TW202225121A - 常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法、常磁性石榴石型透明陶瓷、磁性光學材料及磁性光學裝置 - Google Patents

常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法、常磁性石榴石型透明陶瓷、磁性光學材料及磁性光學裝置 Download PDF

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Abstract

一種常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，使用至少含鋱與鋁與鈧的石榴石型複合氧化物，與含有含量為超過0質量%且0.1質量%以下的量之SiO 2的複合氧化物粉末成形為成形體之後，預備燒結該成形體成為相對密度94%以上、平均燒結粒徑3μm以下的預備燒結體，接著將此預備燒結體以壓力50MPa以上300MPa以下，溫度1,000℃以上1,780℃以下的條件加壓燒結，進而將此加壓燒結體加熱至前述預備燒結的溫度以上進行再燒結成為平均燒結粒徑15μm以上的再燒結體，光學研磨而修整其光學端面之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，可以抑制散射源而改善使高輸出的雷射光透過時之光束品質。

Description

常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法、常磁性石榴石型透明陶瓷、磁性光學材料及磁性光學裝置
本發明係關於在可見光及/或近紅外區具有透光性的常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，更詳細地說，是關於適於構成光單向器(isolator)等磁性光學裝置的含鋱(Tb)及鋁的常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，以該製造方法製造的常磁性石榴石型透明陶瓷所構成的磁性光學材料，以及使用了該磁性光學材料之磁性光學裝置。
於產業用雷射加工機為了防止反射光等光的逆向返回的目的而設有光單向器，其內部搭載著添加結晶鋱(Tb)的玻璃或鋱鎵石榴石結晶(TGG結晶)作為法拉第轉子(例如，日本特開2011-213552號公報(專利文獻1))。法拉第效果的大小以韋爾代常數來定量化，TGG結晶的韋爾代常數為40rad/(T･m)(0.13min/(Oe･cm))，添加鋱的玻璃為0.098min/(Oe･cm)，TGG結晶的韋爾代常數比較大，所以作為標準的法拉第轉子被廣泛使用。此外，還有鋱鋁石榴石結晶(TAG結晶)，TAG結晶的韋爾代常數為TGG結晶的1.3倍程度，所以可以縮短法拉第轉子的長度，是可使用於光纖雷射且為良好的結晶(例如，日本特開2002-293693號公報(專利文獻2)，日本特許4107292號公報(專利文獻3))。
近年來，以透明陶瓷製作TAG的方法被揭示出(例如，國際國際公開第2017/033618號(專利文獻4)、非專利文獻1)。此外，將鋱的一部分以釔置換之釔鋱鋁石榴石(YTAG、(Tb xY 1-x) 3Al 5O 12(0.2≦x≦0.8，或0.5≦x≦1.0或者x=0.6))之透明陶瓷之製作方法也被提出(例如非專利文獻2～4)。這些含Tb的稀土類鋁石榴石與TGG相比，呈現高的熱傳導率，期待著成為熱透鏡效果小的法拉第元件。
如前所述，近年來含有Tb的稀土類鋁石榴石的報告由陶瓷製造者很多。這是因為TAG為不協調的組成的緣故，單晶製作困難所導致。但是，一般陶瓷在系內包含氣泡或異相、異物、微龜裂等很多散射源。因此為了得到法拉第轉子所設想的高度透明的陶瓷，有必要嘗試徹底排除氣泡或異物等散射源。
作為減少陶瓷內部的氣泡，或微龜裂的方法有熱間等方壓製(熱均壓，HIP)處理(加壓燒結)。HIP處理可以將預先緻密化到相對密度94%以上的燒結體(預備燒結體)，藉由高溫/高壓處理引起陶瓷的塑性流動而壓縮除去缺陷。HIP處理時，多數的氣泡被排出至系外而除去，但一部分氣泡維持被壓縮的狀態殘留於系內的情形仍多。因此，使HIP體(加壓燒結體)在高溫下回復到常壓以下的話，被壓缩而隱藏的氣泡會再膨脹，被觀測到散射強度增加的現象。
作為進而減少在HIP處理無法排除的陶瓷內部的氣泡或異相的方法，有在HIP處理後進行再燒結藉由晶粒成長而排出到系外的方法。池末等人揭示了對於YAG陶瓷在真空下以1,600℃預備燒結3小時，在1,500～1,700℃進行了3小時HIP處理的透明陶瓷，以比HIP處理溫度更高的1,750℃進行20小時再燒結的方法(非專利文獻5)。此外，在日本特許第2638669號公報(專利文獻5)，揭示了形成具有適切的形狀與組成的生壓粉體，使預備燒結步驟在1,350～1,650℃的溫度範圍下進行，使HIP處理步驟在1,350～1,700℃之溫度下進行，接著使再燒結步驟在超過1,650℃的溫度下進行之陶瓷體的製造方法，藉此除去氣孔的方法。
然而，產業用雷射加工機為了提高其加工精度而要求高的光束品質。作為雷射光束品質的指標之一例可以舉出M 2值。M 2值為表示光束聚光性之值，理論上的高斯光束為M 2=1，但實際上的雷射光束為M 2＞1。M 2=1時，光束於焦點可得最小的光點，隨著M 2值變大變成在焦點無法聚焦光束。因此，光單向器，其透過光的M 2值相對於入射光的M 2值以極力不使變大為佳。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2011-213552號公報 [專利文獻2] 日本特開2002-293693號公報 [專利文獻3] 日本特許第4107292號公報 [專利文獻4] 國際公開第2017/033618號公報 [專利文獻5] 日本特許第2638669號公報 [非專利文獻]
[非專利文獻1] “High Verdet constant of Ti-doped terbium aluminum garnet (TAG) ceramics”, Optical Materials Express, Vol.6, No.1 191-196 (2016) [非專利文獻2] “Fabrication and properties of (Tb xY 1-x) 3Al 5O 12transparent ceramics by hot isostatic pressing”, Optical Materials, 72 58-62 (2017) [非專利文獻3] “Development of optical grade (Tb xY 1-x) 3Al 5O 12ceramics as Faraday rotator material”, Journal of American Ceramics Society, 100, 4081-4087 (2017) [非專利文獻4] “Effect of (Tb+Y)/Al ratio on Microstructure Evolution and Densification Process of (Tb 0.6Y 0.4) 3Al 5O 12Transparent Ceramics”, Materials, 12, 300 (2019) [非專利文獻5] “Microstructure and Optical Properties of Hot Isostatic Pressed Nd:YAG Ceramics”, Journal of American Ceramics Society, 79, 1927-1933 (1996)
[發明所欲解決之課題]
如以上所述，伴隨著脈衝雷射加工機的加工的細微化，越發要求雷射光的高的光束品質。在如前述的狀況之中，最近揭示了：組成為(Tb xY 1-x) 3Al 5O 12(x=0.5～1.0)的緻密的陶瓷燒結體與既有的TGG結晶相比，消光比高(由既有的35dB改善至39.5dB以上)，插入損失也可以減低(由既有的0.05dB改善至0.01～0.05dB)(非專利文獻3)。在此非專利文獻3揭示的材料，首先，因為是陶瓷，所以並無在TGG結晶會成為問題的鈣鈦礦(perovskite)異相的析出，進而藉著Tb離子的一部分以Y離子置換，可以更為低損失化，是可以得到極高品質的石榴石型法拉第轉子的材料。然而，本案發明人等經過實際的追踪試驗的結果，確認了確實可得插入損失比TGG結晶更小的高品質的陶瓷燒結體，但是再現性差，例如查明了即使是比TGG結晶更低的插入損失，使100W以上的高功率雷射光透過的話會有雷射品質劣化的問題，確認了有必要進行更進一步的課題解決。
本發明是有鑑於前述情形而完成之發明，目的在於提供可以抑制散射源使高輸出的雷射光透過時的光束品質得到改善的常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法、常磁性石榴石型透明陶瓷、磁性光學材料及磁性光學裝置。 [供解決課題之手段]
本案發明人等對於前述課題檢討的結果，明白了在施以預備燒結、熱均壓(HIP)、再燒結之一連串的製程時管理各個處理的燒結粒徑在規定的範圍內，進而因應需要添加釔或鈧等，可以抑制陶瓷燒結體內部的氣泡、異相、異物、微龜裂等散射源，亦即可以抑制這些散射源之中的較粗大者的發生，而且使比其更小者的數目減少到一定數量。進而，還徹底查明了抑制陶瓷燒結體內部的氣泡、異相、異物等散射源的話，可以在光學有效區域的面內全面使消光比全部為40dB以上，而在光學有效區域的面內全面使插入損失變動抑制在0.02dB以下。進而，還發現了透過抑制了陶瓷燒結體內部的氣泡、異相、異物等散射源的該燒結體的雷射光束(雷射光)的光束品質也可維持在一定水準以上。本案發明人等根據這些知識見解進行銳意檢討，而完成了本發明。
亦即，本發明提供以下的常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法、常磁性石榴石型透明陶瓷、磁性光學材料及磁性光學裝置。 1. 一種常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，使用至少含鋱與鋁與鈧的石榴石型複合氧化物，與含有含量為超過0質量%且0.1質量%以下的量之SiO 2的複合氧化物粉末成形為成形體之後，預備燒結該成形體成為相對密度94%以上、平均燒結粒徑3μm以下的預備燒結體，接著將此預備燒結體以壓力50MPa以上300MPa以下，溫度1,000℃以上1,780℃以下的條件加壓燒結，進而將此加壓燒結體加熱至前述預備燒結的溫度以上進行再燒結成為平均燒結粒徑15μm以上的再燒結體，光學研磨而修整其光學端面。 2. 如1記載之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，前述石榴石型複合氧化物，進而含由釔、鎦、鎵及鈰所選擇的至少一種。 3. 如1或2記載之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，前述石榴石型複合氧化物以下列式(1)表示：
Figure 02_image001
(式中，0≦x＜0.45、0≦y＜0.1、0≦z＜0.2、0.001＜y+z≦0.2)。 4. 如1至3之任一記載之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，前述預備燒結，在減壓下加熱至1,450～1,650℃。 5. 如1至4之任一記載之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，前述加壓燒結，加熱至1,100～1,700℃。 6. 如1至5之任一記載之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，前述再燒結，在減壓下加熱至1,650～1,800℃。 7. 如1至6之任一記載之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，進而針對前述再燒結體進行氧化退火處理，其後進行光學研磨。 8. 一種常磁性石榴石型透明陶瓷，是至少含鋱與鋁與鈧的石榴石型複合氧化物之燒結體，助燒結劑含有SiO 2超過0質量%且0.1質量%以下，平均燒結粒徑為15μm以上，且為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，作為其光學有效的內部區域之入射光散射源，於XYZ直角坐標系其最大的長度L作為X軸方向的場合，不含其最大長度L為30μm以上者，且其最大長度L為20μm以上且未滿30μm，而且Y軸方向的寬幅W，與Z軸方向的厚度T均未滿30μm者為2個以下。 9. 如8記載之常磁性石榴石型透明陶瓷，為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T之中任一為10μm以上且未滿20μm，其餘的未滿20μm者為5個以下。 10. 如8或9記載之常磁性石榴石型透明陶瓷，為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T之中任一為2.5μm以上且未滿10μm，其餘的未滿10μm者為10個以下。 11. 如8至10之任一記載之常磁性石榴石型透明陶瓷，為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均為1μm以上且未滿2.5μm者為500個以下。 12. 如8至11之任一記載之常磁性石榴石型透明陶瓷，為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，在X軸方向的最大長度L，Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均未滿1μm者為1,000個以下。 13. 如8至12之任一記載之常磁性石榴石型透明陶瓷，殘存於光學有效的內部區域之燒結粒子內部的粒內氣泡的存在比率，為每10萬粒子1個以下。 14. 如8至13之任一記載之常磁性石榴石型透明陶瓷，為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，對此使雷射強度120W，光束品質M 2值為m(1＜m≦1.2)之波長1,070nm的雷射光入射，而其透過光的光束品質M 2值為n的場合之n/m為1.05以下。 15. 如8至14之任一記載之常磁性石榴石型透明陶瓷，在光徑長度25mm下之波長1,064nm之全光線透過率，在沒有往光學端面的防反射鍍層的場合為84.4%以上，在有往光學端面的防反射鍍層的場合為99.9%以上。 16. 一種磁性光學材料，是由8至15之任一記載之常磁性石榴石型透明陶瓷所構成。 17. 一種磁性光學裝置，是使用16記載之磁性光學材料構成的。 18. 如17記載之磁性光學裝置，是具備將前述常磁性石榴石型透明陶瓷作為法拉第轉子，於該法拉第轉子的光學軸上的前後具備偏光材料之可在波長帶0.9μm以上1.1μm以下利用之光單向器。 [發明之效果]
根據本發明，可得含有至少含鋱與鋁與鈧的常磁性石榴石型複合氧化物的燒結體，且抑制散射源(這些散射源之中，抑制粗大者的發生，而且減低比其更小的散射源的數目)使高輸出的雷射光透過時之光束品質受到改善之常磁性石榴石型透明陶瓷。此外，根據此常磁性石榴石型透明陶瓷，可以提供特別是可以搭載於100W以上的高功率雷射系統，可作為光束品質優異的磁性光學材料來利用，進而陶瓷燒結體的規模擴大也容易的真正實用的常磁性石榴石型的氧化物透明陶瓷材料。
＜常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法＞
以下，說明關於本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法。 相關於本發明的常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，使用至少含鋱與鋁與鈧的石榴石型複合氧化物，與含有含量為超過0質量%且0.1質量%以下的量之SiO 2的複合氧化物粉末成形為成形體之後，預備燒結該成形體成為相對密度94%以上、平均燒結粒徑3μm以下的預備燒結體，接著將此預備燒結體以壓力50MPa以上300MPa以下，溫度1,000℃以上1,780℃以下的條件加壓燒結，進而將此加壓燒結體加熱至前述預備燒結的溫度以上進行再燒結成為平均燒結粒徑15μm以上的再燒結體，光學研磨而修整其光學端面。
此處，在本發明，使用包含至少含鋱與鋁與鈧的石榴石型複合氧化物，與含量超過0質量%且0.1質量%以下的量的SiO 2的複合氧化物粉末。
[組成] 於前述複合氧化物粉末，作為主成分包含至少含鋱(Tb)與鋁(Al)與鈧(Sc)的石榴石型複合氧化物。此處，所謂「作為主成分」包含，意味著含有99質量%以上由特定的元素群構成的石榴石型複合氧化物。又，此時的含量以99.9質量%以上為佳，99.95質量%以上為更佳。此外，於前述複合氧化物粉末，作為副成分(其餘的必須成分)包含SiO 2等助燒結劑。
一般而言，石榴石構造的氧化物中鋱離子在3價的狀態容易安定地存在，因此可以製作吸收很小的高透明性常磁性型透明陶瓷所以較佳。此外，含有鋁離子的石榴石構造與含有鎵(Ga)離子的石榴石構造(例如TGG)相比，可以增大韋爾代常數所以較佳。進而，使前述複合氧化物粉末含有SiO 2超過0質量%且0.1質量%以下而燒結的話，可促進緻密化而得高透明性的燒結體所以較佳。進而，抑制鈣鈦礦(perovskite)相等異相發生的效果也包含於SiO 2，所以積極添加為佳。
又，添加SiO 2超過0.1質量%的話，對製造的長度(光徑長)25mm的常磁性石榴石型透明陶瓷照射波長1,070nm之120W雷射光線時因為發生熱透鏡效果，在前述入射光的光束品質M 2值為m，透過該透明陶瓷的雷射光的光束品質M 2值為n的場合，n/m變得比1.05還大所以不佳。
於本發明，前述石榴石型複合氧化物進而含有釔(Y)、鎦(Lu)、鎵(Ga)及鈰(Ce)所選擇的至少一種為佳，含有釔(Y)及鈧(Sc)、鈧(Sc)及鎵(Ga)，或鈧(Sc)為更佳。
鋱的位置的一部分以釔、鎦置換的話，石榴石構造更為安定化，缺陷減少所以較佳。特別是釔與鋱的離子半徑相近，置換鋱位置的一部分結晶構造也不大會扭曲所以較佳。但是如果過多地以這些元素置換鋱的話，所得到的燒結體的韋爾代常數會不必要地降低所以不佳。典型的方法是在鋱為100莫耳%時，在0莫耳%以上40莫耳%以下的範圍進行置換為佳，5莫耳%以上35莫耳%以下的範圍進行置換為更佳。
鈧在具有石榴石構造的氧化物中是既在鋱的位置可以而在鋁的一部分的位置也可以固溶的具有中間的離子半徑的材料，例如在各種出發原料稱重時的離散使得所得到的組成偏離化學量論比率的場合，是能夠以剛好配合化學量論比率的方式，以及藉此使亞晶粒的生成能量最小的方式，自行調整分往鋱及釔所構成的稀土類位置與鋁位置的分配比而固溶的緩衝材料。亦即，是能夠安定得到石榴石單相的元素，所以可適宜地添加。
但是過多地添加鈧的話，與此連動使得鋱的置換比率也變高，所以結果使鋱的固溶濃度不必要地降低了。如此一來，韋爾代常數變小所以不佳。此外，鈧的原料價格昂貴，所以不必要地過剩摻雜鈧會使製造成本上升因而不佳。典型的方法是在鋁為100莫耳%時，在0莫耳%以上20莫耳%以下的範圍進行置換為佳，0.001莫耳%以上10莫耳%以下的範圍進行置換為更佳。
鈰藉由固溶存在於鋱氧化物中，吸收範圍擴大到比488nm更往長波長側，而且是可以解除對稱性的缩退而增大自旋軌道相互作用分裂的材料，可以藉此增大使波長1,064nm(或者波長1,070nm)的雷射光入射的場合之韋爾代常數。所以於本發明，是添加為較佳的元素。但是過量地使置換固溶的話，在波長1,064nm(或波長1,070nm)的吸收的影響變得無法忽視，所以不佳。典型的方法是在鋱為100莫耳%時，在0莫耳%以上1莫耳%以下的範圍進行置換為佳，0莫耳%以上0.5莫耳%以下的範圍進行置換為更佳。
例如，作為法拉第轉子製造常磁性石榴石型透明陶瓷的場合，可例示下列式(1)所表示的複合氧化物。
Figure 02_image003
(式中，0≦x＜0.45、0≦y＜0.1、0≦z＜0.2、0.001＜y+z≦0.2)。
式(1)中，x的範圍為0≦x＜0.45，0.05≦x＜0.45為更佳，0.1≦x≦0.4又更佳，0.2≦x≦0.35進而更佳。x在此範圍的話，可以使減少到以X線繞射(XRD)分析無法檢測出鈣鈦礦(perovskite)型異相的程度。進而，以光學顯微鏡觀察在150μm×150μm的視野之鈣鈦礦(perovskite)型的異相(典型的尺寸為直徑1～1.5μm，著色為淡茶色而可見的粒狀者)的存在量成為1個以下，所以較佳。此時的鈣鈦礦(perovskite)型異相之相對於石榴石母相的存在比率成為1ppm以下。同樣地，x超過前述範圍的話，殘存於陶瓷燒結體中的氣孔(典型的尺寸為直徑0.5～2.0μm，HIP處理過的場合成為球狀空隙者)之量，在光學顯微鏡觀察下150μm×150μm的視野之存在量成為1個以下，所以較佳。此時的氣孔之相對於石榴石母相的存在比率成為1ppm以下。
x為0.45以上的場合，在波長1,064nm的韋爾代常數成為未滿30rad/(T･m)，所以不佳。進而，鋱的相對濃度過度稀薄的話，使波長1,064nm的雷射光旋轉45度所必要的全長會超過25mm，製造變得困難所以不佳。又，對波長1,070nm的雷射光也相同。
式(1)中，y的範圍為0≦y＜0.1，0＜y＜0.1為更佳，0＜y＜0.08又更佳，0.002≦y≦0.07進而更佳，0.003≦y≦0.06特佳。y在此範圍的話，可以使減少到以XRD分析無法檢測出鈣鈦礦型異相的程度。進而，以光學顯微鏡觀察在150μm×150μm的視野之鈣鈦礦(perovskite)型的異相(典型的尺寸為直徑1～1.5μm，著色為淡茶色而可見的粒狀者)的存在量成為1個以下，所以較佳。此時的鈣鈦礦(perovskite)型異相之相對於石榴石母相的存在比率成為1ppm以下。
y為0.1以上的場合，鈣鈦礦型異相的析出抑制效果會飽和而不變，其中使鋱的一部分以釔置換以外，進而鈧也置換掉鋱的一部分，所以結果使鋱的固溶濃度不必要地降低，因此韋爾代常數變小而不佳。此外，鈧的原料價格昂貴，所以不必要地過剩摻雜鈧會使製造成本上升因而不佳。
式(1)中，0.05≦x＜0.45且0＜y＜0.1的場合，1-x-y的範圍以0.5＜1-x-y＜0.95為佳，0.55≦1-x-y＜0.95為更佳，0.6≦1-x-y＜0.95又更佳。1-x-y在此範圍的話，可以確保大的韋爾代常數同時於波長1,064nm可得高的透明性。又，對波長1,070nm的雷射光也相同。
式(1)中，z的範圍為0≦z＜0.2，0.001＜z＜0.2為更佳，0.004＜z＜0.16又更佳，0.01≦z≦0.15進而更佳，0.03≦z≦0.15特佳。z在此範圍的話，以XRD分析未被檢測出鈣鈦礦型異相。進而，以光學顯微鏡觀察在150μm×150μm的視野之鈣鈦礦(perovskite)型的異相(典型的尺寸為直徑1～1.5μm，著色為淡茶色而可見的粒狀者)的存在量成為1個以下，所以較佳。此時的鈣鈦礦(perovskite)型異相之相對於石榴石母相的存在比率成為1ppm以下。
z為0.2以上的場合，鈣鈦礦型異相的析出抑制效果會飽和而不變，其中連動於z值的增加，y之值亦即根據鈧之鋱的置換比率也變高，所以結果使鋱的固溶濃度不必要地降低，因此韋爾代常數變小而不佳。進而，鈧的原料價格昂貴，所以不必要地過剩摻雜鈧會使製造成本上升因而不佳。
又，式(1)中，y+z的範圍為0.001＜y+z≦0.20。y與z都是0的場合，鈧的添加效果也為零，所以不佳。此外，y+z超過0.2的話，鈣鈦礦型異相的析出抑制效果會飽和而不變，根據鈧之鋱的置換比率也變高，所以結果使鋱的固溶濃度不必要地降低，因此韋爾代常數變小而不佳。進而，鈧的原料價格昂貴，所以不必要地過剩摻雜鈧會使製造成本上升因而不佳。
此外，於前述複合氧化物粉末，作為助燒結劑可以進而添加鎂(Mg)或鈣(Ca)。 鎂及鈣都是2價的離子，是可以補償伴隨著4價的SiO 2的添加之石榴石構造內部的電荷平衡的偏差之元素，所以可適宜地添加。其添加量以配合SiO 2添加量而調整為佳。
於前述複合氧化物粉末，前述主成分以外進而含有其他元素亦可。典型的其他元素，可以例示容易作為不純物混入的鈉(Na)、磷(P)、鎢(W)、鉬(Mo)等。
其他元素的含量，以鋱的總量為100質量部時，以10質量部以下為佳，0.1質量部以下更佳，0.001質量部以下(實質為零)特佳。
[複合氧化物粉末] 作為在本發明使用的原料，對應於前述組成至少包含鋱、鋁、鈧，進而隨著場合不同，可以適宜地利用釔、鎦、鎵、鈰、鎂、鈣等分別的金屬粉末，或者前述元素的氧化物粉末等。此外，前述原料的純度以99.9質量%以上為佳，99.99質量%以上特佳。
進而作為用於本發明的SiO 2原料，可以適宜地利用矽的氧化物粉末，或者四乙氧基矽烷(TEOS)。此外，前述原料的純度以99.9質量%以上為佳，99.99質量%以上特佳。
把包含這些元素的原料粉末以成為前述組成(例如對應於式(1)的組成)的方式秤量特定量，進而與SiO 2原料(SiO 2之含量超過0質量%且在0.1質量%以下的量)等成為助燒結劑的原料一起混合並且粉碎，燒成而得到所要的構成的立方晶石榴石型複合氧化物為主成分的燒成原料(複合氧化物粉末)。或者是把包含前述元素的原料粉末以成為前述組成(例如對應於式(1)的組成)的方式秤量特定量，燒成而形成所要的構成的立方晶石榴石型複合氧化物，對此添加SiO 2原料(SiO 2之含量超過0質量%且在0.1質量%以下的量)等成為助燒結劑的原料而混合並且粉碎，得到燒成原料(複合氧化物粉末)亦可。
此時的燒成溫度為900℃以上，且以比此後進行的燒成溫度更低的溫度為佳，以1,000℃以上1,300℃以下為更佳。燒成溫度在此範圍內的話，燒成原料(複合氧化物粉末)不會過度地(典型為成型體粒徑1.5μm以上)粒成長，不損及得到的原料粉末的燒結性所以較佳。又，燒成的原料在許多情況下是凝集在一起的，所以燒成後的原料另行進行粉碎處理進而更佳。此時，被粉碎的原料粉末的平均粒徑為1μm以下的話，使用該粉末製作燒結體時的燒結性變得良好所以特佳。
又，最終使用所要的構成的複合氧化物粉末進行陶瓷製造，但針對此時的粉末形狀沒有特別限定，例如可以適宜地利用角狀、球狀、板狀的粉末。此外，即使為二次凝集的粉末也可以適宜地利用，藉由噴霧乾燥處理等造粒處理而造粒之顆粒狀粉末亦可適宜地利用。進而，針對這些原料粉末的調製步驟也沒有特別限定。可以適宜地利用共沉法、粉碎法、噴霧熱分解法、溶膠凝膠法、烷氧化物(alkoxide)加水分解法、以其他各種合成方法製作的原料粉末。此外，將得到的原料粉末適當地藉由濕式球磨機、珠磨機、噴射粉碎機或乾式噴射粉碎機、錘磨機等進行處理亦可。
其中，於本發明，為了能管理異相、異物、髒污等的尺寸或數量在規定的範圍內，混合、粉碎媒介體、容器以及坩堝等使用充分洗淨、乾燥之清淨專用的，而且操作粉末原料的環境為等級10000以下的潔淨空間為佳。
在本發明使用的原料粉末中，為了提高在其後的陶瓷製造步驟的品質安定性或生產率的目的，亦有添加各種有機添加劑的場合。於本發明，針對這些並無特別限定。亦即，可以適宜地利用各種分散劑、結合劑、潤滑劑、可塑劑等。但是，作為這些有機添加劑，選定不含不要的金屬離子的高純度的型式為佳。
[製造步驟] 在本發明，使用前述燒成原料(複合氧化物粉末)壓製成型為特定形狀之後進行脫脂，接著進行預備燒結為相對密度94%以上，平均燒結粒徑3μm以下的預備燒結體，接著將此預備燒結體在壓力50MPa以上300MPa以下，溫度1,000℃以上1,780℃以下進行加壓燒結(熱均壓成型(HIP (Hot Isostatic Pressing))處理)，進而將此加壓燒結體加熱至前述預備燒結的溫度以上進行再燒結，得到平均燒結粒徑15μm以上的再燒結體。
又，燒結粒子的平均粒徑(平均燒結粒徑)，以金屬顯微鏡測定對象燒結體的燒結粒子的粒徑而求出，詳細以如下所述的方式求出。 亦即，針對預備燒結體使用金屬顯微鏡，使用反射模式，用50倍的物鏡拍攝燒結體表面的反射影像。詳細地說，考慮到物鏡的有效影像尺寸攝影對象燒結體的光學有效區域之全區域，針對該拍攝的影像進行解析處理。此時，首先於各攝影像描繪對角線，計算該對角線橫切的燒結粒子的總數，而且將對角線長除以此計算的總數之值定義為該影像中的燒結粒子的平均粒徑。進而合計以解析處理讀取的各拍攝影像的平均粒徑，除以拍攝張數之值作為對象燒結體的平均燒結粒徑(以下，針對該常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法以及實施例之預備燒結體也相同)。 此外，針對再燒結體使用金屬顯微鏡的透過模式，用50倍的物鏡拍攝兩端面被研磨的燒結體試樣之透過開放偏光板影像。詳細地說，考慮到物鏡的有效影像尺寸與有效焦點深度攝影對象燒結體的光學有效區域之全區域，針對該拍攝的影像進行解析處理。此時，首先於各攝影像描繪對角線，計算該對角線橫切的燒結粒子的總數，而且將對角線長除以此計算的總數之值定義為該影像中的燒結粒子的平均粒徑。進而合計以解析處理讀取的各拍攝影像的平均粒徑，除以拍攝張數之值作為對象燒結體的平均燒結粒徑(以下，針對該常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法之再燒結體，以及製造的常磁性石榴石型透明陶瓷，以及實施例之再燒結體也相同)。
(成型) 於本發明之製造方法，適宜利用通常的壓製成型步驟。亦即，可以適宜地利用非常一般的填充模具而由一定方向加壓之單軸壓製步驟或密閉收容於可變形的防水容器以靜水壓加壓的冷間靜水壓加壓(CIP(Cold Isostatic Pressing))步驟或溫間靜水壓加壓(WIP(Warm Isostatic Pressing))步驟。又，施加壓力只要確認所得到的成型體的相對密度同時適當調整即可，沒有特別限制，例如可以使市售的CIP裝置或WIP裝置在可以對應的300MPa以下程度的壓力範圍進行管理的話，可抑制製造成本。進而，不採用壓製成型法，而根據鑄造成型法製作之成型體也為可能。加壓鑄造成型或離心鑄造成型，壓出成型等成型法，也可以藉著最佳化出發原料之複合氧化物粉末的形狀或尺寸與各種有機添加劑之組合而採用。
其中，於本發明，為了管理異相、異物、髒污、微龜裂等散射源的尺寸或數量在規定的範圍內，成型用模具、以及成型機使用充分洗淨、乾燥之清淨專用的，而且進行成型作業的環境為等級1000以下的潔淨空間為佳。
(脫脂) 於本發明之製造方法，適宜利用通常的脫脂步驟。亦即，經過根據加熱爐的升溫脫脂步驟為可能。此外，此時的氛圍氣體的種類沒有特別限制，可以適宜地利用空氣、氧、氫等。脫脂溫度也沒有特別限制，倘若使用被混合有機添加劑的原料的場合，以升溫到可以分解除去該有機成分的溫度為佳。
(預備燒結) 於本步驟，製作緻密化到相對密度94%以上的平均燒結粒徑3μm以下的預備燒結體。此時，以燒結粒徑收在所要的範圍內的方式設置溫度與保持時間的條件是必要的。
在此，可以適宜地利用一般的燒結步驟。亦即，可以適宜地利用電阻加熱方式、感應加熱方式等加熱燒結步驟。此時的氛圍沒有特別限制，可以適宜地利用大氣、惰性氣體、氧氣、氫氣、氦氣等各種氛圍，但更佳為可以利用減壓下(真空中)的燒結。預備燒結的真空度以未滿1×10 -1Pa為佳，未滿1×10 -2Pa為更佳，未滿1×10 -3Pa為特佳。
本發明的預備燒結步驟之燒結溫度以1,450～1,650℃為佳，1,470～1,600℃為特佳。燒結溫度在此範圍的話，抑制異相析出以及粒成長同時促進緻密化所以較佳。本發明之預備燒結步驟之燒結保持時間只要數小時就充分，但必須使預備燒結體的相對密度緻密化到94%以上。
本發明的預備燒結體的燒結粒的平均粒徑為3μm以下，以2.5μm以下為佳。該燒結粒的平均粒徑可以權衡原料物種、氛圍、燒結溫度、保持時間而調整。燒結粒徑比3μm還大的話，在接著的HIP處理步驟變得不容易發生塑性變形，殘留於預備燒結體內的氣泡變得難以除去。
(加壓燒結(熱均壓(HIP))) 於本發明之製造方法，設有經過預備燒結步驟後將預備燒結體在壓力50MPa以上300MPa以下，溫度1,000℃以上1,780℃以下進行加壓燒結(進行熱均壓處理)之步驟。又，此時的加壓氣體媒體種類可以適宜地利用氬、氮等惰性氣體，或者Ar-O 2。藉由加壓氣體媒體加壓的壓力為50～300MPa，以100～300MPa為佳。壓力未滿50MPa無法得到透明性改善效果，超過300MPa時即使增加壓力也無法得到更好的透明性改善，對於裝置的負擔過多而有損傷裝置之虞。施加壓力為市售的HIP裝置能夠處理的196MPa以下的話相當簡便所以較佳。此外，此時的處理溫度(特定保持溫度)設定在1,000～1,780℃，較佳為1,100～1,700℃之範圍。處理溫度比1,780℃還高的溫度下HIP處理中產生粒成長而氣泡的除去變得困難所以不佳。此外，處理溫度未滿1,000℃的話，幾乎無法得到燒結體的透明性改善效果。又，針對處理溫度的保持時間沒有特別限制，保持太長時間的話發生氧缺陷的風險增大所以不佳。典型上較佳為設定在1～3小時的範圍。又，進行HIP處理的加熱材、絕熱材、處理容器沒有特別限制，可以適宜地利用石墨，或是鉬、鎢、鉑(Pt)，作為處理容器進而還可以適宜地利用氧化釔、氧化釓。處理溫度為1,500℃以上的場合，加熱材、絕熱材以石墨為佳，但此場合，作為處理容器，選定石墨、鉬、鎢之任一，進而於其內側作為雙重容器選定氧化釓、氧化釓之任一，而且在容器內先填充氧釋出材料的話，可以極力抑制HIP處理中之氧缺損發生量所以較佳。
(再燒結) 於本發明之製造方法，結束HIP處理之後，將加壓燒結體加熱至前述預備燒結的溫度以上進行再燒結使粒成長得到平均燒結粒徑15μm以上的再燒結體。此時，以最終得到的燒結粒徑收在所要的範圍內的方式設置溫度與保持時間的條件是必要的。
此時的氛圍氣體的種類沒有特別限制，可以適宜地利用空氣、氧、氫等，但在減壓下(未滿1×10 -2Pa的真空下)進行處理為更佳。再燒結溫度以1,650℃以上1,800℃以下為佳，在1,700℃以上1,800℃以下更佳。未滿1,650℃粒成長不發生所以不佳。根據再燒結之燒結粒子的平均粒徑為15μm以上，以35μm以下為佳。再燒結步驟的保持時間沒有特別限定，但5小時以上為佳，10小時以上為更佳。一般而言越延長保持時間燒結體的粒成長越是進行。再燒結步驟的溫度與保持時間可以確認平均燒結粒徑而適當調整。
(氧化退火) 經過以上一連串處理的再燒結體，特別是在HIP處理步驟等會被還原，所以會產生若干的氧缺陷，而有呈現灰色～深藍的外觀的場合。在此場合，以1,000～1,500℃的溫度在大氣中等含氧氛圍下施以退火處理(氧缺陷回復處理)為佳。此場合之保持時間沒有特別限制，但以選擇回復氧缺陷所需的充分時間以上，而且不會無謂地長時間處理而浪費電費的時間內為佳。此外，施以微氧化HIP處理亦可。藉由這些處理，例如即使是已著色的再燒結體，也可以使氧缺陷回復，所以可以把散射源(散射對比源)的尺寸或數量管理在規定的範圍內，而且可以成為來自氧缺陷的吸收很少的常磁性石榴石型透明陶瓷。當然，為了賦予機能之摻雜或者添加不純物等有色元素導致材料的本質上著色(吸收)無法除去。
如此，針對前述成型體在以特定條件進行預備燒結-加壓燒結-再燒結之處理後，進行氧化退火處理的話，在光徑長度25mm下之波長1,064nm之全光線透過率，可以在沒有往光學端面的防反射鍍層的場合為84.4%以上，在有往光學端面的防反射鍍層的場合為99.9%以上。
又，於該氧化退火步驟進行高溫長時間處理的話，會有燒結體內部殘存氣泡的尺寸或數量增加的場合。如此一來，會使最終的燒結體內部殘留的氣泡或微龜裂等的尺寸或數量無法管理在規定的範圍內，所以不佳。在此場合，對該燒結體再度施以HIP處理，而且另行施以氧氛圍退火處理的話，殘留於燒結體內部的氣泡或微龜裂等的尺寸或數量可以管理在規定的範圍內，所以較佳。
(光學研磨) 於本發明之製造方法，經過前述一連串的製造步驟之常磁性石榴石型透明陶瓷，其形狀以圓柱狀或角柱狀為佳，光學研磨修正在光學上利用的軸上的兩端面(光學端面)。此時的光學面精度在測定波長λ=633nm的場合以λ/2以下為佳，λ/8以下特佳。因此，光學研磨步驟的最終階段必然以施加拋光修整處理為佳。此外，其面精度(反射波面精度)以P-V值0.16μm以下為佳。藉此，於光學上利用的軸方向呈現無色透明的外觀。 又，此光學研磨，於本發明的常磁性石榴石型透明陶瓷，對於抑制後述的粗大的散射源之中起因於表面粗糙度的成分，減低比其還小的散射源之中起因於表面粗糙度的成分，是必須的處理。
又，藉著在被光學研磨過的面適當地形成防反射膜(AR覆層)進而減少光學損失所以較佳。此時，以光學兩端面上不殘留髒污的方式，在施以防反射膜處理前謹慎地清潔地擦拭洗淨光學面，以實體鏡或顯微鏡等檢查清淨度為較佳。進而以不在該擦拭洗淨步驟於光學面造成傷痕，不擦上髒污的方式，選定柔軟材質的操作治具，擦拭工具選定低塵性者為佳。
根據本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，製造的常磁性石榴石型透明陶瓷為直徑5mm，長度25mm的圓柱狀時，可以是作為在光學有效徑內且從表面到燒結體內部的所有3次元區域(光學上的有效內部區域)殘存的氣泡、異物、微龜裂、其他散射源，如稍後所述不含粗大散射源，亦即X軸方向最大長度L，Y軸方向寬幅W及Z軸方向的厚度T都在30μm以下，且最大長度L為20μm以上未滿30μm，寬幅W與厚度T均為未滿30μm者最多也只有2個，較佳為最大長度L、寬幅W及厚度T之任一為10μm以上未滿20μm，其餘為未滿20μm者最多也只有5個。
此外，根據本發明之製造方法，如稍後所述，除了前述以外，可以管理為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，於光學有效的內部區域，X軸方向的最大長度L，Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T之任一為2.5μm以上且未滿10μm，其餘的未滿10μm的大型散射源(凹窪、髒污、氣泡、異相、異物)之合計數目為10個以下。進而，可以管理成為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，於光學有效的內部區域，X軸方向的最大長度L、Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均為1μm以上且未滿2.5μm的中型散射源(凹窪、髒污、氣泡、異相、異物)之合計數目為500個以下。進而此外，同樣可以管理為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，於光學有效的內部區域，X軸方向的最大長度L，Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均為未滿1μm的小型散射源(凹窪、髒污、氣泡、異相、異物)之合計數目為1,000個以下。
如以上所述進行，可得含有至少含鋱與鋁與鈧的常磁性石榴石型複合氧化物的燒結體，且縮小散射源的尺寸同時減低其數目使高輸出的雷射光透過時之光束品質受到改善之常磁性石榴石型透明陶瓷。詳細內容如下所述。
＜常磁性石榴石型透明陶瓷＞ 相關於本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，是藉由前述之本發明的常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法所製造的，至少含鋱與鋁與鈧的石榴石型複合氧化物之燒結體，助燒結劑含有SiO 2超過0質量%且0.1質量%以下，平均燒結粒徑為15μm以上，且為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，作為其光學有效的內部區域之入射光散射源，於XYZ直角坐標系其最大的長度L作為X軸方向的場合，不含其最大長度L為30μm以上者，且其最大長度L為20μm以上且未滿30μm，而且Y軸方向的寬幅W，與Z軸方向的厚度T均未滿30μm者為2個以下。
在此，本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，以包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T之中任一為10μm以上且未滿20μm，其餘的未滿20μm者為5個以下為佳。 此外，本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T之中任一為2.5μm以上且未滿10μm，其餘的未滿10μm者為10個以下為更佳。
進而此外，本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均為1μm以上且未滿2.5μm者為500個以下為佳。
進而，本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，以包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，X軸方向的最大長度L，Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均為未滿1μm者為1,000個以下為佳。
又，「光學有效的內部區域」，意為著於常磁性石榴石型透明陶瓷內部入射光透過而射出時作為磁性光學材料有效地發揮機能的區域，即該常磁性石榴石型透明陶瓷的3次元的光學有效徑內部(亦即，於其深度方向(長邊方向)的所有位置為光學有效徑內)(以下亦稱為光學有效區域內部)。此外，「光學有效徑」，是於透明陶瓷的光學面在光學上有效的區域(光學有效區域)，詳細地說，圓柱形狀的常磁性石榴石型透明陶瓷的場合，其光學上利用的軸上之光學面(圓形面)除掉光學上無法利用的端面外緣部之區域，在此，以光學面的面積率計算除掉相當於10%的光學面外緣部的區域，亦即從光學面的外緣進入內側的面積率為90%的區域。
所謂「散射源」，是包含於常磁性石榴石型透明陶瓷內部的氣泡、異相、異物、微龜裂等，及包含於該透明陶瓷的光學端面表層的凹窪、髒污等成為使入射雷射光散射的原因之物，是以金屬顯微鏡的透過模式作為對比影像被觀察到者。
此散射源的形態或尺寸隨著氣泡、異相、異物、微龜裂等的種類而不同，在此將散射源依其尺寸(加計形態之尺寸)分類為以下6種。在此場合，將對象之散射源在XYZ直角座標系將其最大長度L的方向配置於X軸方向，此時的Y軸方向為寬幅W，Z軸方向為厚度T。 ･超粗大(NG粗大)散射源：其最大長度L為30μm以上者 ･上限粗大(容許粗大)散射源：其最大長度L為20μm以上未滿30μm，且寬幅W與厚度T都未滿30μm者 ･粗大散射源：其最大長度L，Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T之任一為10μm以上未滿20μm，其餘為未滿20μm者 ･大型散射源：X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T之任一為2.5μm以上未滿10μm，其餘為未滿10μm者 ･中型散射源：X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均為1μm以上未滿2.5μm者 ･小型散射源：X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均為未滿1μm者 又，「未滿1μm者」，是以金屬顯微鏡所能觀察到的最大者，其大小的下限為一邊500nm程度。
本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，殘存於光學上有效的內部區域的各種散射源被管理在前述範圍內的話，直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀作為搭載於雷射加工機內部的法拉第轉子利用時，對此使雷射強度120W，光束品質M 2值為m(1＜m≦1.2)之波長1,070nm的雷射光入射，其透過光的光束品質M 2值為n的場合之n/m成為1.05以下，所以較佳。
此外，本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，其平均燒結粒徑為15μm以上，以35μm以下為佳。平均燒結粒徑未滿15μm的話，陶瓷內部的散射量變多，結果直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀作為搭載於雷射加工機內部的法拉第轉子利用時，對此使雷射強度120W，光束品質M 2值為m(1＜m≦1.2)之波長1,070nm的雷射光入射，其透過光的光束品質M 2值為n的場合之n/m會超過1.05。
此外，本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，殘存於光學有效的內部區域之燒結粒子內部的粒內氣泡的存在比率，為每10萬粒子1個以下為佳。
本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，在光徑長度25mm下之波長1,064nm之全光線透過率，在沒有往光學端面的防反射鍍層的場合為84.4%以上，在有往光學端面的防反射鍍層的場合為99.9%以上為佳。根據如此具有高的全光線透過率的常磁性石榴石型透明陶瓷，直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，可以使對此使雷射強度120W，光束品質M 2值為m(1＜m≦1.2)之波長1,070nm的雷射光入射，而其透過光的光束品質M 2值為n的場合之n/m為1.05以下。
在此，所謂「全光線透過率」，是在被設置積分球的測定光徑中不放置試樣而在空白(空間)狀態測定的對象波長的透過頻譜(光的強度)為100%的場合之使透過透明陶瓷試樣後以積分球聚光的對象波長的所有光的合計強度之比率(全光線透過率)。亦即，在空白狀態測定的對象波長的光的強度(入射光強度)為I 0，使透過透明陶瓷試樣後的根據積分球聚光的光的強度為I的場合，能夠以I/I 0×100(%)表示。
此外，本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，以在直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，光學有效區域內的光徑長25mm之波長1,064nm的插入損失變動成為0.02dB以下為較佳。藉此，使該雷射光透過的場合，可得高的光束品質M 2。 又，此處所謂的插入損失，是將波長1,064nm的10～20mW的雷射光聚光為光束直徑200～350μm的狀態下對對象之常磁性石榴石型透明陶瓷的光學面垂直地(光學上利用的軸方向)入射而以半導體受光器測定光強度，將此時的不插入該陶瓷的場合的光強度(入射光強度)為基準，對此之光強度的降低以dB單位表現者。此外，插入損失變動，是在對象之常磁性石榴石型透明陶瓷的光學面的光學有效區域(光學有效徑)內的全區域移動使雷射光入射的位置同時測定之插入損失的最大值與最小值之差。此時的雷射光的位置移動量以光束直徑的一半程度(100μm)為佳。
進而此外，本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，在直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，光徑長25mm之波長1,064nm之消光比跨光學有效區域內的全面為40dB以上為佳，42dB以上更佳，44dB以上進而更佳，48dB以上特佳。 又，此處所謂的消光比，是將波長1,064nm的10～20mW的雷射光聚光到光束直徑200～350μm的狀態下偏光至0～90度而對對象之常磁性石榴石型透明陶瓷的光學面垂直地(在光學上利用的軸方向)入射，使其射出光通過偏光器射入受光器，以受光器測定光的強度，由最大值(I 0’)與最小值(I’)，以下式計算求出消光比，將此在對象之常磁性石榴石型透明陶瓷的光學面的光學有效區域(光學有效徑)內的全區域移動使雷射光入射的位置同時反覆求得的消光比之最小值。此時的雷射光的位置移動量以光束直徑的一半程度(100μm)為佳。
Figure 02_image005
根據本發明之常磁性石榴石型透明陶瓷，真正透明，即使射入高功率雷射，光學品質也為良好，所以適於作為磁性光學材料。
[磁性光學裝置] 進而，本發明的常磁性石榴石型透明陶瓷設想作為磁性光學材料來利用，因此以對該常磁性石榴石型透明陶瓷施加與其光學軸平行的磁場，且使偏光器、檢光器相互間光學軸偏移45度的方式設置而構成利用磁性光學裝置為佳。亦即，本發明之磁性光學材料，適於磁性光學裝置用途，特別是適於作為波長0.9～1.1μm的光單向器之法拉第轉子。
圖1係顯示將本發明的磁性光學材料構成的法拉第轉子作為光學元件的光學裝置亦即光單向器的一例之剖面模式圖。 於圖1，光單向器100，具備本發明的磁性光學材料所構成的法拉第轉子110，於該法拉第轉子110的前後，具備偏光材料之偏光器120及檢光器130。此外，光單向器100，依序被配置偏光器120、法拉第轉子110、檢光器130，這些的側面之中之至少1面被載置著磁石140為較佳。
此外，前述光單向器100，可以適切地利用在波長1,064nm(或者波長1,070nm)之輸出為200W等的高輸出的產業用光纖雷射裝置。亦即，適於防止由雷射光源發出的雷射光之反射光回到光源，使振盪變得不安定而導致雷射振盪器的誤動作。 [實施例]
以下，舉出實施例、比較例、參考例及參考比較例，更具體地說明本發明，但本發明並不以實施例為限。
[實施例1～5，比較例1～5、參考例1～3、參考比較例1～3] 準備了信越化學工業(股)製造的氧化鋱粉末、氧化釔粉末、氧化鈧粉末，及大明化學(股)製造的氧化鋁粉末，進而還有Yamanaka Hutech(股)製造的氧化鎵，以及宇部物質(股)製造的氧化鎂。進而，準備了Kishida化學(股)製造的四乙氧基矽烷(TEOS)之液體。純度上，粉末原料均為99.95質量%以上，液體原料為99.999質量%以上。使用前述原料，調整混合比率製作了成為表1所示的最終組成的合計12種氧化物原料。亦即，準備鋱與鋁的莫耳數、鋱、釔及鋁的莫耳數、鋱、鈧及鋁的莫耳數、鋱、鈧、鋁及鎵的莫耳數、鋱、釔、鈧及鋁的莫耳數分別成為表1之各複合氧化物組成的莫耳比率的方式秤量之混合粉末。接著，將TEOS以其添加量進行SiO 2換算成為表1之質量%(wt%)的方式秤量而加入至各原料。進而，將氧化鎂以成為表1之質量%(wt%)的方式秤量而加入至各原料。
Figure 02_image007
接著，分別以防止相互混入的方式特別留意同時在乙醇中以氧化鋁製的球磨機裝置進行了分散/混合處理。處理時間為10小時。其後進行噴霧乾燥處理，製作了任一的平均粒徑為20μm的顆粒狀原料。
接著，將這些粉末放入氧化釔坩堝以高溫烙室爐(muffle furnace)在1,100℃保持時間1小時進行了暫燒成處理。所得到的各氧化物原料，分別以防止相互混入的方式特別留意同時再度在乙醇中以氧化鋁製的球磨機裝置進行了分散/混合處理。處理時間均為20小時。其後，再度進行噴霧乾燥處理，均製作了平均粒徑為20μm的顆粒狀原料。所得到的12種粉末原料，分別施以單軸壓製成型，以198MPa的壓力施以均壓處理得到CIP成型體。所得到的成型體在烙室爐中以1,000℃，2小時的條件進行脫脂處理而準備了各成型體。
接著，將脫脂成型體裝料至真空加熱爐，在未滿1.0×10 -3Pa的減壓下，進行1,600℃、2小時處理(預備燒結)得到合計11種預備燒結體。此時，試樣的燒結相對密度均為94%以上。此外，以相同條件製作的預備燒結體試樣之中，氧化物原料No.1A以外的，亦即含有助燒結劑的預備燒結體之平均燒結粒徑均為3.0μm以下。 又，預備燒結體之平均燒結粒徑，是使用蔡司公司製造的金屬顯微鏡的反射模式，物鏡使用有效影像尺寸為100μm×130μm的50倍物鏡，使場所偏離水平分別拍攝600枚照片，拍攝在最表層的直徑5mm試樣的光學有效區域全面的反射影像，針對拍攝的影像進行解析處理之後的結果。此時，首先於各攝影像描繪對角線，計算該對角線橫切的燒結粒子的總數，而且將對角線長除以此計算的總數之值定義為該影像中的燒結粒子的平均粒徑。接著合計在解析處理所讀取的各拍攝影像的平均粒徑，除以拍攝張數之值作為對象燒結體的平均燒結粒徑。
所得到的各預備燒結體裝料至碳纖加熱器製的HIP爐，在Ar中，以190MPa、1,600℃、3小時的條件進行了HIP處理(加壓燒結)。HIP體(加壓燒結體)的外觀為全部透明。參考專利文獻3、非專利文獻3及非專利文獻4，作為比較例接著把12種HIP體不投入再燒結步驟而直接保管。
作為實施例，將其餘的前述12種HIP體(加壓燒結體)再度裝料至真空加熱爐，在未滿1.0×10 -3Pa的減壓下，進行1,700℃、20小時處理(再燒結)得到合計24種的再燒結體。再燒結體的外觀全部為透明。
如此得到的HIP體(加壓燒結體)12種以及再燒結體12種分別進行圓柱研削至直徑5mm。其後，藉著在大氣下在1,450℃進行30小時處理，進行了氧化退火處理。觀察氧化退火處理後的陶瓷燒結體時，確認了比較例之HIP體12種藉由前述氧化退火處理而散射強度增加。 接著，把得到的各陶瓷燒結體，以成為長度25mm光學面精度成為λ/8(測定波長λ=633nm的場合)的方式最终研磨光學兩端面。在這場合，在此使各組成及燒結條件之試樣進而分為2群，針對一方之群的最終研磨，故意進行硬而無間隙的而且與磨光(polishing)研磨不相容的拋光(buffing)研磨。另一方之群則是以預先設定的最佳研磨條件進行光學研磨。如此進行，準備合計48種陶瓷試樣。又，試樣的n數為1(亦即每1種各1個)。 以上之燒結條件及研磨條件顯示於表2～4。表2為使用氧化物原料No.1A、1B、1C之TAG系者(參考例1及參考比較例1)，表3為使用氧化物原料No.2A、2B、3A、3B之TYAG系者(參考例2,3及參考比較例2,3)，表4為使用氧化物原料No.4～8之TSAG系、TSAGG系、TYSAG系者(實施例1～5及比較例1～5)。
針對如前所述進行而得的各燒結體試樣，如以下所述地測定了全光線透過率，以及光學有效區域內部(3次元的光學有效徑內)的氣泡、異相、異物、微龜裂等散射源的數量。
(全光線透過率的測定方法) 針對如以上所述進行而得的合計48種被研磨的燒結體試樣，使用日本分光(股)製造的分光光度計(型式:V-670)以下列要領測定了光徑長25mm的波長1,064nm之全光線透過率。 全光線透過率，是將透過試樣的全光線包含前方散射成分累積計算而評估的方法，具體而言以積分球將光聚光而進行評估。被測定物的光學有效區域內部有大的散射源(米氏散射)的場合，全光線透過率之值變得比較大，可說是不適於評估散射源的多寡。然而，如果可以製作高品質的透明燒結體，而且殘存於光學有效區域內部的散射源幾乎全部其最大長度、寬幅、厚度都為未滿2.5μm者的場合，散射成分的大致一半為後方散射，所以即使以積分球聚光而測定透過率，其測定值也會依存於散射源的多寡而起伏，所以評估資料可擔保一定的可信賴性。進而，於全光線透過率之值也反映吸收的多寡，如果得到接近於理論透過率的全光線透過率的話，自動成為幾乎沒有殘存吸收的高品質的光學元件，因為可以驗證，全光線透過率測定為首選的評估方法。
接著，其測定程序參考JIS K7375而測定。光源為鹵素燈，檢測器使用PbS光電胞，藉由雙光束方式進行了測定。首先，不載置試樣在空白狀態使波長1,064nm之空白透過率以積分球聚光而取得基礎光量；I 0。接著，在光徑中配置試樣，使在波長1,064nm的透過試樣而來的全光線以積分球聚光取得光量；I的數值。此時，全光線透過率以下列之式算出。 全光線透過率(%)=I/I 0×100
(散射源的各尺寸的數量計算方法) 氣泡、異相、異物、微龜裂等散射源的各尺寸的數量以如下方式測定。
使用蔡司公司製造的金屬顯微鏡的透過模式，使用2倍、10倍、50倍之各物鏡如前所述拍攝兩端面被研磨的各燒結體試樣之透過開放偏光板影像。 首先，2倍物鏡有效影像尺寸為2.4mm×3.2mm，所以對各深度在不同位置拍攝4張照片的話，可以拍攝試樣的整個光學有效區域。接著，有效焦點深度為±91μm，所以由試樣表層依序降低182μm之高度同時拍攝134層的話，包含長度25mm的試樣表層可以拍攝內部全體。搭載自動步進馬達載台的話，此作業是簡便的。之後，進行影像解析處理，在前散射源的分類中，超粗大(NG粗大)散射源、上限粗大(容許粗大)散射源、粗大散射源及大型散射源以如下所述的方式進行判定。 亦即，針對超粗大(NG粗大)散射源(其最大長度L為30μm以上者)判定其是否存在。 此外，針對上限粗大(容許粗大)散射源，前述其最大長度L為20μm以上未滿30μm而前述寬幅W及厚度T都未滿30μm者作為容許粗大散射源而計算其數目，2個以下為良好，3個以上為不良。 此外，針對粗大散射源，前述最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T之任一為10μm以上未滿20μm而其餘為未滿20μm者作為粗大散射源而計算其數目，5個以下為良好，6個以上為不良。 進而，針對大型散射源，前述X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T之任一為2.5μm以上未滿10μm，其餘為未滿10μm者，作為大型散射源而計算其數目，10個以下為良好，11個以上為不良。
其次，切換物鏡為有效影像尺寸為0.43mm×0.64mm的10倍物鏡，藉著使場所水平偏移而拍攝84枚照片，拍攝某個深度的直徑5mm的試樣的光學有效區域全面的影像。此處，有效焦點深度為±3.5μm，所以由表層依序降低7μm之高度同時拍攝200層的話，深度1.4mm的試樣內部對比像全部可以拍攝。之後，進行影像解析處理，在前散射源的分類中，針對中型散射源如下所述地進行判定。 亦即，計算中型散射源(X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均為1μm以上未滿2.5μm者)的數目，將此乘以17.85而將小數點第1位四捨五入而將其數目作為對象試樣的光學有效區域全體之中型散射源的數目，500個以下為良好，501個以上為不良。
接著，切換物鏡為有效影像尺寸為100μm×130μm，有效焦點深度為±0.9μm的50倍物鏡，藉著使場所水平偏移而分別拍攝600枚照片，拍攝了某個深度的直徑5mm的試樣的光學有效區域全面的影像。此攝影是將高度分別降低1.8μm而拍攝105層。之後，針對這些全部的影像進行解析處理，在前散射源的分類中，針對小型散射源如下所述地進行判定。 亦即，計算小型散射源(X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均為未滿1μm者)的數目，將此乘以132.27而將小數點第1位四捨五入而將其數目作為對象試樣的光學有效區域全體之小型散射源的數目，1,000個以下為良好，1,001個以上為不良。
(平均燒結粒徑之測定方法) 其次，針對使用前述50倍物鏡攝影的影像進而進行解析處理。亦即，首先於各攝影像描繪對角線，計算該對角線橫切的燒結粒子的總數，而且將對角線長(在此場合為164nm)除以此計算的總數之值定義為該影像中的燒結粒子的平均粒徑。進而合計在解析處理所讀取的各拍攝影像的平均粒徑，除以拍攝張數之值作為對象燒結體的平均粒徑d a。
又，散射源的數目，容許粗大為2個以下，粗大為5個以下，大型為10個以下，中型的總數為500個以下，小型的總數為1000個以下，而且燒結體的平均燒結粒徑為200μm以下的場合，藉由比例計算可以自動判定燒結粒子內部所殘存的粒內氣泡的存在比例為每10萬粒子1個以下。
接著，對已測定的所有燒結體試樣施以中心波長1,064nm的防反射塗層處理(AR處理)。而且，針對所得到的各試樣以如下述的方式再度進行全光線透過率的測定，以及測定了光學有效區域內的插入損失變動(插入損失面內分布)以及消光比面內分布。又，全光線透過率的測定方法與前面所述的相同。
(插入損失面內分布之測定方法) 插入損失，是藉由NKT Photonics公司製造的光源、視準透鏡、工作台、Gentec公司製造的功率計以及鍺光檢測器使用自製的光學系，將波長1,064nm之光聚焦到光束直徑200μmϕ的大小而使其透過時之光的強度來測定，根據以下公式進行了測定。
Figure 02_image009
(式中，I為透過光強度(直線透過長度25mm的試樣的光的強度)，I 0表示入射光強度) 而且，在載置燒結體試樣的工作台增加以自動步進馬達而上下左右移動的機構，將燒結體試樣從光學有效區域內(光學有效徑內)之端到端以100μm的間距移動，同時反覆進行前述插入損失測定，藉此測定了光學有效區域面內全體的插入損失分布。此外，檢測出此時所得的插入損失資料的最大值與最小值，讀取其差作為插入損失變動。又，測定時之室溫為23℃。
(消光比之測定方法) 在前述的插入損失測定所使用的系統，參考 JIS C5877-2:2012，在追加裝填偏光器與檢光器單元的狀態下，以如下的構成進行了消光比測定。亦即，使用將NKT Photonics公司製造的光源、視準透鏡、偏光器、工作台、檢光器、Gentec公司製造的功率計以及鍺光檢測器依序排列於光軸上使用自製的光學系，將波長1,064nm之光聚焦到光束直徑200μmϕ的狀態下使透過試樣中，測定在此狀態使檢光器的偏光面與偏光器的偏光面一致時之光的強度I 0’(雷射光強度的最大值)，接著使檢光器的偏光面旋轉90度以與偏光器的偏光面正交的狀態再度測定受光強度I’(雷射光強度的最小值)，根據以下公式藉由計算求出。
Figure 02_image011
而且，在載置燒結體試樣的工作台增加以自動步進馬達而上下左右移動的機構，將燒結體試樣從光學有效區域內(光學有效徑內)之端到端以100μm的間距移動，同時反覆進行該消光比測定，藉此測定了光學有效區域面內全體的消光比分布。此時讀取所得的消光比的最小值作為消光比。又，測定時之室溫為23℃。
(光束品質(M 2)變化量(n/m)之評估) 光束品質的測定，使用IPG Photonics Japan(股)製造的高功率雷射裝置，使用波長1,070nm，射出功率120W，被準直為直徑1.6mm的CW雷射光進行了測定。將此雷射光使用Coherent 公司製造的ModeMaster PCM 2光束傳搬分析儀測定了光束品質M 2值。首先，測定原始光束(入射光)的M 2值，此值為m。接著於光徑中配置長度25mm的各燒結體試樣，測定分別的透過光的M 2值，此值為n。作為本發明之光束品質變化量計算n/m，定義1.05以下為合格，超過1.05的場合為不合格。又，為了防止光束分析儀(beam profiler)的破壞，入射光以及陶瓷的透過光強度使用光束分光器使衰減到千分之一程度再導入分析儀。此外，在本光學系，m=1.12。
以上所有的結果匯集顯示於表2～4。
Figure 02_image013
Figure 02_image015
Figure 02_image017
由以上結果，確認了可以得到針對使用含有Tb、Al及Sc的石榴石型複合氧化物，與含量超過0質量%且0.1質量%以下的量的SiO 2之複合氧化物粉末之成型體，首先實施預備燒結，其後進行HIP處理(加壓燒結)之後，進而以高於預備燒結溫度的溫度施以再燒結處理的燒結體，且藉由進行光學研磨，把光學表面的散射源(凹窪、髒污、傷痕)的尺寸與個數管理到規定範圍內，進而另外把光學有效區域內部的散射源(氣泡、異相、異物、微龜裂)的尺寸與個數管理到規定範圍內之所有的實施例群(實施例1～5)，均為全光線透過率84.4%以上(施以防反射塗層的場合為99.9%以上)，而且於光學有效區域面內插入損失變動也抑制於0.02dB以下，進而消光比為40dB以上的高度透明的常磁性石榴石型透明陶瓷燒結體。進而確認了輸出120W的雷射光入射時的熱透鏡效應導致的光束品質變化量n/m也都抑制於1.05以下，可無顧忌地搭載於高功率雷射系統。此外，前述實施例群，粒內氣泡的存在比率全部都被推定在每10萬粒子存在1個以下。
此外，如參考例2-1那樣，特別是Tb的一部分以Y置換的比率很少的組成(Tb濃度高的組成)，而且不含Sc，與前述同樣首先實施預備燒結，其後進行HIP處理(加壓燒結)之後，進而以高於預備燒結溫度的溫度施以再燒結處理的燒結體，且藉由進行光學研磨，把光學表面的散射源(凹窪、髒污、傷痕)的尺寸與個數管理到規定範圍內，進而另外把光學有效區域內部的散射源(氣泡、異相、異物、微龜裂)的尺寸與個數管理到規定範圍內之所有的參考例群(參考例1～2)，在輸出120W的雷射光入射時之熱透鏡效應導致的光束品質變化量些微地未達1.05。又，在参考例1-1、1-2或参考例2-1，光束品質變化量n/m之測定值亦有呈現1.05之值的，經數次測定確認為1.06。 相反地，比較實施例1與參考例1，或比較實施例5與參考例2的話，確認了雖然少量但添加Sc的話，可以把輸出120W的雷射光入射時之熱透鏡效應導致的光束品質變化量n/m管理到1.05以下的可能性提高。由以上，可以說是特別是把Tb的一部分以Y置換的比率很少的組成，即使少量，添加Sc也是有意義的。
其他方面，於所有的比較例群(比較例1～5)，例如即使使用與前述實施例同樣的複合氧化物組成的粉末，隨著其燒結條件或最終研磨條件不同，只能得到光學表面的散射源(凹窪、髒污、傷痕)的尺寸與個數成為規定範圍外，而且光學有效區域內部的散射源(氣泡、異相、異物、微龜裂)的尺寸與個數也成為規定範圍外，所有的全光線透過率均未滿84.4%(施以防反射塗層的場合為未滿99.9%)，而且於光學有效區域面內的插入損失變動也超過0.02dB，進而消光比成為未滿40dB的透明陶瓷燒結體。進而確認了輸出120W的雷射光入射時的熱透鏡效應導致的光束品質變化量n/m也都惡化為比1.05還大之值，存在著在搭載於高功率雷射系統時會引起雷射導致單向器的損傷或加工精度上引起問題之課題。
綜上所述，由本實施例的結果，針對使用含有含Tb、Al及Sc的石榴石型複合氧化物，與含量超過0質量%且0.1質量%以下的量的SiO 2之複合氧化物粉末的成型體施加的燒結處理及最終研磨處理施用本發明的條件的話，可得散射源被抑制的(這些散射源之中，粗大者的發生被抑制，而且比其還小的散射源的數目減少)常磁性石榴石型透明陶瓷。接著，此常磁性石榴石型透明陶瓷，全光線透過率為84.4%以上(施以防反射塗層的場合為99.9%以上)，而且在光學有效區域面內插入損失變動被抑制在0.02dB以下，消光比成為40dB以上的高度透明者。進而，將此透明陶瓷作為磁性光學材料使用的場合，可以提供可無顧忌地利用輸出達120W的雷射光之高性能的磁性光學裝置。
又，迄今根據前述的實施型態說明了本發明，但本發明並不以這些實施型態為限，還可以在其他的實施型態、追加、變更、削除等等此技術領域具有通常知識者所能想到的範圍內進行變更，任何態樣只要能達成本發明的作用功效，都包含在本發明的範圍。
100:光單向器(isolator) 110:法拉第轉子 120:偏光器(polarizer) 130:分析器(analyzer) 140:磁石
[圖1]係顯示將相關於本發明的磁性光學材料作為法拉第轉子使用的光單向器的構成例之剖面模式圖。
100:光單向器(isolator)
110:法拉第轉子
120:偏光器(polarizer)
130:分析器(analyzer)
140:磁石

Claims (18)

  1. 一種常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法，使用至少含鋱與鋁與鈧的石榴石型複合氧化物，與含有含量為超過0質量%(質量百分比)且0.1質量%以下的量之SiO 2的複合氧化物粉末成形為成形體之後，預備燒結該成形體成為相對密度94%以上、平均燒結粒徑3μm以下的預備燒結體，接著將此預備燒結體以壓力50MPa以上300MPa以下，溫度1,000℃以上1,780℃以下的條件加壓燒結，進而將此加壓燒結體加熱至前述預備燒結的溫度以上進行再燒結成為平均燒結粒徑15μm以上的再燒結體，光學研磨而修整其光學端面。
  2. 如請求項1之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法， 前述石榴石型複合氧化物，進而含由釔、鎦、鎵及鈰所選擇的至少一種。
  3. 如請求項1或2之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法， 前述石榴石型複合氧化物以下列式(1)表示：
    Figure 03_image001
    (式中，0≦x＜0.45、0≦y＜0.1、0≦z＜0.2、0.001＜y+z≦0.2)。
  4. 如請求項1至3之任一之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法， 前述預備燒結，在減壓下加熱至1,450～1,650℃。
  5. 如請求項1至4之任一之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法， 前述加壓燒結，加熱至1,100～1,700℃。
  6. 如請求項1至5之任一之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法， 前述再燒結，在減壓下加熱至1,650～1,800℃。
  7. 如請求項1至6之任一之常磁性石榴石型透明陶瓷之製造方法， 進而針對前述再燒結體進行氧化退火處理，其後進行光學研磨。
  8. 一種常磁性石榴石型透明陶瓷，是至少含鋱與鋁與鈧的石榴石型複合氧化物之燒結體，助燒結劑含有SiO 2超過0質量%且0.1質量%以下，平均燒結粒徑為15μm以上，且為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，作為其光學有效的內部區域之入射光散射源，於XYZ直角坐標系其最大的長度L作為X軸方向的場合，不含其最大長度L為30μm以上者，且其最大長度L為20μm以上且未滿30μm，而且Y軸方向的寬幅W，與Z軸方向的厚度T均未滿30μm者為2個以下。
  9. 如請求項8之常磁性石榴石型透明陶瓷， 為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T之中任一為10μm以上且未滿20μm，其餘的未滿20μm者為5個以下。
  10. 如請求項8或9之常磁性石榴石型透明陶瓷， 為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T之中任一為2.5μm以上且未滿10μm，其餘的未滿10μm者為10個以下。
  11. 如請求項8至10之任一之常磁性石榴石型透明陶瓷， 為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，X軸方向的最大長度L，與Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均為1μm以上且未滿2.5μm者為500個以下。
  12. 如請求項8至11之任一之常磁性石榴石型透明陶瓷， 為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，包含於其光學有效的內部區域之入射光散射源的數目，在X軸方向的最大長度L，Y軸方向的寬幅W及Z軸方向的厚度T均未滿1μm者為1,000個以下。
  13. 如請求項8至12之任一之常磁性石榴石型透明陶瓷， 殘存於光學有效的內部區域之燒結粒子內部的粒內氣泡的存在比率，為每10萬粒子1個以下。
  14. 如請求項8至13之任一之常磁性石榴石型透明陶瓷， 為直徑5mm，長度25mm的圓柱形狀時，對此使雷射強度120W，光束品質M 2值為m(1＜m≦1.2)之波長1,070nm的雷射光入射，而其透過光的光束品質M 2值為n的場合之n/m為1.05以下。
  15. 如請求項8至14之任一之常磁性石榴石型透明陶瓷， 在光徑長度25mm下之波長1,064nm之全光線透過率，在沒有往光學端面的防反射鍍層的場合為84.4%以上，在有往光學端面的防反射鍍層的場合為99.9%以上。
  16. 一種磁性光學材料，是由請求項8至15之任一之常磁性石榴石型透明陶瓷所構成。
  17. 一種磁性光學裝置，是使用請求項16之磁性光學材料構成的。
  18. 如請求項17之磁性光學裝置， 是具備將前述常磁性石榴石型透明陶瓷作為法拉第轉子，於該法拉第轉子的光學軸上的前後具備偏光材料之可在波長帶0.9μm以上1.1μm以下利用之光單向器。
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