마스크(200)의 하부에 위치하여 상기 마스크(200)를 통과한 레이저빔(134)의 크기를 소정의 비율로 축소하는 축소렌즈(142)를 포함하여 구성된다.
또한, 상기 마스크(200)에 대응하는 위치에는 비정질 실리콘박막(125)이 형성된 기판(120)이 고정된 X-Y 스테이지(146)가 위치한다.
그리고, 상기 마스크(200)는 소정의 방법으로 마스크 이동 스테이지(160)에 고정되며, 상기 마스크 이동 스테이지(160)의 제어에 따라 수 μm의 미소한 거리를 이동할 수 있다. 상기 마스크 스테이지(160)는 그 규모가 작기 때문에 이동하고 멈추는 시간이 상기 X-Y 스테이지(146)에 비해 현저히 작다.
따라서, 비정질 실리콘박막(125)을 블록단위로 결정화하는 과정에서 한 블록내에서의 레이저빔(134)의 미소거리 이동은 상기 마스크 스테이지(160)를 이용한 마스크(200)의 움직임에 의해 제어한다. 즉, 한 블록내에서 레이저 빔(134)이 조사 되는 영역을 시편의 움직임이 아닌 마스크의 움직임으로 정의한다.
이때, 마스크 스테이지(160)의 움직임의 범위는 한정되어 있기 때문에 기판의 결정영역을 블록 단위로 움직일 경우에만 상기 X-Y 스테이지(146)를 사용한다.
이와 같이 마스크 스테이지(110)를 사용하면, X-Y 스테이지(146)만을 사용하였을때 보다 박막을 결정화하는데 걸리는 시간을 많이 단축시킬 수 있다.
상기 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 실리콘결정화 장치를 이용하여 실리콘박막을 결정화하는 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 가장자리부가 삼각형 형태로 형성되고 가장자리부가 회절패턴(211a)으로 구성된 복수개의 마스크패턴(121)이 구비된 실리콘 결정화용 마스크(200)를 제작한다. 이때, 상기 마스크패턴(121)의 중앙부는 일반적인 마스크패턴으로 이루어져 있다. 또한, 상기 마스크(200)의 상하측에 위치하는 마스크패턴 (213)는 중앙부와 가장자리부분이 모두 회절패턴(213)으로 구성되어 있다.
상기와 같이 구성되는 실리콘 결정화장치를 이용한 실리콘결정화 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 7을 참조하면, 비정질 실리콘박막(125)이 증착된 기판(120)을 X-Y 스테이지(146)에 고정한후 상기 기판(120)위에 상기 실리콘 결정화용 마스크(200)를 위치시킨다.
이어서, 레이저 빔을 상기 결정화용 마스크(200)을 통해 기판(120)상에 형성된 비정질실리콘박막(125)에 조사한다. 이때, 상기 레이저빔(134)은 상기 마스크 (200)상에 형성된 복수개의 마스크패턴(211, 213)을 통해 나누어져 한 블록내의 비 정질실리콘박막(125)을 부분적으로 녹여 액상 실리콘 상태로 만든다. 즉, 이렇게 부분적으로 녹여진 비정질실리콘박막(125) 부분은 레이저빔 조사로 인해 완전히 녹는 영역(complete melting region)을 나타낸다.
그다음, 레이저 빔 조사를 멈추게 되면, 액상 실리콘은 급속하게 냉각되면서 비정질실리콘과 액상 실리콘의 경계에서 그레인이 성장하게 된다. 이때, 그레인의 크기는 상기 마스크패턴(200)의 너비에 따라 제어할 수 있다.
이어서, 도 7의 마스크 스테이지(160)를 이용하여 상기 마스크(200)를 상기 그레인의 너비와 같거나 작은 거리에 해당하는 수 μm만큼 이동한다.
이와 같이, 상기 마스크(200)의 마스크패턴(211, 213)은 상기 비정질실리콘박막중 결정화된 영역에 근접하게 위치하게 되어, 마치 기판이 움직인 것과 같은 결과를 얻을 수 있다.
상기 미소한 거리로 움직인 마스크(200)에 레이저빔을 조사하게 되면, 상기 레이저빔은 마스크에 의해 움직인 마스크패턴(211, 213)을 통과하여 1차 조사때의 결정영역의 일부와 이에 근접한 영역의 비정질실리콘박막을 녹이게 된다.
또다시 레이저빔 조사를 멈추게 되면, 상기 1차 조사때 형성한 그레인이 씨드로 작용하여 측면 성장한 결정을 얻을 수 있다.
이상과 같은 순으로 진행하는 실리콘 결정화방법을 통해 마스크에 조사되는 에너지빔량에 대해 도 9에 도시되어 있다.
도 9은 마스크(200)의 상하측에 위치하는 마스크패턴(213)을 통해 조사되는 레이저빔의 에너지량을 종래의 경우와 비교한 도면으로서, 도면에 의하면, 종래의 경우에는 마스크패턴의 중앙부분의 에너지빔량보다 가장자리부의 에너지빔량이 더 적게 나타나지만, 본 발명의 회절패턴의 경우에는 회절마스크패턴(213)의 중앙부의 에너지빔량과 가장자리부의 에너지빔량이 거의 비슷하게 적게 나타남을 알 수 있다.
또한, 도 10은 마스크(200)의 중앙부에 위치하는 마스크패턴(213)을 통해 조사되는 레이저빔의 에너지량을 나타낸 도면으로서, 도면에 도시된 바와같이, 마스크패턴(211)의 중앙부분의 에너지빔량은 매우 높게 나타나지만, 가장자리부의 에너지빔량은 아주 적게 나타남을 알 수 있다.
이와 같이 전술한 바와 같은 공정을 반복하여 한 블록의 실리콘 결정 성장을 완료하게 된다.
그다음, 한 블록의 결정화가 끝나면, 실리콘의 결정성장이 이루어지지 않은 다음 블록의 결정성장 공정을 시작한다. 이때, 상기 블록간을 이동할 때는 마스크 스테이지(미도시)보다 큰 기판 스테이지(미도시)를 X축 또는 Y축으로 이동하여 결정화 공정을 진행하면 된다.
한편, 도 11은 도 8의 실리콘 결정화용 마스크의 이동에 따른 X방향의 오버랩되는 영역을 나타낸 도면이고, 도 12는 도 8의 실리콘 결정화용 마스크의 이동에 따른 Y방향의 오버랩되는 영역에서의 결정화 상태를 도시한 도면이다.
도 11을 참조하면, X-방향으로의 오버랩시킨 경우에 제1쇼트와 제2쇼트에서의 에너지빔량은 아주 적게 나타남을 알 수 있다.
또한, 도 12를 참조하면, 제1쇼트지역에서는 완전 녹음(complete melting)에 의한 측면결정화 성장영역과 회절패턴에 의한 근접 완전녹음(near complete melting) 또는 부분 녹는 영역(partial melting region) 형성으로 작은 결정(grain)이 형성됨을 알 수 있다.
상기에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 실리콘결정화용 마스크 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
2-쇼트(shot)용 SLS 공정용 마스크 설계시에 X 오버랩영역 및 Y 오버랩영역의 쇼트 자국 및 그레인 불균일도를 해소하기 위해 마스크의 최상측과 최하측에 배치하는 마스크패턴을 회절마스크패턴으로 형성하고, X-오버랩부분은 각 패턴의 좌우부분도 회절패턴으로 형성하므로써 오버랩시에 회절패턴에 의해 인위적으로 레이저 에너지를 낮춤으로써 쇼트자국을 제거하고 오버랩에 의한 그레인 불균일성을 해소할 수 있다.
따라서, 오버랩영역의 균일도를 향상시키므로써 소자특성의 균일도를 향상시킬 수 있으며, 결정화 완료시에 쇼트(shot)자국을 제거하므로써 패널 구현시 화질을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 레이저빔을 생성하는 레이저빔 발생장치;
    상기 레이저빔 발생장치에 대응하여 배치되고, X방향 또는 Y방향으로 이동하는 기판 스테이지;
    상기 X-Y 스테이지와 상기 레이저 발생장치사이에 배치되고, 레이저빔이 통과되는 복수개의 회절패턴이 구비된 마스크;
    상기 마스크를 통과한 레이저빔을 일정비율로 축소하는 축소렌즈; 및
    상기 마스크에 연결되고, 마스크를 미소하게 이동시키는 마스크 이동스테이지를 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 실리콘 결정화 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마스크패턴 양측의 가장자리부는 회절패턴으로 형성된 것을 특징으로하는 실리콘 결정화 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마스크의 최상측 및 최하측에 위치하는 마스크패턴은 회절패턴인 것을 특징으로하는 실리콘 결정화 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 마스크의 최상측과 최하측을 제외한 부분에 있는 마스크패턴은 가장자리부가 회절패턴으로 구성된 마스크패턴인 것을 특징으로하는 실리콘 결정화 장치.
  5. 비정질 실리콘박막이 증착된 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판을 기판 스테이지에 고정시키는 단계;
    레이저빔이 통과되는 복수개의 회절패턴이 구비된 마스크를 상기 기판상측에 위치시키는 단계;
    상기 마스크의 복수개의 마스크패턴을 통해 레이저빔을 조사하는 단계;
    상기 비정질실리콘박막중 상기 마스크패턴의 위치에 해당하는 다수의 영역이 실리콘결정으로 결정화되는 단계;
    상기 마스크를 미소한 거리만큼 이동한후 레이저빔을 조사하여, 상기 실리콘결정에 근접한 비정질실리콘영역을 결정화시키는 단계; 및
    이러한 결정화공정을 반복수행하여 비정질실리콘박막을 결정화시키는 단계를 포함하여 것을 특징으로하는 실리콘 결정화방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 마스크패턴 양측의 가장자리부는 회절패턴으로 형성된 것을 특징으로하는 실리콘 결정화 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 마스크의 최상측 및 최하측에 위치하는 마스크패턴은 회절패턴인 것을 특징으로하는 실리콘 결정화 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 마스크의 최상측과 최하측을 제외한 부분에 있는 마스 크패턴은 가장자리부가 회절패턴으로 구성된 마스크패턴인 것을 특징으로하는 실리콘 결정화 장치.
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