JP2006273679A - スピネル焼結体、光透過窓および光透過レンズ - Google Patents
スピネル焼結体、光透過窓および光透過レンズ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006273679A JP2006273679A JP2005097526A JP2005097526A JP2006273679A JP 2006273679 A JP2006273679 A JP 2006273679A JP 2005097526 A JP2005097526 A JP 2005097526A JP 2005097526 A JP2005097526 A JP 2005097526A JP 2006273679 A JP2006273679 A JP 2006273679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- light
- spinel sintered
- spinel
- light transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
- C04B35/443—Magnesium aluminate spinel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
- C04B35/6455—Hot isostatic pressing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5055—Fluorides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/80—Optical properties, e.g. transparency or reflexibility
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5409—Particle size related information expressed by specific surface values
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/604—Pressing at temperatures other than sintering temperatures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/608—Green bodies or pre-forms with well-defined density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6581—Total pressure below 1 atmosphere, e.g. vacuum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
- C04B2235/661—Multi-step sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/79—Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9646—Optical properties
- C04B2235/9653—Translucent or transparent ceramics other than alumina
Abstract
【課題】 偏光性が小さく、高熱伝導性で安価なスピネル焼結体を提供する。また、有用な発光装置用の光透過窓および光透過レンズを提供する。
【解決手段】 本発明のスピネル焼結体は、偏光方向が平行である2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量を、偏光方向が直交する2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量で除した商をコントラスト値とするとき、白色光によるコントラスト値が300以上であることを特徴とし、コントラスト値は、1000以上のものが好ましい。この焼結体は、組成が、MgO・nAl2O3であり、nが、1.05〜1.30であるものが好ましく、nは、1.07〜1.125であるものがより好ましい。
【選択図】 なし
【解決手段】 本発明のスピネル焼結体は、偏光方向が平行である2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量を、偏光方向が直交する2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量で除した商をコントラスト値とするとき、白色光によるコントラスト値が300以上であることを特徴とし、コントラスト値は、1000以上のものが好ましい。この焼結体は、組成が、MgO・nAl2O3であり、nが、1.05〜1.30であるものが好ましく、nは、1.07〜1.125であるものがより好ましい。
【選択図】 なし
Description
本発明は、今後の電子デバイスのニーズに対応し得る直線透過率、偏向特性および熱放散性に優れるスピネル焼結体に関する。また、かかるスピネル焼結体を用いた発光装置用の光透過窓および光透過レンズに関する。
電子デバイスの急速な発達に呼応して、電子デバイスに使用する周辺部品にも高度な特性が要求されている。たとえば、電子デバイス用の光透過レンズおよび光透過窓には、高い直線透過率が要求されるとともに高密度の光信号を透過させるために偏光特性に優れた材料を使用する必要がある。また、電子デバイスは、微妙な発熱によって機能の安定性が影響されるため、熱放散性に優れた材料を用いることが重要である。
熱放散性に優れた光学材料として、サファイアが従来より知られている。サファイアは、アルミナの単結晶からなり、熱伝導率が42W/(m・K)と非常に高く、強度が大きい材料である。しかし、サファイアは、高価であって、結晶構造が六方晶であり、光学的に異方性を示すため、偏光光学機器用の透過窓などに使用する場合には、入射偏光方向に対してサファイアの結晶軸の軸合わせが必要となり、実装に手間がかかり、製造コストが高くなる。
偏光特性および直線透過率に優れた材料として、石英ガラスが知られている。しかし、石英ガラスは、熱伝導率が0.01W/(m・K)〜0.9W/(m・K)と小さいため、熱放散性が十分ではない。偏光特性の良好な材料として、スピネル焼結体がある。スピネル焼結体は、Al2O3とMgOとからなり、結晶型が立方晶であるため、理想的には、複屈折がなく、偏光特性が優れている。
スピネル焼結体の中でも、Al2O3とMgOの組成比が0.53:0.47〜0.58:0.42の材料は、直線透過率が良好であると紹介されている(特許文献1参照)。この組成比は、Al2O3・nMgOで表すと、nが1.127〜1.381の範囲内にあり、原料粉末を成形した後、水素雰囲気中、1700℃〜1800℃で10時間〜20時間の常圧焼結をすることにより得られるとある。
同特許文献によれば、水素雰囲気中で焼結する場合、1400℃以上になると、MgOが蒸発するが、透過効率の大きいスピネル焼結体を得るには、MgOの蒸発を完全に抑制するよりは、原料粉末に含まれるMgOの10%以上を蒸発させる方がよいとある。また、空気中もしくはN2中で焼結すると、閉気孔中にN2ガスが取り込まれ、気孔が消失しにくくなる。一方、真空中で焼結すると、MgOの消失が著しく、Al2O3が過剰となる。したがって、いずれの場合にも透過光が散乱し、透過効率が低下するため、焼結は、水素雰囲気中で行なうのが好ましいと記載されている。
特開昭59−121158号公報
しかし、水素雰囲気中で焼結し、原料粉末から10%以上のMgOを蒸発させると、酸素欠陥が多くなるため、直線透過率、偏光特性および熱伝導性が低下する。また、Al2O3の固溶量が多くなり、微視的な結晶格子のバラツキおよび歪が多くなって、光学特性および熱的特性が悪化する。さらに、高温で長時間にわたり焼結すると、焼結体中の結晶が100μm以上の粒径に成長する。
本発明の課題は、偏光性が小さく、高熱伝導性で安価なスピネル焼結体を提供することにある。また、有用な発光装置用の光透過窓および光透過レンズを提供することにある。
本発明のスピネル焼結体は、偏光方向が平行である2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量を、偏光方向が直交する2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量で除した商をコントラスト値とするとき、白色光によるコントラスト値が300以上であることを特徴とし、コントラスト値は、1000以上のものが好ましい。この焼結体は、組成が、MgO・nAl2O3であり、nが、1.05〜1.30であるものが好ましく、nは、1.07〜1.125であるものがより好ましい。また、厚さ1mmでの、波長500nmの光線による直線透過率が、70%以上のものが好ましく、波長350nmの光線による直線透過率が、60%以上のものが好ましい。さらに、熱伝導率が、12W/(m・K)以上のものが好適である。本発明の発光装置用の光透過窓および光透過レンズは、かかるスピネル焼結体を用いたことを特徴とする。また、本発明の液晶パネルおよびデジタルマイクロミラーデバイスの光透過窓は、かかるスピネル焼結体を用いたことを特徴とする。
コントラスト値、光の直線透過率および熱伝導性が高いスピネル焼結体を提供することができる。
(スピネル焼結体)
本発明のスピネル焼結体は、白色光によるコントラスト値が300以上であることを特徴とする。偏光方向が平行である2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量Aと、偏光方向が直交する2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量Bとの比A:Bを偏光消光比といい、A÷Bの値をコントラスト値という。
本発明のスピネル焼結体は、白色光によるコントラスト値が300以上であることを特徴とする。偏光方向が平行である2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量Aと、偏光方向が直交する2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量Bとの比A:Bを偏光消光比といい、A÷Bの値をコントラスト値という。
理想的な光学結晶の場合、2枚の偏光板の偏光方向が平行な配置では、前段の偏光板を透過した光は100%、後段の偏光板を透過する。一方、2枚の偏光板の偏光方向が垂直な配置では、前段の偏光板を透過した光は、理想的な光学結晶により偏光方向が影響されないため、後段の偏光板を透過する光量は0%である。実際の結晶では、透過する光に対して偏光方向に影響を与えるため、偏光方向が崩れ、平行配置の透過光量は100%とならず、直交配置での透過光量も0%とはならない。したがって、偏光消光比またはコントラスト値により、結晶の偏光特性を評価することができる。
偏光特性の測定は、2枚の偏光板を光軸に対して垂直に配置してから、2枚の偏光板の間にサンプルを挟み、各偏光板の偏光方向が平行であるときの光透過量Aと、偏光板の偏光方向が垂直であるときの光透過量Bとを、CCDで測定し、A÷Bによりコントラスト値を求めることができる。
スピネル焼結体は、結晶構造が立方晶であるため、偏光特性が優れ、理想的には光学異方性はないが、実際には結晶における酸素欠陥、結晶格子のバラツキおよび歪などにより偏光特性が低下する。本発明のスピネル焼結体は、白色光によるコントラスト値が300以上であり、好ましくは1000以上である。したがって、ガラスと同様の良好な偏光特性を有するため、実装に際し、偏光方向に対して結晶軸を合わせるなどの手間が少なく、実装コストが低廉である。また、サファイアなどよりも安価で、量産性がある。
スピネル焼結体の組成は、MgO・nAl2O3であり、nは1.05〜1.30が好ましく、1.07〜1.125がより好ましい。MgOの飛散を防止して、nを1.05〜1.30に調整することにより、Al2O3の固溶量を少なくして、微視的な結晶格子のバラツキと歪を小さくし、偏光特性を改善することができる。
スピネル焼結体は、波長500nmの光線(可視光線)による直線透過率が、厚さ1mmで70%以上のものが好ましく、80%以上のものがより好ましい。また、スピネル焼結体は、波長350nmの光線(紫外光)による直線透過率が、厚さ1mmで60%以上のものが好ましく、70%以上のものがより好ましい。直線透過率は、入射する光の光軸と平行な直線上における、入射光の強度に対する透過光の強度の割合である。したがって、各波長の電磁波に対して直線透過率が高いほど、強い透過光が得られ、透過するレンズまたは透過窓に吸収される光エネルギが小さいため、レンズまたは透過窓の発熱を抑えることができる。
スピネル焼結体は、熱伝導率が、12W/(m・K)以上のものが好ましく、16W/(m・K)以上のものがより好ましい。このようなスピネル焼結体は、放熱性に優れているため、電子光学デバイスの高密度化および高出力化に対応したヒートシンク兼用光学窓材料として好適である。
本発明のスピネル焼結体は、直線透過率が大きく、偏光特性が良好であるため、高密度の光信号を透過させることができる。また、本焼結体は、光源からの光による発熱が小さく、熱伝導率が大きいため、放熱性に優れている。したがって、発光ダイオード(LED)、レーザデバイス、液晶プロジェクター、リアプロジェクションテレビまたはデジタルマイクロミラーデバイスなどの発光装置用の光透過窓または光透過レンズの材料として好適である。
なお、デジタルマイクロミラーデバイスは、テキサス インスツルメンツ( Texas Instruments )社が開発した反射型光素子で、プロジェクターの光処理技術であるDLP( Digital Light Processing )技術に使用され、本素子の透過窓には、放熱性が大きく、光学異方性が少なく、高い光透過性が必要とされる。
(スピネル焼結体の製造方法)
出発原料であるスピネル粉の組成は、MgO・nAl2O3であり、nは1.05〜1.30が好ましく、1.07〜1.125がより好ましい。純度は、99.7%以上であり、比表面積(BET値)は、活性化を維持し、焼結を容易に行なう点で、12m2/g以上が好ましく、20m2/g以上がより好ましい。また、原料粉が嵩高くならないようにし、成形を容易にする点で、比表面積は、70m2/g以下が好ましい。
出発原料であるスピネル粉の組成は、MgO・nAl2O3であり、nは1.05〜1.30が好ましく、1.07〜1.125がより好ましい。純度は、99.7%以上であり、比表面積(BET値)は、活性化を維持し、焼結を容易に行なう点で、12m2/g以上が好ましく、20m2/g以上がより好ましい。また、原料粉が嵩高くならないようにし、成形を容易にする点で、比表面積は、70m2/g以下が好ましい。
スピネル粉には、LiFまたはCaF2などの焼結助剤および有機バインダは添加しない方が好ましい。原料の純度および成形加工工程におけるバインダなどの残留物が製品の純度に大きく影響するためである。したがって、有機バインダを配合するとしても、1%以下が好ましく、0.5%以下がより好ましい。また、種類もアクリル系などの熱分解しやすいものが好ましい。
成形密度は、充填密度を維持し、焼結中の粒同士の接触面積を大きくして、十分な焼結密度が得られるようにする点で2.0g/cm3以上が好ましい。一方、脱バインダ時の発生ガスおよび粒子表面の付着ガスが外部に容易に排出し、不純物を除去する点で、2.5g/cm3以下が適当である。
本発明のスピネル焼結体は、たとえば、大気雰囲気中の常圧焼結と熱間等方圧プレス(HIP)により製造することができる。大気雰囲気中で焼結することにより、水素雰囲気中で焼結する場合と異なり、酸素分圧によりMgOの飛散を防止することができるため、Al2O3の固溶量のバラツキが少なく、微視的な結晶格子のバラツキおよび歪が小さい。また、N2ガスを取り込んだ閉気孔は、HIPにより除去することができる。したがって、直線透過率、偏光特性および熱伝導性が良好なスピネル焼結体を製造することができる。
この方法は、12m2/g〜40m2/g程度のスピネル原料をプレスなどにより成形し、大気雰囲気中、1450℃〜1650℃で常圧焼結した後、Ar雰囲気中、1500℃〜1700℃、2×102MPaでHIPを行ない、たとえば、10mm×10mm×1mmの製品に加工する方法であり、必要に応じてコーティングをする。成形密度は2.1g/cm3以上が好ましく、平均粒径30μm〜90μmの粒からなる焼結体を製造することができる。粒径の測定は、SEMにより倍率1500倍で、焼結体の破壊面の任意の5箇所を撮影し、各箇所について、5つの粒子を任意に選択し、各粒子の最も長い外径を粒径とし、これら25個のデータを算術平均して求める。以下においても、同様である。
本発明のスピネル焼結体は、たとえば、真空雰囲気中の加圧焼結とHIPによっても製造することができる。真空雰囲気中の加圧成形は、気密性の高いカーボンケース内で行なうため、MgOの飛散を抑えて、Al2O3の固溶量のバラツキを少なくし、微視的な結晶格子のバラツキおよび歪を小さくすることができる。また、HIPにより焼結密度を高めることができる。したがって、酸素欠陥が少なく、直線透過率、偏光特性および熱伝導性が良好なスピネル焼結体を製造することができる。
この方法は、12m2/g〜20m2/g程度のスピネル原料をプレスなどにより成形し、真空雰囲気中、1350℃〜1550℃で加圧成形した後、Ar雰囲気中、1600℃〜1700℃、2×102MPaでHIPを行なってから、製品加工する方法であり、必要に応じてコーティングをし、平均粒径20μm〜80μmの粒からなる焼結体を製造することができる。
いずれの方法においても、スピネル焼結体の表面に、スピネル焼結体より屈折率の低い材料でコーティングすると、光の透過性が改良する。コーティング層は複層とし、金属弗化物と金属酸化物から選ばれる層を2種以上組合わせると、下地のスピネル焼結体との密着性が良く、環境安定性が改良する。金属弗化物としては、MgF2、YF3、LaF3、CeF3、BaF2などを好ましく使用することができる。また、金属酸化物としては、SiO2、TiO2、Al2O3、Y2O3、Ta2O5、ZrO2などが好適である。コーティング層は、複層構成の場合でも最大5μmまでの厚みとするのが好ましい。コーティングは、物理蒸着法を利用することができ、たとえば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などにより実施できる。特に、イオンアシスト、プラズマアシストを併用すると膜性能が向上する。
実施例1
スピネル粉末(組成MgO・nAl2O3)(n=1.05〜1.30)を、成形密度2.1g/cm3〜2.15g/cm3にプレス成形したものを、大気雰囲気中、1525℃で1時間焼結した後、Ar雰囲気中、1650℃、2×102MPaで、1時間のHIPを行ない、その後、厚さ1mmの板状体に研磨加工した。透過率を改良するために、コーティングはしなかった。得られたサンプルについて、コントラスト値、直線透過率および熱伝導率を測定した。
スピネル粉末(組成MgO・nAl2O3)(n=1.05〜1.30)を、成形密度2.1g/cm3〜2.15g/cm3にプレス成形したものを、大気雰囲気中、1525℃で1時間焼結した後、Ar雰囲気中、1650℃、2×102MPaで、1時間のHIPを行ない、その後、厚さ1mmの板状体に研磨加工した。透過率を改良するために、コーティングはしなかった。得られたサンプルについて、コントラスト値、直線透過率および熱伝導率を測定した。
コントラスト値は、偏光顕微鏡(オリンパス社製BX−1)により、白色光源に対し、倍率100倍で測定した。厚さ1mmに研磨加工したサンプルを各5枚用意し、1枚あたり任意の5箇所を選定し、測定した後、平均した。直線透過率は、分光光度計により測定し、厚さ1mmでの直線透過率を、波長350nm、500nm、1000nmおよび4500nmの入射光について測定した。また、熱伝導率の測定は、レーザ光が通過する両面にカーボンをコートし、レーザフラッシュ法で測定した。測定の結果を表1に示す。
比較例1
スピネル粉末(組成MgO・nAl2O3)(n=0.95〜1.00、1.325〜1.40)を原料粉末とした以外は実施例1と同様にしてスピネル焼結体を製造し、コントラスト値、直線透過率および熱伝導率を測定した。測定の結果を表1に示す。
スピネル粉末(組成MgO・nAl2O3)(n=0.95〜1.00、1.325〜1.40)を原料粉末とした以外は実施例1と同様にしてスピネル焼結体を製造し、コントラスト値、直線透過率および熱伝導率を測定した。測定の結果を表1に示す。
その結果、コントラスト値が300以上であるスピネル焼結体は、偏光特性が良好であり、nは1.05〜1.30の範囲にあった。これらのスピネル焼結体は、波長500nmの光線による直線透過率が70%以上であり、波長350nmの光線による直線透過率は60%以上であった。また、熱伝導率は、12W/(m・K)以上であった。
これらのうち、コントラスト値が1000以上のスピネル焼結体は、nが1.07〜1.125の範囲にあり、波長500nmの光線による直線透過率は80%以上であり、波長350nmの光線による直線透過率は80%以上であった。また、熱伝導率は、17W/(m・K)以上であった。
コントラスト値が300未満のスピネル焼結体は、偏光特性において実用上、十分ではなく、nは0.95〜1.00と1.325〜1.40の範囲にあった。これらのスピネル焼結体は、波長500nmの光線による直線透過率が70%未満であり、波長350nmの光線による直線透過率は60%未満であった。また、熱伝導率は、n=1の場合を除いて、12W/(m・K)未満であった。
実施例2
実施例1で製造した板状のスピネル焼結体を光透過窓として液晶パネルに組み込み、波長350nm〜4500nmの範囲で画像評価をした。
実施例1で製造した板状のスピネル焼結体を光透過窓として液晶パネルに組み込み、波長350nm〜4500nmの範囲で画像評価をした。
比較例2
比較例1で製造した板状のスピネル焼結体を透過窓として液晶パネルに組み込み、実施例2と同様にして、波長350nm〜4500nmの範囲で画像評価をした。
比較例1で製造した板状のスピネル焼結体を透過窓として液晶パネルに組み込み、実施例2と同様にして、波長350nm〜4500nmの範囲で画像評価をした。
その結果、映し出された映像は、n=1.05〜1.30の範囲内において、コントラストのムラが認められず、石英ガラスとほぼ同等であり、良好と評価できた。特に、n=1.07〜1.125の範囲にあるスピネル焼結体については、石英ガラスと全く遜色が無く、またはそれ以上の極めて良好な画質であった。
実施例3
実施例1のスピネル焼結体について、反射を抑制して光透過性を向上させるために、MgF2からなる低屈折率材を厚さ0.1μmコーティングし、実施例2と同様の実装評価をした。
実施例1のスピネル焼結体について、反射を抑制して光透過性を向上させるために、MgF2からなる低屈折率材を厚さ0.1μmコーティングし、実施例2と同様の実装評価をした。
比較例3
比較例1のスピネル焼結体について、反射を抑制して光透過性を向上させるために、実施例3と同様に、MgF2からなる低屈折率材を厚さ0.1μmコーティングし、実施例2と同様の実装評価をした。
比較例1のスピネル焼結体について、反射を抑制して光透過性を向上させるために、実施例3と同様に、MgF2からなる低屈折率材を厚さ0.1μmコーティングし、実施例2と同様の実装評価をした。
その結果、n=1.05〜1.30のスピネル焼結体は、波長350nm〜4500nmの範囲で、映し出される映像は極めて良好であった。しかしながら、n=1.05〜1.30の範囲外では、コントラストにムラが認められ、不良であった。
実施例4
実施例1で製造したスピネル焼結体を、出力120mWの青色レーザの光透過窓として組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。利得率は5%以上を目指した。
実施例1で製造したスピネル焼結体を、出力120mWの青色レーザの光透過窓として組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。利得率は5%以上を目指した。
比較例4
比較例1で製造したスピネル焼結体を、実施例4と同様に、出力120mWの青色レーザの光透過窓として組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。
比較例1で製造したスピネル焼結体を、実施例4と同様に、出力120mWの青色レーザの光透過窓として組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。
その結果、利得率と、スピネル焼結体の熱伝導率との相関関係が認められた。熱伝導率が12W/(m・K)を下回ると、レーザ素子自体の発熱によって利得率は4.2%以下になり、レーザ素子の寿命が短く、実用化は不可能であった。スピネル焼結体の熱伝導率が12W/(m・K)〜15W/(m・K)の範囲では、利得率は5.3%〜5.5%になり、実用化レベルに達した。また、15W/(m・K)以上では、利得率が5.8%以上になり、さらに放熱特性が改善され、信頼性が向上した。
実施例5
実施例1で製造したスピネル焼結体を、出力35mWのLEDにおける紫色光の集光用透過レンズとして組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。利得率は15%以上を目指した。
実施例1で製造したスピネル焼結体を、出力35mWのLEDにおける紫色光の集光用透過レンズとして組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。利得率は15%以上を目指した。
比較例5
比較例1で製造したスピネル焼結体を、実施例5と同様に、出力35mWのLEDにおける紫色光の集光用透過レンズとして組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。
比較例1で製造したスピネル焼結体を、実施例5と同様に、出力35mWのLEDにおける紫色光の集光用透過レンズとして組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。
その結果、利得率と、スピネル焼結体の熱伝導率との相関関係が認められた。熱伝導率が12W/(m・K)を下回ると、LED素子の発熱によって、利得率は10%以下になり、LED素子の寿命は短く、実用化は不可能であった。スピネル焼結体の熱伝導率が12W/(m・K)〜15W/(m・K)の範囲では、利得率は15.8%〜16.4%になり、実用化のレベルに達した。また、熱伝導率が15W/(m・K)以上では、利得率が17.3%以上になり、さらに放熱性が改善された。
実施例6
スピネル粉末(組成MgO・nAl2O3)(n=1.05〜1.30)を予備成形し、成形体をグラファイト製の容器に入れ、真空中、1500℃、34MPaで加圧焼結をした。得られたスピネル焼結体を、HIPを用いて、Ar雰囲気中、1665℃、2×102MPaで多結晶化した。その後、厚さ1mmの板状体に研磨加工し、コントラスト値、直線透過率および熱伝導率を測定した。直線透過率は、波長350nm、500nm、1000nmと4500nmの入射光により測定した。その結果を表2に示す。
スピネル粉末(組成MgO・nAl2O3)(n=1.05〜1.30)を予備成形し、成形体をグラファイト製の容器に入れ、真空中、1500℃、34MPaで加圧焼結をした。得られたスピネル焼結体を、HIPを用いて、Ar雰囲気中、1665℃、2×102MPaで多結晶化した。その後、厚さ1mmの板状体に研磨加工し、コントラスト値、直線透過率および熱伝導率を測定した。直線透過率は、波長350nm、500nm、1000nmと4500nmの入射光により測定した。その結果を表2に示す。
比較例6
スピネル粉末(組成MgO・nAl2O3)(n=0.95〜1.00、1.325〜1.40)を原料粉末とした以外は実施例6と同様にしてスピネル焼結体を製造し、コントラスト値、直線透過率および熱伝導率を測定した。測定の結果を表2に示す。
スピネル粉末(組成MgO・nAl2O3)(n=0.95〜1.00、1.325〜1.40)を原料粉末とした以外は実施例6と同様にしてスピネル焼結体を製造し、コントラスト値、直線透過率および熱伝導率を測定した。測定の結果を表2に示す。
その結果、コントラスト値が300以上であるスピネル焼結体は、偏光特性が良好であり、nが1.05〜1.30の範囲にあった。これらのスピネル焼結体は、波長500nmの光線による直線透過率が70%以上であり、波長350nmの光線による直線透過率は60%以上であった。また、熱伝導率は、12W/(m・K)以上であった。
これらのうち、コントラスト値が1000以上のスピネル焼結体は、nが1.07〜1.125の範囲にあり、波長500nmの光線による直線透過率は80%以上であり、波長350nmの光線による直線透過率は70%以上であった。また、熱伝導率は、17W/(m・K)以上であった。
コントラスト値が300未満のスピネル焼結体は、偏光特性において実用上、十分ではなく、nは0.95〜1.00と1.325〜1.40の範囲にあった。これらのスピネル焼結体は、波長500nmの光線による直線透過率が70%未満であり、波長350nmの光線による直線透過率も60%未満であった。また、熱伝導率は、n=1の場合を除いて、12W/(m・K)未満であった。
実施例7
実施例6で製造した板状のスピネル焼結体を光透過窓として液晶パネルに組み込み、波長350nm〜4500nmの範囲で画像を評価した。
実施例6で製造した板状のスピネル焼結体を光透過窓として液晶パネルに組み込み、波長350nm〜4500nmの範囲で画像を評価した。
比較例7
比較例6で製造した板状のスピネル焼結体を透過窓として液晶パネルに組み込み、実施例7と同様にして、波長350nm〜4500nmの範囲で画像を評価した。
比較例6で製造した板状のスピネル焼結体を透過窓として液晶パネルに組み込み、実施例7と同様にして、波長350nm〜4500nmの範囲で画像を評価した。
その結果、映し出された映像は、n=1.05〜1.30の範囲内において、コントラストのムラが認められず、石英ガラスとほぼ同等であり、良好と評価できた。特に、n=1.07〜1.125の範囲内にあるスピネル焼結体については、石英ガラスと全く遜色が無く、またはそれ以上の極めて良好な画質が得られた。
実施例8
実施例6のスピネル焼結体について、反射を抑制して光透過性を向上させるために、MgF2からなる低屈折率材を厚さ0.1μmコーティングし、実施例7と同様の実装評価をした。
実施例6のスピネル焼結体について、反射を抑制して光透過性を向上させるために、MgF2からなる低屈折率材を厚さ0.1μmコーティングし、実施例7と同様の実装評価をした。
比較例8
比較例6のスピネル焼結体について、反射を抑制して光透過性を向上させるために、実施例8と同様に、MgF2からなる低屈折率材を厚さ0.1μmコーティングし、実施例7と同様の実装評価をした。
比較例6のスピネル焼結体について、反射を抑制して光透過性を向上させるために、実施例8と同様に、MgF2からなる低屈折率材を厚さ0.1μmコーティングし、実施例7と同様の実装評価をした。
その結果、n=1.05〜1.30のスピネル焼結体は、波長350nm〜1000nmの範囲で、映し出される映像が極めて良好であった。しかしながら、n=1.05〜1.30の範囲外では、コントラストにムラが認められ、不良と評価された。
実施例9
実施例6で製造したスピネル焼結体を、出力130mWの青色レーザの透過窓として組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。利得率は5%以上を目指した。
実施例6で製造したスピネル焼結体を、出力130mWの青色レーザの透過窓として組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。利得率は5%以上を目指した。
比較例9
比較例6で製造したスピネル焼結体を、実施例9と同様に、出力130mWの青色レーザの透過窓として組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。
比較例6で製造したスピネル焼結体を、実施例9と同様に、出力130mWの青色レーザの透過窓として組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。
その結果、利得率と、スピネル焼結体の熱伝導率との相関関係が認められた。熱伝導率が12W/(m・K)を下回ると、レーザ素子自体の発熱によって利得率は4.3%以下になり、レーザ素子の寿命が短く、実用化は不可能であった。スピネル焼結体の熱伝導率が12W/(m・K)〜15W/(m・K)の範囲では、利得率は5.5%〜5.7%になり、実用化レベルに達した。また、15W/(m・K)以上では、利得率が6.0%以上になり、さらに放熱特性が改善され、信頼性が向上した。
実施例10
実施例6で製造したスピネル焼結体を、出力35mWのLEDにおける紫色光の集光用透過レンズとして組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。利得率は15%以上を目指した。
実施例6で製造したスピネル焼結体を、出力35mWのLEDにおける紫色光の集光用透過レンズとして組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。利得率は15%以上を目指した。
比較例10
比較例6で製造したスピネル焼結体を、実施例10と同様に、出力35mWのLEDにおける紫色光の集光用透過レンズとして組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。
比較例6で製造したスピネル焼結体を、実施例10と同様に、出力35mWのLEDにおける紫色光の集光用透過レンズとして組み込み、CAN型のパッケージに実装し、利得率を評価した。
その結果、利得率と、スピネル焼結体の熱伝導率との相関関係が認められた。熱伝導率が12W/(m・K)を下回ると、LED素子の発熱によって、利得率は10%以下になり、LED素子の寿命は短く、実用化は不可能であった。スピネル焼結体の熱伝導率が12W/(m・K)〜15W/(m・K)の範囲では、利得率は15.8%〜16.4%になり、実用化のレベルに達した。また、熱伝導率が15W/(m・K)以上では、利得率が17.3%以上になり、さらに放熱性が良くなった。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
発光ダイオード、レーザデバイスまたは液晶プロジェクターなどの発光装置用の光透過窓および光透過レンズを提供することができる。この光透過窓および光透過レンズは、直線透過率が高く、偏光特性に優れているため、高密度の光信号を送信させることができ、熱放散性に優れる。
Claims (11)
- 偏光方向が平行である2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量を、偏光方向が直交する2枚の偏光板に挟まれた配置での光透過量で除した商をコントラスト値とするとき、白色光による前記コントラスト値が300以上であることを特徴とするスピネル焼結体。
- 前記焼結体は、組成が、MgO・nAl2O3であり、nが、1.05〜1.30である請求項1に記載のスピネル焼結体。
- 前記コントラスト値が、1000以上である請求項1または2に記載のスピネル焼結体。
- 前記焼結体は、組成が、MgO・nAl2O3であり、nが、1.07〜1.125である請求項1〜3のいずれかに記載のスピネル焼結体。
- 前記焼結体は、厚さ1mmでの、波長500nmの光線による直線透過率が、70%以上である請求項1〜4のいずれかに記載のスピネル焼結体。
- 前記焼結体は、厚さ1mmでの、波長350nmの光線による直線透過率が、60%以上である請求項1〜5のいずれかに記載のスピネル焼結体。
- 前記焼結体は、熱伝導率が、12W/(m・K)以上である請求項1〜6のいずれかに記載のスピネル焼結体。
- 請求項1〜7のいずれかに記載のスピネル焼結体を用いたことを特徴とする発光装置用の光透過窓。
- 請求項1〜7のいずれかに記載のスピネル焼結体を用いたことを特徴とする液晶パネルの光透過窓。
- 請求項1〜7のいずれかに記載のスピネル焼結体を用いたことを特徴とするデジタルマイクロミラーデバイスの光透過窓。
- 請求項1〜7のいずれかに記載のスピネル焼結体を用いたことを特徴とする発光装置用の光透過レンズ。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005097526A JP2006273679A (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | スピネル焼結体、光透過窓および光透過レンズ |
EP06730244A EP1873129A4 (en) | 2005-03-30 | 2006-03-28 | SPINEL SINTERED BODY, LIGHT TRANSMISSION WINDOW AND LIGHT TRANSMISSION LINSE |
US11/910,229 US7741238B2 (en) | 2005-03-30 | 2006-03-28 | Spinel sintered body, light transmitting window and light transmitting lens |
CN2006800106847A CN101151225B (zh) | 2005-03-30 | 2006-03-28 | 尖晶石烧结体、光透过窗以及光透过透镜 |
PCT/JP2006/306296 WO2006106670A1 (ja) | 2005-03-30 | 2006-03-28 | スピネル焼結体、光透過窓および光透過レンズ |
KR1020077022235A KR20080000576A (ko) | 2005-03-30 | 2006-03-28 | 스피넬 소결체, 광 투과창 및 광 투과 렌즈 |
US12/776,215 US8097550B2 (en) | 2005-03-30 | 2010-05-07 | Spinel sintered body, light transmitting window and light transmitting lens |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005097526A JP2006273679A (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | スピネル焼結体、光透過窓および光透過レンズ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006273679A true JP2006273679A (ja) | 2006-10-12 |
Family
ID=37073236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005097526A Pending JP2006273679A (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | スピネル焼結体、光透過窓および光透過レンズ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7741238B2 (ja) |
EP (1) | EP1873129A4 (ja) |
JP (1) | JP2006273679A (ja) |
KR (1) | KR20080000576A (ja) |
CN (1) | CN101151225B (ja) |
WO (1) | WO2006106670A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008090909A1 (ja) * | 2007-01-23 | 2008-07-31 | World Lab. Co., Ltd. | 透明スピネルセラミックス及びその製造方法ならびにその透明スピネルセラミックスを用いた光学材料 |
WO2008108276A1 (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | スピネル焼結体、その製造方法、透明基板と液晶プロジェクター |
DE112008003100T5 (de) | 2007-11-26 | 2010-10-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen transparenten Keramikgutträgers und Verfahren zur Herstellung eines Spinellträgers |
DE112008003140T5 (de) | 2007-11-26 | 2010-12-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka-shi | Transparente polykristalline Spinellträger, Verfahren zur Herstellung der Träger und optische Artikel unter Verwendung der Träger |
WO2015181975A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 液晶タッチパネル保護板 |
JPWO2016039164A1 (ja) * | 2014-09-12 | 2017-06-22 | 住友電気工業株式会社 | 液晶保護板および液晶保護板の製造方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007069644A1 (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-21 | Sei Hybrid Products, Inc. | スピネル製透明基板、光学エンジン用透明基板およびそれらを使用したリアプロジェクションテレビ受像機と液晶を利用した画像プロジェクター |
FI20070898A0 (fi) * | 2007-11-23 | 2007-11-23 | Juha Pulkkinen | Uudet estrogeeniaktiivisuutta omaavat beeta-hydroksiketonit ja beeta-alkoksiketonit |
JP5168724B2 (ja) * | 2008-05-23 | 2013-03-27 | 住友電気工業株式会社 | 透明多結晶スピネル基板とその製造方法、および電気光学装置 |
CN102272070B (zh) * | 2008-12-25 | 2014-12-17 | 株式会社根本研究所 | 透光性多晶材料及其制造方法 |
JP5435397B2 (ja) | 2009-04-02 | 2014-03-05 | 住友電気工業株式会社 | スピネル製光透過用窓材及びその製造方法 |
IN2014CN04116A (ja) * | 2011-11-07 | 2015-07-10 | Ceramtec Etec Gmbh | |
AU2013360718A1 (en) * | 2012-12-19 | 2015-07-09 | Ceramtec-Etec Gmbh | Ceramic material |
EP2949633B1 (de) | 2014-05-27 | 2019-04-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Transparente Spinellkeramiken und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE102014210071A1 (de) | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Transparente Spinellkeramiken und Verfahren zu ihrer Herstellung |
KR102066530B1 (ko) | 2014-05-27 | 2020-01-15 | 프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르데룽 데어 안제반텐 포르슝 에 파우 | 투명 스피넬 세라믹 및 그 제조방법 |
US9309156B2 (en) | 2014-05-27 | 2016-04-12 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Transparent spinel ceramics and method for the production thereof |
JP6673492B2 (ja) * | 2016-10-05 | 2020-03-25 | 信越化学工業株式会社 | 透明スピネル焼結体、光学部材、透明スピネル焼結体の製造方法並びに原料粉末の製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5727055B2 (ja) * | 1978-08-14 | 1982-06-08 | ||
JPS59121158A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-13 | 日本碍子株式会社 | 多結晶透明スピネル焼結体の製造法 |
JPH01286956A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 透光性スピネル焼結体の製造方法 |
JPH0416552A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-21 | Mitsubishi Materials Corp | 透光性スピネル焼結体及びその製造方法 |
JP2002353355A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体気密封止容器及び光半導体モジュール |
WO2003057065A1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | 3M Innovative Properties Company | Polycrystalline translucent alumina-based ceramic material |
JP2004079963A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体気密封止容器及びその製造方法、並びに光半導体モジュール |
JP2004212606A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toshiba Corp | 光情報記録装置 |
JP2005070734A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 液晶パネル用透明基板 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6272556A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-03 | 三菱マテリアル株式会社 | 緻密な多結晶MgAl↓2O↓4スピネルの製造方法 |
JPS6473316A (en) | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Canon Kk | Liquid crystal device |
JP2620288B2 (ja) | 1988-03-09 | 1997-06-11 | 住友電気工業株式会社 | 透光性スピネル焼結体の製造方法 |
JPH0248462A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 透光性スピネル焼結体の製造方法 |
JPH08286146A (ja) | 1995-04-04 | 1996-11-01 | Projectavision Inc | 高効率ライトバルブ投射システム |
JP3372482B2 (ja) | 1998-05-29 | 2003-02-04 | シャープ株式会社 | 透過型液晶表示装置 |
JP4193322B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2008-12-10 | 住友電気工業株式会社 | レンズおよびそれを用いた赤外線センサー |
JP2002090873A (ja) | 2000-09-11 | 2002-03-27 | Sharp Corp | 投写型表示装置 |
JP2003075912A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Sony Corp | 液晶プロジェクターおよびその組立方法 |
JP2003131164A (ja) | 2001-10-24 | 2003-05-08 | Hitachi Ltd | 映像表示素子、及びそれを用いた映像表示装置 |
US20040266605A1 (en) * | 2003-06-24 | 2004-12-30 | Villalobos Guillermo R. | Spinel and process for making same |
JP2005208079A (ja) | 2004-01-19 | 2005-08-04 | Sony Corp | 液晶表示素子及び同素子を用いた液晶プロジェクタ装置 |
JP2005208165A (ja) | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Sony Corp | 液晶表示素子及び同素子を用いた液晶プロジェクタ装置 |
DE102004004259B3 (de) * | 2004-01-23 | 2005-11-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Transparente polykristalline Sinterkeramik kubischer Kristallstruktur |
-
2005
- 2005-03-30 JP JP2005097526A patent/JP2006273679A/ja active Pending
-
2006
- 2006-03-28 US US11/910,229 patent/US7741238B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-28 WO PCT/JP2006/306296 patent/WO2006106670A1/ja active Application Filing
- 2006-03-28 EP EP06730244A patent/EP1873129A4/en not_active Withdrawn
- 2006-03-28 CN CN2006800106847A patent/CN101151225B/zh active Active
- 2006-03-28 KR KR1020077022235A patent/KR20080000576A/ko not_active Application Discontinuation
-
2010
- 2010-05-07 US US12/776,215 patent/US8097550B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5727055B2 (ja) * | 1978-08-14 | 1982-06-08 | ||
JPS59121158A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-13 | 日本碍子株式会社 | 多結晶透明スピネル焼結体の製造法 |
JPH01286956A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 透光性スピネル焼結体の製造方法 |
JPH0416552A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-21 | Mitsubishi Materials Corp | 透光性スピネル焼結体及びその製造方法 |
JP2002353355A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体気密封止容器及び光半導体モジュール |
WO2003057065A1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | 3M Innovative Properties Company | Polycrystalline translucent alumina-based ceramic material |
JP2004079963A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体気密封止容器及びその製造方法、並びに光半導体モジュール |
JP2004212606A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toshiba Corp | 光情報記録装置 |
JP2005070734A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 液晶パネル用透明基板 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008090909A1 (ja) * | 2007-01-23 | 2008-07-31 | World Lab. Co., Ltd. | 透明スピネルセラミックス及びその製造方法ならびにその透明スピネルセラミックスを用いた光学材料 |
JP5563766B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2014-07-30 | 株式会社ワールドラボ | 透明スピネルセラミックス及びその製造方法ならびにその透明スピネルセラミックスを用いた光学材料 |
WO2008108276A1 (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | スピネル焼結体、その製造方法、透明基板と液晶プロジェクター |
JP2008214123A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スピネル焼結体、その製造方法、透明基板と液晶プロジェクター |
DE112008003100T5 (de) | 2007-11-26 | 2010-10-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen transparenten Keramikgutträgers und Verfahren zur Herstellung eines Spinellträgers |
DE112008003140T5 (de) | 2007-11-26 | 2010-12-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka-shi | Transparente polykristalline Spinellträger, Verfahren zur Herstellung der Träger und optische Artikel unter Verwendung der Träger |
WO2015181975A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 液晶タッチパネル保護板 |
JPWO2015181975A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2017-04-20 | 住友電気工業株式会社 | 液晶タッチパネル保護板 |
JPWO2016039164A1 (ja) * | 2014-09-12 | 2017-06-22 | 住友電気工業株式会社 | 液晶保護板および液晶保護板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080000576A (ko) | 2008-01-02 |
US20100220393A1 (en) | 2010-09-02 |
US7741238B2 (en) | 2010-06-22 |
US8097550B2 (en) | 2012-01-17 |
US20090067077A1 (en) | 2009-03-12 |
EP1873129A4 (en) | 2011-04-13 |
EP1873129A1 (en) | 2008-01-02 |
WO2006106670A1 (ja) | 2006-10-12 |
CN101151225A (zh) | 2008-03-26 |
CN101151225B (zh) | 2012-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006273679A (ja) | スピネル焼結体、光透過窓および光透過レンズ | |
JP4830911B2 (ja) | スピネル焼結体、その製造方法、透明基板と液晶プロジェクター | |
TWI663141B (zh) | 光波長轉換構件及發光裝置 | |
US20090029071A1 (en) | Transparent Spinel Substrate, Transparent Substrate for Optical Engine, Rear Projection Television Receiver Using Them and Image Projector Using Liquid Crystal | |
JP2007108734A (ja) | 光学素子及び同光学素子から成る撮像光学素子 | |
JPWO2019004435A1 (ja) | 偏光板、およびそれを用いた画像表示装置ならびに移動体 | |
JP2007178536A (ja) | 複屈折素子とその製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置 | |
JP2008081377A (ja) | 透光性セラミックス | |
JP4145810B2 (ja) | 液晶パネル用透明基板 | |
JP2008203493A (ja) | 映像投射装置 | |
EP2998768A1 (en) | Optical component | |
JP2010024107A (ja) | 透光性セラミックス | |
JP2008097014A (ja) | 液晶パネル用透明基板 | |
US20100247812A1 (en) | Transparent polycrystalline spinel substrate and method of producing same, and optical article using said substrate | |
JP4253474B2 (ja) | 光学素子とその製造方法及びカラー液晶プロジェクター | |
WO2007148513A1 (ja) | 透光性セラミック、ならびに光学部品および光学装置 | |
JP2018188354A (ja) | 光学部品、好ましくは耐劣化性を向上させた光学部品およびその製造方法 | |
Qadri et al. | Spinel optics for high energy lasers | |
JP2005099638A (ja) | ガルバノミラー及びこれを用いた映像プロジェクタ装置 | |
JP2007065696A (ja) | 液晶プロジェクター用透明基板 | |
JP2007102242A (ja) | 液晶パネル | |
JP2005338160A (ja) | 偏光板及び液晶プロジェクタ | |
TW202225121A (zh) | 常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法、常磁性石榴石型透明陶瓷、磁性光學材料及磁性光學裝置 | |
JP2023092601A (ja) | 波長変換部材及び発光装置 | |
JP2010285328A (ja) | 透光性セラミックス及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110719 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110831 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110920 |