JPWO2016039164A1 - 液晶保護板および液晶保護板の製造方法 - Google Patents
液晶保護板および液晶保護板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016039164A1 JPWO2016039164A1 JP2016547359A JP2016547359A JPWO2016039164A1 JP WO2016039164 A1 JPWO2016039164 A1 JP WO2016039164A1 JP 2016547359 A JP2016547359 A JP 2016547359A JP 2016547359 A JP2016547359 A JP 2016547359A JP WO2016039164 A1 JPWO2016039164 A1 JP WO2016039164A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- protective plate
- sintered body
- spinel
- crystal protective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F7/00—Compounds of aluminium
- C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
- C01F7/16—Preparation of alkaline-earth metal aluminates or magnesium aluminates; Aluminium oxide or hydroxide therefrom
- C01F7/162—Magnesium aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
- C04B35/443—Magnesium aluminate spinel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
- C04B35/62655—Drying, e.g. freeze-drying, spray-drying, microwave or supercritical drying
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/634—Polymers
- C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C04B35/63416—Polyvinylalcohols [PVA]; Polyvinylacetates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/634—Polymers
- C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C04B35/63424—Polyacrylates; Polymethacrylates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/634—Polymers
- C04B35/63448—Polymers obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C04B35/63488—Polyethers, e.g. alkylphenol polyglycolether, polyethylene glycol [PEG], polyethylene oxide [PEO]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
- C04B35/6455—Hot isostatic pressing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/30—Three-dimensional structures
- C01P2002/32—Three-dimensional structures spinel-type (AB2O4)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/604—Pressing at temperatures other than sintering temperatures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/79—Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/94—Products characterised by their shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/963—Surface properties, e.g. surface roughness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9646—Optical properties
- C04B2235/9653—Translucent or transparent ceramics other than alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
- C09K2323/03—Viewing layer characterised by chemical composition
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
- G02F1/133331—Cover glasses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
優れた強度を有しつつ、製造コストの抑制された、曲面を含む形状を有する液晶保護板および該液晶保護板の製造方法を提供する。スピネル焼結体で形成される液晶保護板であって、前記スピネル焼結体は、平均粒径が10μm以上100μm以下であり、前記液晶保護板は、曲面を含む形状を有する。
Description
本発明は液晶保護板およびその製造方法に関し、より特定的にはスピネル焼結体で形成される液晶保護板およびその製造方法に関する。
液晶画面は、表面を汚れや外気から保護する目的で、保護板を設置して使用される場合が多い。現在、液晶画面の保護板としては、強化ガラスや単結晶サファイヤの基板を用いる技術が提案されている。
強化ガラスは製造コストが安価であるが、強度および硬度の面でさらなる向上が求められている。また、単結晶サファイヤは、強化ガラスに比べて硬度および強度が大きく、保護板としての性能は優れているが、製造コストが非常に高価であり、実用化の観点から問題がある。
そこで、優れた強度を有しつつ、製造コストの抑制された液晶保護板の素材として、スピネル焼結体を用いる技術が考えられる。
一方、近年、各種の携帯デバイスが急速に普及しており、それに伴い、液晶画面の表面形状について、平面形状だけではなく、様々な曲面を含む非平面形状も提案されている。このため、液晶保護板についても、曲面を含む保護板が求められている。
図8Aおよび図8Bを参照して、スピネル焼結体を用いて曲面を含む保護板を得るためには、たとえば立方体形状のスピネル焼結体6を作製し、該スピネル焼結体6に曲面切削を行って、曲面を有する保護板100を切り出す方法が考えられる。
しかし、この方法では、切り出された部分以外のスピネル焼結体が製造ロスとなるため、製造コストが上昇するという問題がある。
そこで、本発明は、優れた強度を有しつつ、製造コストの抑制された、曲面を含む形状を有する液晶保護板および該液晶保護板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る液晶保護板は、スピネル焼結体で形成される液晶保護板であって、前記スピネル焼結体は、平均粒径が10μm以上100μm以下であり、前記液晶保護板は、曲面を含む形状を有する。
本発明の一態様に係る液晶保護板の製造方法は、上記態様の液晶保護板の製造方法であって、外周面に曲面を含む中成形型と、前記中成形型の外周面を一定の間隔を設けて覆う伸縮可能な外成形型とを準備する工程と、前記中成形型と前記外成形型との間に形成される間隙に、スピネル粒子を含む原料混合物を充填する工程と、前記外成形型を加圧して、前記原料混合物を含むスピネル成形体を得る工程と、前記スピネル成形体を焼結して、スピネル焼結体を得る工程とを備える、液晶保護板の製造方法である。
本発明の一態様に係る液晶保護板の製造方法は、上記態様の液晶保護板の製造方法であって、平均粒径が10μm以上100μm以下のスピネル焼結体の平板を準備する工程と、曲面を含む下成形型と、前記下成形型に嵌合する曲面を含む上成形型とを準備する工程と、前記下成形型と前記上成形型との間に前記スピネル焼結体の平板を配置し、前記下成形型および前記上成形型を加熱加圧することにより、前記スピネル焼結体の平板を変形させる工程とを含む、液晶保護板の製造方法である。
上記態様によれば、優れた強度を有しつつ、製造コストの抑制された、曲面を含む形状を有する液晶保護板および該液晶保護板の製造方法を提供することが可能となる。
[本発明の実施形態の説明]
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
本発明の一態様に係る液晶保護板は、(1)スピネル焼結体で形成される液晶保護板であって、前記スピネル焼結体は、平均粒径が10μm以上100μm以下であり、前記液晶保護板は、曲面を含む形状を有する。
スピネル焼結体の粒径は、スピネル焼結体の強度に影響を与える。スピネル焼結体の平均粒径が10μm以上100μm以下であると、スピネル焼結体が優れた強度を有する。したがって、該スピネル焼結体で形成された液晶保護板も、優れた強度を有する。また、液晶保護板は曲面を含む形状を有するため、表面が曲面を含む液晶画面の保護板として用いることができる。
(2)前記液晶保護板は、表面粗さRaが20nm以下であることが好ましく、10nm以下であることがより好ましい。これによると、液晶保護板は高い光透過率を有し、優れた画像表示品質を有することができる。
(3)前記液晶保護板は、Si元素の含有量が20ppm以下であることが好ましい。これによると、高い光透過率を安定して得ることが出来るようになる。
(4)前記液晶保護板は、厚さ1mmにおける波長400nm〜800nmの光の平均光透過率が85%以上が好ましい。これによると、液晶保護板は高い光透過率を有し、優れた画像表示品質を有することができる。
本発明の一態様に係る液晶保護板の製造方法は、(5)上記(1)〜(4)のいずれかに記載の液晶保護板の製造方法であって、外周面に曲面を含む中成形型と、前記中成形型の外周面を一定の間隔を設けて覆う伸縮可能な外成形型とを準備する工程と、前記中成形型と前記外成形型との間に形成される間隙に、スピネル粒子を含む原料混合物を充填する工程と、前記外成形型を加圧して、前記原料混合物を含むスピネル成形体を得る工程と、前記スピネル成形体を焼結して、スピネル焼結体を得る工程とを備える、液晶保護板の製造方法である。
これによると、スピネル焼結体の製造ロスの発生を抑制できるため、強度が優れた、曲面を含む形状を有する液晶保護板の製造コストを抑制することができる。
本発明の一態様に係る液晶保護板の製造方法は、(6)上記(1)〜(4)のいずれかに記載の液晶保護板の製造方法であって、平均粒径が10μm以上100μm以下のスピネル焼結体の平板を準備する工程と、曲面を含む下成形型と、前記下成形型に嵌合する曲面を含む上成形型とを準備する工程と、前記下成形型と前記上成形型との間に前記スピネル焼結体の平板を配置し、前記下成形型および前記上成形型を加熱加圧することにより、前記スピネル焼結体の平板を変形させる工程とを含む、液晶保護板の製造方法である。
これによると、スピネル焼結体の製造ロスの発生を抑制できるため、強度が優れた、曲面を含む形状を有する液晶保護板の製造コストを抑制することができる。
(7)上記(5)または(6)の液晶保護板の製造方法は、さらに前記スピネル焼結体を切断する工程を備えることが好ましい。これによると、保護される液晶画面に適した形状を有する液晶保護板を得ることができる。
(8)上記(5)〜(7)の液晶保護板の製造方法は、さらに前記スピネル焼結体の表面を研磨する工程を備えることが好ましい。これによると、液晶保護板の光透過率が向上し、優れた画像表示品質を有する液晶保護板を得ることができる。
[本発明の実施形態の詳細]
本発明の実施形態にかかる液晶保護板およびその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。
本発明の実施形態にかかる液晶保護板およびその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。
[実施形態1]
<液晶保護板>
本発明の一実施態様に係る液晶保護板は、スピネル焼結体で形成される、曲面を含む形状を有する液晶保護板である。
<液晶保護板>
本発明の一実施態様に係る液晶保護板は、スピネル焼結体で形成される、曲面を含む形状を有する液晶保護板である。
液晶保護板の形状の例を、図1A〜図3Bを用いて説明する。
図1Aおよび図1Bを参照して、液晶保護板100は、上面から見ると矩形であり、側面断面が弧状の形状を有する。図2Aおよび図2Bを参照して、液晶保護板101は、上面から見ると円形であり、側面断面が弧状の形状である、レンズ状の形状を有する。図3Aおよび図3Bを参照して、液晶保護板102は、上面から見ると矩形であり、側面断面が曲線からなる凹部と凸部とを含む。液晶保護板の形状はこれらの形状に限定されず、保護される液晶画面の形状に適する、さまざまな曲面を有する形状とすることができる。なお、本明細書において曲面とは凹部および/または凸部を含む面を意味し、曲面の一部に平面や角部を含んでいてもよい。
図1Aおよび図1Bを参照して、液晶保護板100は、上面から見ると矩形であり、側面断面が弧状の形状を有する。図2Aおよび図2Bを参照して、液晶保護板101は、上面から見ると円形であり、側面断面が弧状の形状である、レンズ状の形状を有する。図3Aおよび図3Bを参照して、液晶保護板102は、上面から見ると矩形であり、側面断面が曲線からなる凹部と凸部とを含む。液晶保護板の形状はこれらの形状に限定されず、保護される液晶画面の形状に適する、さまざまな曲面を有する形状とすることができる。なお、本明細書において曲面とは凹部および/または凸部を含む面を意味し、曲面の一部に平面や角部を含んでいてもよい。
液晶保護板は、表面粗さRaが20nm以下であることが好ましく、10nm以下であることがより好ましく、5nm以下であることがさらに好ましい。これによると、液晶保護板は高い光透過率を有し、表面の散乱が抑えられ、優れた画像表示品質を有することができる。なお、表面粗さRaはJIS規格の算術平均粗さである。算術平均粗さは、表面の粗さを表すパラメータの一種であり以下のように計算される。ある表面の粗さ曲線からその平均線の方向に位置0から位置lまで基準長さだけを抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にX軸を、縦倍率の方向にY軸を取る。粗さ曲線をy=f(x)で表したときに、X軸方向の位置0から位置lまでの領域における算術平均粗さRaは以下の式により求められる。
液晶保護板は、厚さ1mmにおける波長400nm〜800nmの光の平均光透過率が85%以上であることが好ましい。これによると、液晶保護板は高い光透過率を有し、優れた画像表示品質を有することができる。
液晶保護板の大きさは、液晶画面の表面を覆うことができれば特に限定されない。
<スピネル焼結体>
本発明の一実施態様かかる液晶保護板は、スピネル焼結体で形成される。
<スピネル焼結体>
本発明の一実施態様かかる液晶保護板は、スピネル焼結体で形成される。
スピネル焼結体とは、組成式がMgO・nAl2O3(1≦n≦6)で表されるスピネルの焼結体である。スピネル焼結体は多結晶であり複屈折率が発生せず、優れた光透過性を有する。また、スピネル焼結体は機械的強度および耐摩耗性に優れているため、割れ難く、表面が傷つき難い。さらに、耐食性も良好である。したがって、スピネル焼結体で形成される液晶保護板も、優れた光透過性、機械的強度、耐摩耗性および耐食性を有する。
また、スピネル焼結体は、原料が安価であることに加え、粉末冶金技術を用いて製造することができるため、低コストで製造することができる。また形状が限定されない。さらに、サファイヤに比べて加工が容易である。したがって、スピネル焼結体で形成された液晶保護板も、低コストで製造することができる。
前記スピネル焼結体は、平均粒径が10μm以上100μm以下である。一般的に、スピネル焼結体を構成するスピネル粒子の粒径が小さいほど、スピネル焼結体の強度が大きくなるが、光透過率が低下してしまう。本発明者らは、スピネル焼結体を構成するスピネル粒子の粒径と、スピネル焼結体の強度および光透過性との関係を鋭意検討した結果、スピネル焼結体の平均粒径が10μm以上100μm以下であると、強度と光透過性のバランスの良いスピネル焼結体を得ることができることを発見した。
スピネル焼結体の平均粒径は10μm以上100μm以下が好ましく、20μm以上80μm以下がさらに好ましい。スピネル焼結体の平均粒径が小さいほど、たとえば10μm未満であると、光の粒界散乱が増えるため、スピネル焼結体の光透過性が低下してしまう傾向がある。一方、スピネル焼結体の平均粒径が大きいほど、たとえば100μmを超えると、Hall−Petch則によりスピネル焼結体の強度が低下してしまう傾向がある。
なお、スピネル焼結体の平均粒径は、スピネル焼結体で形成される液晶保護板の表面を研磨機(ナノファクター社製NF−300)を用いて鏡面加工した後、一定範囲を光学顕微鏡にて観察し、前記範囲に含まれるすべてのスピネル焼結体の粒径を測定して、平均を算出した値である。
スピネル焼結体は気孔を含み、前記気孔の最大直径は100μm以下であり、かつ直径が10μm以上の気孔数が前記スピネル焼結体1cm3あたり2.0個以下であることが好ましい。これによると、スピネル焼結体を通過する光の散乱が抑制され、スピネル焼結体の光透過性がさらに向上する。さらに、該スピネル焼結体は機械的強度のばらつきの指標であるワイブル係数も向上し、安定した製品が得られる。この優れた機械的性質は、気孔数が少ないことによりもたらされたものと思われる。
スピネル焼結体は、最大直径が100μmを超える気孔を含まないことが好ましい。ここで、「含まない」とは、実質的に含まないとの意味であり、光の散乱因子の増大をもたらさない範囲で、最大直径が100μmを超える気孔が微量に含まれていてもよい。気孔の最大直径が50μm以下の場合は、光の散乱因子がさらに低減されるため好ましい。
スピネル焼結体中に含有される気孔の最大直径は、スピネル焼結体の一定の範囲を、透過光を用いて顕微鏡により観察して測定される。通常、スピネル焼結体を、一定の体積(好ましくは、厚さ10〜15mm、長さ20mm、幅20mm)に切りだして上下面を研磨し、得られたサンプルを顕微鏡写真により観察し、その中に含まれる気孔の直径を測定することにより得ることができる。気孔が球形でない場合は、気孔中の各方向の直径の大きさが異なるが、その中で最大の大きさのものを最大直径とする。
具体的には、スピネル焼結体を厚さ15mm、長さ20mm、幅20mmに切りだし、上下面を研磨してサンプルを準備する。該サンプル10個について、気孔の直径の測定を行う。8個以上のサンプルについて最大直径が100μmを越える気孔が観察されない場合は、最大直径が100μmを超える気孔を実質的に含まないとする。
スピネル焼結体中の直径が10μm以上の気孔数が、前記スピネル焼結体1cm3あたり2.0個以下である点は、スピネル焼結体の一定の体積を、透過光を用いて顕微鏡により観察して測定される。具体的には、スピネル焼結体を、厚さ10〜15mm、長さ20mm、幅20mmに(又は、合計の体積が前記と同じ大きさとなるように複数のスピネル焼結体を)切りだして上下面を研磨し、得られたサンプルを顕微鏡写真により観察して気孔の直径および数を測定する。気孔が球形でない場合は、最大直径が10μm以上の気孔数を測定する。
本発明の一実施態様においては、スピネル焼結体は、組成がMgO・nAl2O3(1.05≦n≦1.30)であることが好ましい。nの値は、1.07≦n≦1.15がさらに好ましく、1.08≦n≦1.09がよりさらに好ましい。これによると、スピネル焼結体は強度と光透過性がバランスよく向上する。したがって、該スピネル焼結体で形成された液晶保護板も、強度と光透過性がバランスよく向上する。
本発明の一実施態様においては、スピネル焼結体は不純物を含むが、前記不純物の平均粒径は20μm以下であり、かつ含有量は10ppm以下であることが好ましい。スピネル焼結体中に含まれる不純物は、気孔等の内部欠陥を形成して光の散乱因子を増大させ、スピネル焼結体の光透過性を低下させる。また、屈折率等にも影響を与える。したがって、不純物の平均粒径は小さいほど好ましく、含有量は少ないほど好ましい。
不純物は、原料粉末に含まれていたり、焼結体を作製する際に混入して、スピネル焼結体中に含まれる。したがって、原料粉末としては高純度、好ましくは、焼結により除去されない成分についての純度が99.9質量%以上のスピネルを用いることが好ましい。また、焼結工程においても不純物の混入がないように管理することが好ましい。
原料粉末に含まれやすい不純物および焼結体を作製する際に混入しやすい不純物としては、具体的には、珪素(Si)、タングステン(W)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、炭素(C)、銅(Cu)、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)などを挙げることができる。焼結工程において、これらの不純物同士が合体あるいは析出して、光学的特性に悪影響を与える大きさの不純物粒子を形成し、光の散乱因子を増大させ、透過性に影響を与えるものと考えられる。特に、Si元素は焼結時にスピネル粉末と反応して液相を生成する。この液相が粒界に存在すると、異相となり、光透過率を低下させるため、Si元素の含有率を20ppm以下とすることにより、高い光透過率を安定して得ることが出来るようになる。かかる観点から、Si元素の含有量は、10ppm以下がより好ましく、7ppm以下がさらに好ましい。W、Co、Fe、C、Cu、Sn、Zn、Niも合体あるいは析出することにより光透過率を低下させるため、W、Co、Fe、C、Cu、Sn、Zn、Niの合計含有量が10ppm以下、より好ましくは5ppm以下となるように原料粉末の純度、焼結工程の管理を行うことが好ましい。
[実施形態2]
<スピネル焼結体の製造方法>
本実施形態に係るスピネル焼結体の製造方法について、図4および図5A〜図5Eを用いて説明する。図4は、実施形態2の液晶保護板の製造工程を示すフローチャートである。図5A〜図5Eは、実施形態2の液晶保護板の製造方法を説明する図である。なお、図4および図5A〜図5Eは、図1Aおよび図1Bに示す形状を有する液晶保護板の製造方法を示している。
<スピネル焼結体の製造方法>
本実施形態に係るスピネル焼結体の製造方法について、図4および図5A〜図5Eを用いて説明する。図4は、実施形態2の液晶保護板の製造工程を示すフローチャートである。図5A〜図5Eは、実施形態2の液晶保護板の製造方法を説明する図である。なお、図4および図5A〜図5Eは、図1Aおよび図1Bに示す形状を有する液晶保護板の製造方法を示している。
スピネル焼結体の製造方法は、外周面に曲面を含む中成形型1と、前記中成形型1の外周面を一定の間隔を設けて覆う伸縮可能な外成形型2とを準備する工程(S11)と、前記中成形型1と前記外成形型2との間に形成される間隙3に、スピネル粒子を含む原料混合物4を充填する工程(S12)と、前記外成形型2を加圧して、前記原料混合物4を含むスピネル成形体5を得る工程(S13)と、前記スピネル成形体5を焼結して、スピネル焼結体6を得る工程(S14)とを備える。
<中成形型と外成形型を準備する工程(S11)>
まず、外周面に曲面を含む中成形型1を準備する。中成形型1の外周面の曲面は、所望の液晶保護板の曲面形状に対応している。たとえば、図1Aおよび図1Bに示す形状の液晶保護板を得るためには、円柱状の中成形型1を用いることができる。中成形型1の材質は、たとえば鉄などの金属を用いることができる。
まず、外周面に曲面を含む中成形型1を準備する。中成形型1の外周面の曲面は、所望の液晶保護板の曲面形状に対応している。たとえば、図1Aおよび図1Bに示す形状の液晶保護板を得るためには、円柱状の中成形型1を用いることができる。中成形型1の材質は、たとえば鉄などの金属を用いることができる。
また、該中成形型1の外周面を一定の間隔を設けて覆う伸縮可能な外成形型2を準備する。たとえば、外成形型2の形状は、内周面の直径が、中成形型1の外周面の直径よりも1mm〜100mm程度大きい円筒形状とすることができる。外成形型2の材質は、たとえばゴムを用いることができる。中成形型1の外側に外成形型2を配置することで、中成形型1および外成形型2の間には、間隙3が形成される。
<原料混合物を充填する工程(S12)>
次に、中成形型1と外成形型2との間に形成される間隙3に、スピネル粒子を含む原料混合物4を充填する。原料混合物4は、以下の工程で準備することができる。
次に、中成形型1と外成形型2との間に形成される間隙3に、スピネル粒子を含む原料混合物4を充填する。原料混合物4は、以下の工程で準備することができる。
まず、スピネル粒子を準備し、該スピネル粒子を分散媒に分散させてスラリーを作製する。スラリーの作製は、高純度のスピネル粒子、分散媒、分散剤等を適量配合し機械的に撹拌混合して行うことができる。機械的な撹拌混合の方法としては、ボールミルにより混合する方法、超音波槽を用いて外部より超音波を照射する方法、超音波ホモジナイザーにより超音波を照射する方法を挙げることができる。スピネル粒子は、分散媒中で容易に分散し、均一なスラリーとなりやすいこと、セラミックスボール等を使用する分散方法は、不純物となる酸化物あるいは塩類が混入しやすいと考えられることから、超音波を用いる方法が好ましい。撹拌混合時間は該スラリーの量や超音波の照射量により適宜調整するべきであるが、例えばスラリー量が10リットルで、照射能力が25キロヘルツ程度の超音波槽を用いる場合、30分以上行うことが望ましい。スピネル粒子を分散する分散媒としては、水や各種有機溶媒を用いることができる。撹拌混合後は、静置沈降、遠心分離、ロータリーエバポレーター等による減圧濃縮等を行い、スラリー中のスピネル濃度を高めることもできる。
次にこのスラリーをスプレードライ等により顆粒状として、原料混合物4を得ることができる。
均一な分散を可能にするためポリアクリル酸アンモニウム塩(分散媒が水の場合)やオレイン酸エチル、ソルビタンモノオレート、ソルビンタントリオレート、ポリカルボン酸系(分散媒が有機溶媒の場合)等の分散剤や、顆粒の形成を容易にするためポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、各種アクリル系ポリマー、メチルセルロース、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール系、各種ワックス、各種多糖類等の有機バインダーをスラリーに添加してもよい。
原料のスピネル粒子は高純度のものが望ましい。原料中に含まれる有機物、ハロゲンや水は1次焼結の工程で原料中より除去され、スピネル焼結体の特徴を損うものではないので、1次焼結前の段階でのこれらの不純物の混入は許容される。
<スピネル成形体を得る工程(S13)>
次に、外成形型2を加圧して、原料混合物4を含むスピネル成形体5を得る。外成形型2は伸縮可能な材料から形成されているため、加圧すると中成形型1の方向へ収縮するように変形する。一方、中成形型1は金属などの変形しにくい材質でできているため、加圧により変形しない。したがって、間隙3に充填された原料混合物4は外成形型2の変形によりプレスされ、スピネル成形体5となる。スピネル成形体5の形状は、中成形型1の外周面の形状および外成形型2の内周面の形状によって制御することができる。
次に、外成形型2を加圧して、原料混合物4を含むスピネル成形体5を得る。外成形型2は伸縮可能な材料から形成されているため、加圧すると中成形型1の方向へ収縮するように変形する。一方、中成形型1は金属などの変形しにくい材質でできているため、加圧により変形しない。したがって、間隙3に充填された原料混合物4は外成形型2の変形によりプレスされ、スピネル成形体5となる。スピネル成形体5の形状は、中成形型1の外周面の形状および外成形型2の内周面の形状によって制御することができる。
加圧の方法としては、冷間等方圧プレス(CIP)を挙げることができる。加圧の圧力は、好ましくは、1次焼結後のスピネル成形体の相対密度が95〜98%の範囲になる範囲から選択され、通常100〜300MPaである。
<スピネル焼結体を得る工程(S14)>
次に、スピネル成形体5を焼結して、スピネル焼結体6を得る。焼結工程は、1次焼結工程および2次焼結工程を含むことができる。
次に、スピネル成形体5を焼結して、スピネル焼結体6を得る。焼結工程は、1次焼結工程および2次焼結工程を含むことができる。
1次焼結では、スピネル成形体5を、所定の常圧または減圧(真空)雰囲気下、1500〜1900℃に加熱して焼結する。常圧または減圧(真空)雰囲気としては、水素等の還元雰囲気やAr等の不活性ガスの雰囲気が好ましい。雰囲気の圧力としては、減圧(真空)が好ましく、具体的には、1〜200Pa程度が好ましい。1次焼結の時間は、1〜5時間程度が好ましい。
1次焼結後のスピネル1次焼結体の相対密度は95〜98%の範囲とすることが好ましい。ここで相対密度とは、スピネルの理論密度(25℃で3.60g/cm3)に対する実際の密度の比(理論密度比。%で表示する)を表し、例えば、相対密度95%のスピネルの密度(25℃)は3.42g/cm3である。
スピネル1次焼結体の相対密度が95%未満の場合は、2次焼結工程における焼結が進みにくく透明なスピネル焼結体が得られにくい。一方、この相対密度が98%を超える場合は、2次焼結工程においてスピネル成形体内に既に存在している気孔の合体が進みやすく、最大直径が100μmを超える気孔が生成しやすい。また気孔数も増え、スピネル焼結体1cm3あたりの直径10μm以上の気孔数が2.0個以下のスピネル焼結体が得られにくくなる。
1次焼結前の成形体の密度は、成形時のプレスの圧力により変動する。また、1次焼結工程後のスピネル成形体の相対密度は、1次焼結前の成形体の密度や1次焼結の温度や時間により変動する。従って、95〜98%の範囲の相対密度は、成形時のプレスの圧力や1次焼結の温度や時間を調整することにより得ることができる。
1次焼結工程により得られたスピネル1次焼結体は、2次焼結される。2次焼結では、成形体を、加圧下、1500〜2000℃、好ましくは1600〜1900℃に加熱して焼結する。加圧の圧力としては、5〜300MPaの範囲であり、好ましくは50〜250MPa程度、より好ましくは100〜200MPa程度である。2次焼結の時間は、1〜5時間程度が好ましい。2次焼結の雰囲気としては、Ar等の不活性ガスの雰囲気が好ましく挙げられる。
2次焼結工程後のスピネル2次焼結体の相対密度は99.6%以上であることが好ましい。スピネル成形体の2次焼結後の相対密度は、2次焼結工程における圧力や温度および2次焼結の時間により変動する。従って、99.6%以上の相対密度は、2次焼結工程における圧力や温度および2次焼結の時間を調整することにより得ることができる。
以上のようにして、2次焼結工程後のスピネル焼結体の相対密度が99.6%以上となるように調整することにより、焼結工程中のスピネルの粒成長が制御され、スピネルの粒成長に伴う微細な気孔の合体を抑制することができる。その結果、最大直径が100μmを超えるような気孔の発生が抑制され、また気孔数が抑制されたスピネル焼結体を得ることができる。
<スピネル焼結体を切断する工程(S15)>
上記の工程で得られたスピネル焼結体6は、所定の形状へ切断され、液晶保護板に加工される。たとえば図1Aおよび図1Bに示す形状の液晶保護板を得るためには、スピネル焼結体6を、図5Dに示すA−A線およびB−B線に沿って切断することができる。
上記の工程で得られたスピネル焼結体6は、所定の形状へ切断され、液晶保護板に加工される。たとえば図1Aおよび図1Bに示す形状の液晶保護板を得るためには、スピネル焼結体6を、図5Dに示すA−A線およびB−B線に沿って切断することができる。
切断の方法は特に限定されないが、たとえば、レーザ照射を用いて切断することができる。液晶保護板の大きさや厚さは、適用される液晶画面の大きさやデザイン等に応じて決定されればよく、特に限定されない。また、液晶保護板の表面に貫通部を形成したり、液晶画面の一部を拡大表示するためにレンズを形成してもよい。
<スピネル焼結体を研磨する工程(S16)>
上記の工程で得られたスピネル焼結体6は、研磨されることによって、液晶保護板に加工される。なお、前記のスピネル焼結体を切断する工程と(S15)、スピネル焼結体を研磨する工程(S16)の順序は特に限定されず、いずれの工程を先に行っても構わない。
上記の工程で得られたスピネル焼結体6は、研磨されることによって、液晶保護板に加工される。なお、前記のスピネル焼結体を切断する工程と(S15)、スピネル焼結体を研磨する工程(S16)の順序は特に限定されず、いずれの工程を先に行っても構わない。
スピネル焼結体6を研磨する際は、表面粗さRaが20nm以下、好ましくは10nm以下となるようにすることが好ましい。研磨の方法は特に限定されないが、たとえば、円筒研削を用いることができる。
<反射防止コーティング層を形成する工程>
また、必要に応じて反射防止コーティング層や光学的作用を行なう層を、液晶保護板の表面に形成することもできる。例えば液晶保護板の片面または両面に、反射防止コーティング層を形成することにより光透過機能をより向上させることができる。
また、必要に応じて反射防止コーティング層や光学的作用を行なう層を、液晶保護板の表面に形成することもできる。例えば液晶保護板の片面または両面に、反射防止コーティング層を形成することにより光透過機能をより向上させることができる。
反射防止コーティング層は、例えば金属酸化物や金属弗化物の層であり、その形成方法としては、従来公知のPVD法(物理蒸着法)、具体的には、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等を用いることができる。
[実施形態3]
本実施態様に係るスピネル焼結体の製造方法について、図6および図7A〜図7Dを用いて説明する。図6は、実施形態3の液晶保護板の製造工程を示すフローチャートである。図7A〜図7Dは、実施形態3の液晶保護板の製造方法を説明する図である。なお、図6および図7A〜図7Dは、図1Aおよび図1Bに示す形状を有する液晶保護板の製造方法を示している。
本実施態様に係るスピネル焼結体の製造方法について、図6および図7A〜図7Dを用いて説明する。図6は、実施形態3の液晶保護板の製造工程を示すフローチャートである。図7A〜図7Dは、実施形態3の液晶保護板の製造方法を説明する図である。なお、図6および図7A〜図7Dは、図1Aおよび図1Bに示す形状を有する液晶保護板の製造方法を示している。
スピネル焼結体の製造方法は、平均粒径が10μm以上100μm以下のスピネル焼結体の平板16を準備する工程(S21)と、曲面を含む下成形型8と、前記下成形型8に嵌合する曲面を含む上成形型7とを準備する工程(S22)と、前記下成形型8と前記上成形型7との間に前記スピネル焼結体の平板16を配置し、前記下成形型8および前記上成形型7を加熱加圧することにより、前記スピネル焼結体の平板16を変形させる工程(S23)とを含む、
<スピネル焼結体の平板を準備する工程(S21)>
まず、平均粒径が10μm以上100μm以下のスピネル焼結体の平板16を準備する。スピネル焼結体の平板16は、たとえば、以下の方法で作製することができる。まず、実施形態2で用いた原料混合物と同様の原料混合物を準備し、該原料混合物を通常のスピネル焼結体の作製で用いられる成形型に充填した後、実施形態2と同様の条件で成形および焼結を行い、たとえば、立方体形状のスピネル焼結体6を作製する。該スピネル焼結体6を、レーザ照射を用いて、図7AのC1−C1線、C2−C2線などに沿って所望の厚みに切断し、スピネル焼結体の平板16を得ることができる。
<スピネル焼結体の平板を準備する工程(S21)>
まず、平均粒径が10μm以上100μm以下のスピネル焼結体の平板16を準備する。スピネル焼結体の平板16は、たとえば、以下の方法で作製することができる。まず、実施形態2で用いた原料混合物と同様の原料混合物を準備し、該原料混合物を通常のスピネル焼結体の作製で用いられる成形型に充填した後、実施形態2と同様の条件で成形および焼結を行い、たとえば、立方体形状のスピネル焼結体6を作製する。該スピネル焼結体6を、レーザ照射を用いて、図7AのC1−C1線、C2−C2線などに沿って所望の厚みに切断し、スピネル焼結体の平板16を得ることができる。
<下成形型と上成形型を準備する工程(S22)>
また、曲面を含む下成形型8と、前記下成形型8に嵌合する曲面を含む上成形型7とを準備する。下成形型8の曲面の形状は、保護される液晶画面の形状に対応している。上成形型7は、下成形型8と嵌合する曲面を含む。下成形型8および上成形型7の材質は特に限定されず、たとえば、鉄などの金属を用いることができる。
また、曲面を含む下成形型8と、前記下成形型8に嵌合する曲面を含む上成形型7とを準備する。下成形型8の曲面の形状は、保護される液晶画面の形状に対応している。上成形型7は、下成形型8と嵌合する曲面を含む。下成形型8および上成形型7の材質は特に限定されず、たとえば、鉄などの金属を用いることができる。
<スピネル焼結体の平板を変形させる工程(S23)>
次に、下成形型8と上成形型7との間にスピネル焼結体の平板16を配置し、下成形型8および上成形型7を加熱加圧することにより、スピネル焼結体の平板16を変形させる。加熱温度は1200℃以上1800℃以下が好ましく、1200°以上1300℃以下がさらに好ましい。加熱温度が1800℃を超えると、スピネル焼結体の平板16の表面がエッチングされ、表面の平滑性が損なわれるおそれがある。加圧の圧力は、1MPa以上200MPa以下が好ましく、10MPa以上150MPa以下がさらに好ましい。
次に、下成形型8と上成形型7との間にスピネル焼結体の平板16を配置し、下成形型8および上成形型7を加熱加圧することにより、スピネル焼結体の平板16を変形させる。加熱温度は1200℃以上1800℃以下が好ましく、1200°以上1300℃以下がさらに好ましい。加熱温度が1800℃を超えると、スピネル焼結体の平板16の表面がエッチングされ、表面の平滑性が損なわれるおそれがある。加圧の圧力は、1MPa以上200MPa以下が好ましく、10MPa以上150MPa以下がさらに好ましい。
これにより、スピネル焼結体の平板16を、下成形型8の曲面を被覆することのできる形状に変形できる。よって、平板16を変形して得られた液晶保護板は、保護される液晶画面の表面を被覆することができる形状を含むことができる。
その後、実施形態2と同様に、スピネル焼結体100を切断する工程(S24)および/またはスピネル焼結体100を研磨する工程(S25)を行うことができる。さらに反射防止コーティング層を形成する工程を行うこともできる。
本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。ただし、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。
[実施例1]
<液晶保護板の作製>
[製造例1]
円柱状の金属製の中成形型(直径100mm、長さ50mm)と、円筒状のゴム製の外成形型(内径120mm、外径140mm、長さ50mm)とを準備した。中成形型と外成形型との間隙の厚みは10mmであった。
<液晶保護板の作製>
[製造例1]
円柱状の金属製の中成形型(直径100mm、長さ50mm)と、円筒状のゴム製の外成形型(内径120mm、外径140mm、長さ50mm)とを準備した。中成形型と外成形型との間隙の厚みは10mmであった。
組成がMgO・nAl2O3(n=1.09)のスピネル粒子4750g(純度99.9%以上)、水(分散媒)3100g、ポリカルボン酸アンモニウム40質量%水溶液(分散剤、サンノプコ社製:商品名SN−D5468)125gを、容量40リットルの超音波槽に入れ、超音波を照射しながら、30分間撹拌混合を行った。その後有機バインダーとしてポリビニルアルコール(クラレ社製:商品名PVA−205C)の10質量%溶液を1000gと、可塑剤としてポリエチレングリコール#400(試薬特級)を10g添加し、60分間撹拌混合してスラリーを調製した。
次にスラリーをスプレードライにより顆粒状とし、さらに顆粒の含水率を0.5質量%に調湿した後、中成形型と外成形型との間隙に充填し、196MPaの圧力を外成形型にかけて1次成形し、さらに196MPaの圧力で冷間等方圧プレス(CIP)により2次成形し、スピネル成形体を得た。スピネル成形体は円筒状であった(内径100mm、外径110mm)。
得られた成形体をグラファイト製の容器に入れ、真空中(5Pa以下)で1700℃で2時間で1次焼結した。得られた1次焼結体をアルキメデス法にて相対密度を測定したところ、98%であった。
1次焼結体を、Ar雰囲気下、雰囲気圧力196MPaの条件の下、温度1700℃にて2時間、熱間等方圧プレス(HIP)による加熱、加圧を行い、2次焼結体を得た。得られた2次焼結体をアルキメデス法にて相対密度を測定したところ、99.8%であった。
前記の方法で得られたスピネルの2次焼結体を、高さ方向に沿って6等分に切断した後、主面の両面を研磨機(ナノファクター社製NF−300)で研磨して、表面粗さRaが8nm、厚さ1mmの液晶保護板を得た(体積1.0cm3)。上記液晶保護板は、曲面を含む形状を有する。
[製造例2〜16]
製造例2〜16は、原料スピネル粒子の組成、1次焼結条件、2次焼結条件および液晶保護板の表面粗さRaを表1に示す条件としたほかは、製造例1と同様の方法で曲面を含む形状を有する液晶保護板を作製した。
製造例2〜16は、原料スピネル粒子の組成、1次焼結条件、2次焼結条件および液晶保護板の表面粗さRaを表1に示す条件としたほかは、製造例1と同様の方法で曲面を含む形状を有する液晶保護板を作製した。
<測定>
(モース硬度)
JISに規定された方法に基づき、モース硬度を測定した。結果を表1に示す。
(モース硬度)
JISに規定された方法に基づき、モース硬度を測定した。結果を表1に示す。
(光透過性)
液晶保護板の波長400nm〜800nmにおける平均光透過率(%)を測定した。結果を表1に示す。
液晶保護板の波長400nm〜800nmにおける平均光透過率(%)を測定した。結果を表1に示す。
(曲げ強度)
JISに規定された方法に基づき、3点曲げ強度を測定した。結果を表1に示す。
JISに規定された方法に基づき、3点曲げ強度を測定した。結果を表1に示す。
(気孔の観察)
液晶保護板の表面を光学顕微鏡(ニコン社製T−300)を使用して倍率50倍で観察し、気孔の最大直径と、直径が10μm以上の気孔の焼結体1cm3当たりの数を測定した。結果を表1に示す。
液晶保護板の表面を光学顕微鏡(ニコン社製T−300)を使用して倍率50倍で観察し、気孔の最大直径と、直径が10μm以上の気孔の焼結体1cm3当たりの数を測定した。結果を表1に示す。
(Si元素含有量)
液晶保護板のSi元素の含有量をICP発光分析にて測定した。結果を表1に示す。
液晶保護板のSi元素の含有量をICP発光分析にて測定した。結果を表1に示す。
(密度)
液晶保護板の相対密度をアルキメデス法にて測定した。結果を表1に示す。
液晶保護板の相対密度をアルキメデス法にて測定した。結果を表1に示す。
<評価結果>
製造例1〜16を比較すると、液晶保護板に含まれるスピネル焼結体の平均粒径が10μm以上100μm以下であると(製造例2〜6および8〜16)、液晶保護板は85%以上の優れた平均光透過率および350MPa以上の高い曲げ強度を有することが確認された。また、製造例2〜6および8〜16は、いずれも表面粗さRaが20nm以下、Si元素の含有量が20ppm以下であった。
製造例1〜16を比較すると、液晶保護板に含まれるスピネル焼結体の平均粒径が10μm以上100μm以下であると(製造例2〜6および8〜16)、液晶保護板は85%以上の優れた平均光透過率および350MPa以上の高い曲げ強度を有することが確認された。また、製造例2〜6および8〜16は、いずれも表面粗さRaが20nm以下、Si元素の含有量が20ppm以下であった。
[実施例2]
<液晶保護板の作製>
[製造例17]
下成形型と上成形型とに挟まれる空間部が直方体形状となる成形型を準備した。該成形型の空間部に製造例2と同様の原料混合物を充填し、製造例2と同様の条件で1次成形および2次成形を行い、スピネル成形体を得た。スピネル成形体は直方体形状であった。得られたスピネル成形体をレーザ照射で切断し、主表面が一辺100mmの正方形で、厚さ3mmのスピネル焼結体の平板を得た。
<液晶保護板の作製>
[製造例17]
下成形型と上成形型とに挟まれる空間部が直方体形状となる成形型を準備した。該成形型の空間部に製造例2と同様の原料混合物を充填し、製造例2と同様の条件で1次成形および2次成形を行い、スピネル成形体を得た。スピネル成形体は直方体形状であった。得られたスピネル成形体をレーザ照射で切断し、主表面が一辺100mmの正方形で、厚さ3mmのスピネル焼結体の平板を得た。
次に、図7Cに示す形状の下成形型および上成形型を準備した。下成形型および上成形型の間にスピネル焼結体の平板を配置し、温度1250℃、圧力100MPaで加熱加圧して、平板を変形させた。その後、主面の両面を研磨機(ナノファクター社製NF−300)で研磨して、表面粗さRaが8nm、厚さ1mmの液晶保護板を得た(体積1.0cm3)。上記液晶保護板は、曲面を含む形状を有する。
<測定>
得られた液晶保護板について、実施例1と同様の方法で、モース硬度、平均光透過率、曲げ強度を測定したところ、製造例2と同様の結果であった。したがって、製造例17の製造方法で得られた曲面を含む形状を有する液晶保護板は、優れた光透過率および強度を有することが確認された。
得られた液晶保護板について、実施例1と同様の方法で、モース硬度、平均光透過率、曲げ強度を測定したところ、製造例2と同様の結果であった。したがって、製造例17の製造方法で得られた曲面を含む形状を有する液晶保護板は、優れた光透過率および強度を有することが確認された。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の液晶保護板は、優れた光透過率と強度を有し、曲面を含む形状を有するため、携帯デバイスなどに用いると有益である。
1 中成形型
2 外成形型
3 間隙部
4 原料混合物
5 スピネル成形体
6 スピネル焼結体
7 上成形型
8 下成形型
16 スピネル焼結体の平板
100,101,102 液晶保護板
2 外成形型
3 間隙部
4 原料混合物
5 スピネル成形体
6 スピネル焼結体
7 上成形型
8 下成形型
16 スピネル焼結体の平板
100,101,102 液晶保護板
Claims (8)
- スピネル焼結体で形成される液晶保護板であって、
前記スピネル焼結体は、平均粒径が10μm以上100μm以下であり、
前記液晶保護板は、曲面を含む形状を有する、
液晶保護板。 - 前記液晶保護板は、表面粗さRaが20nm以下である、
請求項1に記載の液晶保護板。 - 前記液晶保護板は、Si元素の含有量が20ppm以下である、
請求項1または請求項2に記載の液晶保護板。 - 前記液晶保護板は、厚さ1mmにおける波長400nm〜800nmの光の平均光透過率が85%以上である、
請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の液晶保護板。 - 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の液晶保護板の製造方法であって、
外周面に曲面を含む中成形型と、前記中成形型の外周面を一定の間隔を設けて覆う伸縮可能な外成形型とを準備する工程と、
前記中成形型と前記外成形型との間に形成される間隙に、スピネル粒子を含む原料混合物を充填する工程と、
前記外成形型を加圧して、前記原料混合物を含むスピネル成形体を得る工程と、
前記スピネル成形体を焼結して、スピネル焼結体を得る工程とを備える、
液晶保護板の製造方法。 - 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の液晶保護板の製造方法であって、
平均粒径が10μm以上100μm以下のスピネル焼結体の平板を準備する工程と、
曲面を含む下成形型と、前記下成形型に嵌合する曲面を含む上成形型とを準備する工程と、
前記下成形型と前記上成形型との間に前記スピネル焼結体の平板を配置し、前記下成形型および前記上成形型を加熱加圧することにより、前記スピネル焼結体の平板を変形させる工程とを含む、
液晶保護板の製造方法。 - 前記液晶保護板の製造方法は、さらに前記スピネル焼結体を切断する工程を備える、
請求項5または請求項6に記載の液晶保護板の製造方法。 - 前記液晶保護板の製造方法は、さらに前記スピネル焼結体の表面を研磨する工程を備える、請求項5〜請求項7のいずれか1項に記載の液晶保護板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014186571 | 2014-09-12 | ||
JP2014186571 | 2014-09-12 | ||
PCT/JP2015/074323 WO2016039164A1 (ja) | 2014-09-12 | 2015-08-28 | 液晶保護板および液晶保護板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016039164A1 true JPWO2016039164A1 (ja) | 2017-06-22 |
Family
ID=55458918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016547359A Pending JPWO2016039164A1 (ja) | 2014-09-12 | 2015-08-28 | 液晶保護板および液晶保護板の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180222763A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2016039164A1 (ja) |
KR (1) | KR20170048402A (ja) |
CN (1) | CN106575055A (ja) |
TW (1) | TW201621417A (ja) |
WO (1) | WO2016039164A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006273679A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スピネル焼結体、光透過窓および光透過レンズ |
WO2007069644A1 (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-21 | Sei Hybrid Products, Inc. | スピネル製透明基板、光学エンジン用透明基板およびそれらを使用したリアプロジェクションテレビ受像機と液晶を利用した画像プロジェクター |
WO2008090909A1 (ja) * | 2007-01-23 | 2008-07-31 | World Lab. Co., Ltd. | 透明スピネルセラミックス及びその製造方法ならびにその透明スピネルセラミックスを用いた光学材料 |
WO2008108276A1 (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | スピネル焼結体、その製造方法、透明基板と液晶プロジェクター |
JP2008276216A (ja) * | 2004-04-22 | 2008-11-13 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2009280455A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 透明多結晶スピネル基板とその製造方法、および電気光学装置 |
US20130271394A1 (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-17 | Tera Xtal Technology Co., Ltd. | Touch panel |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60233663D1 (de) * | 2001-07-26 | 2009-10-22 | Osaka Titanium Technologies Co | Siliciummonoxid-sinterprodukt und herstellungsverfahren dafür |
CN1295168C (zh) * | 2003-07-09 | 2007-01-17 | 山东天虹弧板有限公司 | 微晶玻璃—陶瓷复合曲面板的制造方法 |
JP2009126750A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多結晶透明セラミックス基板の製造方法およびスピネル基板の製造方法 |
JP5435397B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2014-03-05 | 住友電気工業株式会社 | スピネル製光透過用窓材及びその製造方法 |
CN103506622B (zh) * | 2013-09-29 | 2016-02-10 | 成都易态科技有限公司 | 粉末烧结材料的等静压成型模具、成型方法及其附件 |
-
2015
- 2015-08-28 KR KR1020177006729A patent/KR20170048402A/ko unknown
- 2015-08-28 CN CN201580045008.2A patent/CN106575055A/zh not_active Withdrawn
- 2015-08-28 WO PCT/JP2015/074323 patent/WO2016039164A1/ja active Application Filing
- 2015-08-28 US US15/505,938 patent/US20180222763A1/en not_active Abandoned
- 2015-08-28 JP JP2016547359A patent/JPWO2016039164A1/ja active Pending
- 2015-09-10 TW TW104129937A patent/TW201621417A/zh unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008276216A (ja) * | 2004-04-22 | 2008-11-13 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2006273679A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スピネル焼結体、光透過窓および光透過レンズ |
WO2007069644A1 (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-21 | Sei Hybrid Products, Inc. | スピネル製透明基板、光学エンジン用透明基板およびそれらを使用したリアプロジェクションテレビ受像機と液晶を利用した画像プロジェクター |
WO2008090909A1 (ja) * | 2007-01-23 | 2008-07-31 | World Lab. Co., Ltd. | 透明スピネルセラミックス及びその製造方法ならびにその透明スピネルセラミックスを用いた光学材料 |
WO2008108276A1 (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | スピネル焼結体、その製造方法、透明基板と液晶プロジェクター |
JP2009280455A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 透明多結晶スピネル基板とその製造方法、および電気光学装置 |
US20130271394A1 (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-17 | Tera Xtal Technology Co., Ltd. | Touch panel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106575055A (zh) | 2017-04-19 |
US20180222763A1 (en) | 2018-08-09 |
TW201621417A (zh) | 2016-06-16 |
KR20170048402A (ko) | 2017-05-08 |
WO2016039164A1 (ja) | 2016-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6195838B2 (ja) | 透明セラミック | |
TWI401124B (zh) | Tungsten alloy particles, a processing method using the same, and a method for producing the same | |
JP5435397B2 (ja) | スピネル製光透過用窓材及びその製造方法 | |
JP6264846B2 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP2014088309A (ja) | 透明セスキオキサイド焼結体の製造方法及びその製造方法により製造された透明セスキオキサイド焼結体 | |
JP2001322871A (ja) | 希土類元素を含有する酸化物焼結体およびその製造方法 | |
JP6144858B1 (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法 | |
US10633290B2 (en) | High strength transparent ceramic using corundum powder and methods of manufacture | |
WO2016039164A1 (ja) | 液晶保護板および液晶保護板の製造方法 | |
JP6269827B2 (ja) | 液晶タッチパネル保護板 | |
TWI621602B (zh) | LCD touch panel protection board | |
JP2010243179A (ja) | 時計用のカバーグラス及びその製造方法 | |
JP6367122B2 (ja) | アルミナ焼結体、砥粒、砥石、研磨布、及びアルミナ焼結体の製造方法 | |
TW201736318A (zh) | 氧化物燒結體、其製造方法及濺鍍靶材 | |
TWI683018B (zh) | Izo靶材及其製造方法 | |
JP6149999B1 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP5008142B2 (ja) | 酸化インジウム粉末 | |
CN106278248A (zh) | 溅射靶 | |
WO2023032456A1 (ja) | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット材 | |
WO2017104802A1 (ja) | スパッタリングターゲット | |
WO2019202753A1 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび酸化物薄膜の製造方法 | |
WO2018008207A1 (ja) | 配向アルミナ焼結体及びその製法 | |
JP2014062007A (ja) | 透光性セラミックス、その製造方法、光学素子およびその製造方法 | |
JP2019137875A (ja) | スパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190730 |