KR20170048402A

KR20170048402A - 액정 보호판 및 액정 보호판의 제조 방법

Info

Publication number: KR20170048402A
Application number: KR1020177006729A
Authority: KR
Inventors: 게이이치로 게시; 시게루 나카야마; 마사시 요시무라
Original assignee: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Priority date: 2014-09-12
Filing date: 2015-08-28
Publication date: 2017-05-08
Also published as: CN106575055A; JPWO2016039164A1; WO2016039164A1; TW201621417A; US20180222763A1

Abstract

우수한 강도를 가지면서 제조 비용이 억제된, 곡면을 포함하는 형상을 갖는 액정 보호판 및 그 액정 보호판의 제조 방법을 제공한다. 스피넬 소결체로 형성되는 액정 보호판으로서, 상기 스피넬 소결체는 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이며, 상기 액정 보호판은 곡면을 포함하는 형상을 가진다.

Description

액정 보호판 및 액정 보호판의 제조 방법{LIQUID-CRYSTAL-DISPLAY PROTECTION PLATE AND METHOD FOR PRODUCING LIQUID-CRYSTAL-DISPLAY PROTECTION PLATE}

본 발명은 액정 보호판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 특정적으로는 스피넬 소결체로 형성되는 액정 보호판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

액정 화면은, 표면을 오염이나 외기로부터 보호할 목적으로, 보호판을 설치하여 사용하는 경우가 많다. 현재, 액정 화면의 보호판으로는, 강화 유리나 단결정 사파이어의 기판을 이용하는 기술이 제안되어 있다.

강화 유리는 제조 비용이 저가이지만, 강도 및 경도의 면에서 더욱 향상하는 것이 요구되고 있다. 또한, 단결정 사파이어는, 강화 유리에 비교해서 경도 및 강도가 커서 보호판으로서의 성능은 우수하지만, 제조 비용이 매우 고가이므로 실용화의 관점에서 문제가 있다.

따라서, 우수한 강도를 가지면서 제조 비용이 억제된 액정 보호판의 소재로서, 스피넬 소결체를 이용하는 기술이 고려된다.

한편, 최근 각종 휴대 디바이스가 급속하게 보급되고 있고, 그에 따라, 액정 화면의 표면 형상에 관해, 평면 형상뿐만 아니라 여러가지 곡면을 포함하는 비평면 형상도 제안되어 있다. 이 때문에, 액정 보호판에 관해서도, 곡면을 포함하는 보호판이 요구되고 있다.

도 8a 및 도 8b를 참조하여, 스피넬 소결체를 이용하여 곡면을 포함하는 보호판을 얻기 위해서는, 예를 들면 입방체 형상의 스피넬 소결체(6)를 제작하고, 그 스피넬 소결체(6)에 곡면 절삭을 행하여, 곡면을 갖는 보호판(100)을 절취하는 방법이 고려된다.

그러나, 이 방법에서는, 절취된 부분 이외의 스피넬 소결체가 제조 로스가 되기 때문에, 제조 비용이 상승한다고 하는 문제가 있다.

따라서, 본 발명은, 우수한 강도를 가지면서 제조 비용이 억제된, 곡면을 포함하는 형상을 갖는 액정 보호판 및 그 액정 보호판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일양태에 관한 액정 보호판은, 스피넬 소결체로 형성되는 액정 보호판으로서, 상기 스피넬 소결체는 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이며, 상기 액정 보호판은 곡면을 포함하는 형상을 가진다.

본 발명의 일양태에 관한 액정 보호판의 제조 방법은, 상기 양태의 액정 보호판의 제조 방법으로서, 외주면에 곡면을 포함하는 중성형틀과, 상기 중성형틀의 외주면을 일정한 간격을 두고 덮는 신축 가능한 외성형틀을 준비하는 공정과, 상기 중성형틀과 상기 외성형틀 사이에 형성되는 간극에, 스피넬 입자를 포함하는 원료 혼합물을 충전하는 공정과, 상기 외성형틀을 가압하여 상기 원료 혼합물을 포함하는 스피넬 성형체를 얻는 공정과, 상기 스피넬 성형체를 소결하여 스피넬 소결체를 얻는 공정을 구비하는 액정 보호판의 제조 방법이다.

본 발명의 일양태에 관한 액정 보호판의 제조 방법은, 상기 양태의 액정 보호판의 제조 방법으로서, 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 스피넬 소결체의 평판을 준비하는 공정과, 곡면을 포함하는 하성형틀과, 상기 하성형틀에 감합하는 곡면을 포함하는 상성형틀을 준비하는 공정과, 상기 하성형틀과 상기 상성형틀 사이에 상기 스피넬 소결체의 평판을 배치하고, 상기 하성형틀 및 상기 상성형틀을 가열 가압함으로써, 상기 스피넬 소결체의 평판을 변형시키는 공정을 포함하는 액정 보호판의 제조 방법이다.

상기 양태에 의하면, 우수한 강도를 가지면서 제조 비용이 억제된, 곡면을 포함하는 형상을 갖는 액정 보호판 및 그 액정 보호판의 제조 방법을 제공하는 것이 가능해진다.

도 1a는, 본 발명의 일양태에 관한 액정 보호판의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 1b는, 도 1a의 X-X선에서의 단면도이다.
도 2a는, 본 발명의 일양태에 관한 액정 보호판의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 2b는, 도 2a의 Y-Y선에서의 단면도이다.
도 3a는, 본 발명의 일양태에 관한 액정 보호판의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 3b는, 도 3a의 Z-Z선에서의 단면도이다.
도 4는 실시형태 2에 관한 액정 보호판의 제조 공정을 나타내는 플로우차트이다.
도 5a는 실시형태 2에 관한 액정 보호판의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 5b는 실시형태 2에 관한 액정 보호판의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 5c는 실시형태 2에 관한 액정 보호판의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 5d는 실시형태 2에 관한 액정 보호판의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 5e는 실시형태 2에 관한 액정 보호판의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 6은 실시형태 3에 관한 액정 보호판의 제조 공정을 나타내는 플로우차트이다.
도 7a는 실시형태 3에 관한 액정 보호판의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 7b는 실시형태 3에 관한 액정 보호판의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 7c는 실시형태 3에 관한 액정 보호판의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 7d는 실시형태 3에 관한 액정 보호판의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 8a는 곡면을 포함하는 액정 보호판의 제조 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 8b는 곡면을 포함하는 액정 보호판의 제조 방법의 일례를 설명하는 도면이다.

[본 발명의 실시형태의 설명]

우선 본 발명의 실시양태를 열기하여 설명한다.

본 발명의 일양태에 관한 액정 보호판은, (1) 스피넬 소결체로 형성되는 액정 보호판으로서, 상기 스피넬 소결체는 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이며, 상기 액정 보호판은 곡면을 포함하는 형상을 가진다.

스피넬 소결체의 입경은 스피넬 소결체의 강도에 영향을 미친다. 스피넬 소결체의 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이면, 스피넬 소결체가 우수한 강도를 가진다. 따라서, 그 스피넬 소결체로 형성된 액정 보호판도 우수한 강도를 가진다. 또한, 액정 보호판은 곡면을 포함하는 형상을 갖기 때문에, 표면이 곡면을 포함하는 액정 화면의 보호판으로서 이용할 수 있다.

(2) 상기 액정 보호판은, 표면 거칠기 Ra가 20 nm 이하인 것이 바람직하고, 10 nm 이하인 것이 보다 바람직하다. 이것에 의하면, 액정 보호판은 높은 광투과율을 가지며, 우수한 화상 표시 품질을 가질 수 있다.

(3) 상기 액정 보호판은, Si 원소의 함유량이 20 ppm 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 높은 광투과율을 안정적으로 얻을 수 있게 된다.

(4) 상기 액정 보호판은, 두께 1 mm에서의 파장 400 nm∼800 nm의 광의 평균 광투과율이 85% 이상이 바람직하다. 이것에 의하면, 액정 보호판은 높은 광투과율을 가지며, 우수한 화상 표시 품질을 가질 수 있다.

본 발명의 일양태에 관한 액정 보호판의 제조 방법은, (5) 상기 (1)∼(4) 중 어느 한 항에 기재된 액정 보호판의 제조 방법으로서, 외주면에 곡면을 포함하는 중성형틀과, 상기 중성형틀의 외주면을 일정한 간격을 두고 덮는 신축 가능한 외성형틀을 준비하는 공정과, 상기 중성형틀과 상기 외성형틀 사이에 형성되는 간극에, 스피넬 입자를 포함하는 원료 혼합물을 충전하는 공정과, 상기 외성형틀을 가압하여 상기 원료 혼합물을 포함하는 스피넬 성형체를 얻는 공정과, 상기 스피넬 성형체를 소결하여 스피넬 소결체를 얻는 공정을 구비하는 액정 보호판의 제조 방법이다.

이것에 의하면, 스피넬 소결체의 제조 로스의 발생을 억제할 수 있기 때문에, 강도가 우수하고, 곡면을 포함하는 형상을 갖는 액정 보호판의 제조 비용을 억제할 수 있다.

본 발명의 일양태에 관한 액정 보호판의 제조 방법은, (6) 상기 (1)∼(4) 중 어느 한 항에 기재된 액정 보호판의 제조 방법으로서, 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 스피넬 소결체의 평판을 준비하는 공정과, 곡면을 포함하는 하성형틀과, 상기 하성형틀에 감합하는 곡면을 포함하는 상성형틀을 준비하는 공정과, 상기 하성형틀과 상기 상성형틀 사이에 상기 스피넬 소결체의 평판을 배치하고, 상기 하성형틀 및 상기 상성형틀을 가열 가압함으로써, 상기 스피넬 소결체의 평판을 변형시키는 공정을 포함하는 액정 보호판의 제조 방법이다.

(7) 상기 (5) 또는 (6)의 액정 보호판의 제조 방법은, 또한 상기 스피넬 소결체를 절단하는 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 보호되는 액정 화면에 적합한 형상을 갖는 액정 보호판을 얻을 수 있다.

(8) 상기 (5)∼(7)의 액정 보호판의 제조 방법은, 또한 상기 스피넬 소결체의 표면을 연마하는 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 액정 보호판의 광투과율이 향상되어, 우수한 화상 표시 품질을 갖는 액정 보호판을 얻을 수 있다.

[본 발명의 실시형태의 상세]

본 발명의 실시형태에 관한 액정 보호판 및 그 제조 방법의 구체예를, 이하에 도면을 참조하면서 설명한다.

[실시형태 1]

<액정 보호판>

본 발명의 일실시양태에 관한 액정 보호판은, 스피넬 소결체로 형성되며 곡면을 포함하는 형상을 갖는 액정 보호판이다.

액정 보호판의 형상의 예를, 도 1a∼도 3b를 이용하여 설명한다.

도 1a 및 도 1b를 참조하여, 액정 보호판(100)은, 상면에서 보면 직사각형이며, 측면 단면이 원호형의 형상을 가진다. 도 2a 및 도 2b를 참조하여, 액정 보호판(101)은, 상면에서 보면 원형이며, 측면 단면이 원호형의 형상인 렌즈형의 형상을 가진다. 도 3a 및 도 3b를 참조하여, 액정 보호판(102)은, 상면에서 보면 직사각형이며, 측면 단면이 곡선으로 이루어진 오목부와 볼록부를 포함한다. 액정 보호판의 형상은 이러한 형상에 한정되지 않고, 보호되는 액정 화면의 형상에 적합한 여러가지 곡면을 갖는 형상으로 할 수 있다. 또, 본 명세서에 있어서 곡면이란 오목부 및/또는 볼록부를 포함하는 면을 의미하여, 곡면의 일부에 평면이나 모서리부를 포함하고 있어도 좋다.

액정 보호판은, 표면 거칠기 Ra가 20 nm 이하인 것이 바람직하고, 10 nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 5 nm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이것에 의하면, 액정 보호판은 높은 광투과율을 가지며, 표면의 산란이 억제되어, 우수한 화상 표시 품질을 가질 수 있다. 또, 표면 거칠기 Ra는 JIS 규격의 산술 평균 거칠기이다. 산술 평균 거칠기는, 표면의 거칠기를 나타내는 파라미터의 일종이며 이하와 같이 계산된다. 어떤 표면의 거칠기 곡선으로부터 그 평균선의 방향으로 위치 0로부터 위치 l까지 기준 길이만큼 발췌하여, 이 발췌 부분의 평균선의 방향에 X축을, 세로 배율의 방향에 Y축을 취한다. 거칠기 곡선을 y=f(x)로 나타냈을 때에, X축 방향의 위치 0로부터 위치 l까지의 영역에서의 산술 평균 거칠기 Ra는, 이하의 식에 의해 구해진다.

[수1]

액정 보호판은, 두께 1 mm에서의 파장 400 nm∼800 nm의 광의 평균 광투과율이 85% 이상인 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 액정 보호판은 높은 광투과율을 가지며, 우수한 화상 표시 품질을 가질 수 있다.

액정 보호판의 크기는, 액정 화면의 표면을 덮을 수 있으면 특별히 한정되지 않는다.

<스피넬 소결체>

본 발명의 일실시양태에 관한 액정 보호판은 스피넬 소결체로 형성된다.

스피넬 소결체란, 조성식이 MgOㆍnAl₂O₃(1≤n≤6)로 표시되는 스피넬의 소결체이다. 스피넬 소결체는 다결정이며 복굴절률이 발생하지 않고, 우수한 광투과성을 가진다. 또한, 스피넬 소결체는 기계적 강도 및 내마모성이 우수하기 때문에, 깨어지기 어렵고, 표면이 손상되기 어렵다. 또한, 내식성도 양호하다. 따라서, 스피넬 소결체로 형성되는 액정 보호판도, 우수한 광투과성, 기계적 강도, 내마모성 및 내식성을 가진다.

또한, 스피넬 소결체는, 원료가 저가일 뿐만 아니라, 분말 야금 기술을 이용하여 제조할 수 있기 때문에, 저비용으로 제조할 수 있다. 또한 형상이 한정되지 않는다. 또한, 사파이어에 비교해서 가공이 용이하다. 따라서, 스피넬 소결체로 형성된 액정 보호판도 저비용으로 제조할 수 있다.

상기 스피넬 소결체는, 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이다. 일반적으로, 스피넬 소결체를 구성하는 스피넬 입자의 입경이 작을수록, 스피넬 소결체의 강도가 커지지만, 광투과율이 저하되어 버린다. 본 발명자들은, 스피넬 소결체를 구성하는 스피넬 입자의 입경과, 스피넬 소결체의 강도 및 광투과성과의 관계를 예의 검토한 결과, 스피넬 소결체의 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이면, 강도와 광투과성의 밸런스가 좋은 스피넬 소결체를 얻을 수 있는 것을 발견했다.

스피넬 소결체의 평균 입경은 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하가 바람직하고, 20 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 스피넬 소결체의 평균 입경이 작을수록, 예를 들면 10 ㎛ 미만이면, 광의 입계 산란이 증가하기 때문에, 스피넬 소결체의 광투과성이 저하되어 버리는 경향이 있다. 한편, 스피넬 소결체의 평균 입경이 클수록, 예를 들면 100 ㎛을 초과하면, Hall-Petch 법칙에 의해 스피넬 소결체의 강도가 저하되어 버리는 경향이 있다.

또, 스피넬 소결체의 평균 입경은, 스피넬 소결체로 형성되는 액정 보호판의 표면을 연마기(나노팩터사 제조 NF-300)를 이용하여 경면 가공한 후, 일정 범위를 광학 현미경으로 관찰하고, 상기 범위에 포함되는 모든 스피넬 소결체의 입경을 측정하여 평균을 산출한 값이다.

스피넬 소결체는 기공을 포함하며, 상기 기공의 최대 직경은 100 ㎛ 이하이고, 또한 직경이 10 ㎛ 이상인 기공수가 상기 스피넬 소결체 1 ㎤당 2.0개 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 스피넬 소결체를 통과하는 광의 산란이 억제되어, 스피넬 소결체의 광투과성이 더욱 향상된다. 또한, 그 스피넬 소결체는 기계적 강도의 변동 지표인 웨이블 계수도 향상되어, 안정된 제품을 얻을 수 있다. 이 우수한 기계적 성질은, 기공수가 적은 것에 기인하는 것으로 생각된다.

스피넬 소결체는, 최대 직경이 100 ㎛을 넘는 기공을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 여기서, 「포함하지 않는」이란, 실질적으로 포함하지 않는다는 의미이며, 광의 산란 인자의 증대를 초래하지 않는 범위에서, 최대 직경이 100 ㎛을 초과하는 기공이 미량으로 포함되어 있어도 좋다. 기공의 최대 직경이 50 ㎛ 이하인 경우는, 광의 산란 인자가 더욱 저감되기 때문에 바람직하다.

스피넬 소결체 중에 함유되는 기공의 최대 직경은, 스피넬 소결체의 일정한 범위를, 투과광을 이용하여 현미경에 의해 관찰하여 측정된다. 통상, 스피넬 소결체를 일정한 체적(바람직하게는, 두께 10∼15 mm, 길이 20 mm, 폭 20 mm)으로 절취하여 상하면을 연마하고, 얻어진 샘플을 현미경 사진에 의해 관찰하여, 그 안에 포함되는 기공의 직경을 측정함으로써 얻을 수 있다. 기공이 구형이 아닌 경우는, 기공 중의 각 방향의 직경의 크기가 상이하지만, 그 중에서 최대 크기인 것을 최대 직경으로 한다.

구체적으로는, 스피넬 소결체를 두께 15 mm, 길이 20 mm, 폭 20 mm로 절취하고, 상하면을 연마하여 샘플을 준비한다. 그 샘플 10개에 관해, 기공의 직경을 측정한다. 8개 이상의 샘플에 관해 최대 직경이 100 ㎛를 넘는 기공이 관찰되지 않는 경우는, 최대 직경이 100 ㎛를 넘는 기공을 실질적으로 포함하지 않는 것으로 한다.

스피넬 소결체 중의 직경이 10 ㎛ 이상인 기공수가, 상기 스피넬 소결체 1 ㎤당 2.0개 이하인 점은, 스피넬 소결체의 일정한 체적을, 투과광을 이용하여 현미경에 의해 관찰하여 측정된다. 구체적으로는, 스피넬 소결체를, 두께 10∼15 mm, 길이 20 mm, 폭 20 mm로(또는 합계 체적이 상기와 동일한 크기가 되도록 복수의 스피넬 소결체를) 절취하여 상하면을 연마하고, 얻어진 샘플을 현미경 사진에 의해 관찰하여 기공의 직경 및 수를 측정한다. 기공이 구형이 아닌 경우는, 최대 직경이 10 ㎛ 이상인 기공수를 측정한다.

본 발명의 일실시양태에 있어서는, 스피넬 소결체는, 조성이 MgOㆍnAl₂O₃(1.05≤n≤1.30)인 것이 바람직하다. n의 값은, 1.07≤n≤1.15가 더욱 바람직하고, 1.08≤n≤1.09가 보다 더 바람직하다. 이것에 의하면, 스피넬 소결체는 강도와 광투과성이 균형 있게 향상된다. 따라서, 그 스피넬 소결체로 형성된 액정 보호판도, 강도와 광투과성이 균형 있게 향상된다.

본 발명의 일실시양태에 있어서는, 스피넬 소결체는 불순물을 포함하지만, 상기 불순물의 평균 입경은 20 ㎛ 이하이고, 또한 함유량은 10 ppm 이하인 것이 바람직하다. 스피넬 소결체 중에 포함되는 불순물은, 기공 등의 내부 결함을 형성하여 광의 산란 인자를 증대시켜, 스피넬 소결체의 광투과성을 저하시킨다. 또한, 굴절률 등에도 영향을 미친다. 따라서, 불순물의 평균 입경은 작을수록 바람직하고, 함유량은 적을수록 바람직하다.

불순물은, 원료 분말에 포함되어 있거나 소결체를 제작할 때에 혼입되어, 스피넬 소결체 중에 포함된다. 따라서, 원료 분말로는 고순도, 바람직하게는, 소결에 의해 제거되지 않는 성분에 관한 순도가 99.9 질량% 이상인 스피넬을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 소결 공정에 있어서도 불순물의 혼입이 없도록 관리하는 것이 바람직하다.

원료 분말에 포함되기 쉬운 불순물 및 소결체를 제작할 때에 혼입되기 쉬운 불순물로는, 구체적으로는, 규소(Si), 텅스텐(W), 코발트(Co), 철(Fe), 탄소(C), 구리(Cu), 주석(Sn), 아연(Zn), 니켈(Ni) 등을 들 수 있다. 소결 공정에 있어서, 이들 불순물끼리 합체 혹은 석출되어, 광학적 특성에 악영향을 미치는 크기의 불순물 입자를 형성하고, 광의 산란 인자를 증대시켜, 투과성에 영향을 미치는 것으로 생각된다. 특히, Si 원소는 소결시에 스피넬 분말과 반응하여 액상을 생성한다. 이 액상이 입계에 존재하면, 이상이 되어 광투과율을 저하시키기 때문에, Si 원소의 함유율을 20 ppm 이하로 하는 것에 의해 높은 광투과율을 안정적으로 얻을 수 있게 된다. 이러한 관점에서, Si 원소의 함유량은, 10 ppm 이하가 보다 바람직하고, 7 ppm 이하가 더욱 바람직하다. W, Co, Fe, C, Cu, Sn, Zn, Ni도 합체 혹은 석출됨으로써 광투과율을 저하시키기 때문에, W, Co, Fe, C, Cu, Sn, Zn, Ni의 합계 함유량이 10 ppm 이하, 보다 바람직하게는 5 ppm 이하가 되도록 원료 분말의 순도, 소결 공정의 관리를 행하는 것이 바람직하다.

[실시형태 2]

<스피넬 소결체의 제조 방법>

본 실시형태에 관한 스피넬 소결체의 제조 방법에 관해, 도 4 및 도 5a∼도 5e를 이용하여 설명한다. 도 4는, 실시형태 2의 액정 보호판의 제조 공정을 나타내는 플로우차트이다. 도 5a∼도 5e는, 실시형태 2의 액정 보호판의 제조 방법을 설명하는 도면이다. 또, 도 4 및 도 5a∼도 5e는, 도 1a 및 도 1b에 나타내는 형상을 갖는 액정 보호판의 제조 방법을 나타내고 있다.

스피넬 소결체의 제조 방법은, 외주면에 곡면을 포함하는 중성형틀(1)과, 상기 중성형틀(1)의 외주면을 일정한 간격을 두고 덮는 신축 가능한 외성형틀(2)을 준비하는 공정(S11)과, 상기 중성형틀(1)과 상기 외성형틀(2) 사이에 형성되는 간극(3)에, 스피넬 입자를 포함하는 원료 혼합물(4)을 충전하는 공정(S12)과, 상기 외성형틀(2)을 가압하여 상기 원료 혼합물(4)을 포함하는 스피넬 성형체(5)를 얻는 공정(S13)과, 상기 스피넬 성형체(5)를 소결하여 스피넬 소결체(6)를 얻는 공정(S14)을 구비한다.

<중성형틀과 외성형틀을 준비하는 공정(S11)>

우선, 외주면에 곡면을 포함하는 중성형틀(1)을 준비한다. 중성형틀(1)의 외주면의 곡면은, 원하는 액정 보호판의 곡면 형상에 대응하고 있다. 예를 들면, 도 1a 및 도 1b에 나타내는 형상의 액정 보호판을 얻기 위해서는, 원기둥형의 중성형틀(1)을 이용할 수 있다. 중성형틀(1)의 재질은, 예를 들면 철 등의 금속을 이용할 수 있다.

또한, 그 중성형틀(1)의 외주면을 일정한 간격을 두고 덮는 신축 가능한 외성형틀(2)을 준비한다. 예를 들면, 외성형틀(2)의 형상은, 내주면의 직경이, 중성형틀(1)의 외주면의 직경보다 1 mm∼100 mm 정도 큰 원통 형상으로 할 수 있다. 외성형틀(2)의 재질은, 예를 들면 고무를 이용할 수 있다. 중성형틀(1)의 외측에 외성형틀(2)을 배치함으로써, 중성형틀(1) 및 외성형틀(2)의 사이에는 간극(3)이 형성된다.

<원료 혼합물을 충전하는 공정(S12)>

다음으로, 중성형틀(1)과 외성형틀(2) 사이에 형성되는 간극(3)에, 스피넬 입자를 포함하는 원료 혼합물(4)을 충전한다. 원료 혼합물(4)은 이하의 공정으로 준비할 수 있다.

우선, 스피넬 입자를 준비하고, 그 스피넬 입자를 분산매에 분산시켜 슬러리를 제작한다. 슬러리의 제작은, 고순도의 스피넬 입자, 분산매, 분산제 등을 적량 배합하고 기계적으로 교반 혼합하여 행할 수 있다. 기계적인 교반 혼합의 방법으로는, 볼밀에 의해 혼합하는 방법, 초음파조를 이용하여 외부로부터 초음파를 조사하는 방법, 초음파 호모게나이저에 의해 초음파를 조사하는 방법을 들 수 있다. 스피넬 입자는, 분산매 중에서 용이하게 분산되어 균일한 슬러리가 되기 쉽고, 세라믹스볼 등을 사용하는 분산 방법은, 불순물이 되는 산화물 혹은 염류가 혼입되기 쉽다고 생각되기 때문에, 초음파를 이용하는 방법이 바람직하다. 교반 혼합 시간은 그 슬러리의 양이나 초음파의 조사량에 따라 적절하게 조정해야 하지만, 예컨대 슬러리량이 10 리터이고, 조사 능력이 25 키로헤르츠 정도인 초음파조를 이용하는 경우, 30분 이상 행하는 것이 바람직하다. 스피넬 입자를 분산하는 분산매로는, 물이나 각종 유기 용매를 이용할 수 있다. 교반 혼합후에는, 정치 침강, 원심 분리, 로터리 증발기 등에 의한 감압 농축 등을 행하여, 슬러리 중의 스피넬 농도를 높일 수도 있다.

다음으로 이 슬러리를 스프레이 드라이 등에 의해 과립형으로 하여, 원료 혼합물(4)을 얻을 수 있다.

균일한 분산을 가능하게 하기 위해 폴리아크릴산암모늄염(분산매가 물인 경우)이나 올레인산에틸, 소르비탄모노올레에이트, 소르비탄트리올레에이트, 폴리카르복실산계(분산매가 유기 용매인 경우) 등의 분산제나, 과립의 형성을 용이하게 하기 위해 폴리비닐알콜, 폴리비닐아세탈, 각종 아크릴계 폴리머, 메틸셀룰로오스, 폴리아세트산비닐, 폴리비닐부티랄계, 각종 왁스, 각종 다당류 등의 유기 바인더를 슬러리에 첨가해도 좋다.

원료의 스피넬 입자는 고순도인 것이 바람직하다. 원료 중에 포함되는 유기물, 할로겐이나 물은 1차 소결의 공정에서 원료 중에서 제거되며, 스피넬 소결체의 특징을 손상하는 것은 아니기 때문에, 1차 소결전의 단계에서의 이들 불순물의 혼입은 허용된다.

<스피넬 성형체를 얻는 공정(S13)>

다음으로, 외성형틀(2)을 가압하여 원료 혼합물(4)을 포함하는 스피넬 성형체(5)를 얻는다. 외성형틀(2)은 신축 가능한 재료로 형성되어 있기 때문에, 가압하면 중성형틀(1)의 방향으로 수축하도록 변형된다. 한편, 중성형틀(1)은 금속 등의 변형되기 어려운 재질로 되어 있기 때문에, 가압에 의해 변형되지 않는다. 따라서, 간극(3)에 충전된 원료 혼합물(4)은 외성형틀(2)의 변형에 의해 프레스되어, 스피넬 성형체(5)가 된다. 스피넬 성형체(5)의 형상은, 중성형틀(1)의 외주면의 형상 및 외성형틀(2)의 내주면의 형상에 의해 제어할 수 있다.

가압의 방법으로는, 냉간 등방압 프레스(CIP)를 들 수 있다. 가압의 압력은, 바람직하게는, 1차 소결후의 스피넬 성형체의 상대 밀도가 95∼98%의 범위가 되는 범위에서 선택되며, 통상 100∼300 MPa이다.

<스피넬 소결체를 얻는 공정(S14)>

다음으로, 스피넬 성형체(5)를 소결하여 스피넬 소결체(6)를 얻는다. 소결 공정은, 1차 소결 공정 및 2차 소결 공정을 포함할 수 있다.

1차 소결에서는, 스피넬 성형체(5)를, 소정의 상압 또는 감압(진공) 분위기하, 1500∼1900℃로 가열하여 소결한다. 상압 또는 감압(진공) 분위기로는, 수소 등의 환원 분위기나 Ar 등의 불활성 가스의 분위기가 바람직하다. 분위기의 압력으로는, 감압(진공)이 바람직하고, 구체적으로는 1∼200 Pa 정도가 바람직하다. 1차 소결의 시간은 1∼5시간 정도가 바람직하다.

1차 소결후의 스피넬 1차 소결체의 상대 밀도는 95∼98%의 범위로 하는 것이 바람직하다. 여기서 상대 밀도란, 스피넬의 이론 밀도(25℃에서 3.60 g/㎤)에 대한 실제 밀도의 비(이론 밀도비. %로 표시)를 나타내며, 예컨대 상대 밀도 95%의 스피넬의 밀도(25℃)는 3.42 g/㎤이다.

스피넬 1차 소결체의 상대 밀도가 95% 미만인 경우는, 2차 소결 공정에서의 소결이 진행되기 어려워 투명한 스피넬 소결체를 얻기 어렵다. 한편, 이 상대 밀도가 98%를 초과하는 경우는, 2차 소결 공정에 있어서 스피넬 성형체 내에 이미 존재하고 있는 기공의 합체가 진행되기 쉬워, 최대 직경이 100 ㎛을 초과하는 기공이 생성되기 쉽다. 또한 기공수도 증가하여, 스피넬 소결체 1 ㎤당의 직경 10 ㎛ 이상의 기공수가 2.0개 이하인 스피넬 소결체를 얻기 어려워진다.

1차 소결전의 성형체의 밀도는, 성형시의 프레스 압력에 따라 변동한다. 또한, 1차 소결 공정후의 스피넬 성형체의 상대 밀도는, 1차 소결전의 성형체의 밀도나 1차 소결의 온도나 시간에 따라 변동한다. 따라서, 95∼98%의 범위의 상대 밀도는, 성형시의 프레스의 압력이나 1차 소결의 온도나 시간을 조정함으로써 얻을 수 있다.

1차 소결 공정에 의해 얻어진 스피넬 1차 소결체는 2차 소결된다. 2차 소결에서는, 성형체를 가압하에 1500∼2000℃, 바람직하게는 1600∼1900℃로 가열하여 소결한다. 가압의 압력으로는, 5∼300 MPa의 범위이며, 바람직하게는 50∼250 MPa 정도, 보다 바람직하게는 100∼200 MPa 정도이다. 2차 소결의 시간은, 1∼5시간 정도가 바람직하다. 2차 소결의 분위기로는, Ar 등의 불활성 가스의 분위기를 바람직하게 들 수 있다.

2차 소결 공정후의 스피넬 2차 소결체의 상대 밀도는 99.6% 이상인 것이 바람직하다. 스피넬 성형체의 2차 소결후의 상대 밀도는, 2차 소결 공정에서의 압력이나 온도 및 2차 소결의 시간에 따라 변동한다. 따라서, 99.6% 이상의 상대 밀도는, 2차 소결 공정에서의 압력이나 온도 및 2차 소결의 시간을 조정함으로써 얻을 수 있다.

이상과 같이 하여, 2차 소결 공정후의 스피넬 소결체의 상대 밀도가 99.6% 이상이 되도록 조정함으로써, 소결 공정 중의 스피넬의 입성장이 제어되어, 스피넬의 입성장에 따르는 미세한 기공의 합체를 억제할 수 있다. 그 결과, 최대 직경이 100 ㎛를 초과하는 기공의 발생이 억제되고, 또한 기공수가 억제된 스피넬 소결체를 얻을 수 있다.

<스피넬 소결체를 절단하는 공정(S15)>

상기 공정에서 얻어진 스피넬 소결체(6)는, 소정의 형상으로 절단되어 액정 보호판으로 가공된다. 예를 들면 도 1a 및 도 1b에 나타내는 형상의 액정 보호판을 얻기 위해서는, 스피넬 소결체(6)를, 도 5d에 나타내는 A-A선 및 B-B선을 따라서 절단할 수 있다.

절단의 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 레이저 조사를 이용하여 절단할 수 있다. 액정 보호판의 크기나 두께는, 적용되는 액정 화면의 크기나 디자인 등에 따라서 결정하면 되며, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 액정 보호판의 표면에 관통부를 형성하거나, 액정 화면의 일부를 확대 표시하기 위해 렌즈를 형성해도 좋다.

<스피넬 소결체를 연마하는 공정(S16)>

상기 공정에서 얻어진 스피넬 소결체(6)는, 연마되는 것에 의해 액정 보호판으로 가공된다. 또, 상기 스피넬 소결체를 절단하는 공정과(S15), 스피넬 소결체를 연마하는 공정(S16)의 순서는 특별히 한정되지 않고, 어느 공정을 먼저 행하더라도 상관없다.

스피넬 소결체(6)를 연마할 때에는, 표면 거칠기 Ra가 20 nm 이하, 바람직하게는 10 nm 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다. 연마의 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 원통 연삭을 이용할 수 있다.

<반사 방지 코팅층을 형성하는 공정>

또한, 필요에 따라서 반사 방지 코팅층이나 광학적 작용을 행하는 층을, 액정 보호판의 표면에 형성할 수도 있다. 예컨대 액정 보호판의 한면 또는 양면에, 반사 방지 코팅층을 형성함으로써 광투과 기능을 보다 향상시킬 수 있다.

반사 방지 코팅층은, 예컨대 금속 산화물이나 금속 불화물의 층이며, 그 형성 방법으로는, 종래 공지의 PVD법(물리 증착법), 구체적으로는, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법 등을 이용할 수 있다.

[실시형태 3]

본 실시양태에 관한 스피넬 소결체의 제조 방법에 관해, 도 6 및 도 7a∼도 7d를 이용하여 설명한다. 도 6은, 실시형태 3의 액정 보호판의 제조 공정을 나타내는 플로우차트이다. 도 7a∼도 7d는, 실시형태 3의 액정 보호판의 제조 방법을 설명하는 도면이다. 또, 도 6 및 도 7a∼도 7d는, 도 1a 및 도 1b에 나타내는 형상을 갖는 액정 보호판의 제조 방법을 나타내고 있다.

스피넬 소결체의 제조 방법은, 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 스피넬 소결체의 평판(16)을 준비하는 공정(S21)과, 곡면을 포함하는 하성형틀(8)과, 상기 하성형틀(8)에 감합하는 곡면을 포함하는 상성형틀(7)을 준비하는 공정(S22)과, 상기 하성형틀(8)과 상기 상성형틀(7) 사이에 상기 스피넬 소결체의 평판(16)을 배치하고, 상기 하성형틀(8) 및 상기 상성형틀(7)을 가열 가압함으로써, 상기 스피넬 소결체의 평판(16)을 변형시키는 공정(S23)을 포함한다.

<스피넬 소결체의 평판을 준비하는 공정(S21)>

우선, 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 스피넬 소결체의 평판(16)을 준비한다. 스피넬 소결체의 평판(16)은, 예를 들면 이하의 방법으로 제작할 수 있다. 우선, 실시형태 2에서 이용한 원료 혼합물과 동일한 원료 혼합물을 준비하고, 그 원료 혼합물을 통상의 스피넬 소결체의 제작에서 이용되는 성형틀에 충전한 후, 실시형태 2와 동일한 조건으로 성형 및 소결을 행하여, 예를 들어 입방체 형상의 스피넬 소결체(6)를 제작한다. 그 스피넬 소결체(6)를 레이저 조사를 이용하여, 도 7a의 C1-C1선, C2-C2선 등을 따라서 원하는 두께로 절단하여, 스피넬 소결체의 평판(16)을 얻을 수 있다.

<하성형틀과 상성형틀을 준비하는 공정(S22)>

또한, 곡면을 포함하는 하성형틀(8)과, 상기 하성형틀(8)에 감합하는 곡면을 포함하는 상성형틀(7)을 준비한다. 하성형틀(8)의 곡면의 형상은, 보호되는 액정 화면의 형상에 대응하고 있다. 상성형틀(7)은, 하성형틀(8)과 감합하는 곡면을 포함한다. 하성형틀(8) 및 상성형틀(7)의 재질은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 철 등의 금속을 이용할 수 있다.

<스피넬 소결체의 평판을 변형시키는 공정(S23)>

다음으로, 하성형틀(8)과 상성형틀(7) 사이에 스피넬 소결체의 평판(16)을 배치하고, 하성형틀(8) 및 상성형틀(7)을 가열 가압함으로써, 스피넬 소결체의 평판(16)을 변형시킨다. 가열 온도는 1200℃ 이상 1800℃ 이하가 바람직하고, 1200℃ 이상 1300℃ 이하가 더욱 바람직하다. 가열 온도가 1800℃를 초과하면, 스피넬 소결체의 평판(16)의 표면이 에칭되어, 표면의 평활성이 손상될 우려가 있다. 가압의 압력은, 1 MPa 이상 200 MPa 이하가 바람직하고, 10 MPa 이상 150 MPa 이하가 더욱 바람직하다.

이에 따라, 스피넬 소결체의 평판(16)을, 하성형틀(8)의 곡면을 피복할 수 있는 형상으로 변형할 수 있다. 따라서, 평판(16)을 변형하여 얻어진 액정 보호판은, 보호되는 액정 화면의 표면을 피복할 수 있는 형상을 포함할 수 있다.

그 후, 실시형태 2와 마찬가지로, 스피넬 소결체(100)를 절단하는 공정(S24) 및/또는 스피넬 소결체(100)를 연마하는 공정(S25)을 행할 수 있다. 또한 반사 방지 코팅층을 형성하는 공정을 행할 수도 있다.

실시예

본 발명을 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 이들 실시예에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.

[실시예 1]

<액정 보호판의 제작>

[제조예 1]

원기둥형의 금속제의 중성형틀(직경 100 mm, 길이 50 mm)과, 원통형의 고무제의 외성형틀(내경 120 mm, 외경 140 mm, 길이 50 mm)을 준비했다. 중성형틀과 외성형틀의 간극의 두께는 10 mm였다.

조성이 MgOㆍnAl₂O₃(n=1.09)인 스피넬 입자 4750 g(순도 99.9% 이상), 물(분산매) 3100 g, 폴리카르복실산암모늄 40 질량% 수용액(분산제, 산노푸코사 제조 : 상품명 SN-D5468) 125 g을, 용량 40 리터의 초음파조에 넣어 초음파를 조사하면서, 30분간 교반 혼합을 행했다. 그 후 유기 바인더로서 폴리비닐알콜(쿠라레사 제조 : 상품명 PVA-205C)의 10 질량% 용액을 1000 g과, 가소제로서 폴리에틸렌글리콜 #400(시약 특급)을 10 g 첨가하고, 60분간 교반 혼합하여 슬러리를 조제했다.

다음으로 슬러리를 스프레이 드라이에 의해 과립형으로 하고, 또한 과립의 함수율을 0.5 질량%로 습도 조절한 후, 중성형틀과 외성형틀의 간극에 충전하고, 196 MPa의 압력을 외성형틀에 가하여 1차 성형하고, 또한 196 MPa의 압력으로 냉간 등방압 프레스(CIP)에 의해 2차 성형하여, 스피넬 성형체를 얻었다. 스피넬 성형체는 원통형이었다(내경 100 mm, 외경 110 mm).

얻어진 성형체를 그래파이트제의 용기에 넣고, 진공 중(5 Pa 이하)에서 1700℃로 2시간 1차 소결했다. 얻어진 1차 소결체를 아르키메데스법으로 상대 밀도를 측정한 바 98%였다.

1차 소결체를 Ar 분위기하, 분위기 압력 196 MPa의 조건하에, 온도 1700℃로 2시간, 열간 등방압 프레스(HIP)에 의한 가열, 가압을 행하여, 2차 소결체를 얻었다. 얻어진 2차 소결체를 아르키메데스법으로 상대 밀도를 측정한 바 99.8%였다.

상기 방법으로 얻어진 스피넬의 2차 소결체를, 높이 방향을 따라서 6등분으로 절단한 후, 주면의 양면을 연마기(나노팩터사 제조 NF-300)로 연마하여, 표면 거칠기 Ra가 8 nm, 두께 1 mm의 액정 보호판을 얻었다(체적 1.0 ㎤). 상기 액정 보호판은, 곡면을 포함하는 형상을 가진다.

[제조예 2∼16]

제조예 2∼16은, 원료 스피넬 입자의 조성, 1차 소결 조건, 2차 소결 조건 및 액정 보호판의 표면 거칠기 Ra를 표 1에 나타내는 조건으로 한 것 외에는, 제조예 1과 동일한 방법으로 곡면을 포함하는 형상을 갖는 액정 보호판을 제작했다.

<측정>

(모스 경도)

JIS에 규정된 방법에 기초하여 모스 경도를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(광투과성)

액정 보호판의 파장 400 nm∼800 nm에서의 평균 광투과율(%)을 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(굽힘 강도)

JIS에 규정된 방법에 기초하여 3점 굽힘 강도를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(기공의 관찰)

액정 보호판의 표면을 광학 현미경(니콘사 제조 T-300)을 사용하여 배율 50배로 관찰하여, 기공의 최대 직경과, 직경이 10 ㎛ 이상인 기공의 소결체 1 ㎤당 갯수를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(Si 원소 함유량)

액정 보호판의 Si 원소의 함유량을 ICP 발광 분석으로 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(밀도)

액정 보호판의 상대 밀도를 아르키메데스법으로 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

[표 1]

<평가 결과>

제조예 1∼16을 비교하면, 액정 보호판에 포함되는 스피넬 소결체의 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이면(제조예 2∼6 및 8∼16), 액정 보호판은 85% 이상의 우수한 평균 광투과율 및 350 MPa 이상의 높은 굽힘 강도를 갖는 것이 확인되었다. 또한, 제조예 2∼6 및 8∼16은 모두, 표면 거칠기 Ra가 20 nm 이하, Si 원소의 함유량이 20 ppm 이하였다.

[실시예 2]

<액정 보호판의 제작>

[제조예 17]

하성형틀과 상성형틀 사이에 끼인 공간부가 직방체 형상이 되는 성형틀을 준비했다. 그 성형틀의 공간부에 제조예 2와 동일한 원료 혼합물을 충전하고, 제조예 2와 동일한 조건으로 1차 성형 및 2차 성형을 행하여, 스피넬 성형체를 얻었다. 스피넬 성형체는 직방체 형상이었다. 얻어진 스피넬 성형체를 레이저 조사로 절단하여, 주표면이 한변 100 mm인 정방형이며, 두께 3 mm의 스피넬 소결체의 평판을 얻었다.

다음으로, 도 7c에 나타내는 형상의 하성형틀 및 상성형틀을 준비했다. 하성형틀 및 상성형틀의 사이에 스피넬 소결체의 평판을 배치하고, 온도 1250℃, 압력 100 MPa으로 가열 가압하여 평판을 변형시켰다. 그 후, 주면의 양면을 연마기(나노팩터사 제조 NF-300)로 연마하여, 표면 거칠기 Ra가 8 nm, 두께 1 mm의 액정 보호판을 얻었다(체적 1.0 ㎤). 상기 액정 보호판은, 곡면을 포함하는 형상을 가진다.

<측정>

얻어진 액정 보호판에 관해 실시예 1과 동일한 방법으로, 모스 경도, 평균 광투과율, 굽힘 강도를 측정한 바, 제조예 2와 동일한 결과였다. 따라서, 제조예 17의 제조 방법으로 얻어진 곡면을 포함하는 형상을 갖는 액정 보호판은, 우수한 광투과율 및 강도를 갖는 것이 확인되었다.

이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기 실시형태가 아니라 청구범위에 의해 나타나며, 청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.

본 발명의 액정 보호판은, 우수한 광투과율과 강도를 가지며, 곡면을 포함하는 형상을 갖기 때문에, 휴대 디바이스 등에 이용하면 유익하다.

1 : 중성형틀 2 : 외성형틀
3 : 간극부 4 : 원료 혼합물
5 : 스피넬 성형체 6 : 스피넬 소결체
7 : 상성형틀 8 : 하성형틀
16 : 스피넬 소결체의 평판 100, 101, 102 : 액정 보호판

Claims

스피넬 소결체로 형성되는 액정 보호판으로서,
상기 스피넬 소결체는 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이며,
상기 액정 보호판은 곡면을 포함하는 형상을 갖는 액정 보호판.
제1항에 있어서, 상기 액정 보호판은 표면 거칠기 Ra가 20 nm 이하인 것인 액정 보호판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액정 보호판은 Si 원소의 함유량이 20 ppm 이하인 것인 액정 보호판.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 액정 보호판은, 두께 1 mm에서의 파장 400 nm∼800 nm의 광의 평균 광투과율이 85% 이상인 것인 액정 보호판.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 액정 보호판의 제조 방법으로서,
외주면에 곡면을 포함하는 중성형틀과, 상기 중성형틀의 외주면을 일정한 간격을 두고 덮는 신축 가능한 외성형틀을 준비하는 공정과,
상기 중성형틀과 상기 외성형틀 사이에 형성되는 간극에, 스피넬 입자를 포함하는 원료 혼합물을 충전하는 공정과,
상기 외성형틀을 가압하여 상기 원료 혼합물을 포함하는 스피넬 성형체를 얻는 공정과,
상기 스피넬 성형체를 소결하여 스피넬 소결체를 얻는 공정을 포함하는 액정 보호판의 제조 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 액정 보호판의 제조 방법으로서,
평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 스피넬 소결체의 평판을 준비하는 공정과,
곡면을 포함하는 하성형틀과, 상기 하성형틀에 감합하는 곡면을 포함하는 상성형틀을 준비하는 공정과,
상기 하성형틀과 상기 상성형틀 사이에 상기 스피넬 소결체의 평판을 배치하고, 상기 하성형틀 및 상기 상성형틀을 가열 가압함으로써, 상기 스피넬 소결체의 평판을 변형시키는 공정을 포함하는 액정 보호판의 제조 방법.
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 액정 보호판의 제조 방법은, 상기 스피넬 소결체를 절단하는 공정을 더 포함하는 것인 액정 보호판의 제조 방법.
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 액정 보호판의 제조 방법은, 상기 스피넬 소결체의 표면을 연마하는 공정을 더 포함하는 것인 액정 보호판의 제조 방법.