JP2006285950A - クロックのデューティ調整回路、これを用いた遅延固定ループ回路及びその方法 - Google Patents

クロックのデューティ調整回路、これを用いた遅延固定ループ回路及びその方法 Download PDF

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Abstract

【課題】スキューによるクロックのデューティの偏差を減少させる。
【解決手段】立ち上がりクロック用ミキサーと下がりクロック用ミキサーとクロック選択器とを含むデューティー調整回路を提供し、立ち上がりクロック用ミキサーは、印加される第1及び第2位相固定状態信号を用いて、立ち上がりクロックのデューティ調整を行うためのデューティ調整イネーブル信号と、立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相の混合率を決定するための比重選択信号とを用いて立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合し、下がりクロック用ミキサーは、デューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合し、クロック選択器は、比重選択信号により、立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号を選択する。
【選択図】図6

Description

本発明は、半導体装置に用いられるクロックのデューティを調整するための技術に関し、外部クロックと内部クロックとの間のスキュー(skew)を補償するクロック発生装置を必要とする全ての半導体装置及びコンピュータシステムに適用し得る。
一般に、遅延固定ループ(Delay Locked Loop、略して「DLL」)とは、半導体記憶素子でクロックを用いる同期式メモリの内部クロックをエラーなしに外部クロックと一致するようにするために用いる回路である。すなわち、外部から入るクロックが内部で用いられる時、遅延時間が発生するが、この遅延時間を制御して内部で用いるクロックが外部から入るクロックと同様に同期されるようにするために用いる。
ところが、DRAMの動作が高速化されるにしたがい、遅延固定ループの性能が、DRAMのパフォーマンスに大きく影響を受けるようになった。これにより、DLLで用いられるクロックのデューティもまた、重要な問題として浮び上がるようになった。クロックのデューティ誤差が大きくなると、回路の設計において、設計余裕(Margin)が低下するようになる。したがって、設計余裕を十分に確保するために、クロックのデューティを調整する技術(例えば、特許文献1参照。)がDLLに導入されている。
図1は、従来の技術に係るクロックのデューティを調整することができるDLL回路の全体のブロック構成図である。
従来の技術に係るクロックのデューティを調整することができるDLL回路は、クロックバッファ110、第1可変遅延ライン及びシフトレジスタを有する遅延制御部120、第2可変遅延ライン及びシフトレジスタを有する遅延制御部130、フリークロックのデューティ調整部140、クロックのデューティ調整部150、複製遅延モデル160、位相検出部170、モード発生器180、及び出力ドライバー190を含む。
クロックバッファ110は、外部クロックをバッファリングし、同位相の第1及び第2内部クロックclkin1、clkin2と基準クロックrefclkとを出力する。
第1可変遅延ライン及びシフトレジスタを有する遅延制御部120は、位相検出部170から出力される位相検出信号fine、coarse及びモード発生器180から出力される第1固定状態信号lock_stateに応答し、第1内部クロックclkin1の位相を遅延させ、第1内部遅延クロックmixout_rを出力する。
第2可変遅延ライン及びシフトレジスタを有する遅延制御部130は、位相検出部170から出力される位相検出信号finef、coarsef及びモード発生器180から出力される第2固定状態信号lock_statefに応答し、第2内部クロックclkin2の位相を遅延させ、第2内部遅延クロックmixout_fを出力する。
フリークロックのデューティ調整部140は、入力される第1内部遅延クロックmixout_rをバッファリングし、立ち上がりクロックrclkを出力し、第2内部遅延クロックmixout_fをバッファリング及び反転させ、下がりクロックfclkを出力する。ここで、立ち上がりクロックrclkと下がりクロックfclkとのデューティは、相補的な値を有する。すなわち、外部クロックのハイパルス幅が大きいと、立ち上がりクロックrclkのハイパルス幅は、大きくなる反面、下がりクロックfclkのハイパルス幅は、小さくなる。
クロックのデューティ調整部150は、クロックのデューティが相補的な立ち上がりクロックrclkと下がりクロックfclkとを受け取って、クロックのデューティclockdutyを調整して、立ち上がりフィードバッククロックifbclkrと下がりフィードバッククロックifbclkfとを出力する。
複製遅延モデル160は、入力される内部の立ち上がりフィードバッククロックifbclkrと内部の下がりフィードバッククロックifbclkfとを、外部クロックclkが第一可変遅延ライン及びシフトレジスタを有する遅延制御部120と第二可変遅延ライン及びシフトレジスタを有する遅延制御部130との遅延ラインに入力される前と、クロックが第一可変遅延ライン及びシフトレジスタを有する遅延制御部120と第二可変遅延ライン及びシフトレジスタを有する遅延制御部130との遅延ラインから出力されてから出力ドライバー190の出力バッファを通して外部に出力されるまでとにおいて、発生する遅延要素をモデリングすることによって、外部クロックと実際内部クロックとの間の時間差が補償された、立ち上がりフィードバッククロックfbclkrと、下がりフィードバッククロックfbclkfとを出力する。
位相検出部170は、複製遅延モデル160から出力される補償された立ち上がりフィードバッククロックfbclkrと補償された下がりフィードバッククロックfbclkfとをそれぞれクロックバッファ110から出力される基準クロックrefclkと比べて、位相検出信号を出力する。
モード発生器180は、位相検出器170から出力される第1粗遅延制御信号coarse及び第1細遅延信号fineを用いて、第1可変遅延ライン及びシフトレジスタを有する遅延制御部120でのクロックの遅延固定が行われることを示す第1固定状態信号lock_stateを出力し、位相検出器170から出力される第2粗遅延制御信号coarsef及び第2細遅延信号finefを用いて、第2可変遅延ライン及びシフトレジスタを有する遅延制御部130でのクロックの遅延固定が行われることを示す第2固定状態信号lock_statefを出力する。
出力ドライバー190は、クロックのデューティ調整部から出力される立ち上がりフィードバッククロックifbclkrと下がりフィードバッククロックifbclkfとをバッファリングして、出力する。
図2は、従来の技術に係るクロックのデューティ調整部の細部回路図である。
従来の技術に係るクロックのデューティ調整部は、位相比較器210、DCC制御機220、DCCミキサー230及びDCCダムミキサー240を含む。
位相比較器210は、立ち上がりクロックrclkの下がりエッジfalling edgeの位相と下がりクロックfclkの下がりエッジfalling edgeとの位相を比べる。
DCC制御機220は、第1及び第2固定状態信号lock_state、lock_statefがアクティブされ、立ち上がりクロックrclkと下がりクロックfclkとの位相遅延が固定されると、DCCイネーブルバー信号DCC_enbを「L」状態にアクティブさせる。また、位相比較信号PCの論理状態を用いて、立ち上がりクロックrclkと下がりクロックfclkとの比重を異なるようにすることができる比重選択信号weight_selを出力する。
DCCミキサー230は、DCCイネーブルバー信号DCC_enbと比重選択信号weight_selとを用いて印加される立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合する。ここで、DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「H」状態であると、立ち上がりクロックをそのまま出力し、DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「L」状態であると、立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合する。
図3は、従来の技術に係るDCCミキサーの細部回路図である。
DCCミキサー230は、DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「H」状態であると、立ち上がりクロックrclkをそのまま出力し、DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「L」状態であると、立ち上がりクロックrclkと下がりクロックfclkとの位相を混合して出力する。この時、DCCミキサー230は、外部クロックのハイパルス幅(high pulse width)が大きい場合、「L」状態であると比重選択信号weight_selを用いて、クロックのデューティを調整して、外部クロックのハイパルス幅が小さい場合に「H」状態である比重選択信号weight_selを用いて、クロックのデューティを調整する。
一方、図3のnode1の電圧によって、デューティ調整性能が左右されるが、特に、外部クロックのハイパルス幅が小さい場合、デューティ調整性能がさらに劣化される。なぜなら、node1が所定レベルに到達するのに、必要な時間が工程変数によって、または、トランジスタの駆動能力が変わることによって、変動するため、特に、PMOSの場合、外部クロックのハイパルス幅が小さい場合、その影響が大きく現れるためである。
図4は、従来の技術に係るDCCダムミキサーの細部回路図である。
DCCダムミキサー240は、DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「H」状態であると、下がりクロックをそのまま出力し、DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「L」状態であると出力を「H」に固定させる。
図5は、図3のDCCミキサーから出力される信号のシミュレーション結果のタイミングチャートである。
外部クロックのハイパルス幅が小さい場合、スキューの影響によって、クロックのデューティは、41%SS、slow、44%TT、typical、52%fF、fastに約11%くらいの偏差を有する。これに反し、外部クロックのハイパルス幅が大きい場合、クロックのデューティは、47%SS、50%TT、49%fFに約3%くらいの偏差を有する。このように、外部クロックのハイパルス幅が小さい場合にDCC性能が悪化する。
特開平5−181560号公報
本発明は、上述した従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、スキューによる外部クロックの偏差に対して、デューティ調整機能を向上させることにある。
また、本発明は、外部クロックのハイパルス幅が小さい場合、スキューによるクロックのデューティの偏差を減少させることを目的とする。
上記の目的を達成するために、本願の第1発明に係るクロックのデューティ調整回路は、外部から印加される外部クロックのデューティを調整するクロックのデューティー調整回路にであり、印加される立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を比べて、位相比較信号を出力するための位相比較器と、印加される第1及び第2位相固定状態信号を用いて、前記立ち上がりクロックのデューティ調整を行うためのクロックのデューティ調整イネーブル信号を出力し、前記位相比較器から出力される位相比較信号を用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相の混合率を決定するための比重選択信号を出力できるクロックのデューティ調整制御機と、前記クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した立ち上がりフィードバック前置クロック信号を出力するための立ち上がりクロック用ミキサーと、前記クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した下がりフィードバック前置クロック信号を出力するための下がりクロック用ミキサーと、前記比重選択信号に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号のいずれかを選択して出力するためのクロック選択器とを含む。
好ましくは、前記クロック選択器は、前記立ち上がりクロックのデューティを調整する前には、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とをそれぞれ立ち上がりフィードバッククロック信号と下がりフィードバッククロック信号とに出力する。
好ましくは、前記クロック選択器は、前記比重選択信号に制御され、前記外部クロックのハイパルス幅が小さければ、前記下がりフィードバック前置クロック信号が前記立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにし、前記外部クロックのハイパルス幅が大きければ、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号が立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにする。
また、本願の第2発明に係る遅延固定ループ回路は、上記のようなクロックのデューティ調整回路を用いて、前記外部クロックと内部クロックとの位相を固定させることができる。
また、本願の第3発明に係るクロックのデューティ調整方法は、外部から印加される外部クロックのデューティを調整する方法であり、印加される立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を比べて、位相比較信号を出力する第1ステップと、印加される第1及び第2位相固定状態信号を用いて、前記立ち上がりクロックのデューティ調整を行うためのクロックのデューティ調整イネーブル信号を出力し、前記位相比較信号を用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相の混合率を決定するための比重選択信号を出力する第2ステップと、前記クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した立ち上がりフィードバック前置クロック信号を出力する第3ステップと、該クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した下がりフィードバック前置クロック信号を出力する第4ステップと、前記比重選択信号に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とのいずれかを選択して出力する第5ステップとを含む。
好ましくは、前記第5ステップは、前記立ち上がりクロックのデューティを調整する前には、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とをそれぞれ立ち上がりフィードバッククロック信号と下がりフィードバッククロックと信号とに出力できる。
好ましくは、前記第5ステップは、前記比重選択信号に制御され、前記外部クロックのハイパルス幅が小さければ、前記下がりフィードバック前置クロック信号が前記立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにし、前記外部クロックのハイパルス幅が大きければ、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号が立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにする。
また、本願の第4発明に係る遅延固定ループの制御方法は、前記のようなクロックのデューティ調整方法を用いて、前記外部クロックと内部クロックとの位相を固定させる。
本発明によれば、相互に反対されるクロックのデューティを有する遅延固定ループの内部クロックを用いて、DCCの比重選択信号によって2種類のDLLクロックを生成して2種類のDLLクロックのうち、外部クロックの偏差に対して、免疫性(immunity)が優れたクロックを選択することによって、スキューによるDCC性能の偏差を減少させることができる。
より具体的には、第一の発明においては、外部から印加される外部クロックのデューティを調整するクロックのデューティ調整回路であって、印加される立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を比べて、位相比較信号を出力するための位相比較器と、印加される第1及び第2位相固定状態信号を用いて、前記立ち上がりクロックのデューティ調整を行うためのクロックのデューティ調整イネーブル信号を出力し、前記位相比較器から出力される位相比較信号を用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相の混合率を決定するための比重選択信号を出力できるクロックのデューティ調整制御機と、前記クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した立ち上がりフィードバック前置クロック信号を出力するための立ち上がりクロック用ミキサーと、前記クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した下がりフィードバック前置クロック信号を出力するための下がりクロック用ミキサーと、前記比重選択信号に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とのいずれか1つを選択して出力するためのクロック選択器とを含むことを特徴とするクロックのデューティ調整回路が提供される。
第二の発明においては、第一の発明のクロックのデューティ調整回路であって、前記クロックのデューティ調整制御機は、前記比重選択信号と該比重選択信号の反転信号を出力することを特徴とするクロックのデューティ調整回路が提供される。
第三の発明においては、第二の発明のクロックのデューティ調整回路であって、前記クロック選択器は、前記立ち上がりクロックのデューティを調整する前には、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とをそれぞれ立ち上がりフィードバッククロック信号と下がりフィードバッククロック信号とに出力することを特徴とする記載のクロックのデューティ調整回路が提供される。
第四の発明においては、第三の発明のクロックのデューティ調整回路であって、前記クロック選択器は、前記比重選択信号に制御され、前記外部クロックのハイパルス幅が小さければ、前記下がりフィードバック前置クロック信号が前記立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにし、前記外部クロックのハイパルス幅が大きければ、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号が立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにすることを特徴とするクロックのデューティ調整回路が提供される。
第五の発明においては、第四の発明のクロックのデューティ調整回路であって、前記クロック選択器は、前記比重選択信号を反転させるための第1インバータと、該第1インバータの出力と前記クロックのデューティイネーブルバー信号とを入力とする第1NORゲートと、該第1NORゲートの出力を反転させるための第2インバータと、前記クロックのデューティイネーブルバー信号を反転させるための第3インバータと、前記第1NORゲートの出力に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第1伝達ゲートと、前記第2インバータの出力に制御され、前記下がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第2伝達ゲートと、前記クロックのデューティイネーブルバー信号に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第3伝達ゲートと、前記第3インバータの出力に制御され、前記下がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第3伝達ゲートと含むことを特徴とするクロックのデューティ調整回路が提供される。
第六の発明においては、第一の発明のクロックのデューティ調整回路であって、前記下がりクロック用ミキサーは、前記比重選択信号を用いて、比重選択信号の反転信号を生成することを特徴とするクロックのデューティ調整回路が提供される。
第七の発明においては、第六の発明の発明のクロックのデューティ調整回路であって、前記クロック選択器は、前記立ち上がりクロックのデューティを調整する前には、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とをそれぞれ立ち上がりフィードバッククロック信号と下がりフィードバッククロック信号とに出力することを特徴とするクロックのデューティ調整回路が提供される。
第八の発明においては、第七の発明のクロックのデューティ調整回路であって、前記クロック選択器は、前記比重選択信号に制御され、前記外部クロックのハイパルス幅が小さければ、前記下がりフィードバック前置クロック信号が前記立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにし、前記外部クロックのハイパルス幅が大きければ、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号が立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにすることを特徴とするクロックのデューティ調整回路が提供される。
第九の発明においては、第八の発明のクロックのデューティ調整回路であって、前記クロック選択器は、前記比重選択信号を反転させるための第1インバータと、
該第1インバータの出力と前記クロックのデューティイネーブルバー信号とを入力とする第1NORゲートと、該第1NORゲートの出力を反転させるための第2インバータと、前記クロックのデューティイネーブルバー信号を反転させるための第3インバータと、前記第1NORゲートの出力に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第1伝達ゲートと、前記第2インバータの出力に制御され、前記下がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第2伝達ゲートと、前記クロックのデューティイネーブルバー信号に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第3伝達ゲートと、前記第3インバータの出力に制御され、前記下がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第3伝達ゲートとを含むことを特徴とするクロックのデューティ調整回路が提供される。
第十の発明においては、第一ないし第九9のいずれかの発明のクロックのデューティ調整回路を用いて、前記外部クロックと内部クロックとの位相を固定させることを特徴とする遅延固定ループ回路が提供される。
第十一の発明においては、外部から印加される外部クロックのデューティを調整することにおいて、印加される立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を比べて、位相比較信号を出力する第1ステップと、印加される第1及び第2位相固定状態信号を用いて、前記立ち上がりクロックのデューティ調整を行うためのクロックのデューティ調整イネーブル信号を出力し、前記位相比較信号を用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相の混合率を決定するための比重選択信号を出力する第2ステップと、前記クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した立ち上がりフィードバック前置クロック信号を出力する第3ステップと、前記クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した下がりフィードバック前置クロック信号を出力する第4ステップと、前記比重選択信号に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とのいずれか1つを選択して出力する第5ステップとを含むことを特徴とするクロックのデューティ調整方法が提供される。
第十二の発明においては、第十一の発明のクロックのデューティ調整方法であって、前記第5ステップは、前記立ち上がりクロックのデューティを調整する前には、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とをそれぞれ立ち上がりフィードバッククロック信号と下がりフィードバッククロック信号とに出力することを特徴とするクロックのデューティ調整方法が提供される。
第十三の発明においては、第十二の発明のクロックのデューティ調整方法であって、前記第5ステップは、前記比重選択信号に制御され、前記外部クロックのハイパルス幅が小さければ、前記下がりフィードバック前置クロック信号が前記立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにし、前記外部クロックのハイパルス幅が大きければ、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号が立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにすることを特徴とするクロックのデューティ調整方法が提供される。
第十四の発明においては、第十一ないし第十三のいずれかの発明のクロックのデューティ調整方法を用いて、前記外部クロックと内部クロックとの位相を固定させることを特徴とする遅延固定ループの制御方法が提供される。
本発明によれば、外部クロックのハイパルス幅が小さい場合、スキューにともなうクロックのデューティの偏差を減少させることができる。また、本発明を適用する半導体記憶素子は、遅延固定ループが有するジッタ成分を減少させ、速いデータ処理速度を具現できる。
以下、本発明のもっとも好ましい実施の形態を添付する図面を参照して説明する。
図6は、本発明に係るクロックのデューティ調整部の細部回路図である。
本発明に係るクロックのデューティ調整部150は、位相比較器610、DCC制御機620、立ち上がりクロック用ミキサー630、下がりクロック用ミキサー640、及びクロック選択器650を含む。
本発明に係る位相比較器610は、従来の技術のそれと同じ構成及び作用を行う。すなわち、本発明に係る位相比較器610は、立ち上がりクロックrclkの下がりエッジの位相と下がりクロックfclkの下がりエッジの位相を比べる。本発明の他の実施の形態によれば、立ち上がりクロックrclkの下がりエッジが先行すると、「H」状態の位相比較信号PCを出力し、下がりクロックfclkの下がりエッジが先行すると、「L」状態の位相比較信号PCを出力できる。また、これと反対の論理状態の信号を出力させて用いることができるということは、当業者に自明である。
本発明の一実施の形態に係るDCC制御機620は、比重選択信号weight_selを反転させた比重選択反転信号weight_selbを出力できる。すなわち、本発明に係るDCC制御機620は、第1及び第2固定状態信号lock_state、lock_statefがアクティブされ、立ち上がりクロックrclkと下がりクロックfclkとの位相遅延が固定されると、DCCイネーブルバー信号DCC_enbを「L」状態にアクティブにさせる。また、位相比較信号PCの論理状態を用いて、立ち上がりクロックrclkと下がりクロックfclkとの比重を異なるようにすることができる比重選択信号weight_sel及び比重選択反転信号weight_selbを出力する。
本発明に係る立ち上がりクロック用ミキサー630及び下がりクロック用ミキサー640は、図3に示される従来の技術のDCCミキサーと同じ構成である。
本発明に係る立ち上がりクロック用のミキサー630は、DCCイネーブルバー信号DCC_enbと比重選択信号weight_selとを用いて印加される立ち上がりクロックrclkと下がりクロックfclkとの位相を混合する。すなわち、DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「H」状態であると、まだクロックの位相固定が行われない状態であるため、立ち上がりクロックrclkをそのまま出力し、DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「L」状態であると、クロックの位相固定が行われた状態であるため、立ち上がりクロックrclkと下がりクロックfclkとの位相を混合して、クロックのデューティを調整する。
本発明の一実施の形態に係る下がりクロック用ミキサー640は、DCCイネーブルバー信号DCC_enbと比重選択反転信号weight_selbとを用いて、印加される立ち上がりクロックrclkと下がりクロックfclkとの位相を混合する。すなわち、DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「H」状態であると、まだクロックの位相固定が行われない状態であるため、下がりクロックfclkをそのまま出力し、DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「L」状態であると、クロックの位相固定が行われた状態であるため、立ち上がりクロックrclkと下がりクロックfclkとの位相を混合してクロックのデューティを調整する。したがって、本発明に係る下がりクロック用ミキサー640は、本発明に係る立ち上がりクロック用ミキサー630でのデューティ調整動作と相補的にデューティ調整動作とを行う。一方、本発明の他の実施の形態によれば、DCC制御機620を、従来技術における構成と同様にしながら、本発明の下がりクロック用ミキサー640が印加される比重選択信号を反転させるように構成することによって、同じ動作を行うようにすることができる。
図7は、本発明に係るクロック選択器650の細部回路図である。
本発明に係るクロック選択器650は、立ち上がりクロック用ミキサー630と下がりクロック用のミキサー640とから出力される立ち上がりフィードバック前置クロック信号ifbclkr_preと下がりフィードバック前置クロック信号ifbclkf_preとを受け取る。
DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「H」状態であると、本発明に係るクロック選択器650は、立ち上がりフィードバック前置クロック信号ifbclkr_preと下がりフィードバック前置クロック信号ifbclkf_preとを、それぞれ立ち上がりフィードバッククロック信号ifbclkrと下がりフィードバッククロック信号ifbclkfとして、出力する。
DCCイネーブルバー信号DCC_enbが「L」状態に遷移すると、下がりフィードバッククロック信号ifbclkfは、「H」にスタック(stuck)され、立ち上がりフィードバッククロック信号ifbclkrは、比重選択信号weight_selによって、立ち上がりフィードバック前置クロック信号ifbclkr_preと下がりフィードバック前置クロック信号ifbclkf_preとのいずれかから選択されて出力される信号となる。
外部クロックのハイパルス幅が小さい比重選択信号weight_selが「H」状態であると、下がりフィードバック前置クロック信号ifbclkf_preが立ち上がりフィードバッククロック信号ifbclkrとして出力される一方、外部クロックのハイパルス幅が大きい比重選択信号weight_selが「L」状態であると、立ち上がりフィードバック前置クロック信号ifbclkr_preが立ち上がりフィードバッククロック信号ifbclkrとして出力される。
図8は、本発明に係るクロック選択器650の出力シミュレーションタイミングチャートである。
外部クロックのハイパルス幅が小さい場合、スキューに係る遅延固定ループでのクロックのデューティ偏差が43%FF、48%TT、47%SSに約5%くらい減少できることが分かる。
尚、本発明は、上記の本実施の形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
従来の技術に係るクロックのデューティを調整することができるDLL回路の全体ブロック構成図である。 従来の技術に係るクロックのデューティ調整部の細部回路図である。 従来の技術に係るDCCミキサーの細部回路図である。 従来の技術に係るDCCダムミキサーの細部回路図である。 図3のDCCミキサーから出力される信号のシミュレーション結果タイミングチャートである。 本発明に係るクロックのデューティ調整部の細部回路図である。 本発明に係るクロック選択器650の細部回路図である。 本発明に係るクロック選択器650の出力シミュレーションタイミングチャートである。
符号の説明
610 位相比較器
620 DCC制御機
630 立ち上がりクロック用ミキサー
640 下がりクロック用ミキサー
650 クロック選択器

Claims (14)

  1. 外部から印加される外部クロックのデューティを調整するクロックのデューティ調整回路であって、
    印加される立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を比べて、位相比較信号を出力するための位相比較器と、
    印加される第1及び第2位相固定状態信号を用いて、前記立ち上がりクロックのデューティ調整を行うためのクロックのデューティ調整イネーブル信号を出力し、前記位相比較器から出力される位相比較信号を用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相の混合率を決定するための比重選択信号を出力できるクロックのデューティ調整制御機と、
    前記クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した立ち上がりフィードバック前置クロック信号を出力するための立ち上がりクロック用ミキサーと、
    前記クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した下がりフィードバック前置クロック信号を出力するための下がりクロック用ミキサーと、
    前記比重選択信号に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とのいずれか1つを選択して出力するためのクロック選択器と
    を含むことを特徴とするクロックのデューティ調整回路。
  2. 前記クロックのデューティ調整制御機は、前記比重選択信号と該比重選択信号の反転信号を出力することを特徴とする請求項1に記載のクロックのデューティ調整回路。
  3. 前記クロック選択器は、前記立ち上がりクロックのデューティを調整する前には、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とをそれぞれ立ち上がりフィードバッククロック信号と下がりフィードバッククロック信号とに出力することを特徴とする請求項2に記載のクロックのデューティ調整回路。
  4. 前記クロック選択器は、前記比重選択信号に制御され、前記外部クロックのハイパルス幅が小さければ、前記下がりフィードバック前置クロック信号が前記立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにし、前記外部クロックのハイパルス幅が大きければ、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号が立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにすることを特徴とする請求項3に記載のクロックのデューティ調整回路。
  5. 前記クロック選択器は、
    前記比重選択信号を反転させるための第1インバータと、
    該第1インバータの出力と前記クロックのデューティイネーブルバー信号とを入力とする第1NORゲートと、
    該第1NORゲートの出力を反転させるための第2インバータと、
    前記クロックのデューティイネーブルバー信号を反転させるための第3インバータと、
    前記第1NORゲートの出力に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第1伝達ゲートと、
    前記第2インバータの出力に制御され、前記下がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第2伝達ゲートと、
    前記クロックのデューティイネーブルバー信号に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第3伝達ゲートと、
    前記第3インバータの出力に制御され、前記下がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第4伝達ゲートと
    を含むことを特徴とする請求項4に記載のクロックのデューティ調整回路。
  6. 前記下がりクロック用ミキサーは、
    前記比重選択信号を用いて、比重選択信号の反転信号を生成することを特徴とする請求項1に記載のクロックのデューティ調整回路。
  7. 前記クロック選択器は、前記立ち上がりクロックのデューティを調整する前には、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とをそれぞれ立ち上がりフィードバッククロック信号と下がりフィードバッククロック信号とに出力することを特徴とする請求項6に記載のクロックのデューティ調整回路。
  8. 前記クロック選択器は、前記比重選択信号に制御され、前記外部クロックのハイパルス幅が小さければ、前記下がりフィードバック前置クロック信号が前記立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにし、前記外部クロックのハイパルス幅が大きければ、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号が立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにすることを特徴とする請求項7に記載のクロックのデューティ調整回路。
  9. 前記クロック選択器は、
    前記比重選択信号を反転させるための第1インバータと、
    該第1インバータの出力と前記クロックのデューティイネーブルバー信号とを入力とする第1NORゲートと、
    該第1NORゲートの出力を反転させるための第2インバータと、
    前記クロックのデューティイネーブルバー信号を反転させるための第3インバータと、
    前記第1NORゲートの出力に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第1伝達ゲートと、
    前記第2インバータの出力に制御され、前記下がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第2伝達ゲートと、
    前記クロックのデューティイネーブルバー信号に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第3伝達ゲートと、
    前記第3インバータの出力に制御され、前記下がりフィードバック前置クロック信号を通過させるための第4伝達ゲートと
    を含むことを特徴とする請求項8に記載のクロックのデューティ調整回路。
  10. 請求項1ないし請求項9のいずれか一項のクロックのデューティ調整回路を用いて、前記外部クロックと内部クロックとの位相を固定させることを特徴とする遅延固定ループ回路。
  11. 外部から印加される外部クロックのデューティを調整することにおいて、
    印加される立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を比べて、位相比較信号を出力する第1ステップと、
    印加される第1及び第2位相固定状態信号を用いて、前記立ち上がりクロックのデューティ調整を行うためのクロックのデューティ調整イネーブル信号を出力し、前記位相比較信号を用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相の混合率を決定するための比重選択信号を出力する第2ステップと、
    前記クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した立ち上がりフィードバック前置クロック信号を出力する第3ステップと、
    前記クロックのデューティイネーブル信号と前記比重選択信号とを用いて、前記立ち上がりクロックと下がりクロックとの位相を混合した下がりフィードバック前置クロック信号を出力する第4ステップと、
    前記比重選択信号に制御され、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とのいずれか1つを選択して出力する第5ステップと
    を含むことを特徴とするクロックのデューティ調整方法。
  12. 前記第5ステップは、前記立ち上がりクロックのデューティを調整する前には、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号と下がりフィードバック前置クロック信号とをそれぞれ立ち上がりフィードバッククロック信号と下がりフィードバッククロック信号とに出力することを特徴とする請求項11に記載のクロックのデューティ調整方法。
  13. 前記第5ステップは、前記比重選択信号に制御され、前記外部クロックのハイパルス幅が小さければ、前記下がりフィードバック前置クロック信号が前記立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにし、前記外部クロックのハイパルス幅が大きければ、前記立ち上がりフィードバック前置クロック信号が立ち上がりフィードバッククロック信号に出力されるようにすることを特徴とする請求項12に記載のクロックのデューティ調整方法。
  14. 請求項11ないし請求項13のいずれか一項のクロックのデューティ調整方法を用いて、前記外部クロックと内部クロックとの位相を固定させることを特徴とする遅延固定ループの制御方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008154210A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Hynix Semiconductor Inc 半導体記憶装置の遅延ロックループ回路
JP2009105657A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Elpida Memory Inc Dll回路及びこれを備える半導体装置、並びに、データ処理システム

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100696957B1 (ko) * 2005-03-31 2007-03-20 주식회사 하이닉스반도체 클럭 듀티 조정 회로, 이를 이용한 지연 고정 루프 회로 및그 방법
KR100668852B1 (ko) * 2005-06-30 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 듀티비 보정 장치
US7310010B2 (en) * 2006-04-13 2007-12-18 Infineon Technologies Ag Duty cycle corrector
EP2360844B1 (en) * 2006-04-26 2014-07-23 Qualcomm Incorporated Wireless Device Communication with Multiple Peripherals
KR100728907B1 (ko) * 2006-06-26 2007-06-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 클럭신호 생성장치 및 방법
KR100808591B1 (ko) * 2006-06-30 2008-02-29 주식회사 하이닉스반도체 클럭 트리 회로 및 그를 이용한 듀티 보정 테스트 방법과그를 포함하는 반도체 메모리 장치
KR100853462B1 (ko) * 2006-08-31 2008-08-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
KR100805698B1 (ko) * 2006-08-31 2008-02-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
KR100892647B1 (ko) * 2007-08-13 2009-04-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 클럭 생성 회로
KR100915813B1 (ko) * 2007-09-04 2009-09-07 주식회사 하이닉스반도체 듀티 싸이클 보정 회로
KR100891300B1 (ko) * 2007-09-04 2009-04-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치 및 그 구동방법
KR100903366B1 (ko) * 2007-11-02 2009-06-23 주식회사 하이닉스반도체 듀티 보정 회로를 가진 반도체 메모리 장치
KR100911195B1 (ko) * 2007-12-07 2009-08-06 주식회사 하이닉스반도체 듀티비 보정 회로
US8018261B2 (en) * 2008-03-25 2011-09-13 Micron Technology, Inc. Clock generator and methods using closed loop duty cycle correction
JP5579373B2 (ja) * 2008-05-22 2014-08-27 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル Dll回路
KR100954111B1 (ko) * 2008-06-05 2010-04-23 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리장치
TWI391729B (zh) * 2008-07-16 2013-04-01 Tpo Displays Corp 液晶顯示裝置
JP5308510B2 (ja) * 2009-02-26 2013-10-09 パナソニック株式会社 位相調整回路
US7898309B1 (en) * 2009-05-14 2011-03-01 Atheros Communications, Inc. Analog duty cycle correction loop for clocks
US8324949B2 (en) * 2010-10-08 2012-12-04 Texas Instruments Incorporated Adaptive quadrature correction for quadrature clock path deskew
US8515380B2 (en) * 2011-06-16 2013-08-20 Texas Instruments Incorporated Current mode blixer with noise cancellation
US9124257B2 (en) 2011-12-29 2015-09-01 Intel Corporation Digital clock placement engine apparatus and method with duty cycle correction and quadrature placement
TWI448081B (zh) * 2012-01-20 2014-08-01 Nat Univ Chung Cheng All-digital clock correction circuit and method thereof
US8750818B2 (en) 2012-04-13 2014-06-10 Mediatek Inc. Signal processing circuit with circuit induced noise cancellation
KR20140069978A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 이의 듀티비 보정 방법
KR101982492B1 (ko) 2013-01-25 2019-05-27 삼성전자 주식회사 듀티 코드를 주기 코드에 정규화하여 클락 신호 생성 방법과 장치들
US8917132B2 (en) 2013-03-11 2014-12-23 Micron Technology, Inc. Apparatuses, methods, and circuits including a delay circuit
US8947144B2 (en) * 2013-06-18 2015-02-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for duty cycle adjustment
US9503066B2 (en) 2013-07-08 2016-11-22 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for phase interpolating clock signals and for providing duty cycle corrected clock signals
CN105337608B (zh) * 2015-12-02 2018-09-14 上海兆芯集成电路有限公司 延迟锁定回路
CN105337609B (zh) * 2015-12-02 2018-07-20 上海兆芯集成电路有限公司 延迟锁定回路
TWI754303B (zh) * 2020-06-17 2022-02-01 群聯電子股份有限公司 等化器電路、記憶體儲存裝置及訊號調整方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237693A (ja) * 1999-12-24 2001-08-31 Hynix Semiconductor Inc 遅延固定ループ
JP2003101409A (ja) * 2001-09-19 2003-04-04 Elpida Memory Inc 半導体集積回路装置及び遅延ロックループ装置
JP2004129255A (ja) * 2002-10-05 2004-04-22 Samsung Electronics Co Ltd 内部でそれ自体でデューティサイクル補正を行う遅延同期ループ回路及びそのデューティサイクル補正方法
JP2004220602A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Hynix Semiconductor Inc デューティ補正回路を備えたアナログ遅延固定ループ
JP2005039636A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd デューティ補正回路
JP2005051673A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Elpida Memory Inc 遅延回路と遅延同期ループ装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100291004B1 (ko) * 1998-12-30 2001-06-01 윤종용 입력 기준신호의 주파수 오프셋 검출장치
KR100345074B1 (ko) * 1999-12-16 2002-07-20 주식회사 하이닉스반도체 딜레이 록 루프의 듀티 사이클 보정 회로
KR100575864B1 (ko) * 1999-12-30 2006-05-03 주식회사 하이닉스반도체 램버스 디램
KR100393206B1 (ko) * 2000-10-23 2003-07-31 삼성전자주식회사 고주파 특성과 수율 향상을 위한 지연동기회로
KR100424180B1 (ko) 2001-12-21 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 보상 기능을 갖는 지연 고정 루프 회로
KR100477808B1 (ko) * 2002-05-21 2005-03-21 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 교정이 가능한 디지털 디엘엘 장치 및 듀티사이클 교정 방법
KR100507875B1 (ko) * 2002-06-28 2005-08-18 주식회사 하이닉스반도체 지연고정루프에서의 클럭분주기 및 클럭분주방법
KR100490655B1 (ko) * 2002-10-30 2005-05-24 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 보정 회로 및 그를 구비한 지연고정루프
KR100520657B1 (ko) * 2003-03-19 2005-10-13 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프 회로에 적용되는 위상 비교기
KR100605604B1 (ko) * 2003-10-29 2006-07-28 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프 및 그 제어 방법
KR100578232B1 (ko) 2003-10-30 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프
KR100554981B1 (ko) * 2003-11-20 2006-03-03 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프
KR100696957B1 (ko) * 2005-03-31 2007-03-20 주식회사 하이닉스반도체 클럭 듀티 조정 회로, 이를 이용한 지연 고정 루프 회로 및그 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237693A (ja) * 1999-12-24 2001-08-31 Hynix Semiconductor Inc 遅延固定ループ
JP2003101409A (ja) * 2001-09-19 2003-04-04 Elpida Memory Inc 半導体集積回路装置及び遅延ロックループ装置
JP2004129255A (ja) * 2002-10-05 2004-04-22 Samsung Electronics Co Ltd 内部でそれ自体でデューティサイクル補正を行う遅延同期ループ回路及びそのデューティサイクル補正方法
JP2004220602A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Hynix Semiconductor Inc デューティ補正回路を備えたアナログ遅延固定ループ
JP2005039636A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd デューティ補正回路
JP2005051673A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Elpida Memory Inc 遅延回路と遅延同期ループ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008154210A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Hynix Semiconductor Inc 半導体記憶装置の遅延ロックループ回路
JP2009105657A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Elpida Memory Inc Dll回路及びこれを備える半導体装置、並びに、データ処理システム

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