JPH01286956A - 透光性スピネル焼結体の製造方法 - Google Patents
透光性スピネル焼結体の製造方法Info
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- JPH01286956A JPH01286956A JP63116290A JP11629088A JPH01286956A JP H01286956 A JPH01286956 A JP H01286956A JP 63116290 A JP63116290 A JP 63116290A JP 11629088 A JP11629088 A JP 11629088A JP H01286956 A JPH01286956 A JP H01286956A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、透光性に優れた多結晶スピネル焼結体の製造
方法に関する。
方法に関する。
スピネル(MgAIO)はマグネシア(MgO)とアル
ミナ(At O)とからなる酸化物で、立方晶であるか
ら粒界散乱がおこり難い。このため、レンズ、プリズム
、光学窓のような透光性材料として有望視され、従来か
ら各種の方法により透光性焼結体を得る試みがなされて
いる。
ミナ(At O)とからなる酸化物で、立方晶であるか
ら粒界散乱がおこり難い。このため、レンズ、プリズム
、光学窓のような透光性材料として有望視され、従来か
ら各種の方法により透光性焼結体を得る試みがなされて
いる。
例えば、特開昭47−6028号公報に記載されている
ように、弗化リチウムを添加して真空中でホットプレス
する方法がある。又、特開昭59−421153号公報
に示されるように、アルフキシトを加水分解して得られ
たスピネル微粉末に弗化リチウムを添加し、成形して水
素中で焼結する方法も知られている。焼結性を向上させ
るため添加する焼結助剤としては、上記の弗化リチウム
のほかに酸化カルシウム等も有効である。
ように、弗化リチウムを添加して真空中でホットプレス
する方法がある。又、特開昭59−421153号公報
に示されるように、アルフキシトを加水分解して得られ
たスピネル微粉末に弗化リチウムを添加し、成形して水
素中で焼結する方法も知られている。焼結性を向上させ
るため添加する焼結助剤としては、上記の弗化リチウム
のほかに酸化カルシウム等も有効である。
上記した従来の透光性スピネル焼結体の製造方法のうち
、前者の真空中のホットプレス法では、高温と高圧力を
必要とするため設備が大型化し、生産性が悪く高価とな
る欠点があった。又、形状的にも円板状のものは得やす
いが、異形品の製造は難しいという問題があった。後者
の常圧焼結法では、空孔が残存しゃすいほか焼結助剤の
添加やMgOとi 0 を等モル以外に変えた場合な
どに白点状の第2相が出現しやすく、これらの組織的不
均一性により光が散乱され、透過性のレベルが低い欠点
があった。
、前者の真空中のホットプレス法では、高温と高圧力を
必要とするため設備が大型化し、生産性が悪く高価とな
る欠点があった。又、形状的にも円板状のものは得やす
いが、異形品の製造は難しいという問題があった。後者
の常圧焼結法では、空孔が残存しゃすいほか焼結助剤の
添加やMgOとi 0 を等モル以外に変えた場合な
どに白点状の第2相が出現しやすく、これらの組織的不
均一性により光が散乱され、透過性のレベルが低い欠点
があった。
更に、透過性のレベルからみても、従来法により製造さ
れた透光性スピネル焼結体では直線透過率が厚さ1朋で
75〜80%程度が最大であり、厚さ3間以上で使用さ
れる赤外光透過窓のような用途においては透過性の向上
が必要とされていた。
れた透光性スピネル焼結体では直線透過率が厚さ1朋で
75〜80%程度が最大であり、厚さ3間以上で使用さ
れる赤外光透過窓のような用途においては透過性の向上
が必要とされていた。
本発明はかかる従来の事情に鑑み、透光性のレベルが高
く、特に赤外光透過窓などに使用できる直線透過率を有
する透光性スピネル焼結体を、簡単且つ安価に製造でき
る方法を提供すること3目的とする。
く、特に赤外光透過窓などに使用できる直線透過率を有
する透光性スピネル焼結体を、簡単且つ安価に製造でき
る方法を提供すること3目的とする。
上記課題な解決するための手段として、本発明において
は、スピネル粉末に比表面積50〜400m27g(B
ET値)のデルタアルミナ粉末を混合し、この混合粉末
の成形体を1400〜1800 Cの温度で焼結する方
法を採る。
は、スピネル粉末に比表面積50〜400m27g(B
ET値)のデルタアルミナ粉末を混合し、この混合粉末
の成形体を1400〜1800 Cの温度で焼結する方
法を採る。
更に、組織を均一化させ且つ高密度化させる為に、得ら
れた密度比95%以上の焼結体を1400〜1800
Cの温度及び500〜2000◆伽の圧力でHIP処理
することが有効である。
れた密度比95%以上の焼結体を1400〜1800
Cの温度及び500〜2000◆伽の圧力でHIP処理
することが有効である。
又、透光性を阻害するフランダムの析出を防ぐために、
焼結体を状態図におけるスピネル単相領域から急冷する
ことも有効である。
焼結体を状態図におけるスピネル単相領域から急冷する
ことも有効である。
本発明方法においては、スピネル粉末にデルタアルミナ
粉末を添加して焼結するので、アルミナ過剰で焼結され
る。その結果、スピネルの融点が低下し且つ焼結が促進
され、空孔が減少して焼結体が高密度化され、透光性レ
ベルが向上する。使用するデルタアルミナ粉末は無水塩
化アルミニウムの火焔加水分解により製造されたもので
、99.6%以上の高純度で、比表面積が50〜400
m 7g (EET値)と微細であるため、スピネル
粉末と均一に混合し、透光性の向上に有効に働く。
粉末を添加して焼結するので、アルミナ過剰で焼結され
る。その結果、スピネルの融点が低下し且つ焼結が促進
され、空孔が減少して焼結体が高密度化され、透光性レ
ベルが向上する。使用するデルタアルミナ粉末は無水塩
化アルミニウムの火焔加水分解により製造されたもので
、99.6%以上の高純度で、比表面積が50〜400
m 7g (EET値)と微細であるため、スピネル
粉末と均一に混合し、透光性の向上に有効に働く。
デルタアルミナ粉末の添加量は0.1〜10重量%が好
ましく、0.1重量%未満では上記の効果が得られず、
10重量%を超えるとスピネル焼結体中にフランダムが
出現しやすく、透光性が低下する傾向となるからである
。
ましく、0.1重量%未満では上記の効果が得られず、
10重量%を超えるとスピネル焼結体中にフランダムが
出現しやすく、透光性が低下する傾向となるからである
。
このデルタアルミナ粉末の添加により、1400〜18
00 Cでの焼結が可能であって、密度比95%以上の
高密度な焼結体が得られる。尚、通常の焼結助剤である
弗化リチウムや酸化カルシウム等を添加すれば、更に高
密度化を促すことができる。
00 Cでの焼結が可能であって、密度比95%以上の
高密度な焼結体が得られる。尚、通常の焼結助剤である
弗化リチウムや酸化カルシウム等を添加すれば、更に高
密度化を促すことができる。
一方、スピネル粉末は不純物吸収による透光性の低下を
防ぐためにも99.9%以上の純度が好ましく、特にF
e等の遷移金属元素の含有は好ましくない。又、比表面
積は一次粒子の粒径が約0.2μm以下、即ちBET値
で10 m 7g以上であることが好ましい。かかる微
細で高純度のスピネル粉末としては、アルフキシトの加
水分解によるものが好適である。
防ぐためにも99.9%以上の純度が好ましく、特にF
e等の遷移金属元素の含有は好ましくない。又、比表面
積は一次粒子の粒径が約0.2μm以下、即ちBET値
で10 m 7g以上であることが好ましい。かかる微
細で高純度のスピネル粉末としては、アルフキシトの加
水分解によるものが好適である。
焼結は真空中、又はH、Heなどの分子径の小さいガス
雰囲気中で行なうことが望ましい。N2やAr等の分子
径の大きなガス雰囲気中では、空孔内部にこれらの分子
が取り込まれ、以後の高密度化を阻害するからである。
雰囲気中で行なうことが望ましい。N2やAr等の分子
径の大きなガス雰囲気中では、空孔内部にこれらの分子
が取り込まれ、以後の高密度化を阻害するからである。
又、焼結温度は上記の如< 1400〜1800 tl
l’であるが、焼結時間は2〜24時間が好ましい。但
し、焼結助剤を添加した場合には、10時間を超えない
短時間の焼結でも密度比95%以上の高密度が得られる
。
l’であるが、焼結時間は2〜24時間が好ましい。但
し、焼結助剤を添加した場合には、10時間を超えない
短時間の焼結でも密度比95%以上の高密度が得られる
。
HIP処理においては、1400〜1800 Cの温度
及び500〜200(ls+、4以上の圧力で焼結体が
等方的に加圧されるので、塑性変形や拡散機構により、
従来焼結時に白点状に発生することが多かった第2相の
消滅など組織の均一化、及び空孔の除去による高密度化
が促進され、透光性のレベルが一層向上する。但し、H
IP処理前の焼結体の密度比が95%未満では、残留気
孔の多くが解放気孔となり1使用する高圧ガスが内部に
侵入して高密度化を妨げる。H工I’での高圧ガスの種
類はAr、 N2又は01あるいはこれらの混合ガスが
好ましく、特に0 ガスを混合すればHIP処理時の焼
結体からの脱酸素による透光性の低下を防止できる。
及び500〜200(ls+、4以上の圧力で焼結体が
等方的に加圧されるので、塑性変形や拡散機構により、
従来焼結時に白点状に発生することが多かった第2相の
消滅など組織の均一化、及び空孔の除去による高密度化
が促進され、透光性のレベルが一層向上する。但し、H
IP処理前の焼結体の密度比が95%未満では、残留気
孔の多くが解放気孔となり1使用する高圧ガスが内部に
侵入して高密度化を妨げる。H工I’での高圧ガスの種
類はAr、 N2又は01あるいはこれらの混合ガスが
好ましく、特に0 ガスを混合すればHIP処理時の焼
結体からの脱酸素による透光性の低下を防止できる。
尚1本発明においては、デルタアルミナの添加によりア
ルミナ過剰で焼結するので、スピネル単相領域から通常
の如く徐冷するとフランダムが析出して透光性を阻害し
やすい。そこで、焼結後又はHIP処理した場合はその
後、焼結体を急冷することによって、コランダムの生成
を防止することができる。このための冷却速度は200
C/10分以上が好ましい。
ルミナ過剰で焼結するので、スピネル単相領域から通常
の如く徐冷するとフランダムが析出して透光性を阻害し
やすい。そこで、焼結後又はHIP処理した場合はその
後、焼結体を急冷することによって、コランダムの生成
を防止することができる。このための冷却速度は200
C/10分以上が好ましい。
実施例1
純度99.8%、比表面積13 m 7g (BET値
)の高純度スピネル粉末に、純度99.9%、比表面積
100m 7g (B ET値)のデルタアルミナ粉末
を2重量%添加し、アルミナボールを用いて20時時間
式混合した。乾燥後、直径30朋のゴムモールドを用い
て3,0tov偽で静圧成形し、比重2.3の成形体な
得た。この成形体を真空中において1000 Cで2時
間仮焼した後、1700Cで48時間焼結することによ
って、理論密度比98.5%の焼結体を得た0この焼結
体をHIP装置に入れ、Arガスを用いて17000%
1500ψで1.5時間HIP処理した。
)の高純度スピネル粉末に、純度99.9%、比表面積
100m 7g (B ET値)のデルタアルミナ粉末
を2重量%添加し、アルミナボールを用いて20時時間
式混合した。乾燥後、直径30朋のゴムモールドを用い
て3,0tov偽で静圧成形し、比重2.3の成形体な
得た。この成形体を真空中において1000 Cで2時
間仮焼した後、1700Cで48時間焼結することによ
って、理論密度比98.5%の焼結体を得た0この焼結
体をHIP装置に入れ、Arガスを用いて17000%
1500ψで1.5時間HIP処理した。
この焼結体を1500 t:’に加熱してから炉外に取
り出して急冷した。得られた焼結体は外観的に白点もな
く透明であった。
り出して急冷した。得られた焼結体は外観的に白点もな
く透明であった。
得られたスピネル焼結体な厚さ3鴎に鏡面研磨加工し、
赤外分光光度計で直線透過率ご測定したところ、波長3
〜4.5μmの赤外領域で最高84%の優れた透光性3
示した。
赤外分光光度計で直線透過率ご測定したところ、波長3
〜4.5μmの赤外領域で最高84%の優れた透光性3
示した。
実施例2
純度99.6%、比表面積14 m 7g (E ET
値)の高純度スピネル粉末に、純度99.8%、比表面
積150m 7g (B E T値)のデルタアルミナ
粉末4重量%、及び硝酸カルシウムをCaO換算で0.
1重量%添加し、ナイロンボールを用いて10時時間式
混合した。乾燥後、直径25ffil!!のゴムモール
ドを用いて2.5ton/mで静圧成形し、比重2.2
の成形体を得た。この成形体を大気中において1000
Cで1時間仮焼した後、HIP装置に入れHe雰囲気
中で15501:’で24時間焼結し、引き続きArガ
スを投入して1650 C,2000〜伽で2時間のH
IP処理を行なった後、HIP装置内に設置した熱交換
器を用いて1000 C/10 minの速度で急冷し
た。得られた焼結体は外観的に白点もなく透明であった
。
値)の高純度スピネル粉末に、純度99.8%、比表面
積150m 7g (B E T値)のデルタアルミナ
粉末4重量%、及び硝酸カルシウムをCaO換算で0.
1重量%添加し、ナイロンボールを用いて10時時間式
混合した。乾燥後、直径25ffil!!のゴムモール
ドを用いて2.5ton/mで静圧成形し、比重2.2
の成形体を得た。この成形体を大気中において1000
Cで1時間仮焼した後、HIP装置に入れHe雰囲気
中で15501:’で24時間焼結し、引き続きArガ
スを投入して1650 C,2000〜伽で2時間のH
IP処理を行なった後、HIP装置内に設置した熱交換
器を用いて1000 C/10 minの速度で急冷し
た。得られた焼結体は外観的に白点もなく透明であった
。
得られたスピネル焼結体を厚さ3門に鏡面研磨加工し、
赤外分光光度計で直線透過率を測定したところ、波長3
〜5μmの赤外領域で最高84%の優れた透光性を示し
た。
赤外分光光度計で直線透過率を測定したところ、波長3
〜5μmの赤外領域で最高84%の優れた透光性を示し
た。
本発明によれば、透光性のレベルが高く、特に3詰以上
の厚さで使用される赤外光透過窓などの素材として好適
な透光性スピネル焼結体を、簡単且つ安価に製造するこ
とができる。
の厚さで使用される赤外光透過窓などの素材として好適
な透光性スピネル焼結体を、簡単且つ安価に製造するこ
とができる。
出願人 住友電気工業株式会社
Claims (3)
- (1)スピネル粉末に比表面積50〜400m^2/g
(BET値)のデルタアルミナ粉末を混合し、この混合
粉末の成形体を1400〜1800℃の温度で焼結する
透光性スピネル焼結体の製造方法。 - (2)焼結後の密度比95%以上の焼結体を1400〜
1800℃の温度及び500〜2000kg/cm^2
の圧力でHIP処理することを特徴とする、請求項(1
)記載の透光性スピネル焼結体の製造方法。 - (3)焼結後の又はHIP処理後の焼結体を、状態図に
おけるスピネル単相領域から急冷することを特徴とする
、請求項(1)又は(2)記載の透光性スピネル焼結体
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63116290A JPH01286956A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 透光性スピネル焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63116290A JPH01286956A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 透光性スピネル焼結体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01286956A true JPH01286956A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14683387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63116290A Pending JPH01286956A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 透光性スピネル焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01286956A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006106670A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | スピネル焼結体、光透過窓および光透過レンズ |
JP2006290688A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Tosoh Corp | 透光性セラミックス |
WO2009128269A1 (ja) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | 三井金属鉱業株式会社 | スピネル焼結体 |
WO2016084721A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 日本碍子株式会社 | 透明アルミナ焼結体の製法 |
WO2020148907A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2020-07-23 | 住友電気工業株式会社 | スピネル多結晶基板、接合体及び表面弾性波デバイス |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP63116290A patent/JPH01286956A/ja active Pending
Cited By (13)
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